JPS61124139A - 電子素子の製造方法 - Google Patents
電子素子の製造方法Info
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- JPS61124139A JPS61124139A JP24440884A JP24440884A JPS61124139A JP S61124139 A JPS61124139 A JP S61124139A JP 24440884 A JP24440884 A JP 24440884A JP 24440884 A JP24440884 A JP 24440884A JP S61124139 A JPS61124139 A JP S61124139A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子素子の製造方法に係り、特に薄膜構造を有
する電子素子の製造過程における表面部材の洗浄法に関
するものでるる。
する電子素子の製造過程における表面部材の洗浄法に関
するものでるる。
「発明の背景〕
通常、薄膜積層構造を有し、薄膜に大きい電界が与えら
れるような電子素子には、例えば整流接合性を有する光
電変換素子あるいは薄膜蓄電池等がある。これらの薄膜
積層構造はスパッタリング、真空蒸着、CVD等の薄膜
形成プロセスによって順次積層形成される過程、特に2
種類の薄膜界面に異物粒子が付着すると、眩素子が局部
的に絶縁破壊、整流性異常るるいは整流性破壊を起し、
全体としての素子機能を害することがめる。例えば整流
性接触界面を有する光導電膜を用いた撮像管において、
光導電膜の整流界面に異物が付着した状態で次層を形成
すると、完成した撮像管による撮像画面の当該欠陥部は
異験による整流性破壊のために暗電流が過大に流れ、再
生画面に輝点傷を発生させることになる。通常、透明硝
子基板上に酸化イ/ジウム、酸化錫るるいはその複合体
薄膜を形成し、この上にSeを生成分とする光導電膜を
形成、あるいはさらにそれら両者の間に酸化ゲルマニウ
ム、酸化セリウム、弗化リチウムあるいはそれらの複合
膜を中間層として形成した光導電膜は、Se系光導電膜
をP層としたヘテロNP接合が形成されている。この場
合、どの層が厳密にN形牛導体であるかを定義すること
は不必要であるが、透明導電膜と中間層の界面および中
間層と光導電膜の界面のいずれも含めて整流性接合界面
と総称することとする。実質的見地からみると、透明導
電膜は、光導電膜蒸着とは異々るプロセスにより蒸着法
、スパッタリング法、CVD法るるいはPVD法により
形成されるCとが多く、次工程とは分離されている場合
が多い。このために膜形成後の異物付着の機会、確率が
大であり、またスパッタリング法はそれ自体異物を発生
しやすい。
れるような電子素子には、例えば整流接合性を有する光
電変換素子あるいは薄膜蓄電池等がある。これらの薄膜
積層構造はスパッタリング、真空蒸着、CVD等の薄膜
形成プロセスによって順次積層形成される過程、特に2
種類の薄膜界面に異物粒子が付着すると、眩素子が局部
的に絶縁破壊、整流性異常るるいは整流性破壊を起し、
全体としての素子機能を害することがめる。例えば整流
性接触界面を有する光導電膜を用いた撮像管において、
光導電膜の整流界面に異物が付着した状態で次層を形成
すると、完成した撮像管による撮像画面の当該欠陥部は
異験による整流性破壊のために暗電流が過大に流れ、再
生画面に輝点傷を発生させることになる。通常、透明硝
子基板上に酸化イ/ジウム、酸化錫るるいはその複合体
薄膜を形成し、この上にSeを生成分とする光導電膜を
形成、あるいはさらにそれら両者の間に酸化ゲルマニウ
ム、酸化セリウム、弗化リチウムあるいはそれらの複合
膜を中間層として形成した光導電膜は、Se系光導電膜
をP層としたヘテロNP接合が形成されている。この場
合、どの層が厳密にN形牛導体であるかを定義すること
は不必要であるが、透明導電膜と中間層の界面および中
間層と光導電膜の界面のいずれも含めて整流性接合界面
と総称することとする。実質的見地からみると、透明導
電膜は、光導電膜蒸着とは異々るプロセスにより蒸着法
、スパッタリング法、CVD法るるいはPVD法により
