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JPS6119547Y2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6119547Y2
JPS6119547Y2 JP11104979U JP11104979U JPS6119547Y2 JP S6119547 Y2 JPS6119547 Y2 JP S6119547Y2 JP 11104979 U JP11104979 U JP 11104979U JP 11104979 U JP11104979 U JP 11104979U JP S6119547 Y2 JPS6119547 Y2 JP S6119547Y2
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JP
Japan
Prior art keywords
transistor
voltage
resistor
inverting
output
Prior art date
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Application number
JP11104979U
Other languages
Japanese (ja)
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JPS5629518U (en
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Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP11104979U priority Critical patent/JPS6119547Y2/ja
Publication of JPS5629518U publication Critical patent/JPS5629518U/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はB級増幅動作の場合とほぼ同様の電力
効率で増幅動作をし、かつスイツチング歪の発生
しない電力増幅回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a power amplifier circuit that performs an amplification operation with almost the same power efficiency as a class B amplification operation and does not generate switching distortion.

従来、オーデイオ用の電力増幅回路には、シン
グルエンテツトプツシユプル(以下、SEPPと略
記する)回路が多用され、特に電力効率の良好な
ために、所定のアイドリング電流を流すようには
するがB級動作をするようにバイアスしたB級
SEPP電力増幅回路が採用されている。
Conventionally, single-enterpush pull (hereinafter abbreviated as SEPP) circuits have been frequently used in power amplifier circuits for audio, and because of their particularly good power efficiency, they are designed to allow a predetermined idling current to flow. B class biased to perform class action
SEPP power amplifier circuit is adopted.

しかるにB級SEPP電力増幅回路はアイドリン
グ電流の2倍を超える負荷電流を流す正および負
のそれぞれの半サイクルの入力信号の印加中には
トランジスタのスイツチングが行われ、トランジ
スタのキヤリヤ蓄積効果などに寄因してスイツチ
ング歪が発生する欠点があつた。
However, in a class B SEPP power amplifier circuit, switching of the transistor is performed during the application of input signals of positive and negative half cycles, which cause load current exceeding twice the idling current to flow, and this is due to the carrier accumulation effect of the transistor. As a result, there was a drawback that switching distortion occurred.

本考案は上記にかんがみなされたもので、上記
の欠点を解消してB級増幅動作の場合とほぼ同様
の電力効率で増幅動作をし、かつ入力信号の全期
間にわたつてトランジスタをスイツチングさせな
いようにしてスイツチング歪の発生しない電力増
幅回路を提供することを目的とするものであつ
て、以下本考案を実施例により説明する。
The present invention has been developed in view of the above, and it eliminates the above drawbacks, performs amplification operation with almost the same power efficiency as class B amplification operation, and avoids switching of transistors over the entire period of the input signal. The object of the present invention is to provide a power amplifier circuit in which switching distortion does not occur, and the present invention will be explained below with reference to embodiments.

図は本考案の一実施例の回路図である。 The figure is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

