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JPS6113583A - 高周波コネクタ - Google Patents

高周波コネクタ

Info

Publication number
JPS6113583A
JPS6113583A JP59132618A JP13261884A JPS6113583A JP S6113583 A JPS6113583 A JP S6113583A JP 59132618 A JP59132618 A JP 59132618A JP 13261884 A JP13261884 A JP 13261884A JP S6113583 A JPS6113583 A JP S6113583A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
center conductor
conductor
shell
circuit
frequency connector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59132618A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0312433B2 (ja
Inventor
小杉　勇平
繁男 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=15085540&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS6113583(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP59132618A priority Critical patent/JPS6113583A/ja
Priority to US06/747,658 priority patent/US4669805A/en
Priority to DE8585304446T priority patent/DE3584548D1/de
Priority to CA000484721A priority patent/CA1249350A/en
Priority to EP85304446A priority patent/EP0170392B2/en
Publication of JPS6113583A publication Critical patent/JPS6113583A/ja
Publication of JPH0312433B2 publication Critical patent/JPH0312433B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R24/00—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure
    • H01R24/38—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts
    • H01R24/40—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency
    • H01R24/52—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency mounted in or to a panel or structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R2103/00—Two poles

Landscapes

  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明Ｌ：１、マイクロストリップ回路と外部回路との
間の接続に用いられる高周波コネクタに関する。特に、
（１，３Ｇｌｌｚから３０Ｇｌｌｚの周波帯の７８Ｍモ
ード波の接続に１すｉ用されるに適するコネクタ構ｌｔ
’ｉに関市イ、。
〔従来の技術〕
一般的にマイクロ波帯を用いる装置や機器の回路構成手
段として、マイクロストリップ基板が用いられるように
なったが、この基板と外部回路との接続部分に問題が生
じている。
すなわちハウジングに内装されたマイクロストリップ基
板の導体部を、同軸ケーブルに接続する場合には、第１
