JPS6096005A - ダイエリアを効率的に用いたノイズのないカスコード回路 - Google Patents
ダイエリアを効率的に用いたノイズのないカスコード回路Info
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- JPS6096005A JPS6096005A JP59207937A JP20793784A JPS6096005A JP S6096005 A JPS6096005 A JP S6096005A JP 59207937 A JP59207937 A JP 59207937A JP 20793784 A JP20793784 A JP 20793784A JP S6096005 A JPS6096005 A JP S6096005A
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- cascode
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/226—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with junction-FET's
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、モノリシック集積回路として実施するのに適
合したノイズのないカスコード回路に係り、特に、カス
コード素子が、回路のノイズを実質上なくすような共通
ソース接合電界効果トランジスタであり、更に、モノリ
シック集積回路として回路を実施するに要するダイエリ
アを著しく減少するように、入力段に流れる電流の大部
分がカスコードJ FETをバイパスするようにさせる
電流駆動手段が設けられたカスコード回路に係る。
合したノイズのないカスコード回路に係り、特に、カス
コード素子が、回路のノイズを実質上なくすような共通
ソース接合電界効果トランジスタであり、更に、モノリ
シック集積回路として回路を実施するに要するダイエリ
アを著しく減少するように、入力段に流れる電流の大部
分がカスコードJ FETをバイパスするようにさせる
電流駆動手段が設けられたカスコード回路に係る。
従来の技術
2つのバイポーラトランジスタを用いたカスコード回路
もしくはサブ回路が永年使用されてしする。カスコード
構成の主たる効果は、出力抵抗が非常に高く、且つ、共
通エミッタ構成等においてみられる高周波フィードバッ
クが、出力から、集積回路のコレクターベースキャパシ
タンス又は寄生キャパシタンスを経て入力へ生じないこ
とである。高い入力インピーダンスが得られることも。
もしくはサブ回路が永年使用されてしする。カスコード
構成の主たる効果は、出力抵抗が非常に高く、且つ、共
通エミッタ構成等においてみられる高周波フィードバッ
クが、出力から、集積回路のコレクターベースキャパシ
タンス又は寄生キャパシタンスを経て入力へ生じないこ
とである。高い入力インピーダンスが得られることも。
バイアス基準電源において電源に対する敏感さを 。
に有用であ、る。
単一段増巾回路等において生じる別の重大な問題は、一
定の駆動インピーダン、スもしくは電流によって回路内
の電圧を変化させることのできる速度がキャパシタンス
によって制限されることである。一定のソース抵抗によ
ってキャパシタンスが駆動される場合には、RC指数充
電の傾向がみられるが、電流ソースによって駆動される
キャパシタンスは、スルーレートの制限された波形を招
く。一般的に、ソースインピーダンス及び負荷のキャパ
シタンスを減少しそして回路、内の駆動電流を増7JI
+すると、速度、ぐ1上昇する。然し乍ら、フィードバ
ックキャパシタンス及び入力キャパシタンスには、注意
を要する成る種の成分が接続されている。最も重大な問
題は、接合キャパシタンスである。出力キャパシタンス
CLは、出力抵抗RLとで時定数を形成し、成る周波数
R= 1 / 2 rLCLでロールオフを開始させる
。入力キャパシタンスをソースインピーダンスRsと組
み合わせた場合にも同・しことが言える。コレクターベ
ースキャパシタンスCCbも別の問題である。増巾器は
、成る全体的な電圧利得Gvを有していて、入力におい
て電圧が僅かに変動してもコレクタの出力では変動が相
当に拡大され然も出力が反転される。これに゛より、信
号ソースからみたコレクターベースキャパシタンスCc
bの電流は、CCbがベースからアースに接続されてい
る場合には、出力電圧利得+1 ’(Gv+ 1 )倍
に等しくなり、従って、入力ロールオフ周波数を計算す
るためには、フィードバックキャパシタンスが値Ccb
(Gv+1)のキャパシタのようにふるまうことになる
。′但し、Gvは、増巾器の全電圧利得である。このよ
うなCCbの実際的な増加は、ミラー効果として知られ
ている。
定の駆動インピーダン、スもしくは電流によって回路内
の電圧を変化させることのできる速度がキャパシタンス
によって制限されることである。一定のソース抵抗によ
ってキャパシタンスが駆動される場合には、RC指数充
電の傾向がみられるが、電流ソースによって駆動される
キャパシタンスは、スルーレートの制限された波形を招
く。一般的に、ソースインピーダンス及び負荷のキャパ
シタンスを減少しそして回路、内の駆動電流を増7JI
+すると、速度、ぐ1上昇する。然し乍ら、フィードバ
ックキャパシタンス及び入力キャパシタンスには、注意
を要する成る種の成分が接続されている。最も重大な問
題は、接合キャパシタンスである。出力キャパシタンス
CLは、出力抵抗RLとで時定数を形成し、成る周波数
R= 1 / 2 rLCLでロールオフを開始させる
。入力キャパシタンスをソースインピーダンスRsと組
み合わせた場合にも同・しことが言える。コレクターベ
ースキャパシタンスCCbも別の問題である。増巾器は
、成る全体的な電圧利得Gvを有していて、入力におい
て電圧が僅かに変動してもコレクタの出力では変動が相
当に拡大され然も出力が反転される。これに゛より、信
号ソースからみたコレクターベースキャパシタンスCc
bの電流は、CCbがベースからアースに接続されてい
る場合には、出力電圧利得+1 ’(Gv+ 1 )倍
に等しくなり、従って、入力ロールオフ周波数を計算す
るためには、フィードバックキャパシタンスが値Ccb
(Gv+1)のキャパシタのようにふるまうことになる
。′但し、Gvは、増巾器の全電圧利得である。このよ
うなCCbの実際的な増加は、ミラー効果として知られ
ている。
これによってしばしば増巾器のロールオフ特性が左右さ
れる。というのは、典型的な・フィードバックキャパシ
タンスは、アースに対するその実際の値の何倍にもみえ
るからである。このミラー効果を解消する方法としては
、多数の方法が利用できる。今日量も効果的な方法であ
るとされている1つの方法は、回路にカスコード素子を
