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JPS61174722A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents

半導体ウエハの洗浄装置

Info

Publication number
JPS61174722A
JPS61174722A JP1438985A JP1438985A JPS61174722A JP S61174722 A JPS61174722 A JP S61174722A JP 1438985 A JP1438985 A JP 1438985A JP 1438985 A JP1438985 A JP 1438985A JP S61174722 A JPS61174722 A JP S61174722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
carrier
wafer
diffusion
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1438985A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Shiba
俊明 司馬
Hiroshi Kosaka
博 小坂
Masayuki Takiguchi
滝口　正幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP1438985A priority Critical patent/JPS61174722A/ja
Publication of JPS61174722A publication Critical patent/JPS61174722A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、洗浄処理が終了したウェハを自動的に拡散
装置に供給する手段を持った半導体ウェハの洗浄装置に
関する。
（従来の技術） 従来、半導体ウェハをウェハキャリアにセットして、エ
ツチング、レジスト除去、洗浄等を行う洗浄装置は、投
入ステーションにセットされたウェハキャリアを、洗浄
用搬送ロボットによシ複数の液槽に渡って浸漬した後、
搬出ステーションに送シ出している。搬出ステーション
は、通常、ウェハキャリアを３〜５個収納できるように
なっておシ、警報ブザー等によシ満杯になったことを検
知して、作業者がウェハキャリアを取出すようになって
いる。この取出されたウェハキャリアは、作業者によシ
次工程である拡散工程へ運ばれている。
（発明の解決しようとする問題点） しかしながら、上記の洗浄装置は、洗浄処理の終了した
ウェハを、作業者が拡散装置に運ばなければならず、ウ
エノ・に塵埃が付着するという問題点があった。
（問題点を解決するための手段） この発明は、上記の問題点を解決するため、半導体ウェ
ハの洗浄装置において、計算機の制御によυ、洗浄処理
が終了したウェハを自動的に拡散装置に供給する手段を
設けたものである。
（作　用） この発明によれば、半導体ウェハの洗浄装置において、
洗浄処理が終了したウェハを自動的に拡散装置に供給す
るので、作業者の介在による塵埃の発生を防ぐことがで
きる。
（実施例） この発明の実施例を図面によシ説明する。まず、各装置
の配置を第２図に示す。第２図において、本発明の実施
例の洗浄装置１０１は、半導体ウェハの拡散処理を行う
拡散装置１０２，１０３とコの字型を成して、洗浄・拡
散モジー−ル２００を構成する。通常、自動洗浄装置の
処理能力は、拡散装置に比較して約６倍となっておシ、
１台の洗浄装置で複数の拡散装置に対応できる。本例は
、洗浄装置の建浴時間及びトラブル等が発生してダウン
した場合を考慮して、洗浄装置１台につき拡散装置２台
をコの字型に配置したものである。また、洗浄・拡散モ
ジュール２００へのウェハの供給および回収は、ウェハ
キャリアを多工程に渡って運搬するキャリア搬送装置１
００によシ行なっている。
次に、洗浄装置１０１の構成を第１図によシ説明する。
第１図において洗浄装置１０１は前側に、洗浄処理前の
ウェハを搭載する投入ステーション２６、洗浄処理後の
ウェハをストックする搬出ステーション２８、ウェハを
洗浄（現像、エツチング、レジスト除去）する液槽３２
、ウェハを乾燥させる乾燥装置３３、ウェハキャリア２
０を投入ステーション２６から吊シ上げ洗浄・乾燥を経
て搬出ステーション２８へ降ろす洗浄用搬送ロボット３
０を具備する。また、後側には、拡散装置１０２．１０
３に対応したウェハキャリア２０の受渡用バッファ３４
．３６と、これらの上方にあって受渡用バッファ３４側
から受渡用バッファ３６側ヘウエハキヤリア２０を運ぶ
搬送ライン３８とを具備する。さらに、洗浄装置１０１
は、前側と後側との間のウェハキャリアの受渡、および
キャリア搬送装置１００とのウエノ・キャリアの受渡を
行なう、回転リフト２２．２４を左右に具備する。
洗浄・拡散モノー−ル２００に運ばれるウエノ・には、
レノスト塗付、露光がなされておシ、洗浄装置１０１に
て現像、エツチング、レジスト除去の処理が施される。
このため、液槽３２は（ａ）硫酸と過酸化水素の混合液
、（ｂ）フッ酸溶液、（Ｃ）塩酸と過酸化水素の混合液
を入れたものが並べられている。また、これらの薬液を
入れた液槽３２の後には、すすぎのため純水を入れた液
槽３２が並べられている。
ここで、ウェハが洗浄・拡散モジュール２００で処理さ
れるときの、ウェハキャリア２σの流れを説明する。ウ
ェハキャリア２００ロツト管理、キャリア搬送装置１０
０による洗浄装置１０１への搬送、洗浄装置１０１から
拡散装置１０２゜１０３への搬送、および洗浄・拡散条
件の設定は全て計算機制御により実現される。集中管理
されたウェハキャリア２０は、洗浄装置１０１のロット
要求信号によシ、キャリア搬送装置１００から回転リフ
ト２２の上方の移載位置（図示せず）へと運ばれる。回
転リフト２２は上昇してウェハキャリア２０を受取シ、
下降して投入ステーション２６にウェハキャリア２０を
降ろす。洗浄口ゴツト３０は、投入ステーションからウ
ェハキャリア２０を吊上げ、液槽３２および乾燥装置３
３でウェハキャリア２０内のウェハに処理を施した後、
ウェハキャリア２０を搬出ステーション２８に降ろす。
洗浄処理の終了したウエノ・キャリア２０は、拡散装置
