JPS61166504A - 光回路デバイス - Google Patents
光回路デバイスInfo
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- JPS61166504A JPS61166504A JP687485A JP687485A JPS61166504A JP S61166504 A JPS61166504 A JP S61166504A JP 687485 A JP687485 A JP 687485A JP 687485 A JP687485 A JP 687485A JP S61166504 A JPS61166504 A JP S61166504A
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- optical
- core
- transmission line
- optical waveguide
- tapered
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信、光制御に係る光回路デバイスに関する
。特に薄膜光導波路型の光回路デバイスに関する。
。特に薄膜光導波路型の光回路デバイスに関する。
従来の技術
従来のこの種の薄膜光導波路型の光回路デノ(イスは、
第3図に示すように基板31上に設けた光導波路32と
光波を伝送するコア33を含む光伝送線34を光結合さ
せて構成していた。光結合の方法は通常信頼性、小型化
の観点から第3図に示した光導波路31およびコア33
の鏡面端面をつき合わせる端面結合法が使用されている
(例えば、小山次部、西原浩「光波電子工学」(昭63
.5゜15)、コロナ社、P、250)。
第3図に示すように基板31上に設けた光導波路32と
光波を伝送するコア33を含む光伝送線34を光結合さ
せて構成していた。光結合の方法は通常信頼性、小型化
の観点から第3図に示した光導波路31およびコア33
の鏡面端面をつき合わせる端面結合法が使用されている
(例えば、小山次部、西原浩「光波電子工学」(昭63
.5゜15)、コロナ社、P、250)。
この種の構成において、光導波路32とコア33との断
面積は通常例えば、18mX10μmWと10μmψと
異なるため良好な結合効率が得られなかった。改良の観
点から見ると半導体し〜ザと単一モード光伝送線との光
結合にかかる構成(坂ロ晴男、関紀男、山本周、(電子
通信学会光量子エレクトロニクス研究会資料0QE80
−123(1980)P、57)を薄膜光導波路への適
用が考考えられる。構成を第4図に示す。同図において
31.32,33.34は第3図と同一である。
面積は通常例えば、18mX10μmWと10μmψと
異なるため良好な結合効率が得られなかった。改良の観
点から見ると半導体し〜ザと単一モード光伝送線との光
結合にかかる構成(坂ロ晴男、関紀男、山本周、(電子
通信学会光量子エレクトロニクス研究会資料0QE80
−123(1980)P、57)を薄膜光導波路への適
用が考考えられる。構成を第4図に示す。同図において
31.32,33.34は第3図と同一である。
構成は光フアイバ光端を約900のテーパ(楔)状に研
磨したのち、コア33の先端をアーク放電によシ加熱溶
融しテーパ状半円柱レンズ41に加工し結合効率を上げ
る工夫がなされている。例えば0.6μm X2〜3
μmwの半導体レーザ、10μmψ のステップ形単−
モード光伝送線では、2.9〜3.3 dBの結合損失
が報告されている。
磨したのち、コア33の先端をアーク放電によシ加熱溶
融しテーパ状半円柱レンズ41に加工し結合効率を上げ
る工夫がなされている。例えば0.6μm X2〜3
μmwの半導体レーザ、10μmψ のステップ形単−
モード光伝送線では、2.9〜3.3 dBの結合損失
が報告されている。
発明が解決しようとする問題点
しかし、この種の構成では光導波路32とテーパ状半円
柱レンズ41とコア33との光軸の一致が困難であるた
め、光結合効率が経年変動するという問題があった。し
たがって、光導波路32で光回路を構成すると、光回路
の特性の経年変動が発生する問題があった。これは下記
の理由による。
柱レンズ41とコア33との光軸の一致が困難であるた
め、光結合効率が経年変動するという問題があった。し