形成されるCとが多く、次工程とは分離されている場合
が多い。このために膜形成後の異物付着の機会、確率が
大であり、またスパッタリング法はそれ自体異物を発生
しやすい。
したがって次工程による被膜形成に先だって表面を清浄
にすることが必要かつ有効でるる。
にすることが必要かつ有効でるる。
従来では、液体中で超音波照射を行ない、蒸気浴から引
き上げ乾燥する方法あるいは付着した洗浄液全遠心力に
より液滴を振p+71ジ乾燥する方法(「塗料便覧」参
照)を行々うていたが、洗浄液中に異物が浮遊すること
は原理的に避けがたく、いかに洗浄液の81過清浄化を
行なっても洗浄液中の浮遊物は皆無とはならず、これが
再度洗浄面に付着したりあるいは極微細異物粒子は超音
波照射、ブラシング等の外力では離脱しない程度の引力
により基板面に付着したりしてるる程度以上の清浄化に
不可能とされていた。この限界は明確ではないが、粒径
が約0.1μmオーダないしそれ以下のものとみなされ
る。
き上げ乾燥する方法あるいは付着した洗浄液全遠心力に
より液滴を振p+71ジ乾燥する方法(「塗料便覧」参
照)を行々うていたが、洗浄液中に異物が浮遊すること
は原理的に避けがたく、いかに洗浄液の81過清浄化を
行なっても洗浄液中の浮遊物は皆無とはならず、これが
再度洗浄面に付着したりあるいは極微細異物粒子は超音
波照射、ブラシング等の外力では離脱しない程度の引力
により基板面に付着したりしてるる程度以上の清浄化に
不可能とされていた。この限界は明確ではないが、粒径
が約0.1μmオーダないしそれ以下のものとみなされ
る。
このような基板面上の異物を除去するには、樹脂溶液を
被洗浄面に塗布し、乾燥後剥離して、その過程で乾燥し
た樹脂膜に異物を埋設せしめ、樹脂剥離とともに除去す
る方法が本願出願人により提案されている(特開昭52
−130810号公報)が、電子素子が例えば撮像管の
撮像面の如く小形で洗浄すべき面とその川辺の洗浄不要
部分の面との面積差が小でかつ洗浄しない部位も少なく
とも汚損が許されない場合には樹脂溶液の塗布およびそ
の乾燥樹脂膜の剥離を高い生産性をもって行なうことが
でき々かった。
被洗浄面に塗布し、乾燥後剥離して、その過程で乾燥し
た樹脂膜に異物を埋設せしめ、樹脂剥離とともに除去す
る方法が本願出願人により提案されている(特開昭52
−130810号公報)が、電子素子が例えば撮像管の
撮像面の如く小形で洗浄すべき面とその川辺の洗浄不要
部分の面との面積差が小でかつ洗浄しない部位も少なく
とも汚損が許されない場合には樹脂溶液の塗布およびそ
の乾燥樹脂膜の剥離を高い生産性をもって行なうことが
でき々かった。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものでメク、その目的とするところは、微小な異物
を容易かつ確実に除去して電子素子の品質および生産性
を向上させることができる電子素子の製造方法を提供す
ることにある。
れたものでメク、その目的とするところは、微小な異物
を容易かつ確実に除去して電子素子の品質および生産性
を向上させることができる電子素子の製造方法を提供す
ることにある。
このような目的を達成するために本発明による電子素子
の製造方法は、薄膜を積層形成する被洗浄体表面の該薄
膜形成領域周辺部のみに環状に樹脂塗料を塗布し、次い
でこの環状樹脂塗膜の形状に沿ったリング状治具を該環
状樹脂塗膜上に配置し、引き続き該リン状治具ないし環
状樹脂塗膜に囲まれた部位に樹脂塗料を塗布し乾燥後、
該リング状治具を取り去ると同時に固化した樹脂塗膜を
除去することによジ、被洗浄体表面に付着していた汚損
物質、微細異物を該塗膜に取り込んだ状態でかつ同時に
該塗膜の残漬も残すことなく完全に除去できるとともに
、該塗膜の引き剥し起点部の傷付け、塗膜のひぎちぎれ
残存部を発生することなく容易に剥離することができる
。
の製造方法は、薄膜を積層形成する被洗浄体表面の該薄
膜形成領域周辺部のみに環状に樹脂塗料を塗布し、次い
でこの環状樹脂塗膜の形状に沿ったリング状治具を該環
状樹脂塗膜上に配置し、引き続き該リン状治具ないし環
状樹脂塗膜に囲まれた部位に樹脂塗料を塗布し乾燥後、
該リング状治具を取り去ると同時に固化した樹脂塗膜を
