JPS607682A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
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- JPS607682A JPS607682A JP58114164A JP11416483A JPS607682A JP S607682 A JPS607682 A JP S607682A JP 58114164 A JP58114164 A JP 58114164A JP 11416483 A JP11416483 A JP 11416483A JP S607682 A JPS607682 A JP S607682A
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- bubble
- magnetic bubble
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はイオン注入バブルデバイスとバーＴＯイバプル
デバイスとを合成した磁気バブルメモリ７’ ハイスに
関するものである。
デバイスとを合成した磁気バブルメモリ７’ ハイスに
関するものである。
技術の背景
最近、磁気バブルメモリにおいて、そのバブル転送路を
イオン注入法により形成し記ｆＡ密度を高度化する方法
が用いられている。しかしこのイオン注入法によるバブ
ル転送路はその駆動パターンの駆動力が従来のパーマロ
イパターンよりも小さいという欠点があり比較的強い１
駆動カひいては強イハフルトラップ力を必要とするファ
ンクシ。ンゲート特に、レプリケートゲートの設計が困
鈍であった。このため、このような箇所ではパーマロイ
パターンを用いることが考えられ、イオン注入バブルデ
バイスとパーマロイバブルデバイスを合成した磁気バブ
ルメモリデバイスが一発されてぃる。
イオン注入法により形成し記ｆＡ密度を高度化する方法
が用いられている。しかしこのイオン注入法によるバブ
ル転送路はその駆動パターンの駆動力が従来のパーマロ
イパターンよりも小さいという欠点があり比較的強い１
駆動カひいては強イハフルトラップ力を必要とするファ
ンクシ。ンゲート特に、レプリケートゲートの設計が困
鈍であった。このため、このような箇所ではパーマロイ
パターンを用いることが考えられ、イオン注入バブルデ
バイスとパーマロイバブルデバイスを合成した磁気バブ
ルメモリデバイスが一発されてぃる。
従来技術と問題点
第１図は従来のイオン注入バブルデバイスとパーマロイ
バブルデバイスとを合成した磁気バブルメモリデバイス
のファンクションゲート部分を説明するための図である
。同図においてハツチングを施した部分１はイオン注入
領域、２は非イオン注入領域、３はその境界、４はイオ
ン注入領域内に形成されたマイナーループ、５は非イオ
ン注入領域内にパーマロイパターンで形成されたメジャ
ーライン、６はゲート部を構成するパーマロイピカック
スパターン、７はゲートコンダクタをそれぞれ示してい
る。
バブルデバイスとを合成した磁気バブルメモリデバイス
のファンクションゲート部分を説明するための図である
。同図においてハツチングを施した部分１はイオン注入
領域、２は非イオン注入領域、３はその境界、４はイオ
ン注入領域内に形成されたマイナーループ、５は非イオ
ン注入領域内にパーマロイパターンで形成されたメジャ
ーライン、６はゲート部を構成するパーマロイピカック
スパターン、７はゲートコンダクタをそれぞれ示してい
る。
従来このような磁気バブルメモリデバイスはメジャーの
ゲート部とマイナーの転送路との間にイオン注入領域１
と非イオン注入領域２とを分ける境界６が存在し、ゲー
ト部において操作されるバブルは必ず１回はこの境界を
通過する方式であった。しかしこの境界では第２図に示
す如き独特のポテンシャルによりバブルは境界でトラ、
プされ易い（＠引による）、あるいは剰越えにくい（反
発による）という現象のため本来のゲート動作を妨げら
れるといった欠点があった。
ゲート部とマイナーの転送路との間にイオン注入領域１
と非イオン注入領域２とを分ける境界６が存在し、ゲー