たがって、光導波路32で光回路を構成すると、光回路
の特性の経年変動が発生する問題があった。これは下記
の理由による。
つl、コア33をテーパ状に加工するに要求される点は
、コア33の中心軸を2テ一パ面42の交線とを一致さ
せ且つ2テ一パ面42のなす角の2等分線とコアの中心
軸とを一致させることである。加えて精度よいコア先端
のテーパ状半円柱レンズの放電溶融加工である。結果、
コア33の中心軸と一致する光軸とテーパ状円柱レンズ
の光軸が一致し、焦点面で光導波路の断面にビーム径を
絞り込み一致させ、コア33と光導波路32との光結合
効率を論理値に接近させることが出来る。
、コア33の中心軸を2テ一パ面42の交線とを一致さ
せ且つ2テ一パ面42のなす角の2等分線とコアの中心
軸とを一致させることである。加えて精度よいコア先端
のテーパ状半円柱レンズの放電溶融加工である。結果、
コア33の中心軸と一致する光軸とテーパ状円柱レンズ
の光軸が一致し、焦点面で光導波路の断面にビーム径を
絞り込み一致させ、コア33と光導波路32との光結合
効率を論理値に接近させることが出来る。
このテーパ状円柱レンズ加工はサブミクロン精度の加工
技術が必要であり、放電溶融加工(例えば、レンズ半径
4〜Tμm ×8〜10μmWのレンズ加工)も技術的
に未確立な点が多い。
技術が必要であり、放電溶融加工(例えば、レンズ半径
4〜Tμm ×8〜10μmWのレンズ加工)も技術的
に未確立な点が多い。
したがって、コア33とテーバ状半円柱レンズの光軸の
一致と焦点面での光波断面の一致との実現が困難なため
、光結合面の微少な相対位置ずれ(温度等による)によ
る光結合効率の不安定の発生が生ずるのである。加えて
、光軸の不一致のため、光導波路32とコア33とを同
一平面近傍にて光結合が出来ず所定の角度で光結合効率
が極大となり、組立加工が難しい問題があった。多モー
ド光導波路ではさらに基本モードの励振効率の極大と光
結合効率の極大が一致せず効率良いデバイス構成を実現
することが出来ず、さらに光導波路内のモードの分散状
態の安定化が光結合面の相対位置ずれにより困難であっ
た。
一致と焦点面での光波断面の一致との実現が困難なため
、光結合面の微少な相対位置ずれ(温度等による)によ
る光結合効率の不安定の発生が生ずるのである。加えて
、光軸の不一致のため、光導波路32とコア33とを同
一平面近傍にて光結合が出来ず所定の角度で光結合効率
が極大となり、組立加工が難しい問題があった。多モー
ド光導波路ではさらに基本モードの励振効率の極大と光
結合効率の極大が一致せず効率良いデバイス構成を実現
することが出来ず、さらに光導波路内のモードの分散状
態の安定化が光結合面の相対位置ずれにより困難であっ
た。
そこで、本発明は光導波路と光伝送線の光軸を一致させ
高効率で光結合効率の経年変動が少なく組立の容易な構
造を提供するものである。
高効率で光結合効率の経年変動が少なく組立の容易な構
造を提供するものである。
問題点を解決するための手段
そして前記問題点を解決する本発明の技術的手段は、前
記光伝送線の一端のコアの厚さを小角のテーパ状とする
テーパコア部を有し且つ前記テーパコア部のコア終端面
の断面を前記光導波路祷端面に近似させ、前記コア終端
面との共通面を有し前記テーパコア部を保持する支持板
を設けるものである。
記光伝送線の一端のコアの厚さを小角のテーパ状とする
テーパコア部を有し且つ前記テーパコア部のコア終端面
の断面を前記光導波路祷端面に近似させ、前記コア終端
面との共通面を有し前記テーパコア部を保持する支持板
を設けるものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、光伝送線の一端のコアの厚さを小角のテーパ
状とし支持板での保持により、テーパコア部表面の保護
と安定化が果たされるので、光伝送線中の伝送光は基本
モードのままコア終端面まで伝送される作用し、光伝送
線と光導波路とをつき合わせることにより伝送光の電磁
界分布を光導波路の基本モード導波光の電磁界分布にほ
ぼ一致させることができる。この結果得られる光結合は
、第4図に示したレンズ作用とは異なり、第3図に示し
たつき合わせの端面結合法なので高効率で経年変動の少
ない光結合が得られる。
状とし支持板での保持により、テーパコア部表面の保護