９図または第２０図に示すコネクタが公知である。
第１９図に示される例では、金属製のシェルは外部回路
に接続される側には雄ねじ２を有し、またマイクロスト
リップ基板１０と接続される側はハウジング１１の壁面
に嵌入されるフランジ３を有する嵌入体４から構成され
、中空体の内部には絶縁体５で支持された中心導体６が
設けられている。
このコネクタを設置するには、あらかしめマイクロスト
リップ基板１０をハウジング１１の定められた位置に固
定しておき、コネクタの嵌入体４をハウジング１１の被
嵌入孔に挿入してから、接続リボン８があらかじめ装着
された中心導体ピン７をハウジンクの内部から中心導体
６のすり割り部６ｃに挿入したのち、接続リボン８をマ
イクロス１−ＩＪツブ基板１０のそれぞれ対応した導体
部に半田にて接続する。
また、第２０図口ビードによる従来例の場合を示してい
る。ビー１゛は、図示されたように、金属製の外筒１２
の中央に中心導体ピン７′をガラス１３によって固定し
たものでこの方式では、マイクロストリップ基板１０の
導体の位置にあわせて、ビードをハウソング１１に挿入
したのち、ハウジン先１一端の孔１４，１、句半口１を
流し込んでビー１゛を固定したの“ｒ５、中心ｗ体ピン
７′とマイクロストリップ基板の導体部を半田接続して
から、コネクタをハウジン・す（・こねし込む。
、これらの４＃　３１？：例の欠点としては、（１）第
四図のもので１才、接続リボン８の誘導インじ−ダンス
がｊｉ’ｌ　＜　、数Ｇ１１ｚ以１−の周波数では、電
１０１１在’６ｋ　ｌ’Ｌ’　（Ｖ　Ｓ　Ｗ　Ｒ）が悪
くナル、［２１１１：　４Ａ　’！ホンの接続作業工数
が大きい、　□（：（）第２０図のものでは、ハウジン
クの孔１４に半田を流し込んでビードを固定する作業の
工数が大きい、 （４）マイクロストリップ基板を交換の際に作業が複雑
になる、 （５）いずれもコネクタや必要な部品が高価になる、な
どがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、構造が簡単で、設置作業が容易であり、かつ
マイクロ波の伝送特性のよいマイクロストリップ回路の
接続に用いられるコネクタを提供することを目的とする
。
〔問題点を解決するための手段〕
外部導体となる中空の金属製のシェルと、このシェルの
内部に配置された中心導体と、この中心導体を上記シェ
ルの中空部分に支持する絶縁体とを備え、 上記シェルにはこのコネクタをハウジングの壁面に取付
けるためのフランジが形成され、上記外部導体および上
記中心導体の一端は対応するコネクタと嵌合接続される
構造であり、上記中心導体の他端４：ｌニー１＝−記ハ
ウジング内部に実装された回路に１ｇ縛、される１１４
造の高周波コネクタにおいて、１、’、　ｊｊ＋−’＋
回路に接続される構造の側では、−１−記中心−ｌ；体
（，１その先Ｏ！ＸＬＩ、りやや離れた位置で−１−記
絶縁体に、ｌ：　＆Ｉ　Ｌ記シェルの中空部分の実質的
な中心位置ｔにｌ’＋　ＬＬ＋’　！Ｐ　Ｉｆ４造ｔニ
ー支持され、その先端り才自由端であってわ１゛かに変
（１″７　ｉｉ１能に形成された構造であるこＪ、　％
′１．！ｒ　１ｉｔＦとする。
回路に接続される構造の側では、中心導体はばイΩイイ
利により形成され、その中心導体の先端があらかし７め
シェルの中空部分に対してとの物理的中心からわずかに
変位して設定された構造であることが好ましく、 片持梁構造に支持された中心導体はその大部分がシェル
の中空部分の中にあることが好ましく、回路に接続され
る構造の側では、シェルは短く形成され、片持梁構造に
支持された中心導体はその大部分がシェルの中空部分の
夕１にある構造であることが好ましく、 先端よりやや離れた位置は、中心導体の直径の５倍以上
離れた位置であることが好ましく、回路に接続される構
造の側では、中心導体は形状記憶合金により形成される
ことが好ましい。
回路に接続される構造の側では、中心導体の断面は円形
であるか、または中心導体の先端またはその近傍で、中
心導体に切込みが形成されたものであることが好ましい
。
〔作用〕
コネクタの中心導体のマイクロストリップ回路側の部分
を、コネクタの中心軸に対して偏倚させてかつ弾性的に
支持することにより、接続に介在させる要素が不要とな
り、マイクロス］・リップ基板の導体の接続を容易かつ
確実に行うことができる。
〔実施例〕
第１図に本発明の第一実施例によるコネクタの断面図を
示す。第２図にこの実施例構造をマイクロストリップ回
路を内蔵したハウジングに装着した場合のコネクタ構造