本考案の一実施例の電力増幅回路は、駆動段用
のトランジスタ1のエミツタと出力段用のトラン
ジスタ3のコレクタとの間に抵抗5を接続して、
トランジスタ1と3とをインバーテツトダーリン
トン接続し、トランジスタ3のコレクタを抵抗7
を通して一端を接地した負荷9に接続し、同様に
駆動段用のトランジスタ2のエミツタと出力段用
のトランジスタ4のコレクタとの間に抵抗6を接
続して、トランジスタ2と4とをインバーテツト
ダーリントン接続し、トランジスタ4のコレクタ
を抵抗8を通して負荷9に接続し、トランジスタ
1のベースとトランジスタ2のベースとの間に一
定電圧のバイアス電圧を与える個定バイアス回路
10を接続してSEPP電力増幅回路を構成する。
このSEPP電力増幅回路をさらに入力抵抗17お
よび帰還抵抗23を有する第1の反転増幅器19
と、入力抵抗18および帰還抵抗24を有する第
2の反転増幅器20を設ける。一方、トランジス
タ1のエミツタとトランジスタ2のエミツタとの
間に抵抗11と12との直列回路を接続して抵抗
11と12との共通接続点Bにおいてトランジス
タ1と2のエミツタ間の電圧を分圧して基準電圧
とし、この基準電圧をダイオード13を介して第
1の反転増幅器19の非反転入力端子に、SEPP
電力増幅回路の出力端すなわち抵抗7と8との共
通接続点Aの電圧を入力遮断用のダイオード15
と入力抵抗17を介して第1の反転増幅器19の
反転入力端子に印加し、出力端Aの電圧が基準電
圧以上のとき第1の反転増幅器19が動作するよ
うに構成する。同様に前記の基準電圧をダイオー
ド14を介して第2の反転増幅器20の非反転入
力端子に、出力端Aの電圧を入力遮断用のダイオ
ード16と入力抵抗18を介して第2の反転増幅
器20の反転入力端子に印加し、出力端Aの電圧
が基準電圧以下のとき第2の反転増幅器20が動
作するように構成する。また、第1の反転増幅器
19の出力は抵抗21を通してトランジスタ1の
エミツタに、第2の反転増幅器20の出力は抵抗
22を通してトランジスタ2のエミツタに印加す
る。
A power amplifier circuit according to an embodiment of the present invention has a resistor 5 connected between the emitter of the transistor 1 for the drive stage and the collector of the transistor 3 for the output stage.
Transistors 1 and 3 are inverted Darlington connected, and the collector of transistor 3 is connected to resistor 7.
A resistor 6 is connected between the emitter of the drive stage transistor 2 and the collector of the output stage transistor 4 to connect the transistors 2 and 4 to an inverted Darlington. The collector of the transistor 4 is connected to the load 9 through the resistor 8, and the individual bias circuit 10 that provides a constant bias voltage is connected between the base of the transistor 1 and the base of the transistor 2 to form a SEPP power amplifier circuit. Configure.
This SEPP power amplifier circuit is further connected to a first inverting amplifier 19 having an input resistor 17 and a feedback resistor 23.
and a second inverting amplifier 20 having an input resistor 18 and a feedback resistor 24. On the other hand, a series circuit of resistors 11 and 12 is connected between the emitter of transistor 1 and the emitter of transistor 2, and the voltage between the emitters of transistors 1 and 2 is divided at the common connection point B of resistors 11 and 12. SEPP
A diode 15 is used to cut off the voltage at the output end of the power amplifier circuit, that is, the common connection point A between the resistors 7 and 8.
is applied to the inverting input terminal of the first inverting amplifier 19 via the input resistor 17, and the first inverting amplifier 19 is configured to operate when the voltage at the output terminal A is equal to or higher than the reference voltage. Similarly, the reference voltage is applied to the non-inverting input terminal of the second inverting amplifier 20 via the diode 14, and the voltage at the output terminal A is applied to the non-inverting input terminal of the second inverting amplifier 20 via the input cutoff diode 16 and the input resistor 18. The second inverting amplifier 20 is configured to operate when the voltage at the output terminal A is equal to or lower than the reference voltage. Further, the output of the first inverting amplifier 19 is applied to the emitter of the transistor 1 through the resistor 21, and the output of the second inverting amplifier 20 is applied to the emitter of the transistor 2 through the resistor 22.

なおダイオード13および14は入力遮断用の
ダイオード15および16の順方向電圧降下を補
償するために接続されたものであつて、常に順方
向に電流を流すようにバイアスしてある。
Note that the diodes 13 and 14 are connected to compensate for the forward voltage drop of the input cutoff diodes 15 and 16, and are biased so that current always flows in the forward direction.

上記の如く構成した電力増幅回路において、正
電源+B側と出力端Aとの間の回路と、負電源−
B側と出力端Aとの間の回路とは各抵抗の抵抗値
に等しく選択してある。
In the power amplifier circuit configured as described above, the circuit between the positive power supply +B side and the output terminal A and the negative power supply -
The circuit between the B side and the output terminal A is selected to be equal to the resistance value of each resistor.

