JPS61117524A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS61117524A JPS61117524A JP23904084A JP23904084A JPS61117524A JP S61117524 A JPS61117524 A JP S61117524A JP 23904084 A JP23904084 A JP 23904084A JP 23904084 A JP23904084 A JP 23904084A JP S61117524 A JPS61117524 A JP S61117524A
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- films
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液晶表示素子に関するもので、特に、液晶
分、子を電極基板面に垂直屹配向させて用いる液晶表示
素子に関するものである。
分、子を電極基板面に垂直屹配向させて用いる液晶表示
素子に関するものである。
従来、液晶分子を垂直に配向させる方式としては、第２
図に示すような垂直配向膜７として、（１）レシチンあ
るいは界面活性剤等を基板に塗布するか、あるいは液晶
材料に混合する方法、（２）有機クロム錯体等を基板に
塗布する方法、（８）フッ化カルシウム蒸着膜や酸化セ
リウム蒸着膜を用いる方法。
図に示すような垂直配向膜７として、（１）レシチンあ
るいは界面活性剤等を基板に塗布するか、あるいは液晶
材料に混合する方法、（２）有機クロム錯体等を基板に
塗布する方法、（８）フッ化カルシウム蒸着膜や酸化セ
リウム蒸着膜を用いる方法。
（４）シランカップリング剤を基板に塗布する方法、（
５）シランカップリング剤にテトラアルコキシシランを
添加する方法、 が知られている。
５）シランカップリング剤にテトラアルコキシシランを
添加する方法、 が知られている。
しかし従来の垂直配向方式は、次のような欠点があった
。
。
（１）の方式では、耐熱性および素子の寿命の面で問題
があった。
があった。
（２）の方式では、公害面の問題が残されている。
（８）の方式では、量産性の悪さに問題がある。
（４）の方式では、垂直配向性の再現性が悪い。
（ωΦ方式は、（４）の問題の解決策として提示された
ものであるが、この方式を用いても再現性は良好ではな
い。
ものであるが、この方式を用いても再現性は良好ではな
い。
上記問題点を解決するためこの発明は、液晶層を挾む２
枚の電極基板のうち少なくとも一方の電極基板の液晶と
接する面に、有機金属化合物からなる下地膜と、その上
にオをガノシラン化合物からなる垂直配向膜を形成して
、垂直配向の再現性を高めた。本発明に用いる有機金属
化合物としては、例えば、一般式（１）または（２）で
示される構造のようなものである。
枚の電極基板のうち少なくとも一方の電極基板の液晶と
接する面に、有機金属化合物からなる下地膜と、その上
にオをガノシラン化合物からなる垂直配向膜を形成して
、垂直配向の再現性を高めた。本発明に用いる有機金属
化合物としては、例えば、一般式（１）または（２）で
示される構造のようなものである。
Ｍ 、 −（ＯＲ＋）、 ・・・α）・ 拳 ・
（２） （ここに、Ｒ＋は炭素原子数が１〜１０のアルキル基、
？ｌは０〜４０の正の整数、Ｍ、はＴｊ、Ｚ。
（２） （ここに、Ｒ＋は炭素原子数が１〜１０のアルキル基、
？ｌは０〜４０の正の整数、Ｍ、はＴｊ、Ｚ。
、Ｓｚ、Ｇ６．Ｓｆｉのうちから選ばれた少なくとも１
種類の金属原子） また、本発明におけるオルガノシラン化合物は、例えば
、一般式（８）または（４）に示すような構造のもので
ある。
種類の金属原子） また、本発明におけるオルガノシラン化合物は、例えば
、一般式（８）または（４）に示すような構造のもので
ある。
Ｒ１，Ｓ ｚ−（ＯＲ”） ３ ・・・（８）（こ
とｌこ、Ｒ１は炭素原子数がｌＯ〜３０の直鎖のアルキ
ル基％Ｒ”Ｆｉ戻紫原子数が１〜４のアルキル基、Ｒ４
は炭素原子数が１〜４のアルキル基またはアリール基） 上記の有機金属化合物からなる下地膜と、オルガノシラ
ン化合物からなる垂直配向膜の形成方法については、従
来から用いられているスピンナー塗布法、ハケ塗り法、
浸漬法、オフセット印刷法、凸版印刷法、スプレー塗布
法などによって行なう。
とｌこ、Ｒ１は炭素原子数がｌＯ〜３０の直鎖のアルキ
ル基％Ｒ”Ｆｉ戻紫原子数が１〜４のアルキル基、Ｒ４
は炭素原子数が１〜４のアルキル基またはアリール基） 上記の有機金属化合物からなる下地膜と、オルガノシラ
ン化合物からなる垂直配向膜の形成方法については、従
来から用いられているスピンナー塗布法、ハケ塗り法、
浸漬法、オフセット印刷法、凸版印刷法、スプレー塗布
法などによって行なう。
有機金属化合物を下地膜として用いることにより、基板
との接着性を高め、耐熱性向上と、素子寿命が長くなる
。′ｔた、有機金属化合物の下地膜は、オルガノシラン
化合物の垂直配向性の安定性向上に効果があり、本発明
の垂直配向膜は、再現性が良好な垂直配向性をもつ、。
との接着性を高め、耐熱性向上と、素子寿命が長くなる
。′ｔた、有機金属化合物の下地膜は、オルガノシラン
化合物の垂直配向性の安定性向上に効果があり、本発明
の垂直配向膜は、再現性が良好な垂直配向性をもつ、。
Ｃ実施例）
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図において、基板１に、透明電極８を形成する。そ
の上に、有機金属化合物溶液をシール部以外に印刷、加
熱硬化して、下地膜６を形成する。さらにその上に、オ
ルガノシラン化合物溶液をシール部以外に印刷、加熱硬
化して、垂直配向膜７を形成する。
の上に、有機金属化合物溶液をシール部以外に印刷、加
熱硬化して、下地膜６を形成する。さらにその上に、オ
ルガノシラン化合物溶液をシール部以外に印刷、加熱硬
化して、垂直配向膜７を形成する。
上記の有機金属化合物は、−例として、一般式（１）ま
たは伐）で示される構造のものを用へた。
たは伐）で示される構造のものを用へた。
Ｍ ６−（ＯＲ＋） ４ ・ ・ ・（１）・
・ ・（２） （ここに、Ｒ＋は炭素原子数が１〜１０のアルキル基、
答はθ〜４０の正の整数、Ｍ、はＴｉ、Ｚｔ−、Ｒ４、
ｃｚ、、８′ｎのうちから選ばれた少なくとも１種類の
金属原子） 上記の化合物（１）および（２）の−例として、特に、
チタン化合物であるテトラブトキシチタネートを用いた
