JPS61220431A - 微細加工装置 - Google Patents
微細加工装置Info
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- JPS61220431A JPS61220431A JP6252585A JP6252585A JPS61220431A JP S61220431 A JPS61220431 A JP S61220431A JP 6252585 A JP6252585 A JP 6252585A JP 6252585 A JP6252585 A JP 6252585A JP S61220431 A JPS61220431 A JP S61220431A
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- JP
- Japan
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- precisely
- monitor
- heating stage
- gun
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は加工による汚染を極力避けねばならない電子部
品、特に、半導体装置の微細加工に適用される。
品、特に、半導体装置の微細加工に適用される。
従来の技術
微細加工の特に進んでいる半導体装置の加工について、
引用し説明する。
引用し説明する。
半導体装置の製造には、よく知られているように、レジ
スト膜の形成、パターンの形成の後所定のエツチングな
どによってパターンを転写する等の工程を色々と繰り返
す。従って、汚染物の多いレジスト残査やその他材料に
よる汚染を防ぐために、洗浄を繰り返す。
スト膜の形成、パターンの形成の後所定のエツチングな
どによってパターンを転写する等の工程を色々と繰り返
す。従って、汚染物の多いレジスト残査やその他材料に
よる汚染を防ぐために、洗浄を繰り返す。
未だに実用化されてはいないが、マスクレス加工を応用
して、上述の工程の繰り返しを幾分減らそうという試み
もなされている。（ＬＪ、Ｍｕｒａｙ。
して、上述の工程の繰り返しを幾分減らそうという試み
もなされている。（ＬＪ、Ｍｕｒａｙ。
Ｐｎｏａ、 Ｉｎｔ’ｌ Ｉｏｎ Ｅｎｇｒ、Ｃｏｎｇ
ｒ、ｌ５ＩＡＴ’８３ａｎｄＩ ＰＡＴ ’ ８３ （
Ｋｙｏｔｏ） 、１５５５ （１９８３） ）ここで示
された一連の連結された装置内で加工するので防塞には
幾分効果がある。しかしこの方法によっても汚染を防止
するにはほど遠い。
ｒ、ｌ５ＩＡＴ’８３ａｎｄＩ ＰＡＴ ’ ８３ （
Ｋｙｏｔｏ） 、１５５５ （１９８３） ）ここで示
された一連の連結された装置内で加工するので防塞には
幾分効果がある。しかしこの方法によっても汚染を防止
するにはほど遠い。
発明が解決しようとした問題点
以上の従来例において明らかなように、現在の方法では
、汚染を防止するのは非常に難しく、そのため洗浄を何
ども繰り返すことになる。このような洗浄は工程数を増
やすために歩留りの低下や汚染の残留などによる信頼性
の低下が指速されている。
、汚染を防止するのは非常に難しく、そのため洗浄を何
ども繰り返すことになる。このような洗浄は工程数を増
やすために歩留りの低下や汚染の残留などによる信頼性
の低下が指速されている。
又、一方、連結された装置においては、改良が行われて
いるが、微細加工における精密な位置合せの問題や、ゴ
ミの出ない搬送系の開発などが残されている。
いるが、微細加工における精密な位置合せの問題や、ゴ
ミの出ない搬送系の開発などが残されている。
本発明はこのような欠点を解消した新しい複合微細加工
装置を提供することを目的とした。
装置を提供することを目的とした。
問題点を解決するための手段
本発明Ｋかかる微細加工装置は、高真空及び低真空の少
なくとも２室の作業空間と、イオン、電子銃およびそれ
らの共通の出射口と、空間電流モニター又は吸収電流モ
ニターの少なくともどちらかと、加熱ステージと、前記
モニターにより検出した位置及び伸びに応じて前記加熱
ステージを駆動せしめると同時に、前記イオンないしは
