JPS6081751A - アパ−チヤ絞りとその製造方法 - Google Patents
アパ−チヤ絞りとその製造方法Info
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- JPS6081751A JPS6081751A JP58189527A JP18952783A JPS6081751A JP S6081751 A JPS6081751 A JP S6081751A JP 58189527 A JP58189527 A JP 58189527A JP 18952783 A JP18952783 A JP 18952783A JP S6081751 A JPS6081751 A JP S6081751A
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- aperture diaphragm
- substrate
- aperture
- silicon nitride
- nitride film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光装置における電子ビームの断面
形状を規定するアパーチャ絞シとその製造方法に関する
ものである。
形状を規定するアパーチャ絞シとその製造方法に関する
ものである。
電子ビーム露光装置、特に電子ビームの断面形状を可変
制御して露光する可変面積露光方式においては、寸法８
度の高いアパーチャ絞シが必要とされている。この方式
では、２つの正方形のアパーチャに電子ビームを照射し
、上のアパーチャの像を下のアパーチャの上に投影する
。上下のアパーチャの間においた偏向器によって電子ビ
ームの方向を制御すると、アパーチャの重なシ方が変化
して捕々の大きさの面積をもつ矩形断面の電子ビームを
得る。このビームを材料上に縮小投影して露光する。こ
のような可変面積の露光方式では、アパーチャ絞シの寸
法精度によって電子ビームの矩形形状が規定されるので
、高梢度なアパーチャ絞）が必要である。これに対して
従来のアパーチャ絞シは、モリブデン（ＭＯ）の刃状板
を４枚重ねて矩形スリットを形成していた。このような
構造ではスリットの平行度及び直交度に誤差が生じやす
いために、露光パターンの矩形形状を歪ませたシ、矩形
パターンのつなぎ精度を低下させたシする原因となって
いた。特に、直交度の誤差については電子ビームの矩形
断面を縮小しても、角度については元の値がそのまま保
たれるので、アパーチャ絞りの寸法精度を決める大きな
要因となっていた。
制御して露光する可変面積露光方式においては、寸法８
度の高いアパーチャ絞シが必要とされている。この方式
では、２つの正方形のアパーチャに電子ビームを照射し
、上のアパーチャの像を下のアパーチャの上に投影する
。上下のアパーチャの間においた偏向器によって電子ビ
ームの方向を制御すると、アパーチャの重なシ方が変化
して捕々の大きさの面積をもつ矩形断面の電子ビームを
得る。このビームを材料上に縮小投影して露光する。こ
のような可変面積の露光方式では、アパーチャ絞シの寸
法精度によって電子ビームの矩形形状が規定されるので
、高梢度なアパーチャ絞）が必要である。これに対して
従来のアパーチャ絞シは、モリブデン（ＭＯ）の刃状板
を４枚重ねて矩形スリットを形成していた。このような
構造ではスリットの平行度及び直交度に誤差が生じやす
いために、露光パターンの矩形形状を歪ませたシ、矩形
パターンのつなぎ精度を低下させたシする原因となって
いた。特に、直交度の誤差については電子ビームの矩形
断面を縮小しても、角度については元の値がそのまま保
たれるので、アパーチャ絞りの寸法精度を決める大きな
要因となっていた。
本発明は上記の点を考慮して、寸法精度の高いアパーチ
ャ絞シとその製造方法を提供することを目的とする。
ャ絞シとその製造方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、アパーチャ絞シの開口寸法よシ大きな
開口が設けられた高融点金属の補強支持梁の上にアパー
チャ絞シの開口を規定しペーテレンジよシ厚い金属膜の
パータンが形成場れていることを特徴とするアパーチャ
絞シが得られる。更に本発明によれば基板と、この基板
を周囲から支持する補強支持梁を有する構造とを高融点
金属を用いて形成する工程と、上記基板上にシリコン窒
化膜の所望のパターンを形成する工程と、電気メツキ法
によシ重金属でしかも強磁性体でない金属をペーテレン
ジより厚くメッキした後にシリコン窒化膜を除去する工
程と、メッキ層をマスクにアパーチャ絞シの開口部に該
当する部分の基板を除去する工程とを含むことを特徴と
するアパーチャ絞シの製造方法が得られる。これによシ
アバーチャ絞シの開口寸法精度を十分に高くすることが
できる。
開口が設けられた高融点金属の補強支持梁の上にアパー
チャ絞シの開口を規定しペーテレンジよシ厚い金属膜の
パータンが形成場れていることを特徴とするアパーチャ
絞シが得られる。更に本発明によれば基板と、この基板
を周囲から支持する補強支持梁を有する構造とを高融点
金属を用いて形成する工程と、上記基板上にシリコン窒
化膜の所望のパターンを形成する工程と、電気メツキ法
によシ重金属でしかも強磁性体でない金属をペーテレン
ジより厚くメッキした後にシリコン窒化膜を除去する工
程と、メッキ層をマスクにアパーチャ絞シの開口部に該
当する部分の基板を除去する工程とを含むことを特徴と
するアパーチャ絞シの製造方法が得られる。これによシ
アバーチャ絞シの開口寸法精度を十分に高くすることが
できる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例につき説明する
。
。
第１図から第７図までは、本発明による電子ビーム露光
装置のアパーチャ絞シの主要製造工程における断面を順
次示した図である。
装置のアパーチャ絞シの主要製造工程における断面を順
次示した図である。
第１図は１００μｍｎていどの厚みの基板とこの基板を
支える補強支持梁を有する構造を、ＭｏまたはＷ等の高
融点金属を素材として鋳型形成したものである。この構
造はワイヤ放電加工で形成してもよい。
支える補強支持梁を有する構造を、ＭｏまたはＷ等の高
融点金属を素材として鋳型形成したものである。この構
造はワイヤ放電加工で形成してもよい。
第２図は上記基板上に平坦な厚ｊ莫を形成可能なプラズ
マＣＶＤ法を用いて厚さＬ５１１ｍ以上シリコン窒化膜
を形成したものである。
マＣＶＤ法を用いて厚さＬ５１１ｍ以上シリコン窒化膜
を形成したものである。
第３図は上記シリコン窒化膜上にレジストを塗布し、所
望形状パターンに蝕刻除去したものである。
望形状パターンに蝕刻除去したものである。
第４図は、レジストパターンを保護マスクとしてシリコ
ン窒化膜をエツチングしたものである。
ン窒化膜をエツチングしたものである。
第５図はレジストを除去した後に、電気メツキ法によＪ
）Ａｕを厚さ１．５μｍていどメッキしたものでおる。
）Ａｕを厚さ１．５μｍていどメッキしたものでおる。
