JPS61124596A - 部分メツキ方法 - Google Patents
部分メツキ方法Info
- Publication number
- JPS61124596A JPS61124596A JP24579984A JP24579984A JPS61124596A JP S61124596 A JPS61124596 A JP S61124596A JP 24579984 A JP24579984 A JP 24579984A JP 24579984 A JP24579984 A JP 24579984A JP S61124596 A JPS61124596 A JP S61124596A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- conductor
- plated
- laser beam
- electroplating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は部分メッキ方法に関し、特にマスク等を用いる
ことなく被メッキ体の所望局部に選択的に電気メッキす
るものである。
ことなく被メッキ体の所望局部に選択的に電気メッキす
るものである。
金属などの導電性基体の必要部分のみに電気メッキする
ことは、特にエレクトロニクス部品の分野で広〈実施さ
れている。例えばＩＣ用リードフレームは第３図に示す
ようにタブ（ａ ）と、その周囲にインナーリード（ｂ
）と、更にその外側に７ウターリード（Ｃ）を設けた
もので、タブ（ａ）上に３ｉなどのＩＣ素子を搭載し、
素子上の電極とインナーリード（ｂ ）の先端をワイヤ
ーボンドした後、エポキシ等でモールドしている。この
ようなリードフレームでは当初全面にＡｌｌ又はＡ（＋
メッキを施していたが、経済性とＡＩＪのマイグレーシ
ョンによるリード間の絶縁障害などからタブ（ａ ）と
インナーリード（ｂ）の線端部、即ら図に示す点線（ｄ
）で囲まれた部分のみに八〇又は八〇をスポラトメツギ
するようになった。このようなメッキはタブ上のダイボ
ンドとインナーリードのワイヤーボンドのために必要な
処理であった。
ことは、特にエレクトロニクス部品の分野で広〈実施さ
れている。例えばＩＣ用リードフレームは第３図に示す
ようにタブ（ａ ）と、その周囲にインナーリード（ｂ
）と、更にその外側に７ウターリード（Ｃ）を設けた
もので、タブ（ａ）上に３ｉなどのＩＣ素子を搭載し、
素子上の電極とインナーリード（ｂ ）の先端をワイヤ
ーボンドした後、エポキシ等でモールドしている。この
ようなリードフレームでは当初全面にＡｌｌ又はＡ（＋
メッキを施していたが、経済性とＡＩＪのマイグレーシ
ョンによるリード間の絶縁障害などからタブ（ａ ）と
インナーリード（ｂ）の線端部、即ら図に示す点線（ｄ
）で囲まれた部分のみに八〇又は八〇をスポラトメツギ
するようになった。このようなメッキはタブ上のダイボ
ンドとインナーリードのワイヤーボンドのために必要な
処理であった。
このようなスポットメッキとしてはメッキ部以外の表面
にゴム製のマスクを押当て、メッキ部にメッキ液を噴射
して電気メッキする方法が広く用いられている。しかし
このような方法でスボッＩ−メッキしても、タブとリー
ド間及びリード間同志のマイグレーションを完全に防止
することはできなかった。
にゴム製のマスクを押当て、メッキ部にメッキ液を噴射
して電気メッキする方法が広く用いられている。しかし
このような方法でスボッＩ−メッキしても、タブとリー
ド間及びリード間同志のマイグレーションを完全に防止
することはできなかった。
近時タブ上にＩＣ素子を搭載するのに、Ｓｌ−Ａ （］
共晶ボンドによるろう付は法に代って、エボギシ接着剤
による方法が用いられるようになり、リードフレームへ
のＡｕ、Ａｇ等のメッキはインナーリードの先端部のみ
で十分となった。また前記マイグレーションを完全に防
止するためには、インナーリードの先端表面に直径０．
１〜Ｏ，Ｓｍｔｎの円形にメッキすることが望まれてい
る。
共晶ボンドによるろう付は法に代って、エボギシ接着剤
による方法が用いられるようになり、リードフレームへ
のＡｕ、Ａｇ等のメッキはインナーリードの先端部のみ
で十分となった。また前記マイグレーションを完全に防
止するためには、インナーリードの先端表面に直径０．
１〜Ｏ，Ｓｍｔｎの円形にメッキすることが望まれてい
る。
Ｆ記機微小部分の選択的なメッキ方法としてはレジスト
メッキ法が知られている。この方法はメッキ部以外の表
面にレジストを塗布して電気メッキを行うもので、レジ
ストの塗布には複雑な工程と多大の費用を必要とするた
め、リードフレーム等の部分メッキには実用的でない。
メッキ法が知られている。この方法はメッキ部以外の表
面にレジストを塗布して電気メッキを行うもので、レジ
ストの塗布には複雑な工程と多大の費用を必要とするた