電子の振巾を変化せしめる機構とを有した複合装置であ
って、出射口中心軸と加熱ステージ上の試料交点に、粒
子流の中心軸を一致せしめる。
なくとも２室の作業空間と、イオン、電子銃およびそれ
らの共通の出射口と、空間電流モニター又は吸収電流モ
ニターの少なくともどちらかと、加熱ステージと、前記
モニターにより検出した位置及び伸びに応じて前記加熱
ステージを駆動せしめると同時に、前記イオンないしは
電子の振巾を変化せしめる機構とを有した複合装置であ
って、出射口中心軸と加熱ステージ上の試料交点に、粒
子流の中心軸を一致せしめる。
作 用
本発明によれば、装置内で様々な処理が行え、汚染、積
車の恐れがなく、高精度に半導体装置を製造することが
可能となる〇 実施例 本発明は以上の問題点を解決するために、第１図に示す
ような構成２機能を具備した装置を用いるＯ 半導体基板等からなる被加工物１は、加熱ステージ２上
に載せられており、加熱ステージ２の移動は、レーザモ
ニターなどによって高精度に位置ぎめされる。電子銃３
、イオン銃４などから生じる線束は各々の光学系３’、
４’、３“、４“を通り、共通の鏡筒６を通過し、同一
の中心軸６を有するよう電子的に調整され、被加工物１
を照射する◇この時、必要に応じて、粒子ガン８よシ流
出する粒子流７と複合的に反応し、被加工物１を加工（
エツチング、堆積、拡散など）する。この時、昇温や加
熱などによる位置ずれや、伸縮を吸収電流モニター９や
空間電流モニター１０などで検出し、光学系３”、４“
に補正信号を送シ、高精度の位置合せを達成する。
車の恐れがなく、高精度に半導体装置を製造することが
可能となる〇 実施例 本発明は以上の問題点を解決するために、第１図に示す
ような構成２機能を具備した装置を用いるＯ 半導体基板等からなる被加工物１は、加熱ステージ２上
に載せられており、加熱ステージ２の移動は、レーザモ
ニターなどによって高精度に位置ぎめされる。電子銃３
、イオン銃４などから生じる線束は各々の光学系３’、
４’、３“、４“を通り、共通の鏡筒６を通過し、同一
の中心軸６を有するよう電子的に調整され、被加工物１
を照射する◇この時、必要に応じて、粒子ガン８よシ流
出する粒子流７と複合的に反応し、被加工物１を加工（
エツチング、堆積、拡散など）する。この時、昇温や加
熱などによる位置ずれや、伸縮を吸収電流モニター９や
空間電流モニター１０などで検出し、光学系３”、４“
に補正信号を送シ、高精度の位置合せを達成する。
なお、真空ポンプ系１１により、高真空（約１０−’
Ｐａ以下）から低真空（約１０Ｐａ）までの領域を制御
する。この範囲での真空からの汚染を防ぐために二室構
成となし、その間にゲート１３を設けである。
Ｐａ以下）から低真空（約１０Ｐａ）までの領域を制御
する。この範囲での真空からの汚染を防ぐために二室構
成となし、その間にゲート１３を設けである。
さらに、反応の促進などのため、レーザ光１２や、膜厚
や反応の進行状況を検出する膜モニター１４を具備して
いる。
や反応の進行状況を検出する膜モニター１４を具備して
いる。
本発明は汚染、洗浄２発塵２位置合せ等の問題の解決の
ために、主たる工程においては、第１図に示すように、
被加工物１を加熱ステージ２に載せ、次に搬出するまで
搬送を行わない。搬入出口にはロードロックを設けてお
くことが望ましい。
ために、主たる工程においては、第１図に示すように、
被加工物１を加熱ステージ２に載せ、次に搬出するまで
搬送を行わない。搬入出口にはロードロックを設けてお
くことが望ましい。
選択的反応促進やドーパントの導入のために、電子銃３
やイオン銃４を少なくとも備え、各々の電子光学系３，
４によシ整形し、最後に共通の鏡筒５を通すことによっ
て、電子線、イオン線束の中心軸６を電子的に完全に一
致せしめることによって、両者の位置合せを完全にし、
被加工物１上での位置すれか、０．０２μｍ以下の高精
度を実現せしめている。共通の鏡筒６には、両者に必要
な一部共通の電子光学系３“および４９！具備されてい
る。
やイオン銃４を少なくとも備え、各々の電子光学系３，
４によシ整形し、最後に共通の鏡筒５を通すことによっ
て、電子線、イオン線束の中心軸６を電子的に完全に一