使用することである。典型的な単一段増巾器を含む公知
回路の更に別の問題は、入力と出力との間の信号路に装
置を追加することによってノイズが増加することであり
、これは共通カスコード素子についても言えることであ
る。それ故、ミラー効果を減少するためにカスコード素
子を追加した場合でも、ノイズが相当に増加して、その
所望性が相殺される。
れる。というのは、典型的な・フィードバックキャパシ
タンスは、アースに対するその実際の値の何倍にもみえ
るからである。このミラー効果を解消する方法としては
、多数の方法が利用できる。今日量も効果的な方法であ
るとされている1つの方法は、回路にカスコード素子を
使用することである。典型的な単一段増巾器を含む公知
回路の更に別の問題は、入力と出力との間の信号路に装
置を追加することによってノイズが増加することであり
、これは共通カスコード素子についても言えることであ
る。それ故、ミラー効果を減少するためにカスコード素
子を追加した場合でも、ノイズが相当に増加して、その
所望性が相殺される。
公知技術では、多くの場合、バイポーラトランジスタが
ノイズが少ないか接合電界効果トランジスタJ FET
がノイズが少ないかを決定することによってこれらの問
題を解消するように試みられている。J FETは、一
般に、ソースインピーダンスが100Kから100Mの
場合大部分のテストにおいてノイズ指数が最低であると
分かっており、従って、高いソースインピーダンスに対
して比較的ビートがない。然し乍ら、バイポーラトラン
ジスタは、通常、特に5に以下の低いソースインピーダ
ンスに対して最適であると分かつている。
ノイズが少ないか接合電界効果トランジスタJ FET
がノイズが少ないかを決定することによってこれらの問
題を解消するように試みられている。J FETは、一
般に、ソースインピーダンスが100Kから100Mの
場合大部分のテストにおいてノイズ指数が最低であると
分かっており、従って、高いソースインピーダンスに対
して比較的ビートがない。然し乍ら、バイポーラトラン
ジスタは、通常、特に5に以下の低いソースインピーダ
ンスに対して最適であると分かつている。
然し乍ら、単−増巾段及びカスコード素子の両方に対し
てJFETトランジスタを使用するようなカスコード回
路においても、特に、回路の組合体せもしくはサブ回路
をモノリシック集積回路まで簡単化できることが所望さ
れる場合には、著しい問題が隼じる。というのは、JF
ETは、一般に、所要の入力電流を流すために非常に大
きく且つ比較的効率の悪いダイエリアを必要とするから
である。かくて、JFETカスコード組合せ体を、モノ
リシック集積形態で実施するように簡単化することが不
可能でない場合には、実質上非経済的なものとなる。
てJFETトランジスタを使用するようなカスコード回
路においても、特に、回路の組合体せもしくはサブ回路
をモノリシック集積回路まで簡単化できることが所望さ
れる場合には、著しい問題が隼じる。というのは、JF
ETは、一般に、所要の入力電流を流すために非常に大
きく且つ比較的効率の悪いダイエリアを必要とするから
である。かくて、JFETカスコード組合せ体を、モノ
リシック集積形態で実施するように簡単化することが不
可能でない場合には、実質上非経済的なものとなる。
これら及び他の公知の問題は、本発明の回路では、モノ
リシック集積回路として確実且つ効率的に実施すること
のできるノイズのないカスコード回路もしくはサブ回路
を形成する非常に簡単な手段を提供することによって解
消される。
リシック集積回路として確実且つ効率的に実施すること
のできるノイズのないカスコード回路もしくはサブ回路
を形成する非常に簡単な手段を提供することによって解
消される。
発明の構成及び効果
本発明は、モノリシック集積回路として現実的なダイエ
リア即ち大きさで実施することのできる実質上ノイズの
ないカスコード増巾回路もしくはサブ回路に関する。好
ましい実施例においては、入力接合電界効果トランジス
タJFET増巾段が回路入力を与え、J FETカスコ
ード段が全ての回路ノイズを実質的に除去するように入
力JFETFET上回路出力との間に作動的に接続され
ている。更に、電流そらし手段が設けられており、この
手段は、電流を少なくとも2つの流路に分割すると共に
、回路電流の大部分をJFE、Tカスコード素子をめぐ
るようにそらし、モノリシック集積回路でカスコードJ
PETを実施するように所要のダイエリアの大きさを相
当に減少させ、これにより、モノリシック形態での実施
を可能にする。
リア即ち大きさで実施することのできる実質上ノイズの
ないカスコード増巾回路もしくはサブ回路に関する。好
ましい実施例においては、入力接合電界効果トランジス
タJFET増巾段が回路入力を与え、J FETカスコ
ード段が全ての回路ノイズを実質的に除去するように入
力JFETFET上回路出力との間に作動的に接続され
ている。更に、電流そらし手段が設けられており、この
手段は、電流を少なくとも2つの流路に分割すると共に
、回路電流の大部分をJFE、Tカスコード素子をめぐ
るようにそらし、モノリシック集積回路でカスコードJ
PETを実施するように所要のダイエリアの大きさを相
当に減少させ、これにより、モノリシック形態での実施
を可能にする。
上記の電流そらし手段は、カスコードJFETとフィー
ドバック形態で作動的に接続された電流ミラーと、カス
コードJFETの電流ソースに作動的に接続されていて
、モノリシック集積回路で実施するに要する最小のダイ
エリアを可能とするように、電流の大部分がカスコード
JFETをバイパスするよう電流を少なくとも2つの流
路に分割する電流分割器として働く電流ミラー状回路と
、大部分の電流をJFETカスコード段のまわりに向け
る電流ソース手段と、モノリシック集積回路として回路
を実施できるように比較的値かなダイエリアしか必要と
しなくするため、大部分の電流がJFETカスコードト
ランジスタをバイパスするような2つ以上の流路を形成
する電流分割手段とを備えている。
ドバック形態で作動的に接続された電流ミラーと、カス
コードJFETの電流ソースに作動的に接続されていて
、モノリシック集積回路で実施するに要する最小のダイ
エリアを可能とするように、電流の大部分がカスコード
JFETをバイパスするよう電流を少なくとも2つの流
路に分割する電流分割器として働く電流ミラー状回路と
、大部分の電流をJFETカスコード段のまわりに向け
る電流ソース手段と、モノリシック集積回路として回路
を実施できるように比較的値かなダイエリアしか必要と
しなくするため、大部分の電流がJFETカスコードト
ランジスタをバイパスするような2つ以上の流路を形成
する電流分割手段とを備えている。
又、上記の電流そらし手段は、エミッタ領域の倍率設定
手段を含む電流の比をとる手段、成る比率にされたエミ
ッタ縮退抵抗を挿入する手段、或いはその両方を備えて