除去することによジ、被洗浄体表面に付着していた汚損
物質、微細異物を該塗膜に取り込んだ状態でかつ同時に
該塗膜の残漬も残すことなく完全に除去できるとともに
、該塗膜の引き剥し起点部の傷付け、塗膜のひぎちぎれ
残存部を発生することなく容易に剥離することができる
。
[発明の実施例]
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図(a)〜(f)は本発明による電子素子の製造方
法を撮像管の撮像面形成に適用した場合の一例を説明す
るための断面工程図でろる。ここで本発明を説明する前
に撮像管の面板構体についてその構成の概略を説明する
。撮像管の面板構体は、例えば13mm形撮像管では第
2図に斜視図で示すように撮像面形成面板体1が@径約
13.5mmでその中央部分には透明導電膜2が形成さ
れ、ざらにその中央部分の直径約8.0 mmの部分が
撮像面形成有効部3で、その外周部4が電子銃部外管ガ
ラスとの封着に供する部位でるる。このようカ構成にお
いて、封着部となる外周部4も撮像面形成有効部3はど
の清浄度は要求されないが、汚損されていると、封着不
全による撮像管の真空度の不良全発生させたり、また有
機物破片が真空側の封着部以外に残ったりすると、やは
りガス発生による真空度不良を発生するので、汚損は許
されない。
法を撮像管の撮像面形成に適用した場合の一例を説明す
るための断面工程図でろる。ここで本発明を説明する前
に撮像管の面板構体についてその構成の概略を説明する
。撮像管の面板構体は、例えば13mm形撮像管では第
2図に斜視図で示すように撮像面形成面板体1が@径約
13.5mmでその中央部分には透明導電膜2が形成さ
れ、ざらにその中央部分の直径約8.0 mmの部分が
撮像面形成有効部3で、その外周部4が電子銃部外管ガ
ラスとの封着に供する部位でるる。このようカ構成にお
いて、封着部となる外周部4も撮像面形成有効部3はど
の清浄度は要求されないが、汚損されていると、封着不
全による撮像管の真空度の不良全発生させたり、また有
機物破片が真空側の封着部以外に残ったりすると、やは
りガス発生による真空度不良を発生するので、汚損は許
されない。
次に第1図によシ本発明の詳細な説明する。
まず同図(a)に示すように透光性の撮像面形成面板体
1上の中央部分に被着形成された透明導電膜2上の薄膜
形成面と々る被洗浄面2a上に微細な異物が付着してい
る場合、同図(b)に示すように透明導電膜2の周縁部
分に平面がリング状をなしかつ断面がほぼ半円状をなす
ように樹脂塗料を例えば吐出法により塗布し、リング状
にめぐらせた土手状樹脂リング5を形成する。この場合
、この樹脂塗料は適切な作業性を得るため、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトンの単一またはその混
合溶剤るるいはトルエン添加溶剤が好ましく、また乾燥
後の膜強度、剥離力、残存物をなくすことを目的として
無可塑ないし高分子可塑剤または高沸点溶剤を可塑剤と
して添加した系が望ましい。
1上の中央部分に被着形成された透明導電膜2上の薄膜
形成面と々る被洗浄面2a上に微細な異物が付着してい
る場合、同図(b)に示すように透明導電膜2の周縁部
分に平面がリング状をなしかつ断面がほぼ半円状をなす
ように樹脂塗料を例えば吐出法により塗布し、リング状
にめぐらせた土手状樹脂リング5を形成する。この場合
、この樹脂塗料は適切な作業性を得るため、メチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトンの単一またはその混
合溶剤るるいはトルエン添加溶剤が好ましく、また乾燥
後の膜強度、剥離力、残存物をなくすことを目的として
無可塑ないし高分子可塑剤または高沸点溶剤を可塑剤と
して添加した系が望ましい。
次に同図(c)に示すように樹脂リング5の形状とほぼ
同等の開口端6aを有するリング状治具6を樹脂リング
5上に接触配置する。この場合、リング状治具6の開口
端6aは僅かであるが自重により樹脂リング5内に食い
込むことになる。また、ここで用いるリング状治具6は
、ステンレス製ないしは前述した樹脂塗料に侵されない
樹脂製リングで形成することが必要でるる。次に同図(
