JPS6093439A - フォトマスク - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明はIC,LSI等の製造に用いられるフォトマス
クの改良に関するものである。
クの改良に関するものである。
従来技術とその問題点
フォトマスクとしては、従来からガラス等の透明支持体
上にクロム等の金属や酸化鉄(Fe 203等)、散出
クロム(Cr201等)等の酸化物の薄膜を形成し、こ
れをフォトエツチングにて遮光パターン層としたハード
タイプのフォトマスクが汎用されている。
上にクロム等の金属や酸化鉄(Fe 203等)、散出
クロム(Cr201等)等の酸化物の薄膜を形成し、こ
れをフォトエツチングにて遮光パターン層としたハード
タイプのフォトマスクが汎用されている。
そして、前記支持体としてガラスが好ましく用いられる
理由は、良好な透明性を有し、表面の平滑性も優れ、か
つ寸法安定性に優れている等の支持体としての種々の特
性を有するからである。しかしながら、ガラスを支持体
に用いたフォトマスクに熱処理を行うと、遮光パターン
層にピンホールや一部脱落(カケ)が生ずることがある
。フォトマスクの製造時には、露光前の7オトレジスト
膜を加熱するプリベーキング、露光後のフォトレジスト
膜を加熱するポストベーキングのような熱処理が不可欠
であるため、遮光パターン層の欠陥の発生は避けられな
かった。
理由は、良好な透明性を有し、表面の平滑性も優れ、か
つ寸法安定性に優れている等の支持体としての種々の特
性を有するからである。しかしながら、ガラスを支持体
に用いたフォトマスクに熱処理を行うと、遮光パターン
層にピンホールや一部脱落(カケ)が生ずることがある
。フォトマスクの製造時には、露光前の7オトレジスト
膜を加熱するプリベーキング、露光後のフォトレジスト
膜を加熱するポストベーキングのような熱処理が不可欠
であるため、遮光パターン層の欠陥の発生は避けられな
かった。
この現象はガラス支持体内に含まれるナトリウム等のア
ルカリ金属成分が高温状態でマイグレイジョンを起こし
、遮光パターン層に悪影響を及ぼすのが原因と言われて
いる。
ルカリ金属成分が高温状態でマイグレイジョンを起こし
、遮光パターン層に悪影響を及ぼすのが原因と言われて
いる。
これに対し、アルカリ金橘成分を含有するガラス支持体
と遮光パターン層とを直接接触させず、両者の間にアル
カリ金属成分を含まない中間層を不純物層として作用す
る薄い膜を形成し、支持体からのアルカリ金属成分のマ
イグレーション防止層として設ける方法がi開開54−
10729号特開昭51−113466号等に提案され
ている。これらの公報においては、前記マイグレーショ
ン防止層としてCr2O3、Sin、、5iO1SnO
,等が用いられているが、いずれも実用上問題があった
。例えば、高温熱処理(約120℃以上)に対してアル
カリ金属成分の拡散防止のバリヤ効果が小さく、 また
−前記Cr2O3を用いる場合は、高温熱処理(120
℃以上)にナトリウム等のマイグレーションにより防止
層を抜けて金属クロム等の遮光パターン層と反応し、部
分的にエツチング速度が早くなるからと言われている。
と遮光パターン層とを直接接触させず、両者の間にアル
カリ金属成分を含まない中間層を不純物層として作用す
る薄い膜を形成し、支持体からのアルカリ金属成分のマ
イグレーション防止層として設ける方法がi開開54−
10729号特開昭51−113466号等に提案され
ている。これらの公報においては、前記マイグレーショ
ン防止層としてCr2O3、Sin、、5iO1SnO
,等が用いられているが、いずれも実用上問題があった
。例えば、高温熱処理(約120℃以上)に対してアル
カリ金属成分の拡散防止のバリヤ効果が小さく、 また
−前記Cr2O3を用いる場合は、高温熱処理(120
℃以上)にナトリウム等のマイグレーションにより防止
層を抜けて金属クロム等の遮光パターン層と反応し、部
分的にエツチング速度が早くなるからと言われている。
また、5in2等を用いる場合は、SlO□層は、ガラ
ス基板との密着性が悪い為に遮光パターン層を上層に設
けたマスクをスクラブ洗浄等で表面をこすると膜付の悪
い部分がピンホールとなる。
ス基板との密着性が悪い為に遮光パターン層を上層に設
けたマスクをスクラブ洗浄等で表面をこすると膜付の悪
い部分がピンホールとなる。
■ 発明の目的
本発明者等は上記問題点について鋭意研究を重ねた結果
、金属、金属の酸化物、金属のチン化物、および金属の
酸化・チン化物から選ばれる層を酸化ケイ素層の下地と
して設けると、高温時におけるガラス支持体からのナト
リウムのマイグレーションを防止すると共に、常温時の
スクラブ洗浄あるいはパターニング時にみられるピンホ
ール等の欠陥発生率を減少させることができることを見
い出し本発明を完成するに至った。
、金属、金属の酸化物、金属のチン化物、および金属の
酸化・チン化物から選ばれる層を酸化ケイ素層の下地と
して設けると、高温時におけるガラス支持体からのナト
リウムのマイグレーションを防止すると共に、常温時の
スクラブ洗浄あるいはパターニング時にみられるピンホ
ール等の欠陥発生率を減少させることができることを見
い出し本発明を完成するに至った。
従って、本発明の目的は、ガラス支持体からの不純物、
特にナトリウム元素等のマイグレーションを防止するた
めのバリヤ一層を有すると共に、常温時のスクラブ洗浄
あるいはパターニング時にみられるピンホール等の欠陥
発生率を低減させたフォトマスクを提供することにある
。
特にナトリウム元素等のマイグレーションを防止するた
めのバリヤ一層を有すると共に、常温時のスクラブ洗浄
あるいはパターニング時にみられるピンホール等の欠陥
発生率を低減させたフォトマスクを提供することにある
。
本発明の上記目的は、ガラス支持体上に、順次(1)金
属、金属の酸化物、金属のチン化物および金属の酸化・