の断面図を示す。
両図において、このコネクタは、雄ねし２とフランジ３
とを有する嵌入体４を有するシェルと、中心導体Ｃ；を
支持する絶縁体５とを備える。中心導体１１の１７１の
左端Ｃａｔ絶縁体５によりａねし２の内側に支持されて
いる。
、二、二で、本発明の’ｌ￥徴とする構造６才、中心導
体のマイクロストリップ回ｆ／ｆｌ　””の接続側（図
の右端）４、ｌＪｔ侍粱構造であり、接続端は自由端と
なっているとごろにある。さらにシェルの中心軸に対し
て中心導体先端６ｂは偏倚された構造となっていて、Ｌ
’Ｊ　ｋＶ的にわずかに可動である。絶縁体５は四フッ
化エチレン（商品名「テフロン」）その他の低損失誘電
体から成る。この絶縁体５と中心導体６とがシェルに対
し回転しないように固定用樹脂２１が注入され固化され
ている。また第２図において、嵌入体４の突出部の長さ
は、バウシング１１の孔の奥行きと製作誤差の範囲で一
致するように製作されているので、中心導体と、マイク
ロストリップ基板との相対位置は正しく規制される。中
心導体６の図の左端にはすり割り６ａが設けられ、これ
よりこのコネクタに挿入される相手コネクタの中心導体
と嵌合接３ノシされる。
本箱−実施例のご！ネククを■ｖ付しＩる第一の／ｊ法
は第２図に示すように、マイクロストリップ基板１０を
ハウジング１１に固定してから、中心導体先端６ｂが上
方に向くようにして、コネクタを挿し込み、半回転ひね
ると、中心導体先端６ｂの先端は所定の接触圧力でマイ
クロストリップ基板１０の導体面に接触する。もしこの
回転の際、導・体面を傷つけるおそれのある場合には、
図示のようにポリエステルまたはポリイミドなどの薄い
シート１０１をはさんでおくことがよい。
第二の方法として、マイクロストリップ基板をあとから
取付ける場合は、第３図のように中心導体先端６ｂを針
金１０２で上方に引き上げておき基板１０を矢印の方向
に挿入する。
本発明の第二実施例は、この中心導体先端６ｂを形状記
憶合金材料によって作成するものである。
装着作業時には、常温と異なる温度、例えば冷却してこ
の変形部を直線状にしてからコネクタを挿入すれば、常
温に戻ると所定の偏倚量を示すので適宜ｌ【接触圧力を
得ることができる。
第４図および第５図は本発明第三実施例構造図である。
この構造し１図６に示すようにシェルの嵌入部４の長さ
をこれに対応するハウジング１１の孔の奥行を短くする
ものである。これを取付ける場合は、第５図に示すよう
にコネクタをあらかじめ傾斜させて挿入すれば、第３図
に示すように中心導体先端６１１を処理しなくてよい。
以」１各実施例において説明したようにコネクタをハウ
ジングに挿入したのち、フランジ３をねじなどでハウジ
ングに固定する。
第６図は本発明の第四実施例構造図で、中心導体６を支
持する絶縁体５を短くしたものである。
中心導体の周囲を空気を媒体としてつつみ、不要モー１
′のカッ１−オフ周波数を高くするため、中心導体を支
持する誘電体の部分をなるべく小さくしたものである。
第７図はこの取Ｉ′ＮＪけ状態を示す。
第８図および第９図に中心導体とマイクロストリップ基
板とが直交するようにＩＴＶ付ける実施例構造を示す。
第８図番才嵌入部の長さが長いシェルの場合を、また第
９図は同じく短いシェルの場合である。これらの場合は
第１０図に示すようにマイクロストリップ基板１０の表
面の導体部３１の端部に１゜形のコンタクト導体３２を
熱接着または半田付けなどにより接着させておく。第１
１図にこの部分の平面図を示す。なお、上記のコンタク
ト導体３２を用いないで、第１２図に示すように側面導
体部３２′を導体ペーストを焼成させることによって形
成することも可能である。
断面が円形である中心導体変形部６ｂとマイクロストリ
ップ基板１０の上面の導体３１の接触は、第１３図に示
すように線接触となる。円形断面の中心導体は安価に製
造することができるので、汎用的な用途の高周波コネク
タに適する。しかし、ミリ波帯領域では線路の不連続を
極力小さくするため中心導体の接触部を切削加工するこ
とがよい。第１４図に中心導体接触部の好ましい断面構
造の実施例を示す。
第１４図（ａｌは、中心導体の接触面に単に一方向にの
み平面を設けたものである。第１４図ｆｂ）はマイク１
１ストリップ基板の導体幅と合致するように三方向に平
曲を設りたものである。第１４図（０１は長方形断面の
突起を設ＬＪたもので、とくに第８図および第９図に示
すような中心導体と基板が直交する場合に適する。この
接触状態をさらに向−１−させるためには、第１４図（