致せしめることによって、両者の位置合せを完全にし、
被加工物１上での位置すれか、０．０２μｍ以下の高精
度を実現せしめている。共通の鏡筒６には、両者に必要
な一部共通の電子光学系３“および４９！具備されてい
る。
パターン形成のためには、外部信号に同期して、これら
の線束が偏向され、被加工物１上に照射されることによ
って達成される。この時、必要に応じて例えば反応用の
ガスを、粒子流７（イオン。
の線束が偏向され、被加工物１上に照射されることによ
って達成される。この時、必要に応じて例えば反応用の
ガスを、粒子流７（イオン。
プラズマ、分子など）として粒子ガン８より送入し、例
えばエツチング、膜堆積や拡散を生じしめる。この時、
加熱ステージ２の昇温により、当然。
えばエツチング、膜堆積や拡散を生じしめる。この時、
加熱ステージ２の昇温により、当然。
被加工物１の位置ずれが生じる。この補正は、線束の照
射により生じた吸収電流のモニター９、二次電子などの
空間電流のモニタ１０によシ、被加工物１上にあらかじ
め設けた位置パターンを検出し、線束の位置情報と対比
し、その差分をとることによってなされる。この位置ず
れや、伸縮の補正値は、前述のパターン形成にあたって
入力する線束の位置情報に反映される。従って、温度変
化や何らの原因で生ずる位置ずれ０１μｍ以下の微小な
補正を、被加工物１を動かすことなく達成でき、従って
、精度は非常に高いものとなっているＯ膜堆積やエツチ
ングには多量の粒子流７が必要とされる。この排気には
大きな真空ポンプ系１１が必要とされるが、その負荷を
少なくするため、粒子流７をパルス的に導入する、中心
軸に焦点を合わせて極く狭い領域のみに粒子流７を照射
することが望ましいＯこうすることＫよって、負荷１／
１０〜１／１０００に小さくでき、従って、小型のポン
プ系を長寿命で信頼性よく使用することができる＠ 又、同様にレーザ光１２などを補助励起手段として、上
記と同様に中心部に集中させ、反応を促進することも有
用であるＯこの中心部のみに集中させ、精密な加工を行
う方法は、特に１μｍ以下の精度を必要としたときに有
用である。これよシ広い部分の加工を連続して行うには
、加熱ステージ２を少し移動せしめて新たな被加工面を
もってくることによりなされる。
射により生じた吸収電流のモニター９、二次電子などの
空間電流のモニタ１０によシ、被加工物１上にあらかじ
め設けた位置パターンを検出し、線束の位置情報と対比
し、その差分をとることによってなされる。この位置ず
れや、伸縮の補正値は、前述のパターン形成にあたって
入力する線束の位置情報に反映される。従って、温度変
化や何らの原因で生ずる位置ずれ０１μｍ以下の微小な
補正を、被加工物１を動かすことなく達成でき、従って
、精度は非常に高いものとなっているＯ膜堆積やエツチ
ングには多量の粒子流７が必要とされる。この排気には
大きな真空ポンプ系１１が必要とされるが、その負荷を
少なくするため、粒子流７をパルス的に導入する、中心
軸に焦点を合わせて極く狭い領域のみに粒子流７を照射
することが望ましいＯこうすることＫよって、負荷１／
１０〜１／１０００に小さくでき、従って、小型のポン
プ系を長寿命で信頼性よく使用することができる＠ 又、同様にレーザ光１２などを補助励起手段として、上
記と同様に中心部に集中させ、反応を促進することも有
用であるＯこの中心部のみに集中させ、精密な加工を行
う方法は、特に１μｍ以下の精度を必要としたときに有
用である。これよシ広い部分の加工を連続して行うには
、加熱ステージ２を少し移動せしめて新たな被加工面を
もってくることによりなされる。
次に、高速の膜堆積や、エツチングのために大量のガス
等を導入すると真空室内の圧力が高くなり、又、鏡筒を
汚染する。したがって、その防止のために、高真空室側
と低真空室側の少なくとも二つの室に分けておき、両室
間にゲート１３を設置しておく。このゲート１３を、低
真空室の浄化などのため例えばベーク時に閉鎖しておく
ことによって、高真空室側の汚染を防止するなど有効な
手段を提供する。
等を導入すると真空室内の圧力が高くなり、又、鏡筒を
汚染する。したがって、その防止のために、高真空室側
と低真空室側の少なくとも二つの室に分けておき、両室