もよい。
手段を含む電流の比をとる手段、成る比率にされたエミ
ッタ縮退抵抗を挿入する手段、或いはその両方を備えて
もよい。
又、本発明は、少なくともバイポーラトランジスタカス
コード素子を1つ有するカスコード増巾器からノイズを
除去する方法であって、JFETカスコード素子をバイ
ポーラカスコード素子に取り替えそしてこのJFE、T
カスコード素子を入力増巾段と回路の出力との間に接続
することより成る方法に関する。又、JFET入力から
の電流をそらして、その大部分がJFETカスコード素
子をバイパスするようにする段階と同様に、JFETを
入力増巾段として挿入する段階も含まれ、これにより、
モノリシック集積回路技術において現実的なダイエリア
でJFETカスコード素子を実施することができる。
コード素子を1つ有するカスコード増巾器からノイズを
除去する方法であって、JFETカスコード素子をバイ
ポーラカスコード素子に取り替えそしてこのJFE、T
カスコード素子を入力増巾段と回路の出力との間に接続
することより成る方法に関する。又、JFET入力から
の電流をそらして、その大部分がJFETカスコード素
子をバイパスするようにする段階と同様に、JFETを
入力増巾段として挿入する段階も含まれ、これにより、
モノリシック集積回路技術において現実的なダイエリア
でJFETカスコード素子を実施することができる。
更に、本発明は、多数(X個)の増巾段を使用し、各段
にJFETカスコード素子を挿入し、次いで、X個の各
段の電流をそらして実質的にJFETカスコード素子を
バイパスさせ、所要のダイエリアを減少すると共に、モ
ノリシック集積回路技術で回路を実施できるようにする
ことにより、カスコード増巾回路を改良する方法にも関
する。
にJFETカスコード素子を挿入し、次いで、X個の各
段の電流をそらして実質的にJFETカスコード素子を
バイパスさせ、所要のダイエリアを減少すると共に、モ
ノリシック集積回路技術で回路を実施できるようにする
ことにより、カスコード増巾回路を改良する方法にも関
する。
同様に、この方法も、電流そらし段階等において電流の
比をとる段階を含む。
比をとる段階を含む。
本発明は+ (1)JFETカスコード素子を用いて比
較的回路ノイズがないようにしたカスコード回路もしく
はサブ回路を構成できるようにし、(2)JFETカス
コード素子がたとえ通常集積化のために非常に広いダイ
エリアを必要とするものであっても、大部分の電流をJ
FETカスコード素子をめぐるようにそらすことにより
、このようなJ F E Tカスコード素子を使用して
、モノリシック集積回路形態で回路を実施でき、そして
(3)電流そらし手段をJFETカスコード素子と組み
合わせる手段が容易にバイアスを与えることができ、こ
のバイアス点は、カスコードJFETのみで通常作動に
充分な電圧を増巾装置間に与えるようなレベルまでカス
コードJ FETのゲート−ソース電圧を上昇できる点
である。
較的回路ノイズがないようにしたカスコード回路もしく
はサブ回路を構成できるようにし、(2)JFETカス
コード素子がたとえ通常集積化のために非常に広いダイ
エリアを必要とするものであっても、大部分の電流をJ
FETカスコード素子をめぐるようにそらすことにより
、このようなJ F E Tカスコード素子を使用して
、モノリシック集積回路形態で回路を実施でき、そして
(3)電流そらし手段をJFETカスコード素子と組み
合わせる手段が容易にバイアスを与えることができ、こ
のバイアス点は、カスコードJFETのみで通常作動に
充分な電圧を増巾装置間に与えるようなレベルまでカス
コードJ FETのゲート−ソース電圧を上昇できる点
である。
本発明の他の効果及び特徴は、添付図面及び好ましい実
施例の以下の説明、並びに特許請求の範囲から容易に明
らかとなろう。
施例の以下の説明、並びに特許請求の範囲から容易に明
らかとなろう。
実施例
第1図に示されたカスコード回路接続は、増巾段からの
出力信号及びバイアス電圧を改善する□という点で多数
の利点が認められる。然し乍ら、回路入力と回路出力、
との間の信号路に装置を追加すると、ノイズが増加し、
これは共通カスコード素子についても言えることが知ら
れている。然し、多くの回路において、ミラー効果を除
去し、出力抵抗を高くし、且つ又、出力から寄生キャパ
シタンスを介して入力へ高周波フィードバックが生じな
いようにするためには、共通カスコード素子が必要とさ
れる。第1図は、公知の第1のカスコード回路10を示
しており、この回路は、単−投入力増巾器として働く共
通ソースのNチャンネル接合電界効果トランジスタJF
’ETIIを有している。このJFETI 1のゲート
電極は、参照番号12で示された回路入力Ei12へ直
結され、一方、そのドレインは、アースへ直結される。
出力信号及びバイアス電圧を改善する□という点で多数
の利点が認められる。然し乍ら、回路入力と回路出力、
との間の信号路に装置を追加すると、ノイズが増加し、
これは共通カスコード素子についても言えることが知ら
れている。然し、多くの回路において、ミラー効果を除
去し、出力抵抗を高くし、且つ又、出力から寄生キャパ
シタンスを介して入力へ高周波フィードバックが生じな
いようにするためには、共通カスコード素子が必要とさ
れる。第1図は、公知の第1のカスコード回路10を示
しており、この回路は、単−投入力増巾器として働く共
通ソースのNチャンネル接合電界効果トランジスタJF
’ETIIを有している。このJFETI 1のゲート
電極は、参照番号12で示された回路入力Ei12へ直
結され、一方、そのドレインは、アースへ直結される。
JFETIIのソース電極は、接続点13へ接続される
。NPN/<イボーラトランジスタ14は、以下で述べ
るようにJFETllにカスコード接続される。トラン
ジスタ14のエミッタ電極は、接続点13に直結され、
一方、接続点13は、電流ソース1nb15を経て接続
点16に接続される。接続点16は、トランジスタ14
のベースに直結されると共に、電圧ソースenb17の
入力にも接続され、該ソースの他方の端子は、バイアス
電圧ソースvbに接続され、その反対の端子はアースさ
れている。トランジスタ14のコレクタは、接続点21
に直結され、接続点13は、電流ソース1nc19を経
て接続点21に接続される。接続点21は、出力リード
22を経て参照番号23で示された回路出力Eoに接続
されると共に、負荷抵抗24を経て電位ソースv+25
に接続される。
。NPN/<イボーラトランジスタ14は、以下で述べ
るようにJFETllにカスコード接続される。トラン
ジスタ14のエミッタ電極は、接続点13に直結され、
一方、接続点13は、電流ソース1nb15を経て接続
点16に接続される。接続点16は、トランジスタ14
のベースに直結されると共に、電圧ソースenb17の
入力にも接続され、該ソースの他方の端子は、バイアス
