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JPS61174654A - Resin-encapsulated semiconductor device - Google Patents

Resin-encapsulated semiconductor device

Info

Publication number
JPS61174654A
JPS61174654A JP60014243A JP1424385A JPS61174654A JP S61174654 A JPS61174654 A JP S61174654A JP 60014243 A JP60014243 A JP 60014243A JP 1424385 A JP1424385 A JP 1424385A JP S61174654 A JPS61174654 A JP S61174654A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
epoxy
semiconductor device
compounds
encapsulated semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60014243A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Nishikawa
西川 昭夫
Masaji Ogata
正次 尾形
Tokuyuki Kaneshiro
徳幸 金城
Akio Takahashi
昭雄 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60014243A priority Critical patent/JPS61174654A/en
Publication of JPS61174654A publication Critical patent/JPS61174654A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置に関するものである。[Detailed description of the invention] [Field of application of the invention] The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

樹脂封止型半導体装置は、高温高温状態(例えば、65
℃、95%相対湿度中、121℃、2気圧過飽和水蒸気
中:PCTなど)に長時間放置した場合、素子上のアル
ミニウム配線やボンディング線が腐食断線する問題があ
る。この原因は、パッケージ材料中に含まれているイオ
ン性不純物。
Resin-sealed semiconductor devices are exposed to high temperature conditions (for example, 65
℃, 95% relative humidity, 121° C., 2 atm supersaturated water vapor (PCT, etc.), there is a problem that the aluminum wiring and bonding wires on the element corrode and break. This is caused by ionic impurities contained in the packaging material.

素子に対する応力、密着性、接着性、外気や半田フラッ
クス中に含まれている各種の腐食促進剤、それに水分の
パッケージ内への浸入に起因している。
This is caused by stress on the device, adhesion, adhesion, various corrosion accelerators contained in the outside air and solder flux, and moisture intrusion into the package.

ところで、パッケージ用樹脂組成物は、ノボラック型フ
ェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ系材料が主流であ
る。前記問題の対策としては、材料素材(特にレジン成
分)の高純度化、素子とレジン硬化物との密着性、接着
性の改良、レジン硬化物の低応力化、高ガラス転移点へ
の改善などがなされてきた。しかし、更にすぐれた信頼
性の付与が求められている。尚、本願に関連しPlas
ticsEngineering、 &4 、 P 3
1 (1981)が知られてぃる。
By the way, the mainstream of resin compositions for packaging is epoxy-based materials that use novolac type phenolic resin as a curing agent. Countermeasures for the above problems include increasing the purity of the material (especially the resin component), improving the adhesion and adhesion between the element and the cured resin, lowering the stress of the cured resin, and improving the glass transition point. has been done. However, there is a need for even better reliability. In addition, in connection with this application, Plas
ticsEngineering, &4, P3
1 (1981) is known.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、高温高温下で長時間放置しても、信頼性の高
い動作が可能な樹脂封止型半導体装置を提供するにある
An object of the present invention is to provide a resin-sealed semiconductor device that can operate with high reliability even when left at high temperatures for a long time.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、上記の状況に鑑みてなされたもので、その要
旨は、少なくとも1次式 (式中、RはHまたはCH,、m+n)2.mは1〜5
のいずれかであり、nは0〜5のいずれかである0mと
nは同じであっても、異なっていてもよい、〕で表わさ
れるシアナミド末端基とヒドロキシル末端基を有する化
合物を含むことを特徴とする樹脂組成物で樹脂封止して
なる半導体装置。
The present invention has been made in view of the above situation, and the gist thereof is at least a linear formula (wherein R is H or CH, m+n)2. m is 1 to 5
0m and n may be the same or different, where n is any one of 0 to 5, and m and n may be the same or different. A semiconductor device resin-sealed with a characteristic resin composition.

及び、少なくとも1次式 〔式中、RはHまたはCH,、m+n>2.mは1〜5
のいずれかであり、nはO〜5のいずれか化合物を含む
ことを特徴とする樹脂組成物で樹脂封止してなる半導体
装置。
and at least a linear formula [wherein R is H or CH, m+n>2. m is 1 to 5
1. A semiconductor device sealed with a resin composition, wherein n includes any one of O to 5.

及び、少なくとも、次式 〔式中、RはHまたはCH,、m+n>2.mは1〜5
のいずれかであり、nはO〜5のいずれかである0mと
nは同じであっても、異なっていて物で封止してなる半
導体装置である。
and at least the following formula [wherein R is H or CH, m+n>2. m is 1 to 5
, and n is any one of O to 5.Even if 0m and n are the same, they are different, and the semiconductor device is sealed with an object.

