JPS607962A - 樹脂硬化方法 - Google Patents
樹脂硬化方法Info
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- JPS607962A JPS607962A JP11502983A JP11502983A JPS607962A JP S607962 A JPS607962 A JP S607962A JP 11502983 A JP11502983 A JP 11502983A JP 11502983 A JP11502983 A JP 11502983A JP S607962 A JPS607962 A JP S607962A
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- resin
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 25
- 238000001723 curing Methods 0.000 title description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- FLDALJIYKQCYHH-UHFFFAOYSA-N plutonium(IV) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[Pu+4] FLDALJIYKQCYHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は樹脂の硬化方法に関し、特に熱硬化性樹脂を高
温加熱することなしに硬化させる方法に関するものであ
る。
温加熱することなしに硬化させる方法に関するものであ
る。
技術の背景
例えばＰＬＯ８（Ｐｏｌｙ−Ｌａｄｄｅｒ −Ｏｒｇａ
ｎｏ−８ｉｌｏｘａｎｅ ）などのシリコン（ｓｉ）系
の熱硬化性樹脂は、スピンコーティングと熱処理にょシ
簡単に膜形成がでできるので、ＩＣや、バブルメモリ等
の分野で絶縁膜、保護膜として使用されつつある。特に
バブルメモリにおいては、コンダクタノ４ターンによる
段差を樹脂を用いて平坦化する樹脂プレナー化プロセス
の開発により、現在ＩＭｂｉｔメモＩＪ ｔで製品化さ
れ、更に４ Ｍｂｉｔ 、１６ Ｍｂｉｔメモリの開発
が進められている。
ｎｏ−８ｉｌｏｘａｎｅ ）などのシリコン（ｓｉ）系
の熱硬化性樹脂は、スピンコーティングと熱処理にょシ
簡単に膜形成がでできるので、ＩＣや、バブルメモリ等
の分野で絶縁膜、保護膜として使用されつつある。特に
バブルメモリにおいては、コンダクタノ４ターンによる
段差を樹脂を用いて平坦化する樹脂プレナー化プロセス
の開発により、現在ＩＭｂｉｔメモＩＪ ｔで製品化さ
れ、更に４ Ｍｂｉｔ 、１６ Ｍｂｉｔメモリの開発
が進められている。
しかし従来の樹脂プロセスでは後述するような樹脂の硬
化方法に問題があシ、その対策が要望されている。
化方法に問題があシ、その対策が要望されている。
従来技術と問題点
従来の樹脂硬化方法では樹脂を３００℃以上の高温に加
熱する必要があり、このだめ樹脂膜に大きなストレスが
生じる。４Ｍｂｉｔ以上の高密度容縫バブルメモリでは
、バブル径が１．３μｎ１以下と微小になり且つ結晶の
磁歪定数゛λ″が大きくなるのでストレスの影響を受け
やすく、動作不良が発生しやすくなるという問題がある
。
熱する必要があり、このだめ樹脂膜に大きなストレスが
生じる。４Ｍｂｉｔ以上の高密度容縫バブルメモリでは
、バブル径が１．３μｎ１以下と微小になり且つ結晶の
磁歪定数゛λ″が大きくなるのでストレスの影響を受け
やすく、動作不良が発生しやすくなるという問題がある
。
発明の目的
本発明は、上記従来技術の問題に鑑み、樹脂の硬化に伴
って発生するストレスができるだけ小さくなるような樹
脂硬化方法を捉供することを目的とするものである。
って発生するストレスができるだけ小さくなるような樹
脂硬化方法を捉供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は原理的には熱硬化性シリコン系樹脂を、高温加
熱することなしに、シリコン系無機絶縁物のスパッタリ
ングによる高エネルギを利用して硬化させるものである
。
熱することなしに、シリコン系無機絶縁物のスパッタリ
ングによる高エネルギを利用して硬化させるものである
。
即ち本発明による樹脂硬化方法は、熱硬化性シリコン系
樹脂を基板に膜状に塗布し、次に比較的低温でゾレキー
アを行って樹脂膜中の溶剤を蒸発させた後、該樹脂膜上
にシリコン系無機絶縁膜をスパッタリングで形成するこ
とにより該樹脂の硬化反応を行わせるようにするもので
ある。
樹脂を基板に膜状に塗布し、次に比較的低温でゾレキー
アを行って樹脂膜中の溶剤を蒸発させた後、該樹脂膜上
にシリコン系無機絶縁膜をスパッタリングで形成するこ
とにより該樹脂の硬化反応を行わせるようにするもので
ある。
発明の実施例
以下、本発明の実施例につき図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図から第３図は本発明の樹脂硬化方法によって基板
上にＰｕＯ８の硬化膜を形成する一実施例の主要工程を
示すものである。
上にＰｕＯ８の硬化膜を形成する一実施例の主要工程を
示すものである。
（１）マず、第１図に示すように、基板１上にＰｕＯ８
２をスピンコーティングによシ膜状に塗布する。
２をスピンコーティングによシ膜状に塗布する。
（２）次に、８０〜１５０℃、好ましくは１２０℃程度
の低温で２０〜９０分間、好ましくは６０分間のルキュ
アを行って、ＰＬＯ８膜２中の溶剤を蒸発させる。
の低温で２０〜９０分間、好ましくは６０分間のルキュ
アを行って、ＰＬＯ８膜２中の溶剤を蒸発させる。
（３）そして、第２図及び第３図に示すように、高周波
（ＲＦ ）スパッタリングによりＰＴ、Ｏ８膜２上に、
Ｓｉ０ 、８１０，２ 、 Ｓｉ ５Ｎ４等のシリコン
系無機絶縁物の膜３を形成する。これによってｐＬＯ８
膜２の硬化が完了する。
（ＲＦ ）スパッタリングによりＰＴ、Ｏ８膜２上に、
Ｓｉ０ 、８１０，２ 、 Ｓｉ ５Ｎ４等のシリコン
系無機絶縁物の膜３を形成する。これによってｐＬＯ８
膜２の硬化が完了する。
ＰＬＯ８膜２の硬化が生じていることは、次の実験結果
から立証された。すなわち、円筒型プラズマエツチング
（ｆスはＣＦ４−５チ０２）での、ＰｕＯ３゜５ｉｏ２
． ＰｕＯ８＋ ５ｔｏ２のエッチレート比は８：５：
１とな、！ｌ）、ＰｕＯ８上にＳ ｉ ０２をスパック
することによってエッチレートが極端に小さく、つまシ
硬度が高くなっていることがわかる。尚、スノやツタリ
ングによるＰｕＯ８の硬化のメカニズムは解明されてい