電圧ソースvbに接続され、その反対の端子はアースさ
れている。トランジスタ14のコレクタは、接続点21
に直結され、接続点13は、電流ソース1nc19を経
て接続点21に接続される。接続点21は、出力リード
22を経て参照番号23で示された回路出力Eoに接続
されると共に、負荷抵抗24を経て電位ソースv+25
に接続される。
第1図において、電位ソースV+は、参照番号25で示
されており、バイアス電位のソースは、vbで示されて
おり、そして電流は、負荷抵抗24に流れるものが工1
で示され、接続点16を経てトランジスタ14のベース
に流れるものがIbで示され、そして接続点13からJ
FETIIのソース電極に流れるものがIdで示されて
いる。
されており、バイアス電位のソースは、vbで示されて
おり、そして電流は、負荷抵抗24に流れるものが工1
で示され、接続点16を経てトランジスタ14のベース
に流れるものがIbで示され、そして接続点13からJ
FETIIのソース電極に流れるものがIdで示されて
いる。
出力電圧Eoは、増巾装置JFETllのドレイン−ソ
ース接合部ではなくて、バイポーラトランジスタ14の
コレクターベース接合部によって維持される。従って、
入力キャパシタンス及び入力漏れ電流を、簡単な共通ソ
ース回路の場合よりも大幅に減少することができる。N
PNトランジスタ14で構成されるカスコード素子のノ
イズの影響を測定するために、そのノイズソースが第1
図の回路に含まれた。分析により、負荷抵抗24に達す
る電流が次式で与えられることが分かった。
ース接合部ではなくて、バイポーラトランジスタ14の
コレクターベース接合部によって維持される。従って、
入力キャパシタンス及び入力漏れ電流を、簡単な共通ソ
ース回路の場合よりも大幅に減少することができる。N
PNトランジスタ14で構成されるカスコード素子のノ
イズの影響を測定するために、そのノイズソースが第1
図の回路に含まれた。分析により、負荷抵抗24に達す
る電流が次式で与えられることが分かった。
I 1 = I d −I b+ i nb+ e n
b/ Rol=Id−Ib+inb 但し、Rolは、JFETトランジスタ11の出力抵抗
である。バイポーラトランジスタ14のベース電流のノ
イズは、inbで与えられ、これは負荷電流の甚だしい
項として残され、従って、第1図の公知回路のノイズ性
能を低下させる。
b/ Rol=Id−Ib+inb 但し、Rolは、JFETトランジスタ11の出力抵抗
である。バイポーラトランジスタ14のベース電流のノ
イズは、inbで与えられ、これは負荷電流の甚だしい
項として残され、従って、第1図の公知回路のノイズ性
能を低下させる。
本発明の目的は、ダイエリアを効率よく用いた実質上ノ
イズのないカスコード回路を提供することであるから、
カスコード素子としてNチャンネルJFETトランジス
タを使用することにより、第2図に示すように上記のノ
イズエラーが本質的に除去されることが分かった。第2
図は、第1のnチャンネルJ FET31より成る単−
人力増巾段と第2のnチャンネルJFET34より成る
カスコード素子とを有する第2のカスコード回路もしく
はサブ回路30を示している。J FET31のゲート
電極は、参照番号32で示された入力信号Eiを受け取
るように直結され、そしてドレイン電極は、アースに直
結される。JFET31のソース電極は、接続点33に
直結され、そして接続点33はカスコードJFET34
のドレイン電極に直結される。JFET34のゲート電
極は、リード40を経て接続点35に接続される。接続
点35は、参照番号36で示されたバイアス電位ソース
vbの正の端子に接続され、その負の端子は、アースに
直結される。電流ソースing37は、以下で述べるよ
うに接続点35と出力接続点38との間に接続される。
イズのないカスコード回路を提供することであるから、
カスコード素子としてNチャンネルJFETトランジス
タを使用することにより、第2図に示すように上記のノ
イズエラーが本質的に除去されることが分かった。第2
図は、第1のnチャンネルJ FET31より成る単−
人力増巾段と第2のnチャンネルJFET34より成る
カスコード素子とを有する第2のカスコード回路もしく
はサブ回路30を示している。J FET31のゲート
電極は、参照番号32で示された入力信号Eiを受け取
るように直結され、そしてドレイン電極は、アースに直
結される。JFET31のソース電極は、接続点33に
直結され、そして接続点33はカスコードJFET34
のドレイン電極に直結される。JFET34のゲート電
極は、リード40を経て接続点35に接続される。接続
点35は、参照番号36で示されたバイアス電位ソース
vbの正の端子に接続され、その負の端子は、アースに
直結される。電流ソースing37は、以下で述べるよ
うに接続点35と出力接続点38との間に接続される。
J FET34のドレイン電極とJPET31のソース
電極との接続点33は、参照番号41で示された電流ソ
ースindを経て接続点42に接続され、この接続点は
、JFET34のソース電極にも直結される。接続点4
2は。
電極との接続点33は、参照番号41で示された電流ソ
ースindを経て接続点42に接続され、この接続点は
、JFET34のソース電極にも直結される。接続点4
2は。
接続点38に直結され、この接続点38は、次いで、参
照番号39で示された回路電圧出力Eoに直結される。
照番号39で示された回路電圧出力Eoに直結される。
これと同時に、接続点42は、負荷抵抗43の一方の端
子に接続され、その反対の端子は、参照番号44で示さ
れた電位ソースV+に接続される。
子に接続され、その反対の端子は、参照番号44で示さ
れた電位ソースV+に接続される。
それ故、回路30に対するカスコード素子JFET34
の作用を分析して、ノイズに対するその作用を決定しな
ければならない。第2図の負荷電流は、次式で与えられ
る。
の作用を分析して、ノイズに対するその作用を決定しな
ければならない。第2図の負荷電流は、次式で与えられ
る。
11=Id+Ig+ing+eng/Rol=Ib但し
、工1は、この場合も、負荷抵抗43の電流であり、I
gは、JFET34のゲートがら流れる電流であり、そ
してIdは、JFET34のドレイン電流である。然し
乍ら、この場合は、カスコード素子によって負荷電流に
介入される同等のノイズが、単にカスコードゲートの漏
れ電流Igのノイズに過ぎず、これは、Idの電流ノイ
ズに比べて無視できるものであり、従って、JFET入
力段をJFETカスコード段と一緒に用いることにより
、カスコード回路がら全ての電流ノイズが実質的に除去
されることが確立される。
、工1は、この場合も、負荷抵抗43の電流であり、I
gは、JFET34のゲートがら流れる電流であり、そ
してIdは、JFET34のドレイン電流である。然し