め、リードフレーム等の部分メッキには実用的でない。
またスイッチやコネクターなどの接点にはＡＩＪメッキ
が理想とされており、これを経済的に活用するためには
リードフレームと同様に、必要な部分のみに局在して電
気メッキすることが強く望まれている。
が理想とされており、これを経済的に活用するためには
リードフレームと同様に、必要な部分のみに局在して電
気メッキすることが強く望まれている。
４本発明はこれに鑑み種々検討の結果、従来のメッキ法
では実用上困難であった微細部への選択メッキを容易に
行うことができる部分メッキ法を開発したもので、被メ
ッキ体の部分メッキ部直上に近接して、該メッキ部に向
けてレーザー光線照射用導体を設け、該導体の外周壁に
沿ってメッキ液を流下させて、部分メッキ部にメッキ液
を供給すると共に、導体より部分メッキ部にレザー光線
を照射して電気メッキすることを特徴とするものである
。
では実用上困難であった微細部への選択メッキを容易に
行うことができる部分メッキ法を開発したもので、被メ
ッキ体の部分メッキ部直上に近接して、該メッキ部に向
けてレーザー光線照射用導体を設け、該導体の外周壁に
沿ってメッキ液を流下させて、部分メッキ部にメッキ液
を供給すると共に、導体より部分メッキ部にレザー光線
を照射して電気メッキすることを特徴とするものである
。
即ち本発明は第１図に示すように被メッキ体（１）の部
分メッキ部（２）直上に近接して、部分メッキ部（２）
に向けてレーザー光線（３）を照射する導体（４）を設
ける。該導体（４）は被メッキ体（１）の上方に設けた
メッキ液槽（５）を下端のノズ・ル（６）より上方に具
通し、その上端にミラー（７）、レンズ（８）等の光学
系を設け、レーザー光源（９）からのレーザー光線（３
）を集光導入する。一方導体（４）とノズル（６）の間
隙よりメッキ液（１０）を導体（４）の外周壁に治って
流下させる。このようにして被メッキ体（１）の部分メ
ッキ部（２）にメンＶ液（１０）を供給すると共に部分
メッキ部（２）にレーザー光線（３）を照射して電気メ
ッキするものである。この電気メッキにおいて、図に示
すようにメッキ′ｆｉｌ（５）内のメッキ液中にアノー
ド（１１）を設け、被メッキ体（１）をカーソードとし
てメッキ電圧を印加するとよい。
分メッキ部（２）直上に近接して、部分メッキ部（２）
に向けてレーザー光線（３）を照射する導体（４）を設
ける。該導体（４）は被メッキ体（１）の上方に設けた
メッキ液槽（５）を下端のノズ・ル（６）より上方に具
通し、その上端にミラー（７）、レンズ（８）等の光学
系を設け、レーザー光源（９）からのレーザー光線（３
）を集光導入する。一方導体（４）とノズル（６）の間
隙よりメッキ液（１０）を導体（４）の外周壁に治って
流下させる。このようにして被メッキ体（１）の部分メ
ッキ部（２）にメンＶ液（１０）を供給すると共に部分
メッキ部（２）にレーザー光線（３）を照射して電気メ
ッキするものである。この電気メッキにおいて、図に示
すようにメッキ′ｆｉｌ（５）内のメッキ液中にアノー
ド（１１）を設け、被メッキ体（１）をカーソードとし
てメッキ電圧を印加するとよい。
第２図は被メッキ体（１）の２箇所の部分メッキ部（２
＞、（２’ ）に同時に電気メッキを行なう方法を示
すもので、可撓性のある導体（４′ ）を用い、第１図
の場合と同様に被メッキ体（１）の部分メッキ部（２）
、（２’ ）直上に近接して、部分メッキ部（２）（２
’ ）に向けてレーザー光線（３）、（３’ ）を照
射する導体（４’ ）、（４’ ）を設け、その上方を
曲げて項部を束ね、一つのレーザー光源（９）からのレ
ーザー光線（３）をレンズ（７）により集光し、レーザ
ー光線（３）、（３’ ）に分けて２＠の導体（４’
）、（４’ ）に導入する。
＞、（２’ ）に同時に電気メッキを行なう方法を示
すもので、可撓性のある導体（４′ ）を用い、第１図
の場合と同様に被メッキ体（１）の部分メッキ部（２）
、（２’ ）直上に近接して、部分メッキ部（２）（２
’ ）に向けてレーザー光線（３）、（３’ ）を照
射する導体（４’ ）、（４’ ）を設け、その上方を
曲げて項部を束ね、一つのレーザー光源（９）からのレ
ーザー光線（３）をレンズ（７）により集光し、レーザ
ー光線（３）、（３’ ）に分けて２＠の導体（４’
）、（４’ ）に導入する。
このようにして被メッキ体（１）の上方に設けたメッキ
液槽（１０）のノズル（６′ ）より両導体（４’ ）
、（４’ ）上に等量のメッキ液（１０）を流出させ、
導体（４’ ）、（４’ ）の外周壁にって部分メッキ
部（２）、（２’ ）上に流下させると共に同メッキ
部＜２＞、＜２’ ）に導体（４）、（４’ ）より
レーザー光線（３）。
液槽（１０）のノズル（６′ ）より両導体（４’ ）
、（４’ ）上に等量のメッキ液（１０）を流出させ、