ト部において操作されるバブルは必ず１回はこの境界を
通過する方式であった。しかしこの境界では第２図に示
す如き独特のポテンシャルによりバブルは境界でトラ、
プされ易い（＠引による）、あるいは剰越えにくい（反
発による）という現象のため本来のゲート動作を妨げら
れるといった欠点があった。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、イオン注入バブルデバ
イスとパーマロイバブルデバイスを合成した磁気バブル
メモリデバイスにおいて、イオン注入領域と非イオン注
入領域の境界をバブルが通過し易くなるようにした磁気
バブルメモリ素子を提供することを目的とするものであ
る。
イスとパーマロイバブルデバイスを合成した磁気バブル
メモリデバイスにおいて、イオン注入領域と非イオン注
入領域の境界をバブルが通過し易くなるようにした磁気
バブルメモリ素子を提供することを目的とするものであ
る。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、イオン注入法による
バブル転送路とパーマロイパターンニヨるバブル転送路
とを有する磁気バブルメモリ素子において、イオン注入
領域と非イオン注入領域との境界は、バブルが通過する
のに十分なある狭い範囲においてのみ、イオン注入のプ
ロファイルをなだらかにすることを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子を提供することによって達成される。
バブル転送路とパーマロイパターンニヨるバブル転送路
とを有する磁気バブルメモリ素子において、イオン注入
領域と非イオン注入領域との境界は、バブルが通過する
のに十分なある狭い範囲においてのみ、イオン注入のプ
ロファイルをなだらかにすることを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子を提供することによって達成される。
発明の零簾釧
以下、本発明実施例を図面によって詳述する。
第６図は本発明による磁気バブルメモリ菓子を説明する
ための図であり、αに投影露光用の金属マスクを示し、
α部 にそれにより露光現像された後のホトレジストの
様子を示し、ｂにエツチング後の金属蒸着膜（イオン注
入用マスク）の様子を示し、Ｃにイオン注入後の様子を
示す。同図において、１０はバブル結晶、１１は金属蒸
着膜、１２はホトレジスト、１６は金属マスクをそれぞ
れ示す。
ための図であり、αに投影露光用の金属マスクを示し、
α部 にそれにより露光現像された後のホトレジストの
様子を示し、ｂにエツチング後の金属蒸着膜（イオン注
入用マスク）の様子を示し、Ｃにイオン注入後の様子を
示す。同図において、１０はバブル結晶、１１は金属蒸
着膜、１２はホトレジスト、１６は金属マスクをそれぞ
れ示す。
金属マスク１５はα図の如く三角形の突出部１３ａをも
ち、そのｉ ＃ｌ゛上の寸法は、その三角形の底辺Ｗが
バブル径以上あり、高さＨは露光装置の分解能以下のパ
ターンΦＭの部分が少なくともバブル径以上ある様にな
っている。
ち、そのｉ ＃ｌ゛上の寸法は、その三角形の底辺Ｗが
バブル径以上あり、高さＨは露光装置の分解能以下のパ
ターンΦＭの部分が少なくともバブル径以上ある様にな
っている。
この金属マスク１３を用いてａ′図の如く、バブル結晶
１０に蒸着した金属膜１１上に被着したホトレジスト１
２を露光すると三角形１ろαの突出部の光の分解能以下
の部分は光が回り込むためいわゆるボケで露光される。
１０に蒸着した金属膜１１上に被着したホトレジスト１
２を露光すると三角形１ろαの突出部の光の分解能以下
の部分は光が回り込むためいわゆるボケで露光される。
その結果ホトレジスト１２にはテーパーが極端についた
三角形部分１２αが形成される。
三角形部分１２αが形成される。
この状態で金属蒸着膜１１をイオンエツチングすると、
６図の如くホトレジストの三角形部分と同様にテーパー
のついた三角形のパターン１１αが形成される。この金
１１パターンをマスク１４にしてイオン注入１５を行な
うと、０図の如くマスク１４の厚さにより阻止するイオ