本発明において、前記ジアミナト末端基を有するエポキ
シ化合物は1例えば、以下の反応により得られる。
In the present invention, the epoxy compound having a diaminate end group can be obtained, for example, by the following reaction.

+口BrCミ 〔式中、RはHまたはCH,、m+n)2、mは1〜5
のいずれかであり、nはO〜5のいずれかである0mと
nは同じであっても、具なっていてもよい、〕で表わさ
れる。
+ BrCmi [in the formula, R is H or CH,, m+n)2, m is 1 to 5
and n is any one of O to 5. 0m and n may be the same or the same.

ここで、Br−C=Nの替りに、CM・C=Nを用いて
もよい、また、触媒はトリエチルアミンをはじめ第3級
アミンが有効である。
Here, CM.C=N may be used instead of Br-C=N, and tertiary amines such as triethylamine are effective as catalysts.

本発明の樹脂組成物には、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレ
タン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂(付加型ポ
リイミドを含む)、ポリスルホン樹脂、ポリヒドロキシ
スチレン樹脂、ポリブタジェン樹脂、ポリスチレン並び
に各種のポリスチレン共重合体、シリコーン樹脂、フル
オロポリマ、ジアリルフタレート樹脂などの1種以上を
添加配合して用いることも出来る。
The resin composition of the present invention includes epoxy resin, phenol resin, melamine resin, urea resin, polyester resin, urethane resin, polyamide resin, polyimide resin (including addition type polyimide), polysulfone resin, polyhydroxystyrene resin, polybutadiene resin. , polystyrene, various polystyrene copolymers, silicone resins, fluoropolymers, diallyl phthalate resins, and the like may be added and used.

これらの中で、特にエポキシ樹脂と併用して用いること
は1本発明の用途、効果の拡大に有益である。
Among these, the use in combination with an epoxy resin is particularly beneficial for expanding the uses and effects of the present invention.

多官能エポキシ化合物としては1例えばビスフェノール
Aのジグリシジルエーテル、ブタジェンジェポキシサイ
ド、3.4−エポキシシクロヘキシルメチル−(3,4
−エポキシ(シクロヘキサンカルボキシレート、ビニル
シクロヘキサンジオキシド、4.4’−ジ(1,2−エ
ポキシエチル)ジフェニルエーテル、4.4’−1,2
−エポキシエチル)ビフェニル、2.2−ビス(3,4
−エポキシシクロヘキシル)プロパン、レゾルシンのグ
リシジルエーテル、フロログルシンのジグリシジルエー
テル、メチルフロログルシンのジグリシジルエーテル、
ビス−(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテル、
2− (3,4−エポキシ)−シクロヘキサンー5.5
−スピロ(3,4−エポキシ)−シクロヘキサン−m−
ジオキサン、ビス−(3,4−エポキシ−6−メチルシ
クロヘキシル)アジペート、N* N’ −m−フェニ
レンビス(4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキサン
)ジカルボキシイミドなどの2官能のエポキシ化合物、
パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリ
アリルグリシジルエーテル、1,3゜5−トリ(1,2
−エポキシエチル)ベンゼン。
Examples of polyfunctional epoxy compounds include diglycidyl ether of bisphenol A, butadiene jepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-(3,4
-Epoxy (cyclohexane carboxylate, vinyl cyclohexane dioxide, 4.4'-di(1,2-epoxyethyl) diphenyl ether, 4.4'-1,2
-epoxyethyl)biphenyl, 2,2-bis(3,4
- epoxycyclohexyl) propane, glycidyl ether of resorcinol, diglycidyl ether of phloroglucin, diglycidyl ether of methylphloroglucin,
bis-(2,3-epoxycyclopentyl)ether,
2-(3,4-epoxy)-cyclohexane-5.5
-spiro(3,4-epoxy)-cyclohexane-m-
Difunctional epoxy compounds such as dioxane, bis-(3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl)adipate, N*N'-m-phenylenebis(4,5-epoxy-1,2-cyclohexane)dicarboximide ,
Triglycidyl ether of para-aminophenol, polyallyl glycidyl ether, 1,3°5-tri(1,2
-epoxyethyl)benzene.

