JPS6094462A - スチルベン誘導体及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は新規なスチルベン誘導体及びその製造法に関す
る。

従来技術 従来、電子写真方式において使用される感光体の有機光
導電性素材としてポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールをはじ
め数多くの材料が提案されている。

ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電性の感光
体を、まず暗所で例えばコロナ放電などにより帯電せし
め、ついで露光部のみの電荷を選択的に放電させること
により静電潜像を得て、この潜像部をトナーなどを用い
た現像手段で可視化して画像を形成するようにした画像
形成法の一つである。このような電子写真方式における
感光体に要求される基本的な特性としては、１）暗所に
おいて適当な電位に帯電されること、２）暗所における
電荷の放電が少ないこと、３）光照射により速やかに電
荷を放電すること、などが挙げられる。しかし、従来の
光導電性有機材料はこれらの要求をかならずしも満足し
ていないのが実状である。

一方、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料として知ら
れており、中でもセレンは広く実用に供されている。し
かし、最近電子写真のプロセスの点から、感光体に対す
る種々の要求、即わち一例として前述の基本的特性に加
えて、例えばその形状についても可撓性のあるベルト状
の感光体などが要求されるようになってきている。しか
し、セレンの場合は一般にこのような形−状のものに作
成することは困難である。

目的 電子写真用の有機光導電性素材、螢光増白剤として使用
することができ、特に電子写真用の上記要望を満足する
有機光導電性材料として有用なスチルベン誘導体及びそ
の製造法を提供することである。

構　成 第１の発明は一般式（Ｉ） ｌ−１３ （式中Δｒ、Ｒは置換もしくは無置換のフェニル基、ま
たは置換もしくは無置換のスチリル基、Ｒは水素、低級
アルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基を
表わす。）第２の発明は一般式（Ｉ［） Ｕ式中Ａｒ１Ｒは一般式（Ｉ＞に同じ、ｙ　ｔｔＰ　”
　４）　３　’Ｚ　”　（ココＦＺ　０ハハロケ７を示
す）で表わされるトリフェニルホスホニウム基、又は、
−ＰＯ（ＯＲ）２　（ここでＲ−は低級アルキル基を示
す）で表わされるジアルキル亜燐酸基である１で示され
るフェニル誘導体と下記一般式（ＩＴＩ） Ｈ３ で表わされるアルデヒド化合物とを反応させることを特
徴とする下記一般式（Ｉ） Ｈ３ （式中Ａｒ　、Ｒは一般式（Ｉ）に同じ）で表わされる
スチルベン誘導体の製造法である。

前記一般式（Ｉ）ならびに（ＩＩ〉中、ＡｒまたはＲに
あけるフェニル塁上の置換基としては、メチル、エチル
、プロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、工［
〜キシ、プロポキシ、ブトキシなどのアルコキシ基、塩
素、臭素などの゛ハロゲン電子などが挙げ′られる。

本発明で用いる一般式（Ｕ）で表わされるフェニル誘導
体は対応するへロメチル化合物と亜リン酸トリアルキル
又はトフェニルホス（フィンとを直接あるいはトルエン
、テトラハイドロフラン、Ｎ　、Ｎ−ジメチルホルムア
ミドなどの溶媒中で加熱することにより容易に製造され
る。ここで亜リン酸トリアルキルとしては炭素数１〜４
のアルキル基、特にメチル基、エチル基が好ましい。

こうして得られた一般式（Ｉ［）で表わされるフェニル
誘導体と一般式（［［＞で表わされるアルデヒド化合物
とを塩基性触媒の存在下、室温から１００℃程度の温度
において反応させる。

Ｆ基性触媒としては苛性ソーダ、苛性カリ、ナトリウム
アミド水素化ナトリウム及びナトリウムメチラート、カ
リウム−１−ブトキサイドなどのアルコラードを挙げる
ことができる。

また、反応溶媒としてはメタノール、エタノール、イソ
プロパツール、ブタノール、２−メト庁ジェタノール、
１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル
）エーテル、ジオ゛キザン、テトラヒドロフラン、トル
エン、キシレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ　、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１．３−
ジメチル−２−イミダゾリジノンなどを挙げることがで
きる。中でも極性溶媒、例えばＮ　、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、及びジメチルスルホキシドが好適である。

反応温度は１）使用する溶媒の塩基性触媒に対する安定
性、２）縮合成分（一般式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の化
合物）の反応性、３）前記塩基性触媒中における縮合剤
としての反応性によって広範囲に選択することができる
。例えば極性溶媒を用いるときは実際には空温から１０
０℃好ましくは室温から８０℃である。しかし反応時間
の短縮又は活性の低い縮合剤を使用するときはさらに高
い温度でもよい。このようにして得られる本発明にかか
わる新規なナフタレン誘導体を例示すれば次の通りであ
る。