ないが、スパッタリングの高エネルギによってＰｕＯ２
内でいわゆる架橋反応が行われるだめと推考される。
から立証された。すなわち、円筒型プラズマエツチング
（ｆスはＣＦ４−５チ０２）での、ＰｕＯ３゜５ｉｏ２
． ＰｕＯ８＋ ５ｔｏ２のエッチレート比は８：５：
１とな、！ｌ）、ＰｕＯ８上にＳ ｉ ０２をスパック
することによってエッチレートが極端に小さく、つまシ
硬度が高くなっていることがわかる。尚、スノやツタリ
ングによるＰｕＯ８の硬化のメカニズムは解明されてい
ないが、スパッタリングの高エネルギによってＰｕＯ２
内でいわゆる架橋反応が行われるだめと推考される。
まだ、上記の高周波スパッタリングの場合、ス・やツタ
リング中の温度は最高２６０℃まで上がるが、それでも
従来の高温加熱硬化方法と比較すればずっと低温である
。更に、最近のマグネトロン型スＡツタリング装置を用
いれば一層低温での処理が可能である。
リング中の温度は最高２６０℃まで上がるが、それでも
従来の高温加熱硬化方法と比較すればずっと低温である
。更に、最近のマグネトロン型スＡツタリング装置を用
いれば一層低温での処理が可能である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、熱硬化性樹脂を高温処理
することなく硬化可能であり、従って硬化に伴うストレ
スを小さくすることができる。
することなく硬化可能であり、従って硬化に伴うストレ
スを小さくすることができる。
従って本発明の方法をｚ４７″ルメモリに適用すれば誤
動作の少ない高信頼性の・々プルメモリを実現可能であ
る。尚、本発明は・ダブルメモリ以外の種種の分野にも
適用可能である。
動作の少ない高信頼性の・々プルメモリを実現可能であ
る。尚、本発明は・ダブルメモリ以外の種種の分野にも
適用可能である。
第１図、第２図及び第３図は本発明の樹脂硬化方法の一
実施例の主要工程を示す図である。 １・・・基板、２・・・ＰｕＯ８膜、３・・・シリコン
系無機絶縁物（まだは膜）。 特許出願人 富士通株式会社 ！侍許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２円 １１１−＝ 第３柑
実施例の主要工程を示す図である。 １・・・基板、２・・・ＰｕＯ８膜、３・・・シリコン
系無機絶縁物（まだは膜）。 特許出願人 富士通株式会社 ！侍許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第１図 第２円 １１１−＝ 第３柑
Claims (1)
- １、熱硬化性シリコン系樹脂を硬化させる方法において
、まず樹脂を基板に膜状に塗布し、次に比較的低温でプ
レキュアを行って樹脂膜中の溶剤を蒸発させた後、該樹
脂膜上にシリコン系無機絶縁膜をス・フッタリングで形
成することにょシ該樹脂の硬化反応を行わせることを特
徴とする樹脂硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11502983A JPS607962A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 樹脂硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11502983A JPS607962A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 樹脂硬化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607962A true JPS607962A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH0337987B2 JPH0337987B2 (ja) | 1991-06-07 |
Family
ID=14652453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11502983A Granted JPS607962A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 樹脂硬化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607962A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243015A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-10-07 | ジヨンソン・アンド・ジヨンソン・ベイビー・プロダクツ・カンパニー | スキンケア組成物 |
| US6048549A (en) * | 1997-12-19 | 2000-04-11 | Johnson & Johnson Consumer Companies, Inc. | Powder compositions |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP11502983A patent/JPS607962A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243015A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-10-07 | ジヨンソン・アンド・ジヨンソン・ベイビー・プロダクツ・カンパニー | スキンケア組成物 |
| US6048549A (en) * | 1997-12-19 | 2000-04-11 | Johnson & Johnson Consumer Companies, Inc. | Powder compositions |
| US6426092B1 (en) * | 1997-12-19 | 2002-07-30 | Johnson & Johnson Consumer Companies, Inc. | Powder compositions comprising a skin irritation reducing agent |
| US6660304B2 (en) | 1997-12-19 | 2003-12-09 | Johnson & Johnson Consumer Companies, Inc | Method of treating prickly heat |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337987B2 (ja) | 1991-06-07 |
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