ｄｉに示すように長方形の突起部の下面に逃げ２２を設
ける。
以上説明したように、本発明の実施例では、中心導体と
マイクロストリップ基板の導体面との間の接触圧力を適
宜なものとすることができる。この接触圧力は、その接
触面の法線分力として接触面の材質が金（Ａｎ）対合の
場合では０．２Ｎにュー１〜ン）程度あればよいとされ
ているが、材質が銀（Ａｇ）であるとか、または接触面
間に異物混入の場合を考えて約５〜１２Ｎとすることが
好ましい。このようｔ（接触面の法線分力の大きさを第
１５図により説明する。
第１５図において、中心導体を片持梁方式にて支持した
場合の自由端の長さをｌとし、ｐの自由端の座標をｘ＝
０とする。この自由端に加えられる鉛直荷重Ｗによる片
持梁のｙ方向の変形量はＹ＝　−（ｘ”　−３１２２ｘ
＋２７！”　）ＥＩ で表わされる。ただしＥは梁の材料によって定まるヤン
グ率、■は片持梁の断面形状によって定まる断面二次モ
ーメントである。
この式においてｘ＝０におけるｙ方向変位をδとすると となる。したがって、上記の接触面に必要な法線分力が
Ｗである場合は、中心導体の偏倚量を」１式により求め
られるδまたはこれ以上にすればよい。
実際の場合、この式によって求められた偏倚量δを中心
導体に与えるためには、第１６図に示すクランプ治具１
０３および１０４に挟んで熱処理を行うことがよい。第
１７図にこの断面図を示す。偏倚量δの大きさはスペー
サー１０５の厚さによって調整される。
第１８図は本発明によるコネクタの外部回線側の中心シ
シ体のすり割り６．３に対する各種実施例による正面図
を示す。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば （１）　　マイクロストリップ回路とコネクタの中心導
体との接続は直接行われ、ここに別の部品を必要としな
い、 （２）シたがってその接続の工数が著しく小さくなる、 （３）　　回路と中心導体とはつねに所定の圧力で接触
し、また回路とコネクタとの間の距離に多少の誤差があ
ってもこれを中心導体が吸収するのでその接続の安定性
が極めて高い、 （４）その接続の作業は単純であって特別の熟練を必要
としない、 （５）回路表中心導体とはつねに所定の圧力で接触する
ので、接続点で回路が破ｔ１１することがない、（６）
中心導体には別の部品が取付けられることがなく、回路
と中心導体との接続が単純であって工作精度および機械
精度を高くできるから高周波伝送特性がきわめて良い、 （７）　　コネクタは機械的に量産することが可能であ
り、接続に別の部品を必要とせず、接続の作業工数が小
さいので安価である、 などの優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による第一実施例のコネクタの断面図。 第２図は」１記実施例設置の第一の方法の説明図。 第３図は上記実施例設置の第二の方法の説明図。 第４図は嵌入体を短くした第三実施例の断面図。 第５図は上図の実施例設置方法の説明図。 第６図は絶縁体が短い場合の第四実施例の断面図。 第７図は−１−図の実施例設置方法の説明図。 第８図は直交して設置される嵌入体の長い実施例の断面
図。 第９図は直交して設置される嵌入体の短い実施例の断面
図。 第１０図は上図の接触部の斜視図。 第１１図は上図の平面図。 第１２図は基板の側面導体部の斜視図。 第１３図は中心導体と基板導体の接触部の説明図。 第１４図は中心導体の接触部分の各種形状図。 第１５図は片持梁の１算説明図。 第１６図は中心導体の偏倚量を定めるクランプ治具の斜
視図。 第１７図は一ヒ記クランプ治具の断面図。 第１８図は中心導体のすり割り部分の各種正面図。、第
１９図は従来例の第一の形式の断面図。 第２０図ば従来例の第二の形式の断面図。 ２・・・雄ねじ、３・・・フランジ、４・・・嵌入体、
５・・・絶縁体、６・・・中心導体、６ａ、６Ｃ・・・
すり割り、６ｂ・・・中心導体先端、７．７′・・・中
心導体ピン、８・・・接触リボン、１０・・・マイクロ
ス１〜リツプ基板、１１・・・ハウジング、１２・・・
夕）筒、１３・・・ガラス支持物、１４・・・孔、２１
・・・固定用樹脂、２２・・・逃げ、３１・・・導体、
３２・・・コンタクト導体、３２′・・・側面導体部、
１０１・・・シート、１０２・・・針金、１０３．１０
４・・・クランプ冶具、１０５・・・スペーシ。 特許出側人　Ｌ１本電気株式会月 代Ｉ′１１１人　　弁理士　井　出　直　孝Ｂ 摺１５０ ｂ 尼１６以 摺１７　［２］ ′Ａ１８県