間にゲート１３を設置しておく。このゲート１３を、低
真空室の浄化などのため例えばベーク時に閉鎖しておく
ことによって、高真空室側の汚染を防止するなど有効な
手段を提供する。
加工精度の非常に高いシリコン半導体装置製造工程を例
にとって本発明の詳細な説明する０被加工物１としてＮ
型１ｅＳＯｍφ、（１００）。
にとって本発明の詳細な説明する０被加工物１としてＮ
型１ｅＳＯｍφ、（１００）。
３〜６ΩαのＳｉ 基板２１を用いて、第２図に示すよ
うに擬似的な形状の形成を試みた。
うに擬似的な形状の形成を試みた。
先ず、ｓｉ基板２１を酸化して約０．３μｍの酸化膜２
２を形成し、つづいてプラズマ窒化膜２３を約０．１μ
ｍμｍ酸形成。（第１図ａ）、この基板を第１図に示す
装置内に装填し、第２図に示す残シの工程を、汚染やゴ
ミの心配なしに行ったＯ装置内での超精密加工域は６ｆ
ｉ角であるので、Ｓ１基板２１全面の加工には、第３図
に示すように６■角の網目を想定し、例えば斜線を引い
た部分を中心軸に合わせて、単一工程の加工を行ない、
次にその横の網目部分とステップを踏んで行なったＯパ
ターンとしては、試験用として、第ルベルは第４図に示
すような３μｍＸ１０μｍを繰り返した一番簡単なもの
を基礎とし、以降のレベルは、第２図断面図に対応する
間隔、巾を有した短冊状のパターンを用いた。
２を形成し、つづいてプラズマ窒化膜２３を約０．１μ
ｍμｍ酸形成。（第１図ａ）、この基板を第１図に示す
装置内に装填し、第２図に示す残シの工程を、汚染やゴ
ミの心配なしに行ったＯ装置内での超精密加工域は６ｆ
ｉ角であるので、Ｓ１基板２１全面の加工には、第３図
に示すように６■角の網目を想定し、例えば斜線を引い
た部分を中心軸に合わせて、単一工程の加工を行ない、
次にその横の網目部分とステップを踏んで行なったＯパ
ターンとしては、試験用として、第ルベルは第４図に示
すような３μｍＸ１０μｍを繰り返した一番簡単なもの
を基礎とし、以降のレベルは、第２図断面図に対応する
間隔、巾を有した短冊状のパターンを用いた。
先ず、第４図に示す第ルベルのノくターン（斜線部）に
沿って０．３μｍ径に絞った電子線を照射しながら、粒
子流７（第１図）としてイオン化ＳＦ６ガスを０．６Ｘ
１０−２Ｐａのリークパルプを通して送入し、窒化膜２
３を少しずつ除去し、第２図ａの断面形状を得た。次に
基板を３００℃に加熱し、ゲート１３（第１図）を閉鎖
した状態で、プラズマＣＨＦ５ガスを約１０−１Ｐａ導
入し、酸化膜２２′を完全に除去した後、一旦真空度を
向上（約１Ｏ−４Ｐａ）、同時に基板９００℃に加熱し
た０引き続いて、酸素ガスを約１Ｐａ導入し、０．０６
μｍのゲート酸化膜２４を再度形成した（第２図ｂ）Ｏ
その後、真空度を１ｏ Ｐａ としたＯ引き続いて
、基板温度を５５０℃に保持して５１２Ｈ２Ｃ１４０粒
子流を照射しなからＧａ イオン線束を同時に照射した
Ｏイオン線束のスポット径は約０．０６μｍであり、１
μｍの話中に々るよう短冊状に重畳して照射したＯその
結果、第２図に示すように巾１μｍ、高さ０．６μｍの
擬似ゲート電極２６を形成した（第２図Ｃ）。ゲート１
３（第１図）を閉鎖しさらに基板を再び９００℃に加熱
し、上述のように酸素ガスを約Ｉ Ｐａ導入して、再酸
化を行ない、ゲート電極２６の回シに酸化膜２６を形成
した。この時、同時に、ゲート酸化膜２４の一部が変化
して２４′となり、窒化膜２３も殆んど酸化膜２３′に
変化している（第２図ｄ）０次にＣＨＦ３ラジカルを導
入して、酸化膜２３゜２３’、２４’を全面エツチング
し、丁度酸化膜２４′を除去した０ 次に一旦真空度を１Ω−５Ｐａ にあげ、残留ガスをほ
ぼ完全に除去した後、基板を約８００℃に保持した。ゲ
ート１３（第１図）を開け、再びＧ＆イオン線束を照射
した。
沿って０．３μｍ径に絞った電子線を照射しながら、粒
子流７（第１図）としてイオン化ＳＦ６ガスを０．６Ｘ
１０−２Ｐａのリークパルプを通して送入し、窒化膜２
３を少しずつ除去し、第２図ａの断面形状を得た。次に
基板を３００℃に加熱し、ゲート１３（第１図）を閉鎖
した状態で、プラズマＣＨＦ５ガスを約１０−１Ｐａ導
入し、酸化膜２２′を完全に除去した後、一旦真空度を