と安定化が果たされるので、光伝送線中の伝送光は基本
モードのままコア終端面まで伝送される作用し、光伝送
線と光導波路とをつき合わせることにより伝送光の電磁
界分布を光導波路の基本モード導波光の電磁界分布にほ
ぼ一致させることができる。この結果得られる光結合は
、第4図に示したレンズ作用とは異なり、第3図に示し
たつき合わせの端面結合法なので高効率で経年変動の少
ない光結合が得られる。
支持板の採用によシテーパコア部の固有振動が除去され
る作用を有しているため、安定した結合効率も得られる
。
る作用を有しているため、安定した結合効率も得られる
。
多モード光導波路の場合にも、光伝送線のコア終端面ま
で基本モードで伝送され、光軸の一致したつき合わせに
よる光結合であるので、基本的に基本モード以外は励振
されにくく、したがって光導波路のモード分散状態が安
定で高い光結合効率が得られる。
で基本モードで伝送され、光軸の一致したつき合わせに
よる光結合であるので、基本的に基本モード以外は励振
されにくく、したがって光導波路のモード分散状態が安
定で高い光結合効率が得られる。
以上の結果、高効率で経年変動の少なく、組立が容易に
実現されるのである。
実現されるのである。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第1図において、bは要部構成を示しており、aはbの
A−A/断面の要部構成を示している。
A−A/断面の要部構成を示している。
同図において、基板11上に設けた少なくとも1つの光
導波路12と、光導波路12と光結合する光波を伝送す
るコア13を有する少なくとも1つの光伝送線14とか
らなり、光伝送線14の一端のコア13の厚さをテーパ
状とするテーパコア部13aを有し且つテーパコア部1
3aのコア終端面13bの断面を光導波路終端面12a
に近似させ、コア終端面13bとの共通面15aを有し
テーパコア部13aを保持する支持板16を設けている
。
導波路12と、光導波路12と光結合する光波を伝送す
るコア13を有する少なくとも1つの光伝送線14とか
らなり、光伝送線14の一端のコア13の厚さをテーパ
状とするテーパコア部13aを有し且つテーパコア部1
3aのコア終端面13bの断面を光導波路終端面12a
に近似させ、コア終端面13bとの共通面15aを有し
テーパコア部13aを保持する支持板16を設けている
。
次に、この一実施例の構成における作用を具体的に説明
する。サファイア基板11(屈折率1.77)上にスパ
ッタ蒸着により膜厚0.8μmのPLZT薄膜(屈折率
26)を形成した。次に幅10μmに例エバ、イオンビ
ームエツチングにより光導波路12を形成したのち、端
面研磨を行い鏡面端面12aを作製した。一方、光伝送
線14には例えキ、外径126μmψ、コア径10μm
ψの石英単一モードファイバを使用し、テーバ面をテー
ノく面のなす角度を100として研磨を行い厚さlff
11mの石英基板をエポキシ樹脂接着剤(屈折率1.6
)で接着し、テーパコア部13aを保持した。次にコア
終端の鏡面研磨を行い、1μmD×10μmWのコア終
端面13bを作製した。伝送光の遠視野像は単一モード
であることが確認された。エポキシ樹脂の屈折率は1.
6と石英ファイバの屈折率1.47よりも大きいが、エ
ポキシ樹脂の膜厚が0.2μm(SEM観察)とコア終
端面13bでの厚さに比較し薄く、コア13の厚さを角
度10°のテーパ状の構成としているので、基本モード
のままコア終端面13bまで伝送されたと考えられる。
する。サファイア基板11(屈折率1.77)上にスパ
ッタ蒸着により膜厚0.8μmのPLZT薄膜(屈折率
26)を形成した。次に幅10μmに例エバ、イオンビ
ームエツチングにより光導波路12を形成したのち、端
面研磨を行い鏡面端面12aを作製した。一方、光伝送
線14には例えキ、外径126μmψ、コア径10μm
ψの石英単一モードファイバを使用し、テーバ面をテー
ノく面のなす角度を100として研磨を行い厚さlff
11mの石英基板をエポキシ樹脂接着剤(屈折率1.6
)で接着し、テーパコア部13aを保持した。次にコア
終端の鏡面研磨を行い、1μmD×10μmWのコア終
端面13bを作製した。伝送光の遠視野像は単一モード
であることが確認された。エポキシ樹脂の屈折率は1.