乍ら、この場合は、カスコード素子によって負荷電流に
介入される同等のノイズが、単にカスコードゲートの漏
れ電流Igのノイズに過ぎず、これは、Idの電流ノイ
ズに比べて無視できるものであり、従って、JFET入
力段をJFETカスコード段と一緒に用いることにより
、カスコード回路がら全ての電流ノイズが実質的に除去
されることが確立される。
然し乍ら、モノリシック集積回路にカスコード素子とし
てJ ’F E T 34を使用した場合の欠点は、ダ
イエリアが広くなることである。カスコード素子は、増
巾装置即ちJ FET )−ランジスタ31と同レベル
の電流を導通しなければならないから、そのダイエリア
は、典型的にはゾ同じにしなければならないか或いは多
くの場合にはそれより広くしなければならない。高利得
で低ノイズの増巾が所望される場合にはJ FETのエ
リアも非常に広くする必要があり、従って、バイポーラ
トランジスタのカスコード装置をJFETトランジスタ
のカスコード装置と単純に取り替えるだけでは通常ダイ
エリアが相当大きいものとなり、回路をモノ11シック
集積回路形態で実施する場合非経済的なものとなる。こ
の制約を解消するために、第3図の変形カスコード回路
50が案出された。
てJ ’F E T 34を使用した場合の欠点は、ダ
イエリアが広くなることである。カスコード素子は、増
巾装置即ちJ FET )−ランジスタ31と同レベル
の電流を導通しなければならないから、そのダイエリア
は、典型的にはゾ同じにしなければならないか或いは多
くの場合にはそれより広くしなければならない。高利得
で低ノイズの増巾が所望される場合にはJ FETのエ
リアも非常に広くする必要があり、従って、バイポーラ
トランジスタのカスコード装置をJFETトランジスタ
のカスコード装置と単純に取り替えるだけでは通常ダイ
エリアが相当大きいものとなり、回路をモノ11シック
集積回路形態で実施する場合非経済的なものとなる。こ
の制約を解消するために、第3図の変形カスコード回路
50が案出された。
第3図では、カスコード回路50は、第1のnチャンネ
ルJ F E T入力増巾段51と、カスコード素子と
して使用された第2のnチャンネルJFET)−ランジ
スタ54と、参照番号60で示された電流分割回路とを
含むものとして示されている。JFET51のゲート電
極は、参照番号52で示された回路人力Eiに接続され
、JFET51のドレイン電極は、アースに直結される
。JFET51のソースは、接続点53に接続され、こ
の接続点53は、カスコード素子JFET54(7)ド
レイン電極に直結される。J FET54のゲート電極
は、電位ソースVb55の正の端子に直結され、その負
の端子は、アースに直結される。JFET54のソース
電極は、リード59に接続される。
ルJ F E T入力増巾段51と、カスコード素子と
して使用された第2のnチャンネルJFET)−ランジ
スタ54と、参照番号60で示された電流分割回路とを
含むものとして示されている。JFET51のゲート電
極は、参照番号52で示された回路人力Eiに接続され
、JFET51のドレイン電極は、アースに直結される
。JFET51のソースは、接続点53に接続され、こ
の接続点53は、カスコード素子JFET54(7)ド
レイン電極に直結される。J FET54のゲート電極
は、電位ソースVb55の正の端子に直結され、その負
の端子は、アースに直結される。JFET54のソース
電極は、リード59に接続される。
電流分割回路60は、電流ミラーとして構成された第1
のPNPバイポーラトランジスタ56及び第2のPNP
バイポーラトランジスタ57を備えている。電流ミラー
回路6oは、第1トラしジスタ灸6のベース電極が第2
トランジスタ57のベース電極に直結され、そしてこれ
らのベース電極がリード58によりJ FET54のソ
ース電極においてリード59に共通接続されている。J
FET54のドレイン出力の接続点53は、トランジス
タ57のコレクタ電極に直結され、第1及び第2のバイ
ポーラトランジスタ56.57のエミッタ電極は、接続
点62に共通接続され、出カリードロ3を経て参照番号
64で示された回路出力Eoに接続されると共に、負荷
抵抗65を経て参照番号66で示された電位ソースV+
に接続されている。
のPNPバイポーラトランジスタ56及び第2のPNP
バイポーラトランジスタ57を備えている。電流ミラー
回路6oは、第1トラしジスタ灸6のベース電極が第2
トランジスタ57のベース電極に直結され、そしてこれ
らのベース電極がリード58によりJ FET54のソ
ース電極においてリード59に共通接続されている。J
FET54のドレイン出力の接続点53は、トランジス
タ57のコレクタ電極に直結され、第1及び第2のバイ
ポーラトランジスタ56.57のエミッタ電極は、接続
点62に共通接続され、出カリードロ3を経て参照番号
64で示された回路出力Eoに接続されると共に、負荷
抵抗65を経て参照番号66で示された電位ソースV+
に接続されている。
電流ミラー比は、n:1にセラ1−され、枝路59の各
電流はId/n+1で与えられ、一方、第2枝路61の
電流は式nIb/n+1で与えられる。電流ミラー60
は、電流そらし即ち電流分割回路を表わしており、これ
は、JFETカスコード素子54の主たる回路機能に影
響を及ぼすことなく該素子54をめぐるように電流をそ
らし、即ち、バイパスさせる。図示されたようにnない
し1の電流レベルに対して電流ミラーの比をn:lに決
めることにより、カスコードJ FET54によって導
通される全電流の1部がn+1の係数で著しく減少され
る。大部分の電流は、リード61及び第2のPNPバイ
ポーラトランジスタ57で形成されたフィードバック路
に通すことができ。
電流はId/n+1で与えられ、一方、第2枝路61の
電流は式nIb/n+1で与えられる。電流ミラー60
は、電流そらし即ち電流分割回路を表わしており、これ
は、JFETカスコード素子54の主たる回路機能に影
響を及ぼすことなく該素子54をめぐるように電流をそ
らし、即ち、バイパスさせる。図示されたようにnない
し1の電流レベルに対して電流ミラーの比をn:lに決
めることにより、カスコードJ FET54によって導
通される全電流の1部がn+1の係数で著しく減少され
る。大部分の電流は、リード61及び第2のPNPバイ
ポーラトランジスタ57で形成されたフィードバック路
に通すことができ。
この電流は、式nId/n+1で表わされており、これ
はカスコードJ FET54に流れる電流のn倍の大き
さである。
はカスコードJ FET54に流れる電流のn倍の大き
さである。
同時に、上記の電流分割回路即ち電流そらし回路60を
追加してもノイズ性能には実質上影響がない。というの
は、追加されたバイポーラトランジスタ56及び57の
ノイズ源は、入力JFET51のゲート−ドレイン接合
部にノイズ信号を発生するが、JFET51の非常に高