2.2’ 、4.4’−テトラグリシドキシベンゾフェ
ノン、テトラグリシドキシテトラフェニルエタン、フェ
ノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジルエ
ーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメ
チロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど3官能
以上のエポキシ化合物が用いられる。
2.2', 4.4'-tetraglycidoxybenzophenone, tetraglycidoxytetraphenylethane, polyglycidyl ether of phenol formaldehyde novolac, triglycidyl ether of glycerin, triglycidyl ether of trimethylolpropane, etc. Epoxy compounds are used.

次に、フェノールとアルデヒドとの縮合反応物(B)と
しては、各種のフェノール系化合物とアルデヒド系化合
物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在において、付加
縮合反応させることにより生成される樹脂類が使用され
、特にフェノール、クレゾールなどとホルムアルデヒド
とを用いて、酸性触媒反応によって合成されるノボラッ
ク樹脂が有用である。
Next, as the condensation reaction product (B) of phenol and aldehyde, resins produced by addition condensation reaction of various phenol compounds and aldehyde compounds in the presence of an acidic or basic catalyst are used. Useful are novolak resins, which are synthesized by acid catalysis, especially using phenol, cresol, etc., and formaldehyde.

さらに、本発明においては、前記3成分を含む組成物の
硬化反応を促進する目的で各種の触媒を添加することが
でき、この触媒としては、例えばトリエタノールアミン
、テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタン
ジアミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレ
ンシア1ン及びジメチルアニリン等の第3級アミン、ジ
メチルアミノエタノール及びジメチルアミノペンタノー
ル等のオキシアルキルアミンならびにトリス(ジメチル
アミノメチル)フェノール及びメチルモル承りン等のア
ミン類を適用することができる。
Furthermore, in the present invention, various catalysts can be added for the purpose of accelerating the curing reaction of the composition containing the three components, such as triethanolamine, tetramethylbutanediamine, and tetramethylpentane. Tertiary amines such as diamines, tetramethylhexanediamine, triethylenecyanine and dimethylaniline, oxyalkylamines such as dimethylaminoethanol and dimethylaminopentanol, and amines such as tris(dimethylaminomethyl)phenol and methylmonocarbons. can be applied.

又、同じ目的で、触媒として1例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルメチルパルメチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の第
4級アンモニウム塩を適用することができ、更には、2
−ウンデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、
2−エチルイミダゾール、2.ヘプタデシルイミダゾー
ル、2−メチル−4−エチルイミダゾール、1−ブチル
イミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾール
、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノ
エチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−
2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−
フェニルイミダゾール。
For the same purpose, catalysts such as cetyltrimethylammonium bromide, cetyltrimethylammonium chloride, dodecyltrimethylammonium iodide, trimethyldodecylammonium chloride,
Benzyldimethyltetradecylammonium chloride, benzylmethylpalmethylammonium chloride,
Quaternary ammonium salts such as allyldodecyltrimethylammonium bromide, benzyldimethylstearylammonium bromide, stearyltrimethylammonium chloride and benzyldimethyltetradecylammonium acetate can be applied;
-undecylimidazole, 2-methylimidazole,
2-ethylimidazole, 2. Heptadecylimidazole, 2-methyl-4-ethylimidazole, 1-butylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-
2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-
Phenylimidazole.

1−アジン−2−メチルイミダゾール及び1−アジン−
2−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物あ
るいは又、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレ
ート、トリエチルアミンテトラフェニルボレート、N−
メチルモルホリンテトラフェニルボレート、ピリジンテ
トラフェニルボレート2−エチル−4−メチルイミダゾ
ールテトラフェニルボレート及び2−エチル−1,4−
ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレート等のテト
ラフェニルボロン塩等が有用である。
1-Azine-2-methylimidazole and 1-azine-
Imidazole compounds such as 2-undecylimidazole, triphenylphosphine tetraphenylborate, triethylaminetetraphenylborate, N-
Methylmorpholine tetraphenylborate, pyridine tetraphenylborate 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate and 2-ethyl-1,4-
Tetraphenylboron salts such as dimethylimidazole tetraphenylborate are useful.

上記の触媒はその2種以上を併用することもでき、その
量は、多官能エポキシ化合物(A) 100に対して1
重量比で、0.01〜20の範囲で用いればよい。
Two or more of the above catalysts can also be used in combination, and the amount thereof is 1 per 100 of the polyfunctional epoxy compound (A).
It may be used in a weight ratio of 0.01 to 20.

また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム。
The epoxy resin composition of the present invention may also contain, for example, calcium carbonate, depending on its intended use.

シリカ、アルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケ
イ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム。
Silica, alumina, titania, aluminum hydroxide, aluminum silicate, zirconium silicate.