d)に示すようにリング状治具6ないし土手状の樹脂リ
ング5で囲繞された被洗浄体としての透明導電膜2の被
洗浄面2a上に前述と同様な樹脂塗料を塗布して第1の
樹脂塗膜アラ形成する。この場合、第1の樹脂塗膜7が
リング状治具6の内面側立上り部まで完全に覆い接着す
るように確認し、必要なら同図(e)に示すように前述
と同様な樹脂塗料全リング状治具6の内面側に達するま
で十分に追加塗布して第2の樹脂塗膜8を追加形成する
。次に樹脂リング5.第1の樹脂塗膜7および第2の樹
脂塗膜8を乾燥させ、リング状治具6に十分に接着され
た如き形状となつに後に同図(f)に示すようにリング
状治具6と撮像面形成面板体1とt引き剥すと、樹脂リ
ング5.第1の樹脂塗膜7および第2の樹脂塗膜8はリ
ング状治具6に付着し、被洗浄体としての透明導電膜2
の被洗浄面2a上には汚損物質、微細異物るるいは塗膜
のひきちぎれ残渣部等の異物を残すことなく完全にしか
も塗膜の引き剥し起点部を傷付けることなく、全く清浄
に除去することができた。
同等の開口端6aを有するリング状治具6を樹脂リング
5上に接触配置する。この場合、リング状治具6の開口
端6aは僅かであるが自重により樹脂リング5内に食い
込むことになる。また、ここで用いるリング状治具6は
、ステンレス製ないしは前述した樹脂塗料に侵されない
樹脂製リングで形成することが必要でるる。次に同図(
d)に示すようにリング状治具6ないし土手状の樹脂リ
ング5で囲繞された被洗浄体としての透明導電膜2の被
洗浄面2a上に前述と同様な樹脂塗料を塗布して第1の
樹脂塗膜アラ形成する。この場合、第1の樹脂塗膜7が
リング状治具6の内面側立上り部まで完全に覆い接着す
るように確認し、必要なら同図(e)に示すように前述
と同様な樹脂塗料全リング状治具6の内面側に達するま
で十分に追加塗布して第2の樹脂塗膜8を追加形成する
。次に樹脂リング5.第1の樹脂塗膜7および第2の樹
脂塗膜8を乾燥させ、リング状治具6に十分に接着され
た如き形状となつに後に同図(f)に示すようにリング
状治具6と撮像面形成面板体1とt引き剥すと、樹脂リ
ング5.第1の樹脂塗膜7および第2の樹脂塗膜8はリ
ング状治具6に付着し、被洗浄体としての透明導電膜2
の被洗浄面2a上には汚損物質、微細異物るるいは塗膜
のひきちぎれ残渣部等の異物を残すことなく完全にしか
も塗膜の引き剥し起点部を傷付けることなく、全く清浄
に除去することができた。
また、本発明の他の笑施例としては、第1図(b)に示
すように被洗浄体としての透明導電膜2の被洗浄面2a
上に土手状の樹脂リング5を形成した後、リング状治具
6を配置することなく、この樹脂リング5の乾燥後にこ
の樹脂リング5により囲繞された部位に前述と同様の樹
脂塗料を塗布し第1の樹脂塗膜7を形成し、さらに若干
の乾燥の後にリング状治具6を土手状樹脂リング5上に
接触配置する。次に第1図(e)に示す工程へ移行し、
リング状治具6の内面側立上り部に前述と同様な樹脂塗
料全塗布し第2の樹脂塗膜8全形成してリング状治具6
と樹脂リング5および第1の樹脂塗膜7との接着を強固
にした後に第1図(f)に示すようにリング状治具6を
引き剥す方法によっても前述と全く同様に良好な結果を
得ることができた。
すように被洗浄体としての透明導電膜2の被洗浄面2a
上に土手状の樹脂リング5を形成した後、リング状治具
6を配置することなく、この樹脂リング5の乾燥後にこ
の樹脂リング5により囲繞された部位に前述と同様の樹
脂塗料を塗布し第1の樹脂塗膜7を形成し、さらに若干
の乾燥の後にリング状治具6を土手状樹脂リング5上に
接触配置する。次に第1図(e)に示す工程へ移行し、
リング状治具6の内面側立上り部に前述と同様な樹脂塗
料全塗布し第2の樹脂塗膜8全形成してリング状治具6
と樹脂リング5および第1の樹脂塗膜7との接着を強固
にした後に第1図(f)に示すようにリング状治具6を
引き剥す方法によっても前述と全く同様に良好な結果を
得ることができた。
また、本発明のさらに他の笑施例としては、第1図(c
)に示すように樹脂リング5上にリング状治具6を配置
した後に第1図(e)に示す工程へ移行し、リング状治
具6で囲繞された被洗浄体としての透明導電膜2の被洗