い出力抵抗により、負荷抵抗55に送られる電流に著し
い変化が生じないようにされ、従って、JFET54及
びこれに関連した電流ミラー回路60を含むカスコード
回路が実質上ノイズがない状態のま\となるからである
。
追加してもノイズ性能には実質上影響がない。というの
は、追加されたバイポーラトランジスタ56及び57の
ノイズ源は、入力JFET51のゲート−ドレイン接合
部にノイズ信号を発生するが、JFET51の非常に高
い出力抵抗により、負荷抵抗55に送られる電流に著し
い変化が生じないようにされ、従って、JFET54及
びこれに関連した電流ミラー回路60を含むカスコード
回路が実質上ノイズがない状態のま\となるからである
。
電流ミラー回路60の比を設定するのに加えて、ミラー
又は同様の電流分割回路即ち電流そらし回路の比の設定
が、エミッタエリアの倍率設定、成る比率のエミッタ縮
退抵抗の追加、或いはその両方によって達成される。実
際に、極端な場合には、第1のバイポーラトランジスタ
56を、簡単な抵抗と取り替えて、適切な回路作動を行
なうに充分な電流そらし作用を保持することができる。
又は同様の電流分割回路即ち電流そらし回路の比の設定
が、エミッタエリアの倍率設定、成る比率のエミッタ縮
退抵抗の追加、或いはその両方によって達成される。実
際に、極端な場合には、第1のバイポーラトランジスタ
56を、簡単な抵抗と取り替えて、適切な回路作動を行
なうに充分な電流そらし作用を保持することができる。
電流ミラー60のような色々な型式の電流そらし回路即
ち電流分割回路をJ FETカスコード素子と組み合わ
せた場合には、回路を容易にバイアスできるという点で
別の効果を実現できる。第3図は、JFET増巾段素子
51に対して充分なドレイン−ソース電圧を確保するよ
うにバイアス電位ソースvbからカスコード素子54が
バイアスされるところを示している。然し乍ら、カスコ
ードJFET54の相対電流レベルを充分に減少するこ
とにより、JFET54のみで増巾JFET51をバイ
アスするに充分な電圧をこのJFET51間に与えるよ
うなレベルまでJFET54のゲート−ソース電圧を上
昇することができる。
ち電流分割回路をJ FETカスコード素子と組み合わ
せた場合には、回路を容易にバイアスできるという点で
別の効果を実現できる。第3図は、JFET増巾段素子
51に対して充分なドレイン−ソース電圧を確保するよ
うにバイアス電位ソースvbからカスコード素子54が
バイアスされるところを示している。然し乍ら、カスコ
ードJFET54の相対電流レベルを充分に減少するこ
とにより、JFET54のみで増巾JFET51をバイ
アスするに充分な電圧をこのJFET51間に与えるよ
うなレベルまでJFET54のゲート−ソース電圧を上
昇することができる。
第3図の回路の別の実施例が第4図に第2の変形カスコ
ード回路70で示されており、この回路は、第1のnチ
ャンネルJFET増中入力段71と、第2のnチャンネ
ルJFETカスコード素子74と、電流ミラー状の回路
又は同様の電流分割回路、電流ソースもしくは電流分割
手段で表わされた電流分割回路90とを備えている。入
力増巾JFE″T71は、そのゲート電極が参照番号7
2で示された回路入力Eiに直結され、そしてそのドレ
イン電極は、アースに直結される。JF、ET71のソ
ース電極は、接続点73に直結される。
ード回路70で示されており、この回路は、第1のnチ
ャンネルJFET増中入力段71と、第2のnチャンネ
ルJFETカスコード素子74と、電流ミラー状の回路
又は同様の電流分割回路、電流ソースもしくは電流分割
手段で表わされた電流分割回路90とを備えている。入
力増巾JFE″T71は、そのゲート電極が参照番号7
2で示された回路入力Eiに直結され、そしてそのドレ
イン電極は、アースに直結される。JF、ET71のソ
ース電極は、接続点73に直結される。
第2のJFET74のゲート電極は、参照番号76で示
された電位ソースvbの正の端子に直結され、その負の
端子は、アースに直結される。JFET74のドレイン
は、接続点75に直結され、JFET74のソースは、
接続点77に直結される。回路9oで表わされた電流ミ
ラー状回路もしくは電流分割手段は、以下に述べるよう
に入力JF ET 71とカスコードJFET74との
間に作動的に接続されている。
された電位ソースvbの正の端子に直結され、その負の
端子は、アースに直結される。JFET74のドレイン
は、接続点75に直結され、JFET74のソースは、
接続点77に直結される。回路9oで表わされた電流ミ
ラー状回路もしくは電流分割手段は、以下に述べるよう
に入力JF ET 71とカスコードJFET74との
間に作動的に接続されている。
電流ミラー状の回路90は、第1のNPNバイポーラト
ランジスタ78と、第2のNPNバイポーラトランジス
タ79とを備えている。トランジスタ78のベース電極
は、トランジスタ79のベース電極に直結され、これら
の共通接続されたベース電極は、リード81を経てJF
ET74のドレインと第1バイポーラトランジスタ78
のコレクタとの接続点75に接続されている。第1及び
第2バイポーラトランジスタ78.79のエミッタは、
リード82を経て、第1バイポーラトランジスタ78の
エミッタと第1J FET71のソースとの接合点に共
通接続されている。第2バイポーラトランジスタ79の
コレクタは、リード83を経て接続点77に接続されて
いる。接続点77は、出力リード84を経て回路出力電
圧EOに接続され、これは参照番号85で示されている
。
ランジスタ78と、第2のNPNバイポーラトランジス
タ79とを備えている。トランジスタ78のベース電極
は、トランジスタ79のベース電極に直結され、これら
の共通接続されたベース電極は、リード81を経てJF
ET74のドレインと第1バイポーラトランジスタ78
のコレクタとの接続点75に接続されている。第1及び
第2バイポーラトランジスタ78.79のエミッタは、
リード82を経て、第1バイポーラトランジスタ78の
エミッタと第1J FET71のソースとの接合点に共
通接続されている。第2バイポーラトランジスタ79の
コレクタは、リード83を経て接続点77に接続されて
いる。接続点77は、出力リード84を経て回路出力電
圧EOに接続され、これは参照番号85で示されている
。
更に、基準接続点77は、負荷抵抗86の一方の端子に
接続され、その反対の端子は参照番号87で表わされた
電位ソース■十に接続されている。
接続され、その反対の端子は参照番号87で表わされた
電位ソース■十に接続されている。
電流ミラー状の回路90も前記と同様にn:1の比に設
定されており、従って、カスコードJFET74に流れ
る電流は、Id/(n+1)で与えられ、一方、JFE
T74をバイパスして逆の枝路に流れる電流は、式nI
d/(n+1)で与えられ、従って、JFET74をバ