6と石英ファイバの屈折率1.47よりも大きいが、エ
ポキシ樹脂の膜厚が0.2μm(SEM観察)とコア終
端面13bでの厚さに比較し薄く、コア13の厚さを角
度10°のテーパ状の構成としているので、基本モード
のままコア終端面13bまで伝送されたと考えられる。
作製された光導波路終端面12&とコア終端面13bと
をつき合わせて光結合を行い、光回路デバイスを作製し
た。
をつき合わせて光結合を行い、光回路デバイスを作製し
た。
作製した光回路デバイスにおいて、光伝送線14中の伝
送光は基本モードで伝送されているので、光伝送線14
と光導波路12とをつき合わせることにより伝送光の電
磁界分布と光導波路の基 ;・本モードの電
磁界分布にほぼ一致していると考えられる。光結合損失
は3 dBと良好であった。光導波路12と光伝送線1
4は光軸が一致しており、同一平面上にほぼ構成され組
立が容易に出来た。
送光は基本モードで伝送されているので、光伝送線14
と光導波路12とをつき合わせることにより伝送光の電
磁界分布と光導波路の基 ;・本モードの電
磁界分布にほぼ一致していると考えられる。光結合損失
は3 dBと良好であった。光導波路12と光伝送線1
4は光軸が一致しており、同一平面上にほぼ構成され組
立が容易に出来た。
特に光導波路12と光伝送線14との光軸が一致してお
り、支持板の採用によるテーパコア部の固有振動の除去
もなされているので、1週間の経時変化にも光結合損失
3dBと極めて変動は少ないものであった。多モードP
LZT薄膜光導波路(4モード)でY分岐を構成した場
合も、分岐1対1で安定しているのを確認しており、従
って主として基本モードが励振されておりモード分散状
態が安定していたと考えられる。
り、支持板の採用によるテーパコア部の固有振動の除去
もなされているので、1週間の経時変化にも光結合損失
3dBと極めて変動は少ないものであった。多モードP
LZT薄膜光導波路(4モード)でY分岐を構成した場
合も、分岐1対1で安定しているのを確認しており、従
って主として基本モードが励振されておりモード分散状
態が安定していたと考えられる。
なお第1図における11は基板、12は光導波路、13
はコア、14は光伝送線、16は支持板である。
はコア、14は光伝送線、16は支持板である。
次に本発明の他の実施例について説明する。
第2図は他の実施例を示しており、この実施例では、光
伝送線側の要部構成図を示しだ。同図において、13,
14.15は第1図と同一である。
伝送線側の要部構成図を示しだ。同図において、13,
14.15は第1図と同一である。
同図においては光伝送線を4本並列したものである。光
伝送線14には例えば、外径125μmφ。
伝送線14には例えば、外径125μmφ。
コア径10μmφ の石英単一モードファイバを使用し
、光伝送線14を126μm間隔で並列し、第1の実施
例で示した加工を施し作製した。光導波路12は幅10
μm、膜厚1μmのTi拡散LiNbO3光導波路を用
い126μm間隔で作製し端面研磨を行った。両者をつ
き合わせて光結合させ光回路デバイスを作製した。
、光伝送線14を126μm間隔で並列し、第1の実施
例で示した加工を施し作製した。光導波路12は幅10
μm、膜厚1μmのTi拡散LiNbO3光導波路を用
い126μm間隔で作製し端面研磨を行った。両者をつ
き合わせて光結合させ光回路デバイスを作製した。
作製した光回路デバイスの光結合損失は3.6±o、t
s dBの範囲に入り良好であった。又、経年変動も認
められなかった。一方、第2従来例で示した構成では加
工時に光軸が各光結合点で不一致が発生し、結合損失の
ばらつきをおさえることが困難である。したがって、本
発明の構成は複数の光伝送線と光導波路との光結合に有
効である。
s dBの範囲に入り良好であった。又、経年変動も認
められなかった。一方、第2従来例で示した構成では加
工時に光軸が各光結合点で不一致が発生し、結合損失の
ばらつきをおさえることが困難である。したがって、本
発明の構成は複数の光伝送線と光導波路との光結合に有
効である。
本実施例においてエポキシ樹脂接着剤を使用したが、低
融点ガラス、例えばコーニング8363(軟化点380
’C、屈折率1.9)の薄膜(例えば0.2μm)を支
持板に蒸着し、テーパコア部とを真空加熱接着を行うな
ど、支持板とテーパコア部の接着が本発明の手段に含ま
れるものでありエポキシ樹脂接着材に限定されるもので
ない。
融点ガラス、例えばコーニング8363(軟化点380
’C、屈折率1.9)の薄膜(例えば0.2μm)を支
持板に蒸着し、テーパコア部とを真空加熱接着を行うな
ど、支持板とテーパコア部の接着が本発明の手段に含ま
れるものでありエポキシ樹脂接着材に限定されるもので
ない。
次に本発明の他の実施例について説明する。
第6図は他の実施例の要部構成を示し、11゜12.1
3,14.15は第1図と同じである。
3,14.15は第1図と同じである。
この実施例ではテーパコア部13bの終端の厚さを0.