厚さはペーテレンジよシ厚くする。Ａｕ以外にもＰｔな
ど重金属でしかも強磁性体でないものを用いることがで
きる。このメッキ層が電子線吸収層となるため、強磁性
体は使えない。
ど重金属でしかも強磁性体でないものを用いることがで
きる。このメッキ層が電子線吸収層となるため、強磁性
体は使えない。
第６図は残ったシリコン窒化膜をエツチングしたもので
ある。
ある。
第７図は、アパーチャ開口に該当する部分のＭｏまたは
Ｗ基板をＣＦ、プラズマエツチングしたものである。こ
のようにして展進したアパーチャ絞夛の直交度は従来の
ものよ９１桁以上改良された。また平行度も改良された
。
Ｗ基板をＣＦ、プラズマエツチングしたものである。こ
のようにして展進したアパーチャ絞夛の直交度は従来の
ものよ９１桁以上改良された。また平行度も改良された
。
さらに、アパーチャ絞シの開口形状が同一平面上に形成
されるので、寸法精度の高いビーム形状を得ることが可
能となった。
されるので、寸法精度の高いビーム形状を得ることが可
能となった。
第１図から第７図までの各図は本発明による電子ビーム
露光装置のアパーチャ絞シの製造方法の一実施例につい
てその主要製造工程における断面を順次示した図である
。 １・・・ＭｏまたはＷ基板、２・・・シリコン窒化膜、
３・−レジスト、４・・・Ａｕ０
露光装置のアパーチャ絞シの製造方法の一実施例につい
てその主要製造工程における断面を順次示した図である
。 １・・・ＭｏまたはＷ基板、２・・・シリコン窒化膜、
３・−レジスト、４・・・Ａｕ０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ アパーチャ絞シの開口寸法よシ大きな開口が設けら
れた高融点金属の補強支持梁の上にアノ（−チャ絞シの
開口を規定しベーテレンジよシも厚い金属膜のパターン
が形成されていることを特徴とするアパーチャ絞シ。 Ｚ 素材として高融点金属を用いて、基板とこの基板を
周囲から支持する補強支持梁を有する構造を形成する工
程と、上記基板上にシリコン窒化膜の所望のパターンを
形成する工程と、電気メツキ法によシ重金属でしかも強
磁性体でない金属をペーテレンジよシ厚くメッキした後
にシリコン窒化膜を除去する工程と、メッキ層をマスク
にアノく一チャ絞シの開口部に該当する部分の基板を除
去する工程とを含むことを特徴とするアパーチャ絞シの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58189527A JPS6081751A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | アパ−チヤ絞りとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58189527A JPS6081751A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | アパ−チヤ絞りとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081751A true JPS6081751A (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=16242780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58189527A Pending JPS6081751A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | アパ−チヤ絞りとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215623A (en) * | 1990-04-16 | 1993-06-01 | Fujitsu Limited | Blanking aperture array and method of producing same |
| CN103094031A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | Fei公司 | 带电粒子束系统孔阑 |
| WO2020136012A1 (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of manufacturing an aperture device |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP58189527A patent/JPS6081751A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215623A (en) * | 1990-04-16 | 1993-06-01 | Fujitsu Limited | Blanking aperture array and method of producing same |
| CN103094031A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | Fei公司 | 带电粒子束系统孔阑 |
| EP2590203A3 (en) * | 2011-11-07 | 2014-06-04 | Fei Company | Charged particle beam system aperture |
| US8907296B2 (en) | 2011-11-07 | 2014-12-09 | Fei Company | Charged particle beam system aperture |
| WO2020136012A1 (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of manufacturing an aperture device |
| US20200211817A1 (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for etching a substrate |
| KR20210092805A (ko) * | 2018-12-26 | 2021-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판을 에칭하기 위한 시스템 및 방법 |
| CN113228220A (zh) * | 2018-12-26 | 2021-08-06 | Asml荷兰有限公司 | 制造孔径装置的方法 |
| US11581161B2 (en) | 2018-12-26 | 2023-02-14 | Asml Netherlands, B.V. | Systems and methods for etching a substrate |
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