イパスする電流は、JFET74に流れる電流のはゾn
倍である。これにより、カスコード回路をノイズのない
作動モードに維持することができ、然もモノリシック集
積回路形態でJFETカスコード素子74を実施するの
に要するダイエリアを現実的な範囲内に減少することが
できる。
定されており、従って、カスコードJFET74に流れ
る電流は、Id/(n+1)で与えられ、一方、JFE
T74をバイパスして逆の枝路に流れる電流は、式nI
d/(n+1)で与えられ、従って、JFET74をバ
イパスする電流は、JFET74に流れる電流のはゾn
倍である。これにより、カスコード回路をノイズのない
作動モードに維持することができ、然もモノリシック集
積回路形態でJFETカスコード素子74を実施するの
に要するダイエリアを現実的な範囲内に減少することが
できる。
更に、前記したように、電流ミラー状の回路90も同様
に、回路機能を変更することなくJFET74の電流を
相当に減少できる何等かの型式の一般の電流分割器、電
流そらし回路、電流バイパス回路、マルチ電流ソース、
又は電流分割回路手段と取り替えることができる。更に
、エミッタエリアの倍率設定、成る比率のエミッタ縮退
抵抗の追加、又はその両方のような、回路の倍率もしく
は比を設定する色々の手段を使用できる。更に、第3図
の場合と同様に、電流ミラー状の回路90を使用するこ
とにより、J FET74のみで増巾JFET71をバ
イアスするに充分な電圧を与えるようなレベルまでJF
ET74のゲート−ソース電圧を上昇できる点へ益々容
易に回路をバイアスすることができる。
に、回路機能を変更することなくJFET74の電流を
相当に減少できる何等かの型式の一般の電流分割器、電
流そらし回路、電流バイパス回路、マルチ電流ソース、
又は電流分割回路手段と取り替えることができる。更に
、エミッタエリアの倍率設定、成る比率のエミッタ縮退
抵抗の追加、又はその両方のような、回路の倍率もしく
は比を設定する色々の手段を使用できる。更に、第3図
の場合と同様に、電流ミラー状の回路90を使用するこ
とにより、J FET74のみで増巾JFET71をバ
イアスするに充分な電圧を与えるようなレベルまでJF
ET74のゲート−ソース電圧を上昇できる点へ益々容
易に回路をバイアスすることができる。
第2図ないし第4図に示した回路に対して他の変更も考
えられる。特に、第3図の電流ミラー60及び第4図の
電流ミラー状回路90で示された第3及び第4の電流分
割回路手段は、電流ミラー、電流分割器、電流ソース、
電流スプリッタ、及び当業技術で既に知られた同様のも
のを用いた同様の機能回路と取り替えてもよい。その−
例が、参考としてここに取り上げる米国1980ニユー
ヨーク州、ニューヨーク、Cambridge Uni
versityPress出版のtlorowitz及
びWinfj、eld llj ] ]著のrTllE
ART OF ELECTRONIC,SJに記載さオ
した電流ミラー、電流ソース、電流分割器、電流スプリ
ッタ及び同様の回路によって表わされる。
えられる。特に、第3図の電流ミラー60及び第4図の
電流ミラー状回路90で示された第3及び第4の電流分
割回路手段は、電流ミラー、電流分割器、電流ソース、
電流スプリッタ、及び当業技術で既に知られた同様のも
のを用いた同様の機能回路と取り替えてもよい。その−
例が、参考としてここに取り上げる米国1980ニユー
ヨーク州、ニューヨーク、Cambridge Uni
versityPress出版のtlorowitz及
びWinfj、eld llj ] ]著のrTllE
ART OF ELECTRONIC,SJに記載さオ
した電流ミラー、電流ソース、電流分割器、電流スプリ
ッタ及び同様の回路によって表わされる。
更に、上記の回路は、増巾素子としてnチャンネル接合
電界効果トランジスタを用いたもののみについて示した
が、ここに開示した技術によれば、多数の入力増巾段等
を含む他の色々の入力増巾装置にも適用することができ
る。更に、本発明の技術は、差動段、差動増If]段、
多数の段及び当業技術で知られた同様の段へと直接拡張
することができる。
電界効果トランジスタを用いたもののみについて示した
が、ここに開示した技術によれば、多数の入力増巾段等
を含む他の色々の入力増巾装置にも適用することができ
る。更に、本発明の技術は、差動段、差動増If]段、
多数の段及び当業技術で知られた同様の段へと直接拡張
することができる。
本発明の好ましい実施例及びその色々の変形態様−その
方法及び操作も含む−を説明するために使用した特定の
装置について詳しく述べたが、本発明の回路において色
々の変更を行なうことができ、特に1本発明を適用する
ところの段の数、使用する入力増巾装置の型式、使用す
る電流分割手段の特定の型式、使用する比率設定方法、
使用する段数、及び本発明の一般的な回路について、本
発明の精神及び範囲から逸脱せずに色々の変更が行なえ
ることが当業者に明らかであろう。本発明の範囲は、特
許請求の範囲のみによって規定されるものとする。
方法及び操作も含む−を説明するために使用した特定の
装置について詳しく述べたが、本発明の回路において色
々の変更を行なうことができ、特に1本発明を適用する
ところの段の数、使用する入力増巾装置の型式、使用す
る電流分割手段の特定の型式、使用する比率設定方法、
使用する段数、及び本発明の一般的な回路について、本
発明の精神及び範囲から逸脱せずに色々の変更が行なえ
ることが当業者に明らかであろう。本発明の範囲は、特
許請求の範囲のみによって規定されるものとする。
第1図は、JFETの入力段及びバイポーラトランジス
タのカスコード素子を含む公知のカスコード回路を示す
図。 第2図は、J ’F E T入力段及びJFETカスコ
ード素子を含む実質上ノイズのないカスコード段を構成
する改良されたカスコード回路を示す図、第3図は、J
FETFET入力増膜11段ETカスコード素子、及び
電流ミラ一段を含む第1の変形カスコード回路を示す図
、そして 第4図は、JFET入力段、JFETカスコード素子、
及びこれらの間に作動的に接続された電流ミラー状の回
路を含む第2の変形カスコード回路を示す図である。 10・・・公知のカスコード回路 11・・・J FET 14・・・NPNバイポーラトランジスタ30・・・第
2のカスコード回路 31・・・第1のNチャンネルJ FET34・・・第
2のNチャンネルJFET36・・・バイアス電位ソー
ス 37・・・電流ソース 39・・・回路出力 41・・・電流ソース 44・・・電位ソース50・・
・カスコー1く回路 51・・・第1のnチャンネルJ FET54・・・第
2のnチャンネルJ FET56.57・・・PNPバ
イポーラトランジスタ60・・・電流分割回路 70・・・第2の変形カスコード回路 71・・・第1のNチャンネルJ FET74・・・第