Ｃ＋ｈ ＣＨ３ＣＨ３ ＣＨ３ 実施例１ １．１−ジフェニルメチルホスホン酸ジエチル３０．４
（１（０，１モル）と２−メチル−４−Ｎ　、Ｎ　−ジ
フェニルアミノベンズアルデヒド２８．７ｇ（０，１モ
ル）をＮ　、Ｎ　−ジメチルホルムアミド５００ｎ＋　
ｌに溶解し、これにカリウム−１−ブトキサイド１６．
８ｇ　（０，１５モル）を２５〜３５℃で加える。添加
後６時間室温で攪拌を行なった後、及応湿合物を水１λ
で希釈した。析出した粉末を濾過、水洗、乾燥後淡黄色
の粉末を得た。

収量は３７，１（１（収率８５％）であった。酢酸エチ
ル−エタノールの混合溶媒から再結晶して２−メチル−
４−Ｎ　、Ｎ　−ジフェニルアミノ　−β−フェニルス
チルベシの純品を１０だ。融点１１９．５〜１２１．０
℃であった。赤外蒜味ｌヌス６り１ル（ＫＢヒ販忰ｊう
去）を閃に示しｒ′−０実施例２〜６ 実施例１と同様にして）ｑられたスチルベン誘導体につ
いて表１に示す。

実施例７ ４〜クロルベンジルトリフエニルポスホニウムクロライ
ド４２．３（０，１モル）と、２−メチル−４−Ｎ　、
Ｎ　−ジフェニルアミノベンズアルデヒド２８．７ｇ（
０，１モル）をＮ　、Ｎ−ジメチルホルムアミド５００
ｍ　ｌに溶解し、これにカリウム−【−ブトキサイド１
６．ｈ　（０，１５モル）を２５〜３５℃で加える。添
加後５時間室温で攪拌を行なった後、反応混合物を水１
βで希釈した。

析出した粉末を濾別、水洗し、乾燥後淡黄色の粉末を得
た。収量は３８．８（］　（収率９８．θ％）で融点１
２７．５〜１２９．５℃であった。

微量のヨウ素と共にトルエン−〇−ヘキサンの混合溶媒
から再結晶して淡黄色の針状結晶２−メチル−４−Ｎ　
、Ｎ−ジフェニルアミノ−４−一クロルスチルベンを得
た。収Ｗｉ　３０．６ｇ（収率７７．４％）で融点１２
９．３〜１３０．５℃であった。

ノ・ 効　果 以上の説明から明らかなように本発明に係るスチルベン
誘導体は新規な化合物であって、特に電子写真用の有機
光導電性材料として有効なものである。

【図面の簡単な説明】

図は２−メチル−４−Ｎ　、Ｎ−ジフェニルアミノ−β
−フェニルスチルベンの赤外線吸収スペクトル図である
。 特許出願人　株式会社リ　コ　− 代理人　弁理士　小　松　秀　岳 代理人　弁理士　旭　宏 手続補正書 昭和５８年１１月１１日 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　（６７４）株式会社　リ　コ　−４、代理人　
〒１０７（電話５８６−８８５４）氏名　（７８９９）
　弁理士　小松　秀　岳　（ばか１名）５、補正命令の
日付　（自発） ベンゼン環上の置換基としては」に訂正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　一般式（Ｉ） （式中Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、または
   置換もしくは無置換のスチリル基、Ｒは水素、低級アル
   キル基、または置換もしくは無置換のフェニル基を表わ
   す。）で示されるスチルベン誘導体。 （２Ｊ一般式（ＩＩ） Ｅ式中Ａｒは置換もしくは無買換のフェニル基、または
   置換もしくは無置換のス５チリル基τくは無置換のフェ
   ニル基を表わす、Ｙはｐｅ要■）３Ｚｅ（ここで７０は
   ハロゲンを示す）で表わされるトリフェニルホス小ニウ
   ム基、又は、　ＰＯ（ＯＲ′＞　２　（ここでＲ′は低
   級アルキル基を示１）で表わされるジアルキル亜燐酸基
   である］で表わされるフェニル銹導体と下記一般式＜Ｉ
   ＩＩ） Ｈ３ で表わされるアルデヒド化合物とを反応させることを特
   徴とする下記一般式（、Ｉ）Ｈ３ （式中Ａｒ、Ｒは前記に同じ） で表わされるスチルベン誘導体の製造法。