ジルコン、ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウ
ム、鋼、鉄などの粉末や短繊維状充填剤、脂肪酸及びワ
ックス類等の離型剤、エポキシシラン、ビニルシラン、
ボラン系化合物及びアルキルチタネート系化合物等のカ
ップリング剤、そしてさらに、アンチモンやリンの化合
物及びハロゲン含有化合物のような難燃剤を加えること
ができる。
Powders and short fibrous fillers such as zircon, glass, talc, mica, graphite, aluminum, steel, and iron, mold release agents such as fatty acids and waxes, epoxy silane, vinyl silane,
Coupling agents such as borane compounds and alkyl titanate compounds, and also flame retardants such as antimony and phosphorous compounds and halogen-containing compounds can be added.

本発明の樹脂組成物は、上記した成分をロール。The resin composition of the present invention is prepared by rolling the above-mentioned components.

ニーダ−、コニーダー、またはヘンシェルミキサー等を
用いて加熱(約70〜80℃)混練することによって調
製される。また、成分化合物が固体である場合には、微
粉化した後混合するトライブレンド法によって配合する
こともできる。得られた組成物は約150〜200℃の
温度で短時間に硬化できる。
It is prepared by heating (about 70 to 80°C) and kneading using a kneader, co-kneader, Henschel mixer, or the like. Moreover, when the component compounds are solid, they can also be blended by a tri-blend method in which they are pulverized and then mixed. The resulting composition can be cured in a short period of time at temperatures of about 150-200°C.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

実施例1,2 シアナミド末端基とヒドロキシル末端基を有する化合物
の合成 ノボラック型フェノール・ホルムアルデヒi縮合物(数
平均分子量:375)100gを、メチルエチルケトン
300gに溶解した。これに。
Examples 1 and 2 Synthesis of a compound having a cyanamide end group and a hydroxyl end group 100 g of a novolac-type phenol-formaldehy condensate (number average molecular weight: 375) was dissolved in 300 g of methyl ethyl ketone. to this.

10.6 g (0,1mole)のB r−C=Nを
滴加した後、トリエチルアミン0 、5 m m  を
添加した。
10.6 g (0.1 mole) of B r-C=N were added dropwise followed by 0.5 m m of triethylamine.

その後、加熱還流を60分間行なった後、水洗した後、
水分を乾燥分離した。得られた反応物は、軟化点79〜
83℃であった。
After that, after heating under reflux for 60 minutes and washing with water,
Water was separated by drying. The obtained reaction product had a softening point of 79~
The temperature was 83°C.

上記のシアナミド末端基とヒドロキシル基を有する反応
物を60重量部、多官能エポキシ化合物としてオルト・
タレゾールノボラック型エポキシ(エポキシ当量:21
5.日本化薬社製)及びXD−9053−00L (エ
ポキシ当量:204.ダウ・ケミカル社製)のそれぞれ
100重量部、硬化促進剤として、トリエチルアミン・
テトラフェニルボレート(TEAK) 2重量部、カッ
プリンク剤としてエポキシシランKBM303 (信越
化学社製)1.5重量部、難燃剤として、赤リン1.0
重量部と水酸化アルミニウム(Al(OH)3)5重量
部、フィシとして、溶融石英ガラス粉(V。
60 parts by weight of the above reactant having a cyanamide end group and a hydroxyl group, ortho-
Talesol novolak type epoxy (epoxy equivalent: 21
5. 100 parts by weight each of Nippon Kayaku Co., Ltd.) and XD-9053-00L (epoxy equivalent: 204, Dow Chemical Co., Ltd.), and triethylamine as a curing accelerator.
2 parts by weight of tetraphenylborate (TEAK), 1.5 parts by weight of epoxysilane KBM303 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a coupling agent, and 1.0 parts by weight of red phosphorus as a flame retardant.
parts by weight and 5 parts by weight of aluminum hydroxide (Al(OH)3), fused silica glass powder (V.

Thの含有量i、oppb以下)495重量部、着色剤
としてカーボンブラックCM−800(キャボツド社製
)2.0重量部を配合して、2種類の配合物を作った。
Two types of formulations were prepared by blending 495 parts by weight of Th content (i, oppb or less) and 2.0 parts by weight of carbon black CM-800 (manufactured by Cabot Co., Ltd.) as a coloring agent.