チン化物から選ばれる層、および(2)酸化ケイ素層を
有し、さらに該酸化ケイ素層の前記ガラス支持体と反対
側にパターン形成層を有するフォトマスクによって達成
される。
属、金属の酸化物、金属のチン化物および金属の酸化・
チン化物から選ばれる層、および(2)酸化ケイ素層を
有し、さらに該酸化ケイ素層の前記ガラス支持体と反対
側にパターン形成層を有するフォトマスクによって達成
される。
川 発明の具体的構成
図は本発明によるフォトマスクの一実施例を示す拡大部
分断面図であり、ガラス支持体lの上に(1)金属、金
属の酸化物、金属のチン化物および金属の酸化・チン化
物から選ばれる層2が被着されている。この層2の上に
は、さらに酸化ケイ素層3が被着されている。そして、
上記酸化ケイ素層3の上にはパターン形成層4が被着さ
れている。
分断面図であり、ガラス支持体lの上に(1)金属、金
属の酸化物、金属のチン化物および金属の酸化・チン化
物から選ばれる層2が被着されている。この層2の上に
は、さらに酸化ケイ素層3が被着されている。そして、
上記酸化ケイ素層3の上にはパターン形成層4が被着さ
れている。
本発明に用いられるガラス支持体としては、ソーダ石灰
ガラスが代表的なものであり、その他層珪酸ガラス、高
珪酸ガラス等を用いることができる。このガラス支持体
1は、L6rnm〜2.3能の範囲の厚さのものが有利
に用いられる。
ガラスが代表的なものであり、その他層珪酸ガラス、高
珪酸ガラス等を用いることができる。このガラス支持体
1は、L6rnm〜2.3能の範囲の厚さのものが有利
に用いられる。
本発明のガラス支持体1に蒸着されて層2を形成する金
属としては、クロム、インジウム、スズ、等を挙げるこ
とができ、このうち好ましいものは、クロムである。ま
た本発明の層2を形成する金属の酸化物としては、酸化
クロム、酸化スズ、酸化インジウムが挙げられ、このう
ち好ましいものとしては酸化クロムである。さらに金属
のチン化物としては、チン化モリブデン、チン化タング
ステン、チン化タンタル、チン化チタン、チン化クロム
が挙げられ、このうち好ましいものとしては、チン化ク
ロムである。
属としては、クロム、インジウム、スズ、等を挙げるこ
とができ、このうち好ましいものは、クロムである。ま
た本発明の層2を形成する金属の酸化物としては、酸化
クロム、酸化スズ、酸化インジウムが挙げられ、このう
ち好ましいものとしては酸化クロムである。さらに金属
のチン化物としては、チン化モリブデン、チン化タング
ステン、チン化タンタル、チン化チタン、チン化クロム
が挙げられ、このうち好ましいものとしては、チン化ク
ロムである。
さらにまた、金属の酸化・チン化物としては、酸化・チ
ン化モリブデン、酸化・チン化タングステン、酸化・チ
ン化タンタル、酸化・チン化チタン、酸化・チン化クロ
ムを挙げることができ、このうち好ましいものは酸化・
チン化クロムである。
ン化モリブデン、酸化・チン化タングステン、酸化・チ
ン化タンタル、酸化・チン化チタン、酸化・チン化クロ
ムを挙げることができ、このうち好ましいものは酸化・
チン化クロムである。
これらの金属、金属の酸化物、金属のチン化物および金
属の酸化・チン化物の層2は、真空蒸着、スパッタ蒸着
、イオンプレーテングのいずれによっても形成すること
ができる。
属の酸化・チン化物の層2は、真空蒸着、スパッタ蒸着
、イオンプレーテングのいずれによっても形成すること
ができる。
本発明の層2はパターニング時に残存層であるため遮光
性を持たない程度の厚みでなければならず、その厚さと
しては、15λ以上でかつガラス支持体の透過性を悪化
させない程度の厚さであり、用いられる素材によって多
少異なるが具体的には、一般的に15A−5OAである
。この層2は、この層2の上に被着される酸化ケイ素層
3の下地として主としてガラス支持体1に対する酸化ケ
イ素層3の接着性を改善する働きを有している。
性を持たない程度の厚みでなければならず、その厚さと
しては、15λ以上でかつガラス支持体の透過性を悪化
させない程度の厚さであり、用いられる素材によって多
少異なるが具体的には、一般的に15A−5OAである
。この層2は、この層2の上に被着される酸化ケイ素層
3の下地として主としてガラス支持体1に対する酸化ケ
イ素層3の接着性を改善する働きを有している。
本発明の層2の上に被着される酸化ケイ素層3は、当該
分野において公知の適宜の蒸着方法にItって形成され
る。この酸化ケイ素層3は、ガラス支持体1のナトリウ
ムのマイグレーションを防止するバリヤ一層として機能
するものであり、その厚さは200λ〜aooX位であ
れば足りるが、勿論本発明はこの範囲に制限されない。
分野において公知の適宜の蒸着方法にItって形成され
る。この酸化ケイ素層3は、ガラス支持体1のナトリウ
ムのマイグレーションを防止するバリヤ一層として機能
するものであり、その厚さは200λ〜aooX位であ
れば足りるが、勿論本発明はこの範囲に制限されない。
本発明のパターン形成層4としてはクロム、及び酸化ク
ロム及び酸化窒化クロム等の金属の薄膜が用いられる。
ロム及び酸化窒化クロム等の金属の薄膜が用いられる。
この層の厚さは500A〜1,500Xであれば足り、
好ましくは、700A〜1,300Xである。
好ましくは、700A〜1,300Xである。
■ 発明の具体的実施例
以下実施例を挙げて本発明のフォトマスクについて具体
的に説明するが、本発明の実施の態様はこれに限定され
ない。
的に説明するが、本発明の実施の態様はこれに限定され
ない。
実施例−1
ガラス支持体上に、第1表に示される様に層(2)〜層
(4)をスパッタリング法により形成し、試料1〜5を
作成した。
(4)をスパッタリング法により形成し、試料1〜5を
作成した。
この試料1〜5に下記のスクラブテストを行い、その結
果を第1表に示した。
果を第1表に示した。
フォトマスクをメイロン製布(ナイロン製)で全面を乾
燥スクラブにする)するテスト方法であり、約8kF/