向上（約１Ｏ−４Ｐａ）、同時に基板９００℃に加熱し
た０引き続いて、酸素ガスを約１Ｐａ導入し、０．０６
μｍのゲート酸化膜２４を再度形成した（第２図ｂ）Ｏ
その後、真空度を１ｏ Ｐａ としたＯ引き続いて
、基板温度を５５０℃に保持して５１２Ｈ２Ｃ１４０粒
子流を照射しなからＧａ イオン線束を同時に照射した
Ｏイオン線束のスポット径は約０．０６μｍであり、１
μｍの話中に々るよう短冊状に重畳して照射したＯその
結果、第２図に示すように巾１μｍ、高さ０．６μｍの
擬似ゲート電極２６を形成した（第２図Ｃ）。ゲート１
３（第１図）を閉鎖しさらに基板を再び９００℃に加熱
し、上述のように酸素ガスを約Ｉ Ｐａ導入して、再酸
化を行ない、ゲート電極２６の回シに酸化膜２６を形成
した。この時、同時に、ゲート酸化膜２４の一部が変化
して２４′となり、窒化膜２３も殆んど酸化膜２３′に
変化している（第２図ｄ）０次にＣＨＦ３ラジカルを導
入して、酸化膜２３゜２３’、２４’を全面エツチング
し、丁度酸化膜２４′を除去した０ 次に一旦真空度を１Ω−５Ｐａ にあげ、残留ガスをほ
ぼ完全に除去した後、基板を約８００℃に保持した。ゲ
ート１３（第１図）を開け、再びＧ＆イオン線束を照射
した。
この時、照射域は第２図ｅのＡｌ線巾に相当する巾をも
った短冊状の形状とした。約５ｏ分照射した後基板を約
２ｏｏ℃に冷却し、アルキルＡＩ！ガスを１秒毎に１０
０ｍ５ｅｃ間リークパルプを通じて、粒子流７（第１図
）として基板の中心軸直下に衝突せしめた。この結果、
第２図ｅに示すようにＡｌ配線２７がうまく形成された
。この後、破面を取り、断面をＳＥＭで観察した所、第
２図６と同じ形状をしていた◎又、スティンニッチによ
り、同図に示すようにソース、ドレインとなるＧａ拡散
層２８が確認された。
った短冊状の形状とした。約５ｏ分照射した後基板を約
２ｏｏ℃に冷却し、アルキルＡＩ！ガスを１秒毎に１０
０ｍ５ｅｃ間リークパルプを通じて、粒子流７（第１図
）として基板の中心軸直下に衝突せしめた。この結果、
第２図ｅに示すようにＡｌ配線２７がうまく形成された
。この後、破面を取り、断面をＳＥＭで観察した所、第
２図６と同じ形状をしていた◎又、スティンニッチによ
り、同図に示すようにソース、ドレインとなるＧａ拡散
層２８が確認された。
なお以上の試行において、温度の上昇などによる位置ず
れの補正については、電子線やイオン線が照射した時に
生ずる二次電子をとらえ、パターン像として解析し、所
定の基準長よりのずれ分だけを光学系ｆ、／（第１図）
を用いて行った。
れの補正については、電子線やイオン線が照射した時に
生ずる二次電子をとらえ、パターン像として解析し、所
定の基準長よりのずれ分だけを光学系ｆ、／（第１図）
を用いて行った。
以上の説明で明らかなように、本装置内においての工程
では、汚染、積車の恐れはないことが判る０ これに対して、従来例においては、パターン形成時に−
Ｈしシストを使用する。このため、汚染。
では、汚染、積車の恐れはないことが判る０ これに対して、従来例においては、パターン形成時に−
Ｈしシストを使用する。このため、汚染。
積車の生ずることは自明である。第５図に、いわゆるＳ
ＩＭＳによって、表面のＣｒ量を調べた結果を示す０即
ち、レジストを塗り、現像し、ｏ２プラズマで除去した
後には、表面層に、多量のＣｒが残存していることが判
る。一方、上述の全工程を終えた基板表面には、Ｏｒの
他、Ｆｅその他の重金属類の汚染は全く認められなかっ
た。
ＩＭＳによって、表面のＣｒ量を調べた結果を示す０即
ち、レジストを塗り、現像し、ｏ２プラズマで除去した
後には、表面層に、多量のＣｒが残存していることが判
る。一方、上述の全工程を終えた基板表面には、Ｏｒの
他、Ｆｅその他の重金属類の汚染は全く認められなかっ
た。
発明の効果
以上の説明で明らかなように、本発明の装置によれば、
汚染や積車の恐れが解消し、従って、得られる高精度電
子部品、例えば超高集積化半導体装置の特性及び信頼性
の向上に多大な寄与が生ずる０又、多数の工程を一装置
内で行えるために、多品種少量、混載素子などの迅速な
製作に使用され、大きな効果をあげている０
汚染や積車の恐れが解消し、従って、得られる高精度電