4μmとし、テーパ面に金属薄膜51例えばAq O,
2μmを蒸着したのち、エポキシ樹脂で支持板を接着し
た。勾の屈折率は0.2(波長1.3μm)であり、伝
送光は良好に閉じ込められて伝送されるため0.4μm
まで絞ることが出来た。
4μmとし、テーパ面に金属薄膜51例えばAq O,
2μmを蒸着したのち、エポキシ樹脂で支持板を接着し
た。勾の屈折率は0.2(波長1.3μm)であり、伝
送光は良好に閉じ込められて伝送されるため0.4μm
まで絞ることが出来た。
0.4μm×10μmWのPLZT薄膜光導波路との光
結合させて回路デバイスを作製した。
結合させて回路デバイスを作製した。
作製した光回路デバイスの結合損失は4 dBが得られ
、膜厚1μmの場合に遜色ない特性が得られた。この実
施例では、膜厚の薄くて第1 、第2の実施例が適用で
きない場合に有効であることが示された。すなわち、第
1.第2の実施例では接着層の屈折率がコアよりも高い
ためにテーパコア部を薄くすると輻射モードが生じ結合
損失を増大させる。もちろん、光結合効率の安定性、モ
ード分散状態の安定性は第1.第2の実施例と同様の効
果が得られた。
、膜厚1μmの場合に遜色ない特性が得られた。この実
施例では、膜厚の薄くて第1 、第2の実施例が適用で
きない場合に有効であることが示された。すなわち、第
1.第2の実施例では接着層の屈折率がコアよりも高い
ためにテーパコア部を薄くすると輻射モードが生じ結合
損失を増大させる。もちろん、光結合効率の安定性、モ
ード分散状態の安定性は第1.第2の実施例と同様の効
果が得られた。
発明の効果
本発明は、光伝送線の一端のコアの厚さを小角のテーパ
状とするテーパコア部を有し、且つ前記テーパコア部の
コア終端面の断面を光導波終端面に近似させ、コア終端
面との共通面を有しテーパコア部を保持する支持板を設
けであるので、高効率で光結合効率の経年変動が少なく
組立が容易であり、しかも次のような効果も有している
。
状とするテーパコア部を有し、且つ前記テーパコア部の
コア終端面の断面を光導波終端面に近似させ、コア終端
面との共通面を有しテーパコア部を保持する支持板を設
けであるので、高効率で光結合効率の経年変動が少なく
組立が容易であり、しかも次のような効果も有している
。
すなわち、本発明ではつき合わせによる光結合を用いて
いるので複数本の光伝送線と光導波路との光結合も、高
効率でバラツキを少なく作製できる効果を有しており、
光回路デバイスの小型集積化を図ることもできるもので
ある。
いるので複数本の光伝送線と光導波路との光結合も、高
効率でバラツキを少なく作製できる効果を有しており、
光回路デバイスの小型集積化を図ることもできるもので
ある。
第1図(a)、Φ)は本発明の一実施例の光回路デバイ
スの要部断面図、要部構成図、第2図は本発明の他の実
施例の同デバイスの要部構成図、第3図は従来例の同デ
バイスの要部構成図、第4図は他の従来例の要部構成図
、第5図は本発明の第3の実施例の同デバイスの要部構
成図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・光導波路、1
3・・・・・・コア、14・・・・・・光伝送線、16
・・・・・・支持板、61・・・・・・金属薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名13
・−・コ ア g、、・光イ云送織 15・・・友詩扱 ′:pIz図 f3 第3図 34 第4図
スの要部断面図、要部構成図、第2図は本発明の他の実
施例の同デバイスの要部構成図、第3図は従来例の同デ
バイスの要部構成図、第4図は他の従来例の要部構成図
、第5図は本発明の第3の実施例の同デバイスの要部構
成図である。 11・・・・・・基板、12・・・・・・光導波路、1
3・・・・・・コア、14・・・・・・光伝送線、16
・・・・・・支持板、61・・・・・・金属薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名13
・−・コ ア g、、・光イ云送織 15・・・友詩扱 ′:pIz図 f3 第3図 34 第4図
Claims (1)
- 基板上に設けた少なくとも1つの光導波路と前記光導波
路と光結合する光波を伝送するコアを有する少なくとも
1つの光伝送線とからなり、前記光伝送線の一端のコア
の厚さをテーパ状とするテーパコア部を有し、且つ前記
テーパコア部のコア終端面の断面を前記光導波路終端面
に近似させ、前記コア終端面との共通面を有し前記テー
パコア部を保持する支持板を設けたことを特徴とする光
回路デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP687485A JPS61166504A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 光回路デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP687485A JPS61166504A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 光回路デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61166504A true JPS61166504A (ja) | 1986-07-28 |
Family
ID=11650369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP687485A Pending JPS61166504A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 光回路デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61166504A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02113212A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-25 | Hitachi Cable Ltd | 導波路形光モジュール |
US5077818A (en) * | 1989-09-29 | 1991-12-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Coupling arrangement for optically coupling a fiber to a planar optical waveguide integrated on a substrate |
US5307433A (en) * | 1989-09-29 | 1994-04-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical connection member of silicon and method for the manufacture thereof |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP687485A patent/JPS61166504A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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