次に、この配合物を75〜80℃に加熱された2本ロー
ルで混練した。冷却後、粗粉砕して目的の樹脂組成物を
得た。この樹脂組成物を用いて、256にビットD−R
AMメモリ用LSIを、トランスファ成形機を用いて、
180℃、70kg/aJ、 2分間の条件でモールド
した。得られたレジンパッケージ型メモリ用LSIは、
121℃、2気圧過飽和水蒸気中(プレッシャ・フッカ
テスト、PCT)に所定時間放置した後、取り出し、A
l電極の腐食断線の有無をチェックした。
Next, this blend was kneaded with two rolls heated to 75-80°C. After cooling, it was coarsely ground to obtain the desired resin composition. Using this resin composition, Bit D-R was applied to 256.
AM memory LSI is manufactured using a transfer molding machine.
Mold was carried out under the conditions of 180°C, 70 kg/aJ, and 2 minutes. The obtained resin packaged memory LSI is
After leaving it in supersaturated steam at 121°C and 2 atm (pressure hooker test, PCT) for a specified period of time, take it out and
The presence or absence of corrosion and disconnection of the electrode was checked.

また、−50’e、!+150℃の冷熱サイクルを行な
い、不良発生の有無をチェックした。結果を表1に示し
た。
Also, -50'e,! A cooling/heating cycle at +150°C was performed to check for defects. The results are shown in Table 1.

表1 手続補正書(方式) %式% 事件の表示 昭和60年特許願第 14243   号発明の名称 樹脂封止型半導体装置 補正をする者 ・1警件との関係  特許出願人 名 U: t5101株式会社 日 立 製 作 所代
   理   人 補正の内容 〔発明の背景〕 樹脂封止型半導体装置は、高温高温状態(例えば、65
℃、95%相対湿度中、121℃、2気圧過飽和水蒸気
中: PCTなと)に長時間放置した場合、素子上のア
ルミニウム配線やボンディング線が腐食断線する問題が
ある。この原因は、パッケージ材料中に含まれているイ
オン性不純物、素子に対する応力、密着性、接着性、外
気や半田フラッグス中に含ま九でいる各種の腐食促進剤
Table 1 Procedural amendment (method) % formula % Display of case 1985 Patent Application No. 14243 Name of invention Resin-encapsulated semiconductor device Person making amendment/Relationship with case 1 Patent applicant name U: t5101 Co., Ltd. Hitachi Manufacturers Agent Contents of Personal Correction [Background of the Invention] Resin-sealed semiconductor devices are manufactured under high-temperature conditions (for example, 65
℃, 95% relative humidity, 121℃, 2 atm supersaturated water vapor (such as PCT), there is a problem that the aluminum wiring and bonding wires on the element will corrode and break. This is caused by ionic impurities contained in the package material, stress on the device, adhesion, adhesion, and various corrosion accelerators contained in the outside air and solder flags.

それに水分のパッケージ内への浸入に起因している。This is due to the infiltration of moisture into the package.

ところで、パッケージ用樹脂組成物は、ノボラック型フ
ェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ系材料が主流であ
る。前記問題の対策としては、材料素材(特にレジン成
分)の高純度化、素子とレジン硬化物との密着性、接着
性の改良、レジン硬化物の低応力性、高ガラス転移点へ
の改善などがなされてきた。しかし、更にすぐれた信頼
性の付与が求められている。尚、本願に関連しエンジニ
アリング プラスチックス(Plastics明細書f
s2頁を別紙の、にり訂正する。
By the way, the mainstream of resin compositions for packaging is epoxy-based materials that use novolac type phenolic resin as a curing agent. Countermeasures for the above problems include increasing the purity of the material (especially the resin component), improving the adhesion and adhesion between the element and the cured resin, and improving the low stress and high glass transition temperature of the cured resin. has been done. However, there is a need for even better reliability. In connection with this application, engineering plastics (Plastics specification f)
Correct page s2 on the attached sheet.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、少なくとも、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、RはHまたはCH_2、m+n>2、mは1〜
5のいずれかであり、nは0〜5のいずれかである、m
とnは同じであつても、異なつていてもよい。〕で表わ
されるシアナミド末端基とヒドロキシル末端基を有する
化合物を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
[Claims] 1. At least the following formula ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. ▼ [In the formula, R is H or CH_2, m+n>2, m is 1 to
5, n is any one of 0 to 5, m
and n may be the same or different. ] A resin-encapsulated semiconductor device comprising a compound having a cyanamide terminal group and a hydroxyl terminal group.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0710290U (en) * 1993-07-06 1995-02-14 重義 立花 Automotive protector
US5426161A (en) * 1986-01-23 1995-06-20 Alliedsignal Inc. Cyanato group containing phenolic resins, phenolic triazines derived therefrom

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