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）外部導体となる中空の金属製のシェルと、このシ
    ェルの内部に配置された中心導体と、この中心導体を上
    記シェルの中空部分に支持する絶縁体と を備え、 上記シェルにはこのコネクタをハウジングの壁面に取付
    けるためのフランジが形成され、 上記外部導体および上記中心導体の一端は対応するコネ
    クタと嵌合接続される構造であり、上記中心導体の他端
    は上記ハウジング内部に実装された回路に接続される構
    造の高周波コネクタにおいて、 上記回路に接続される構造の側では、 上記中心導体はその先端よりやや離れた位置で上記絶縁
    体により上記シェルの中空部分の実質的な中心位置に片
    持梁構造に支持され、その先端は自由端であってわずか
    に変位可能に形成された構造である ことを特徴とする高周波コネクタ。
  2. （２）回路に接続される構造の側では、 中心導体はばね材料により形成され、 その中心導体の先端があらかじめシェルの中空部分に対
    してその物理的中心からわずかに変位して設定された構
    造である 特許請求の範囲第（１）項に記載の高周波コネクタ。
  3. （３）片持梁構造に支持された中心導体はその大部分が
    シェルの中空部分の中にある構造の特許請求の範囲第（
    １）項に記載の高周波コネクタ。
  4. （４）回路に接続される構造の側では、シェルは短く形
    成され、 片持梁構造に支持された中心導体はその大部分がシェル
    の中空部分の外にある構造の特許請求の範囲第（１）項
    に記載の高周波コネクタ。
  5. （５）先端よりやや離れた位置は、中心導体の直径の５
    倍以上離れた位置である特許請求の範囲第（１）項に記
    載の高周波コネクタ。
  6. （６）回路に接続される構造の側では、 中心導体は形状記憶合金により形成された 特許請求の範囲第（１）項に記載の高周波コネクタ。
  7. （７）回路に接続される構造の側では、中心導体の断面
    は円形である特許請求の範囲第（１）項に記載の高周波
    コネクタ。
  8. （８）中心導体の先端またはその近傍で、中心導体に切
    込れが形成された特許請求の範囲第（７）項に記載の高
    周波コネクタ。
JP59132618A 1984-06-27 1984-06-27 高周波コネクタ Granted JPS6113583A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59132618A JPS6113583A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 高周波コネクタ
US06/747,658 US4669805A (en) 1984-06-27 1985-06-21 High frequency connector
DE8585304446T DE3584548D1 (de) 1984-06-27 1985-06-21 Hochfrequenz-steckverbinder.
CA000484721A CA1249350A (en) 1984-06-27 1985-06-21 High frequency connector
EP85304446A EP0170392B2 (en) 1984-06-27 1985-06-21 High frequency connector

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JP59132618A JPS6113583A (ja) 1984-06-27 1984-06-27 高周波コネクタ

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Publication Number Publication Date
JPS6113583A true JPS6113583A (ja) 1986-01-21
JPH0312433B2 JPH0312433B2 (ja) 1991-02-20

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ID=15085540

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US (1) US4669805A (ja)
EP (1) EP0170392B2 (ja)
JP (1) JPS6113583A (ja)
CA (1) CA1249350A (ja)
DE (1) DE3584548D1 (ja)

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