子部品、例えば超高集積化半導体装置の特性及び信頼性
の向上に多大な寄与が生ずる０又、多数の工程を一装置
内で行えるために、多品種少量、混載素子などの迅速な
製作に使用され、大きな効果をあげている０
第１図は本発明の一実施例の微細加工装置の概略図、第
２図は半導体装置を形成する工程を示す図、第３図はパ
ターンを形成する小領域を示す図、第４図は簡単なパタ
ーン図、第５図は従来例における表面のＣｒ汚染を示す
ＳＩＭＳ結果を示す図である。 １・・・・・・加工物、２・・・・・・加熱ステージ、
３・川・・電子銃、４・・・・・・イオン銃、６・・・
・・・鏡筒、６・・・・・・中心軸、７・・・・・・粒
子流、８・・・・・・粒子ガン、９・・・・・・吸収電
流モニター、１０・・・・・・空間電流モニター、１１
・・・・・・真空ポンプ系、１２・・・・・・レーザ光
、１３・・・・・・ゲート、１４・・・・・・膜モニタ
ー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
２図は半導体装置を形成する工程を示す図、第３図はパ
ターンを形成する小領域を示す図、第４図は簡単なパタ
ーン図、第５図は従来例における表面のＣｒ汚染を示す
ＳＩＭＳ結果を示す図である。 １・・・・・・加工物、２・・・・・・加熱ステージ、
３・川・・電子銃、４・・・・・・イオン銃、６・・・
・・・鏡筒、６・・・・・・中心軸、７・・・・・・粒
子流、８・・・・・・粒子ガン、９・・・・・・吸収電
流モニター、１０・・・・・・空間電流モニター、１１
・・・・・・真空ポンプ系、１２・・・・・・レーザ光
、１３・・・・・・ゲート、１４・・・・・・膜モニタ
ー。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (2)
- （１）高真空及び低真空の少なくとも２室の作業空間と
、イオン、電子銃およびそれらの共通の出射口と空間電
流モーター又は吸収電流モニターの少なくともどちらか
と、加熱ステージと、前記モニターにより検出した位置
及び伸びに応じて前記加熱ステージを駆動せしめると同
時に、前記イオンないしは電子の振巾を変化せしめる機
構とを有したことを特徴とした微細加工装置。 - （２）出射口中心軸と加熱ステージ上の試料交点に、粒
子流の中心軸を一致せしめたことを特徴とした特許請求
の範囲第１項記載の微細加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6252585A JPS61220431A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 微細加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6252585A JPS61220431A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 微細加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220431A true JPS61220431A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13202686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6252585A Pending JPS61220431A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 微細加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220431A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP6252585A patent/JPS61220431A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
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