浄面2a およびリング状治具6の内面側型より部分に
達するまで前述と同様な樹脂塗料を塗布してそれぞれ第
1の樹脂塗膜7および第2の樹脂塗膜8を形成1−1乾
燥後に第1図(f)に示すようにリング状治具6’に引
き剥す方法によっても前述と全く同様に良好な結果を得
ることができた。
)に示すように樹脂リング5上にリング状治具6を配置
した後に第1図(e)に示す工程へ移行し、リング状治
具6で囲繞された被洗浄体としての透明導電膜2の被洗
浄面2a およびリング状治具6の内面側型より部分に
達するまで前述と同様な樹脂塗料を塗布してそれぞれ第
1の樹脂塗膜7および第2の樹脂塗膜8を形成1−1乾
燥後に第1図(f)に示すようにリング状治具6’に引
き剥す方法によっても前述と全く同様に良好な結果を得
ることができた。
なお、前述した各種の笑柿例の笑施において、第1の樹
脂膜7を形成する樹脂塗料は樹脂リング5を形成する樹
脂塗料よりも塗布時に際して、粘度を小とし、塗布時の
樹脂液の拡ろが9を急峻にすることにより塗布作業性を
良好にすることも可能でろる。また、第2の樹脂塗膜8
を形成する樹脂塗料は樹脂リング5を形成する樹脂塗料
よりも塗布時に際して、粘度を大とすることにより、リ
ング状治具6の内面と樹脂塗膜7との間の被膜厚を厚く
し、被膜強度を犬として、樹脂塗膜γおよびリング状治
具6との接着全強固にすることができるため、リング状
治具6の引き剥しかさらに容易になり、良好々結果を得
ることができた。
脂膜7を形成する樹脂塗料は樹脂リング5を形成する樹
脂塗料よりも塗布時に際して、粘度を小とし、塗布時の
樹脂液の拡ろが9を急峻にすることにより塗布作業性を
良好にすることも可能でろる。また、第2の樹脂塗膜8
を形成する樹脂塗料は樹脂リング5を形成する樹脂塗料
よりも塗布時に際して、粘度を大とすることにより、リ
ング状治具6の内面と樹脂塗膜7との間の被膜厚を厚く
し、被膜強度を犬として、樹脂塗膜γおよびリング状治
具6との接着全強固にすることができるため、リング状
治具6の引き剥しかさらに容易になり、良好々結果を得
ることができた。
また、リング状治具6の内面側立上り部は、いずれの場
合においても透明導電膜2上に塗布された第1の樹脂塗
膜7に接着されていることが必要でろり、この立上り部
40.5〜2rnm程度の高さ以上リング状治具開口端
6aの全周にわたって一体に第1の樹脂塗料か塗布され
ていることが必要で、これが不十分でしると、リング状
治具6の引き剥し時にこの部分の第1の樹脂塗膜7か切
断して透明導電膜2上に残存してしまうことになる。
合においても透明導電膜2上に塗布された第1の樹脂塗
膜7に接着されていることが必要でろり、この立上り部
40.5〜2rnm程度の高さ以上リング状治具開口端
6aの全周にわたって一体に第1の樹脂塗料か塗布され
ていることが必要で、これが不十分でしると、リング状
治具6の引き剥し時にこの部分の第1の樹脂塗膜7か切
断して透明導電膜2上に残存してしまうことになる。
さらに本発明の他の実施例としては、リング状治具6を
透明導電膜2の被洗浄面2a土の樹脂リング5上に配置
するに際して第3図に示すようにリング状治具6の開口
端6a’z樹脂リング5に接触させたりあるいに埋設さ
せたp″′jることなく若干の間隔d乏おいて対向配置
させる方法が良好な場合がある。これは樹脂リング5の
乾燥状態、すなわち粘度によるものと思われるが、樹脂
リング5の乾燥が進んでいない場合にリング状治具6を
樹脂リング5上に配置すると、リング状治具6が埋没沈
下を起し、その部位の樹脂塗膜が過小となることによp
1引き剥し時にこの部分の塗膜が切れて残存してしまう
傾向を有する。したがって、樹脂リング5の乾燥進行の
程度によってリング状治具6を配置するときに間隔dを
設けるか否かを選択すべきもので、いずれの場合も本発
明の一応用形態となり得るものである。
透明導電膜2の被洗浄面2a土の樹脂リング5上に配置
するに際して第3図に示すようにリング状治具6の開口
端6a’z樹脂リング5に接触させたりあるいに埋設さ
せたp″′jることなく若干の間隔d乏おいて対向配置
させる方法が良好な場合がある。これは樹脂リング5の
乾燥状態、すなわち粘度によるものと思われるが、樹脂