2のNチャンネルJFET90・・・電流分割回路 第3図
タのカスコード素子を含む公知のカスコード回路を示す
図。 第2図は、J ’F E T入力段及びJFETカスコ
ード素子を含む実質上ノイズのないカスコード段を構成
する改良されたカスコード回路を示す図、第3図は、J
FETFET入力増膜11段ETカスコード素子、及び
電流ミラ一段を含む第1の変形カスコード回路を示す図
、そして 第4図は、JFET入力段、JFETカスコード素子、
及びこれらの間に作動的に接続された電流ミラー状の回
路を含む第2の変形カスコード回路を示す図である。 10・・・公知のカスコード回路 11・・・J FET 14・・・NPNバイポーラトランジスタ30・・・第
2のカスコード回路 31・・・第1のNチャンネルJ FET34・・・第
2のNチャンネルJFET36・・・バイアス電位ソー
ス 37・・・電流ソース 39・・・回路出力 41・・・電流ソース 44・・・電位ソース50・・
・カスコー1く回路 51・・・第1のnチャンネルJ FET54・・・第
2のnチャンネルJ FET56.57・・・PNPバ
イポーラトランジスタ60・・・電流分割回路 70・・・第2の変形カスコード回路 71・・・第1のNチャンネルJ FET74・・・第
2のNチャンネルJFET90・・・電流分割回路 第3図
Claims (1)
- (1)増l]入力段を具備し、この入力段は、全ての回
路ノイズを実質的に除去するJFETカスコード手段を
備え、更に、このJFETカスコード手段を実施するに
要するダイエリアを、モノリシック集積回路として実施
するための現実的な大きさまで減少するように、上記増
巾入力段に流れる大部分の回路電流を上記JFETカス
コード手段をめぐるようにそらす電流分割手段を具備し
ていることを特徴とするカスコード回路。 (2、特許請求の範囲第(1)項に基づいてカスコード
回路の回路ノイズを実質的に除去する方法において、上
記JFETカスコード手段を入力増巾段と出力回路との
間に作動的に接続することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US538377 | 1983-10-03 | ||
US06/538,377 US4550291A (en) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | Noise-free, die area efficient cascode circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6096005A true JPS6096005A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=24146680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59207937A Pending JPS6096005A (ja) | 1983-10-03 | 1984-10-03 | ダイエリアを効率的に用いたノイズのないカスコード回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4550291A (ja) |
JP (1) | JPS6096005A (ja) |
DE (1) | DE3436302A1 (ja) |
GB (1) | GB2148641B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5644269A (en) * | 1995-12-11 | 1997-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Cascode MOS current mirror with lateral bipolar junction transistor to enhance ouput signal swing |
US5872477A (en) * | 1997-06-13 | 1999-02-16 | Vtc Inc. | Multiplexer with CMOS break-before-make circuit |
US5920230A (en) * | 1997-10-21 | 1999-07-06 | Trw Inc. | HEMT-HBT cascode distributed amplifier |
US5994959A (en) * | 1998-12-18 | 1999-11-30 | Maxim Integrated Products, Inc. | Linearized amplifier core |
US6774416B2 (en) | 2001-07-16 | 2004-08-10 | Nanowave, Inc | Small area cascode FET structure operating at mm-wave frequencies |
US6639472B2 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-28 | Intel Corporation | High bandwidth, low power, single stage cascode transimpedance amplifier for short haul optical links |
US9490248B2 (en) * | 2012-12-31 | 2016-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Power cell, power cell circuit for a power amplifier and a method of making and using a power cell |
US9240756B1 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-19 | Lockheed Martin Corporation | High linearity, high efficiency, low noise, gain block using cascode network |
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JPS5666908A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-05 | Victor Co Of Japan Ltd | Cascode circuit |
Family Cites Families (3)
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