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JPS61174630A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS61174630A
JPS61174630A JP1708485A JP1708485A JPS61174630A JP S61174630 A JPS61174630 A JP S61174630A JP 1708485 A JP1708485 A JP 1708485A JP 1708485 A JP1708485 A JP 1708485A JP S61174630 A JPS61174630 A JP S61174630A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxygen
ion beam
resist
ashing
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1708485A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Ito
伊藤　博已
Hiroaki Morimoto
森本　博明
Hiroshi Onoda
小野田　宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1708485A priority Critical patent/JPS61174630A/ja
Publication of JPS61174630A publication Critical patent/JPS61174630A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ′〔産業上の利用分野〕 この発明はホトレジストのパターニングを集束イオンと
一ムを走査して行うＩＣ等半導体装置の製造方法に関す
る。
〔従来の技術〕
集束イオンビームを用いてホトレジスタ上に微細なパタ
ーンを形成するパターニンク方法は、マスクレスで行え
るという利点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来は、第２図（ａ）に示すように、ベリリウ
ムＢｅ　　等をビーム種とする集束イオンビーム１を基
板３上に塗布されたホトレジスト２に照射するようにし
ているので、ホトレジスト２中にできた潜像を、現像液
を使用して、第２図（ｂ）に示すようにレジストパター
ンＰに変える必要があり、紫外線照射の場合と同様エツ
チング工程に現像工程を必要とする欠点があった。
この発明は上記欠点を除去するためになされたもので、
現像工程を不要としエツチング工程を従来に比して短縮
することができる半導体装置の製造方法を得ることを目
的とする。
〔問題を解決するための手段〕
この発明は上記目的を達成するため、イオンビーム種と
して酸素もしくはクラスター状の酸素を用い、イオンビ
ーム照射領域を灰化するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、集束イオンビームの照射領域が揮
発性物質となってレジストパターンが形成される。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を説明するための図であっ
て、集束イオンビーム４として、酸素またはクラスター
状の酸素を使用する。
この方法によれば、ホトレジスト２上のビーム照射領域
５では、高分子化合物であるホトレジスト２の炭素、水
素等の構成元素が酸化されて、水素や二酸化炭素等の揮
発性物質に変化し、照射領域５が灰化することにより、
直接レジストパターンが形成されるので、従来、ビーム
照射後に行われていた現像、熱処理、エツチング、レジ
スト剥離の工程のうち現像工程を省くことができる。
なお、本発明を実施する場合、基板３の置かれている雰
囲気を、酸素もしくはオゾン等の酸性雰囲気とすること
が好ましい。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明した通り、イオンビームの照射によ
り直接レジストパターンを形成することができるので、
その後の現像工程を不要にすることができ、それだけ半
導体装置の製造工程を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を説明するための図、第２
図（ａ）及び（ｂ）は従来のホトエツチング工程を説明
するため図である。 図において、２−・ホトレジスト、３−・基板、４−−
−−一集束イオンビーム。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）集束イオンビームを走査して基板上に塗布された
    ホトレジスタのパターニングを行う半導体装置の製造方
    法において、集束イオンビームのイオン種として、酸素
    またはクラスター状の酸素を使用し、上記ホトレジスタ
    のイオンビームが照射領域を灰化することによりパター
    ニングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. （２）基板が酸化性雰囲気中に置かれていることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246719A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Nec Corp パターン形成方法
US7218476B2 (en) 1999-02-23 2007-05-15 Advanced Research Corporation Magnetic media having a servo track written with a patterned magnetic recording head
US7386934B2 (en) 1999-02-23 2008-06-17 Advanced Research Corporation Double layer patterning and technique for milling patterns for a servo recording head

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5680131A (en) * 1979-12-05 1981-07-01 Nec Corp Method and device for ion beam etching
JPS57183036A (en) * 1981-05-06 1982-11-11 Nec Corp Formation of mask pattern

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5680131A (en) * 1979-12-05 1981-07-01 Nec Corp Method and device for ion beam etching
JPS57183036A (en) * 1981-05-06 1982-11-11 Nec Corp Formation of mask pattern

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246719A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Nec Corp パターン形成方法
US7218476B2 (en) 1999-02-23 2007-05-15 Advanced Research Corporation Magnetic media having a servo track written with a patterned magnetic recording head
US7386934B2 (en) 1999-02-23 2008-06-17 Advanced Research Corporation Double layer patterning and technique for milling patterns for a servo recording head
US7426093B2 (en) 1999-02-23 2008-09-16 Advanced Research Corporation Magnetic media having a non timing based servo track written with a patterned magnetic recording head and process for making the same

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