リング5の乾燥が進んでいない場合にリング状治具6を
樹脂リング5上に配置すると、リング状治具6が埋没沈
下を起し、その部位の樹脂塗膜が過小となることによp
1引き剥し時にこの部分の塗膜が切れて残存してしまう
傾向を有する。したがって、樹脂リング5の乾燥進行の
程度によってリング状治具6を配置するときに間隔dを
設けるか否かを選択すべきもので、いずれの場合も本発
明の一応用形態となり得るものである。
以上説明したような各実施例による透明導電膜2の被洗
浄面2aの洗浄方法によれば、この後にこの被洗浄面2
a上に形成される光導電膜のへテロn−p接合の部分釣
力欠陥発生率が激減し、暗電流を低減させ、電気的特性
の良好々高品質の撮像管を簡単な工程で低コストで得る
ことができる。
浄面2aの洗浄方法によれば、この後にこの被洗浄面2
a上に形成される光導電膜のへテロn−p接合の部分釣
力欠陥発生率が激減し、暗電流を低減させ、電気的特性
の良好々高品質の撮像管を簡単な工程で低コストで得る
ことができる。
なお、前述した実施例においては、電子素子の製造方法
を撮像管の撮像面形成に適用した場合について説明した
が、本発8Aはこれに限定されるものではなく、半導体
素子のへテロ接合部、絶縁薄膜部等の形成に適用しても
前述と同様の効果が得られることは言うまでもない。
を撮像管の撮像面形成に適用した場合について説明した
が、本発8Aはこれに限定されるものではなく、半導体
素子のへテロ接合部、絶縁薄膜部等の形成に適用しても
前述と同様の効果が得られることは言うまでもない。
以上説明したように本発明によれば、被洗浄体の洗浄面
に付着している汚損物質、微細異物等を除去できるとと
もに、塗膜の一部奮残存させることなく、容易かつ確笑
にしかも洗浄面表面を損傷させることなく完全に異物を
除去して表面の極めて清浄な被清浄面が得られるので、
信頼性の高い薄膜構造が生産性良く得られるなどの極め
て優れた効果を有する。
に付着している汚損物質、微細異物等を除去できるとと
もに、塗膜の一部奮残存させることなく、容易かつ確笑
にしかも洗浄面表面を損傷させることなく完全に異物を
除去して表面の極めて清浄な被清浄面が得られるので、
信頼性の高い薄膜構造が生産性良く得られるなどの極め
て優れた効果を有する。
第1図(a)〜(f)は本発明による電子素子の製造方
法全撮像管の撮像面形成方法に適用しf?:、実施例を
説明するための要部断面工程図、第2図は撮像管撮像面
の斜視図、第3図は本発明の他の実施例を説明するため
の要部断面工程図でめる。 1・・・・撮像面形成面板体、2・・・・透明導1膜、
2a ・・・・被洗浄面、3・・・・撮像面形成有効部
、4・・・・外周部、5・・・・樹脂リング、6・・・
・リング状治具、6a・・・・開口端、7・・・・第1
の樹脂塗膜、8・・・第1図 (Q) a (C) 第1図 (d) G □ 2o′ ラ (f) 牟 第2図 第3図
法全撮像管の撮像面形成方法に適用しf?:、実施例を
説明するための要部断面工程図、第2図は撮像管撮像面
の斜視図、第3図は本発明の他の実施例を説明するため
の要部断面工程図でめる。 1・・・・撮像面形成面板体、2・・・・透明導1膜、
2a ・・・・被洗浄面、3・・・・撮像面形成有効部
、4・・・・外周部、5・・・・樹脂リング、6・・・
・リング状治具、6a・・・・開口端、7・・・・第1
の樹脂塗膜、8・・・第1図 (Q) a (C) 第1図 (d) G □ 2o′ ラ (f) 牟 第2図 第3図
Claims (1)
- 被洗浄体の被洗浄面周辺を囲繞するように有機樹脂塗
料を環状に塗布し環状樹脂部を形成する工程と、前記環
状樹脂部の内側に有機樹脂塗布し第1の樹脂塗膜を形成
する工程と、前記環状樹脂部の上に環状治具を配置する
工程と、前記環状治具と第1の樹脂塗膜とに同質樹脂塗
料を塗布し第2の樹脂塗膜を形成する工程と、前記環状
樹脂部、第1の樹脂塗膜および第2の樹脂塗膜が乾燥し
た後にこれらを前記環状治具とともに一体で取り去る工
程とを含むことを特徴とした電子素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24440884A JPS61124139A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 電子素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24440884A JPS61124139A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 電子素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61124139A true JPS61124139A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17118217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24440884A Pending JPS61124139A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 電子素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61124139A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0395951A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Toshiba Corp | 半導体製造装置クリーニング用基体 |
JP2012523961A (ja) * | 2009-04-14 | 2012-10-11 | インターナショナル テスト ソリューションズ, インコーポレイテッド | ウェハ製造クリーニング装置、プロセス及び使用方法 |
JP2015008177A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US11155428B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-10-26 | International Test Solutions, Llc | Material and hardware to automatically clean flexible electronic web rolls |
US11211242B2 (en) | 2019-11-14 | 2021-12-28 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning contact elements and support hardware using functionalized surface microfeatures |
US11318550B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-05-03 | International Test Solutions, Llc | System and method for cleaning wire bonding machines using functionalized surface microfeatures |
US11756811B2 (en) | 2019-07-02 | 2023-09-12 | International Test Solutions, Llc | Pick and place machine cleaning system and method |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP24440884A patent/JPS61124139A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0395951A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Toshiba Corp | 半導体製造装置クリーニング用基体 |
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