導体（４’ ）、（４’ ）の外周壁にって部分メッキ
部（２）、（２’ ）上に流下させると共に同メッキ
部＜２＞、＜２’ ）に導体（４）、（４’ ）より
レーザー光線（３）。
（３′ ）を照射して電気メッキするものである。
面図において（１１）はメッキ液槽（５）内のメッキ液
中に設けた７ノードを示す。
中に設けた７ノードを示す。
導体（４）には５ｉＯｚフフイバーや内面ミラー仕上げ
の金属細管からなる直線状のものを用い、可撓性導体（
４′ ）としては５ｉＯｚフアイバーからなる可撓性の
ものを用い、被メッヤ体（１）の部分メッキ部（２）、
（２’ ）直上ではほぼ垂直に深情する。またレーザ
ー光源（９）には水や金属イオンなどのメッキ液成分に
よる吸収の少ないＡｒやＹＡＧなどの矧波艮レーザーを
用いることが望ましく、レーザー光源の出力は数十ワッ
ト以下の小さいもので十分である。
の金属細管からなる直線状のものを用い、可撓性導体（
４′ ）としては５ｉＯｚフアイバーからなる可撓性の
ものを用い、被メッヤ体（１）の部分メッキ部（２）、
（２’ ）直上ではほぼ垂直に深情する。またレーザ
ー光源（９）には水や金属イオンなどのメッキ液成分に
よる吸収の少ないＡｒやＹＡＧなどの矧波艮レーザーを
用いることが望ましく、レーザー光源の出力は数十ワッ
ト以下の小さいもので十分である。
（作 用）
導体外周壁に沿って流下させたメッキ液は、導体端部で
細い液流となり、部分メッキ部上で二次流となって拡が
る。これに加えてメッキ部上にレーザー光線を照射する
ことにより部分メッキ部の表面が加熱され、その撹拌効
果によってメッキ金属の電析を著しく増進し、局部の許
容電流密度を数１０〜１０００倍位まで向上する。この
効果はメツ液の流下による１種のジェット流による撹拌
効果とあいかさなって有効に作用し、解像度の高い理想
的な部分メッキを実現する。
細い液流となり、部分メッキ部上で二次流となって拡が
る。これに加えてメッキ部上にレーザー光線を照射する
ことにより部分メッキ部の表面が加熱され、その撹拌効
果によってメッキ金属の電析を著しく増進し、局部の許
容電流密度を数１０〜１０００倍位まで向上する。この
効果はメツ液の流下による１種のジェット流による撹拌
効果とあいかさなって有効に作用し、解像度の高い理想
的な部分メッキを実現する。
しかしてこのメッキ方法においてレーザー光線の照射を
欠くと前記二次流の部分にもメッキが起り、メッキの局
在化が低下する。
欠くと前記二次流の部分にもメッキが起り、メッキの局
在化が低下する。
また本発明メッキ法によれば、前記リードフレームを始
め、接点のような通常のエレクトロニクス部品に要求さ
れる厚さ０．５〜５μ程度のメッキは１〜数秒間でメッ
キが終了する。更に部分メッキを１箇所として被メッキ
体又はメッキ系を間欠的に移動させると共にメッキ電圧
の印加を断続することより、多数の部分メッキを迅速に
行うことができる。またメッキ電圧を印加したまま連続
的に移動させれば線状のメッキも可能である。
め、接点のような通常のエレクトロニクス部品に要求さ
れる厚さ０．５〜５μ程度のメッキは１〜数秒間でメッ
キが終了する。更に部分メッキを１箇所として被メッキ
体又はメッキ系を間欠的に移動させると共にメッキ電圧
の印加を断続することより、多数の部分メッキを迅速に
行うことができる。またメッキ電圧を印加したまま連続
的に移動させれば線状のメッキも可能である。
直径１２０μ、長さ５０１の５ｉＯｚフフイバーを用い
、第１図に示す方法により、ファイバーの上端から５Ｗ
の集光したＡｒレーザー光線を導入し、ファイバーの外
周壁に日本エナゲルハル１−社製のＡ Ｌｌメッキ液Ｎ
−１７を流下させ、ファイバーの下端から５ｍｍの位置
に全面にＮｉを２．５μの厚さにメッキしたりん青銅条
（厚さ０．０６ｍ、巾８＃Ｉ＃Ｉ）を０．１ ｍ／ｍｉ
ｎの速度で水平に走行させ、その中央部にレーナーを照
射すると共にメッキ液を流下させ、りん青銅条とメッキ
液漕内のメッキ液中に設けたｐＬ製アノード板との間に
０．１３Ａのメッキ電流を流した。その結果、巾０．２
５＃、厚さ１μの△ｕ−Ｃｏ合金が線状にメッキされた
。このメッキ状態は解像度の高いもので、小型のキース
イッチ用接点に使用し、従来のレジストメッキ法で！！
ｌ 造したものと比較し、はぼ同等の性能のものが得ら
れた。
、第１図に示す方法により、ファイバーの上端から５Ｗ
の集光したＡｒレーザー光線を導入し、ファイバーの外
周壁に日本エナゲルハル１−社製のＡ Ｌｌメッキ液Ｎ
−１７を流下させ、ファイバーの下端から５ｍｍの位置
に全面にＮｉを２．５μの厚さにメッキしたりん青銅条
（厚さ０．０６ｍ、巾８＃Ｉ＃Ｉ）を０．１ ｍ／ｍｉ
ｎの速度で水平に走行させ、その中央部にレーナーを照
射すると共にメッキ液を流下させ、りん青銅条とメッキ
液漕内のメッキ液中に設けたｐＬ製アノード板との間に