1oOdの力で夫々交互方向に約5回づつこすり、その
後NJS測定法により測定した。
燥スクラブにする)するテスト方法であり、約8kF/
1oOdの力で夫々交互方向に約5回づつこすり、その
後NJS測定法により測定した。
以下余白
第 1 表
中(+l :スタップ後のピンホールなNJS測定決に
CI!l]定した。
CI!l]定した。
第1表から明らかな様に、本発明の試料1〜4はスクラ
ブテスト後でもピンホールの発生数は少なく優れたフォ
トマスクの性能を示すことが分る。
ブテスト後でもピンホールの発生数は少なく優れたフォ
トマスクの性能を示すことが分る。
図は本発明の一実施例を示すフォトマスクの一部拡大断
面図である。 以下余白 1・・・・・・・・・ガラス支持体 2・・・・・・・・・金属、金属の酸化物、金属のチン
化物、金属の酸化・チン化物から選ばれる層 3・・・・・・・・・酸化ケイ素層 4・・・・・・・・・パターン形成層
面図である。 以下余白 1・・・・・・・・・ガラス支持体 2・・・・・・・・・金属、金属の酸化物、金属のチン
化物、金属の酸化・チン化物から選ばれる層 3・・・・・・・・・酸化ケイ素層 4・・・・・・・・・パターン形成層
Claims (1)
- ガラス支持体上に、順次(1)金属、金属の酸化物、金
属のチッ化物および金属の酸化・チツ化物から選ばれる
層、および(2)酸化ケイ素層を有し、さらに該酸化ケ
イ素層の前記ガラス支持体と反対側にパターン形成層を
有することを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58201809A JPS6093439A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58201809A JPS6093439A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | フォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6093439A true JPS6093439A (ja) | 1985-05-25 |
JPH0433023B2 JPH0433023B2 (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=16447271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58201809A Granted JPS6093439A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | フォトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS6093439A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH032756A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Hoya Corp | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
EP0693710A1 (en) | 1994-07-18 | 1996-01-24 | Konica Corporation | Silver halide photographic element and processing method thereof |
JP2011221377A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Ulvac Seimaku Kk | マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51113466A (en) * | 1975-03-29 | 1976-10-06 | Hoya Corp | Chromium mask negative plate |
JPS5410729A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Toppan Printing Co Ltd | Photomask |
JPS55147628A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-17 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Mask base material |
JPS58114037A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | フオトマスク素材 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201809A patent/JPS6093439A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0693710A1 (en) | 1994-07-18 | 1996-01-24 | Konica Corporation | Silver halide photographic element and processing method thereof |
JP2011221377A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Ulvac Seimaku Kk | マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0433023B2 (ja) | 1992-06-01 |
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