。
・ ・（２） （ここに、Ｒ＋は炭素原子数が１〜１０のアルキル基、
答はθ〜４０の正の整数、Ｍ、はＴｉ、Ｚｔ−、Ｒ４、
ｃｚ、、８′ｎのうちから選ばれた少なくとも１種類の
金属原子） 上記の化合物（１）および（２）の−例として、特に、
チタン化合物であるテトラブトキシチタネートを用いた
。
また、上記のオルガノシラン化合物は、−例として、一
般式（８）または（４）で示される構造のものを用いた
。
般式（８）または（４）で示される構造のものを用いた
。
Ｒ宜−８７−（ＯＲＪ’）３ ・・・（８）（ここ
に ’ｆｌＮは炭素原子数がｌＯ〜加の直鎖のアルキル
基 Ｒ１は炭素原子数が１〜４のアルキル基、Ｒ’ｔｄ
炭素原子数が１〜４のアルキル基または了り−ル基） 上記の化合物（１）および（２）の−例として、特に、
オクタデシルトリエトキシシランを用いた。
に ’ｆｌＮは炭素原子数がｌＯ〜加の直鎖のアルキル
基 Ｒ１は炭素原子数が１〜４のアルキル基、Ｒ’ｔｄ
炭素原子数が１〜４のアルキル基または了り−ル基） 上記の化合物（１）および（２）の−例として、特に、
オクタデシルトリエトキシシランを用いた。
この発明は、有機金属化合物からなる下地膜と、オルガ
ノシラン化合物からなる垂直配向膜を形成することによ
り、耐熱性良好で、再現性良好な垂直配向性をもち、寿
命の長い液晶表示素子の作成を可能にする効果があるゆ
ノシラン化合物からなる垂直配向膜を形成することによ
り、耐熱性良好で、再現性良好な垂直配向性をもち、寿
命の長い液晶表示素子の作成を可能にする効果があるゆ
第１図は、との発明にかかる液晶表示素子の断面図、第
２図は、従来の液晶表示素子の断面図である。 １．２・・・基板 ８．４・・・透明電極 ５＃６・・・下地膜 ７．８・・・垂直配向膜 ９、川・・・シール材 １１−・・・・液晶 以 上
２図は、従来の液晶表示素子の断面図である。 １．２・・・基板 ８．４・・・透明電極 ５＃６・・・下地膜 ７．８・・・垂直配向膜 ９、川・・・シール材 １１−・・・・液晶 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、液晶層を挾む２枚の電極基板のうち少なくとも一方
の電極基板の液晶と接する面に、有機金属化合物からな
る下地膜と、その上にオルガノシラン化合物からなる垂
直配向膜を形成したことを特徴とする液晶表示素子。 ２、前記の有機金属化合物が、下記一般式（１）または
（２） Ｍｅ−（ＤＲ＾１）＿４・・・（１） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（２） （ここに、Ｒ＾１は炭素原子数が１〜１０のアルキル基
、ｎは０〜４０の正の整数、ＭｅはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｓｎのうちから選ばれた少なくとも１種類の金属
原子） に示す構造のものであり、 前記のオルガノシラン化合物が、下記一般式（３）また
は（４） Ｒ＾２−Ｓｉ−（ＯＲ＾３）＿３・・・（３）▲数式、
化学式、表等があります▼・・・（４） （ここに、Ｒ＾２は炭素原子数が１０〜３０の直鎖のア
ルキル基、Ｒ＾３は炭素原子数が１〜４のアルキル基、
Ｒ＾４は炭素原子数が１〜４のアルキル基またはアリー
ル基） に示す構造のものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23904084A JPS61117524A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23904084A JPS61117524A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117524A true JPS61117524A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17038981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23904084A Pending JPS61117524A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117524A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327272A (en) * | 1991-03-27 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| EP0790522A1 (en) * | 1996-02-16 | 1997-08-20 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Process for forming a liquid crystal vertical alignment film |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23904084A patent/JPS61117524A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5327272A (en) * | 1991-03-27 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| US5838410A (en) * | 1991-03-27 | 1998-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| EP0790522A1 (en) * | 1996-02-16 | 1997-08-20 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Process for forming a liquid crystal vertical alignment film |
| US5766673A (en) * | 1996-02-16 | 1998-06-16 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for forming a liquid crystal vertical alignment film |
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