まず無入力信号時について説明する。無入力信
号時においたは固定バイアス回路10のバイアス
電圧によりトランジスタ1,2,3および4はオ
ン状態にあり、トランジスタ3および4には所定
のアイドリング電流が流れる。しかし出力端Aと
共通接続点Bとの間に電位差はなく、第1の反転
増幅器19および20の入力は零であり、トラン
ジスタ1および2のエミツタ電流は抵抗5と21
に、および抵抗6と22とに分流している。なお
抵抗11と12とは常に一定の電流が流れてい
る。
First, the case when there is no input signal will be explained. When no signal is input, transistors 1, 2, 3, and 4 are in an on state due to the bias voltage of fixed bias circuit 10, and a predetermined idling current flows through transistors 3 and 4. However, there is no potential difference between the output terminal A and the common connection point B, the inputs of the first inverting amplifiers 19 and 20 are zero, and the emitter currents of the transistors 1 and 2 are
and to resistors 6 and 22. Note that a constant current always flows through the resistors 11 and 12.

つぎに、上記の電力増幅回路に負の半サイクル
の入力信号が印加されているときは、トランジス
タ1および2のベース電位は負側に移動してお
り、トランジスタ2および4のコレクタ電流は前
記無入力信号時の値から増加し、このコレクタ電
流の増加分は抵抗6,8を通つて負荷9に流れ込
み、負荷9に負の半サイクルの入力信号を増幅し
た電力を発生させる。
Next, when a negative half-cycle input signal is applied to the above power amplifier circuit, the base potentials of transistors 1 and 2 move to the negative side, and the collector currents of transistors 2 and 4 are This increase in collector current increases from the value at the time of the input signal, and flows into the load 9 through the resistors 6 and 8, causing the load 9 to generate power that is an amplification of the negative half-cycle input signal.

トランジスタ2および4のコレクタ電流の増加
により抵抗6および8の電圧降下は増加し、出力
端Aの電位は共通接続点Bの電位すなわち基準電
圧より高電位となる。
As the collector currents of transistors 2 and 4 increase, the voltage drops across resistors 6 and 8 increase, and the potential at output terminal A becomes higher than the potential at common connection point B, that is, the reference voltage.

一方、負の半サイクルの入力信号の印加によ
り、抵抗5に流れる電流は無入力信号時の値から
減少、もしくは逆方向(トランジスタ3のコレク
タからトランジスタ1のエミツタへの方向)に流
れて、トランジスタ1はオフ状態に移行しようと
する。しかし前述の如く出力端Aの電位が共通接
続点Bの電位より高電位となつたことにより第1
の反転増幅器19は働き、第1の反転増幅器19
の出力端子の電位は下げられる。そこで抵抗21
に流れるトランジスタ1のエミツタ電流は増加
し、抵抗5に流れるトランジスタ1のエミツタ電
流の変化分は抵抗21に流れるトランジスタ1の
エミツタ電流の増加により補償される。そこでト
ランジスタ1のベース・エミツタ間電圧はトラン
ジスタ1をオン状態にする値に維持されてトラン
ジスタ1はオン状態に維持される。
On the other hand, when a negative half-cycle input signal is applied, the current flowing through the resistor 5 decreases from the value when no input signal is applied, or flows in the opposite direction (from the collector of transistor 3 to the emitter of transistor 1), causing the 1 attempts to transition to the off state. However, as mentioned above, because the potential of the output terminal A became higher than the potential of the common connection point B, the first
The first inverting amplifier 19 works and the first inverting amplifier 19
The potential of the output terminal of is lowered. So resistance 21
The emitter current of the transistor 1 flowing through the resistor 5 increases, and the change in the emitter current of the transistor 1 flowing through the resistor 5 is compensated by the increase in the emitter current of the transistor 1 flowing through the resistor 21. Therefore, the base-emitter voltage of transistor 1 is maintained at a value that turns transistor 1 on, and transistor 1 is maintained on.

なおこのとき、第2の反転増幅器20はダイオ
ード16によつて入力が遮断されているため無入
力信号時とじ状態に維持される。
At this time, since the input of the second inverting amplifier 20 is cut off by the diode 16, the closed state is maintained when there is no input signal.