１０２あるいは拡散装置１０３へ搬送される。
（１）拡散装置１０２へのウェハキャリア２０の搬送回
転リフト２４が搬出ステーション２８からウェハキャリ
ア２０を受取り、１８０度回転および後部側へスライド
して受渡用バッファ３４へ載せる。拡散装置１０２の移
載フォーク３９によシ、ウェハキャリア２０は拡散装置
１０２へ運ばれる。
（２）拡散装置１０３へのウェハキャリア２０の搬送回
転リフト２４が搬出ステーション２８からウェハキャリ
ア２０を受取シ、上昇、１８０度回転および後部側へス
ライドして搬送ライン３８へ載せる。搬送ライン３８は
ウエノ・キャリア２０を受渡用バッファ３６側へ運んで
停止する。回転リフト２２が上昇してウェハキャリア２
０を搬送ライン３８から受は取シ、下降して受渡用バッ
ファ３６へ載せる。拡散装置１０３の移載フォーク４０
によシ、ウェハキャリア２０は拡散装置１０３へ運ばれ
る。
拡散処理が完了したウェハキャリア２０は、拡散装置１
０２からは移載フォーク３９、受渡用バッファ３４、回
転リフト２４を介してキャリア搬送装置１００へ戻され
る。拡散装置１０３からは移載フォーク４０、受渡用バ
ッファ３６、回転リフト２２を介してキャリア搬送装置
１００へ戻される。キャリア搬送装置１００は戻された
ウェハキャリア２０を次工程へ運ぶ。
（発明の効果） 以上のように、本発明による半導体ウェハの洗浄装置は
、ウェハキャリアを自動的に拡散装置へ搬送できる手段
を設けたことによシ、次の効果がある。
（１）作業者の介入による塵埃の発生を防ぎ、歩留υの
向上が期待できる。
（２）拡散装置で拡散処理が終了したウェハは、ウェハ
キャリアに収納し、上記の手段を介してキャリア搬送装
置に回収することができる。すなわち、洗浄・拡散モジ
ュールへのウェハの供給および回収が、完全に自動化で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例である半導体ウェハの洗浄装
置の構成を示す概略説明図、第２図は上記洗浄装置、拡
散装置およびキャリア搬送装置の配置を示す斜視図。 ２０・・・ウェハキャリア、２２．２４・・・回転リフ
ト、２６・・・投入ステーション、２８・・・搬出ステ
ーション、３０・・・洗浄用搬送ロボット、３２・・・
液槽、３３・・・乾燥装置、３４．３６・・・受渡用バ
ッファ、３８・・・搬送ライン、３９，４０・・・移載
フォーク。 １００・・・キャリア搬送装置、１０１・・・半導体ウ
ェハの洗浄装置、１０２，１０３・・・拡散装置、２０
０・・・洗浄・拡散モジュール。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　洗浄処理前あるいは洗浄処理後のウェハを収納したウ
    ェハキャリアを搭載する複数のステーションを持った半
    導体ウェハの洗浄装置であって、（ａ）前記洗浄装置と
    直角方向に並列に配置される複数の拡散装置にウェハキ
    ャリアを供給するため、一時的にウェハキャリアを搭載
    する複数の受渡用バッファ部と、 （ｂ）一の前記受渡用バッファ部側から他の前記受渡用
    バッファ部側へウェハキャリアを移動させる搬送手段と
    、 （ｃ）前記ステーション、前記バッファ部および前記搬
    送手段の３点間で、ウェハキャリアを自在に移載する複
    数の移載手段と、 （ｄ）上記各装置の処理状況とウェハキャリアの運搬と
    を調整、制御する計算機装置とを具備することを特徴と
    する半導体ウェハの洗浄装置。
JP1438985A 1985-01-30 1985-01-30 半導体ウエハの洗浄装置 Pending JPS61174722A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1438985A JPS61174722A (ja) 1985-01-30 1985-01-30 半導体ウエハの洗浄装置

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JP1438985A JPS61174722A (ja) 1985-01-30 1985-01-30 半導体ウエハの洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61174722A true JPS61174722A (ja) 1986-08-06

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ID=11859699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1438985A Pending JPS61174722A (ja) 1985-01-30 1985-01-30 半導体ウエハの洗浄装置

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JP (1) JPS61174722A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6471134A (en) * 1987-09-10 1989-03-16 Mitsubishi Electric Corp Automatic thermal treatment mechanism of semiconductor wafer
JPH04249320A (ja) * 1991-02-05 1992-09-04 Mitsubishi Electric Corp 自動洗浄装置における輸送方式
JPH05109680A (ja) * 1991-10-21 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6471134A (en) * 1987-09-10 1989-03-16 Mitsubishi Electric Corp Automatic thermal treatment mechanism of semiconductor wafer
JPH04249320A (ja) * 1991-02-05 1992-09-04 Mitsubishi Electric Corp 自動洗浄装置における輸送方式
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