０．１３Ａのメッキ電流を流した。その結果、巾０．２
５＃、厚さ１μの△ｕ−Ｃｏ合金が線状にメッキされた
。このメッキ状態は解像度の高いもので、小型のキース
イッチ用接点に使用し、従来のレジストメッキ法で！！
ｌ 造したものと比較し、はぼ同等の性能のものが得ら
れた。
またメッキに要した時間は約１０分の１であった。
（発明の効果］
このように本発明によれば各種の点状又は線状パターン
の電気メッキを精密かつ迅速に行うことができるもので
、レジストや特殊マスクを用いる従来法に田へ、メッキ
時間を短縮し、：ｊストを低減するばかりか、より微小
かつ精密な部分メッキを可能にする等、工業上顕著な効
果を奏するものである。
の電気メッキを精密かつ迅速に行うことができるもので
、レジストや特殊マスクを用いる従来法に田へ、メッキ
時間を短縮し、：ｊストを低減するばかりか、より微小
かつ精密な部分メッキを可能にする等、工業上顕著な効
果を奏するものである。
第１図は本発明方法の一例を示す説明図、第２図は本発
明方法の他の一例を示す説明図、第３図はリードフレー
ムの一例を示す平面図である。 １・・・被メッキ体 ２．２′・・・部分メッキ部３
．３′・・・レーザー光線 ４．４′・・・レーザー光線導体 ５・・・メッキ液槽 ６．６′・・・ノズル７・・
・レンズ ８・・・ミラー９・・・レーザー光
源 １０・・・メッキ液１１・・・アノード ａ・・・タブ ｂ・・・インナーリードＣ・
・・アウターリード
明方法の他の一例を示す説明図、第３図はリードフレー
ムの一例を示す平面図である。 １・・・被メッキ体 ２．２′・・・部分メッキ部３
．３′・・・レーザー光線 ４．４′・・・レーザー光線導体 ５・・・メッキ液槽 ６．６′・・・ノズル７・・
・レンズ ８・・・ミラー９・・・レーザー光
源 １０・・・メッキ液１１・・・アノード ａ・・・タブ ｂ・・・インナーリードＣ・
・・アウターリード
Claims (2)
- （１）被メッキ体の部分メッキ部直上に近接して、該メ
ッキ部に向けてレザー光線照射用導体を設け、該導体の
外周壁に沿つてメッキ液を流下させて、部分メッキ部に
メッキ液を供給すると共に、導体より部分メッキ部にレ
ザー光線を照射して電気メッキすることを特徴とする部
分メッキ方法。 - （２）メッキ液中にアノードを設け、被メッキ体をカソ
ードとして、アノードとカソード間にメッキ電圧を印加
する特許請求の範囲第１項記載の部分メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24579984A JPS61124596A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 部分メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24579984A JPS61124596A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 部分メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124596A true JPS61124596A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17139004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24579984A Pending JPS61124596A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 部分メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124596A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5292418A (en) * | 1991-03-08 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Local laser plating apparatus |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24579984A patent/JPS61124596A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5292418A (en) * | 1991-03-08 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Local laser plating apparatus |
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