また、負の半サイクルの入力信号が印加されて
いるときには、抵抗5,7,17,21および2
3によるブリツヂ回路が形成される。いま抵抗7
に流れる電流は微少なために抵抗7を無視すれ
ば、前記のブリツヂ回路は抵抗5,17,21お
よび23で形成され、抵抗5,17,21および
23の抵抗値R5,R17,R21、およびR23の間に
R17・R21=R5・R23の関係があるときブリツヂ回
路は平衡する。いまR17・R21=R5・R23の関係に
あるように抵抗5,17,21および23の抵抗
値を選択したときは共通接続点Bの電位とトラン
ジスタ1のエミツタの電位との電位差は抵抗8に
流れる電流の大小にかかわらず無入力信号時の場
合の電位差と等しく、トランジスタ1には無入力
信号時の場合と同一値のエミツタ電流を流した状
態でのオン状態にトランジスタ1は維持されるこ
とになる。またR17・R21=R5・R23の条件が満さ
れないときにおいては前記した如くトランジスタ
1はオン状態に維持されるがこの場合のトランジ
スタ1のエミツタ電流値は無入力信号時のトラン
ジスタ1のエミツタ電流値とは異なる。
Also, when a negative half cycle input signal is applied, resistors 5, 7, 17, 21 and 2
3, a bridge circuit is formed. Now resistance 7
If we ignore the resistor 7 because the current flowing through the resistors 5, 17, 21, and 23 is small, the bridge circuit is formed by the resistors 5, 17, 21, and 23, and the resistance values of the resistors 5, 17, 21, and 23 are R 5 , R 17 , R 21 , and between R 23
The bridge circuit is balanced when there is a relationship of R 17 · R 21 = R 5 · R 23 . If the resistance values of resistors 5, 17, 21, and 23 are selected so that the relationship R 17・R 21 = R 5・R 23 is established, the potential difference between the potential of common connection point B and the potential of the emitter of transistor 1 is is equal to the potential difference when there is no input signal, regardless of the magnitude of the current flowing through resistor 8, and transistor 1 is in the on state when the same value of emitter current as when no input signal is flowing through transistor 1. It will be maintained. Furthermore, when the condition R 17 · R 21 = R 5 · R 23 is not satisfied, transistor 1 is maintained in the on state as described above, but in this case, the emitter current value of transistor 1 is the same as that of transistor 1 when there is no input signal. is different from the emitter current value.

以上の如くトランジスタ1がオン状態に維持さ
れることによりトランジスタ3もオン状態に維持
される。
As described above, by maintaining transistor 1 in the on state, transistor 3 is also maintained in the on state.

つぎに正の半サイクルの入力信号が印加されて
いるときにおける動作も上記の場合と同様であ
り、その詳細な説明は省略する。なおこの場合前
記に説明したブリツヂ回路は抵抗6,18,22
および24により形成され、その平衡条件は抵抗
6,18,22および24の抵抗値をR6,R18
R22およびR24とすれば、R18・R22=R6・R24であ
る。
Next, the operation when a positive half-cycle input signal is applied is also the same as in the above case, and detailed explanation thereof will be omitted. In this case, the bridge circuit explained above has resistors 6, 18, 22.
and 24, and the equilibrium condition is that the resistance values of resistors 6, 18, 22 and 24 are R 6 , R 18 ,
Assuming R 22 and R 24 , R 18 ·R 22 =R 6 ·R 24 .

なお図において、正電源+Bとトランジスタ1
のコレクタとの間に、および負電源−Bとトラン
ジスタ2のコレクタとの間にそれぞれ接続した抵
抗25および26は省略しても差支えない。
In the figure, the positive power supply +B and transistor 1
The resistors 25 and 26 connected between the collector of the transistor 2 and the collector of the transistor 2 and between the negative power supply -B and the collector of the transistor 2 may be omitted.

また、上記の説明はトランジスタ1のエミツタ
とトランジスタ2のエミツタとの間の電圧を分圧
して基準電圧を得た場合であるが、トランジスタ
1のベースとトランジスタ2のベースとの間の電
圧を分圧して基準電圧としても同様である。
Also, the above explanation is for the case where the reference voltage is obtained by dividing the voltage between the emitter of transistor 1 and the emitter of transistor 2, but the voltage between the base of transistor 1 and the base of transistor 2 is divided. The same is true when the reference voltage is set as the reference voltage.

以上説明した如く本考案によれば、入力信号の
極性にかかわらず、全周期にわたつて総てのトラ
ンジスタはスイツチング動作をすることはなく、
常にオン状態で動作し、スイツチング歪の発生す
ることはない。
As explained above, according to the present invention, regardless of the polarity of the input signal, all the transistors do not perform a switching operation throughout the entire cycle.
It always operates in the on state and no switching distortion occurs.

また、入力信号の極性により負荷に電流を流す
トランジスタは入れ替り、B級動作の場合と同様
の電力効率で増幅動作が行われる。
Furthermore, the transistors that cause current to flow through the load are switched depending on the polarity of the input signal, and the amplification operation is performed with the same power efficiency as in class B operation.

また第1のおよび第2の反転増幅器は無入力信
号時にはその入力は平衡し、入力信号の印加時の
み第1のまたは第2の反転増幅器の出力で駆動段
用のトランジスタのエミツタ電位を変化させる様
に構成したため、無入力信号時のバイアスの安定
性も良い。
In addition, the inputs of the first and second inverting amplifiers are balanced when no input signal is applied, and the emitter potential of the driving stage transistor is changed by the output of the first or second inverting amplifier only when an input signal is applied. Because of the similar configuration, the bias stability is also good when there is no input signal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図は本考案の一実施例の回路図。 1および2……駆動段用のトランジスタ、3お
よび4……出力段用のトランジスタ、9……負
荷、10……固定バイアス回路、19および20
……第1のおよび第2の反転増幅器。
The figure is a circuit diagram of one embodiment of the present invention. 1 and 2...Transistor for drive stage, 3 and 4...Transistor for output stage, 9...Load, 10...Fixed bias circuit, 19 and 20
...first and second inverting amplifiers.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] インバーテツトダーリントン接続された駆動段
用のトランジスタと出力段用のトランジスタと、
駆動段用のトランジスタのエミツタと出力段用の
トランジスタのコレクタとの間に接続した抵抗と
を有し、固定バイアスされたシングルエンデツト
プツシユプル電力増幅回路において、駆動段用の
トランジスタのエミツタ間の、またはベース間の
電圧を分圧して基準電圧とし、該基準電圧が第1
のダイオードを介して非反転入力端子に、シング
ルエンテツトプツシユプル電力増幅回路の出力端
の電圧が第2のダイオードを介して反転入力端子
にそれぞれ印加され、かつ前記出力端の電圧が前
記基準電圧以上のとき作動する第1の反転増幅器
と、前記基準電圧が第3のダイオードを介して非
反転入力端子に、前記出力端の電圧が第4のダイ
オードを介して反転入力端子にそれぞれ印加さ
れ、かつ前記出力端の電圧が前記基準電圧以下の
とき作動する第2の反転増幅器とを備え、第1の
反転増幅器の出力電圧を第1の抵抗を通して一方
の駆動段用のトランジスタのエミツタに、第2の
反転増幅器の出力電圧を第2の抵抗を通して他方
の駆動段用のトランジスタのエミツタに各別に印
加するようにしてなることを特徴とする電力増幅
回路。
A drive stage transistor and an output stage transistor connected in an inverted Darlington,
In a single-ended push-pull power amplifier circuit with a fixed bias, the circuit has a resistor connected between the emitter of the transistor for the drive stage and the collector of the transistor for the output stage. or the voltage between the bases is divided into a reference voltage, and the reference voltage is the first voltage.
The voltage at the output terminal of the single-entry push-pull power amplifier circuit is applied to the non-inverting input terminal via a second diode, and the voltage at the output terminal is applied to the reference voltage. A first inverting amplifier that operates in the above cases, the reference voltage being applied to the non-inverting input terminal via a third diode, and the voltage at the output terminal being applied to the inverting input terminal via a fourth diode, and a second inverting amplifier that operates when the voltage at the output terminal is equal to or lower than the reference voltage, the output voltage of the first inverting amplifier being applied to the emitter of the transistor for one drive stage through the first resistor. 1. A power amplifier circuit characterized in that the output voltages of two inverting amplifiers are separately applied to the emitters of transistors for the other drive stage through a second resistor.
JP11104979U 1979-08-10 1979-08-10 Expired JPS6119547Y2 (en)

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