ンの量が異なるため、（正確にはある一定の加速エネル
ギーで打ち込まれたイオンはマスク１４の厚さに犀じて
その加速エネルギーを失い１．その結果テーパ一部分の
下の結晶中におけるイオンの射影飛程はある傾きをもっ
て変化する。）イオンの射影飛程りは分布をもつ。その
結果イオン注入層１６の歪みの領域はその境界の所（α
部）でなたらかに変化する。
６図の如くホトレジストの三角形部分と同様にテーパー
のついた三角形のパターン１１αが形成される。この金
１１パターンをマスク１４にしてイオン注入１５を行な
うと、０図の如くマスク１４の厚さにより阻止するイオ
ンの量が異なるため、（正確にはある一定の加速エネル
ギーで打ち込まれたイオンはマスク１４の厚さに犀じて
その加速エネルギーを失い１．その結果テーパ一部分の
下の結晶中におけるイオンの射影飛程はある傾きをもっ
て変化する。）イオンの射影飛程りは分布をもつ。その
結果イオン注入層１６の歪みの領域はその境界の所（α
部）でなたらかに変化する。
イオン注入層の歪の分布が階段状である場合のポテンシ
ャルの分布は前述した第２図の如くであるが、ゆるやか
に変化した場合には第４図に示す如くポテンシャル１７
の分布もゆるやかに変化する。
ャルの分布は前述した第２図の如くであるが、ゆるやか
に変化した場合には第４図に示す如くポテンシャル１７
の分布もゆるやかに変化する。
従ってパフ／ｌ／が境界で３ｆ訂過する際に越えなけれ
ばならないポテンシャルの壁１８は、ゆるやかに変ｆｌ
Ｚする場合の方が階段状に変化する場合に比べて低く、
このためバブルの境界朋過のマージンは広くなる。
ばならないポテンシャルの壁１８は、ゆるやかに変ｆｌ
Ｚする場合の方が階段状に変化する場合に比べて低く、
このためバブルの境界朋過のマージンは広くなる。
イオン注入領域と非イオン注入領域との境界の一部を故
意に°′ボケ”させる方法として他にも次の様な形状の
パターンを用いることができる。第５図は三角形の突出
部を設けるかわりにイオン注入領域１９と非イオン注入
領域２０との境界２１に三角形の四部２２を設けたもの
、第６図は分解能以下の微細パターン２３を多数接近さ
せて設け、全体としてハーフトーンとなるようにしたも
のである。この第５図及び第６図の実施例の効果は第６
図に示した実施例と同様である。
意に°′ボケ”させる方法として他にも次の様な形状の
パターンを用いることができる。第５図は三角形の突出
部を設けるかわりにイオン注入領域１９と非イオン注入
領域２０との境界２１に三角形の四部２２を設けたもの
、第６図は分解能以下の微細パターン２３を多数接近さ
せて設け、全体としてハーフトーンとなるようにしたも
のである。この第５図及び第６図の実施例の効果は第６
図に示した実施例と同様である。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明の磁気バブルメモリ
素子は、イオン注入領域と非イオン注入領域を分ける境
界をバブルが通過する部分のみ６ボカ”ずことにより、
その部分の歪みのプロファイルをなだらかに変化させる
ことができ、その結果ポテンシャルの壁を下げてバブル
の通過を容易とするといった効果大なるものである。
素子は、イオン注入領域と非イオン注入領域を分ける境
界をバブルが通過する部分のみ６ボカ”ずことにより、
その部分の歪みのプロファイルをなだらかに変化させる
ことができ、その結果ポテンシャルの壁を下げてバブル
の通過を容易とするといった効果大なるものである。
第１図はイオン注入バブルデバイスとパーマロイデバイ
スを合成した磁気バブルメモリデバイスのファンクショ
ンゲート部分を説明するだめの図、第２図はそのイオン
注入領域と非イオン注入領域との境界におけるポテンシ
ャルを示す図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ
素子を説明するだめの図、第４図はそのイオン注入領域
と非イオン注入領域との境界におけるポテンシャルを示
す図、第５図及び第６図は他の実施例を説明するための
図である。 図面において、１０はバブル結晶、１１は金１．’＋（
蒸着膜、１２はホトレジスト、１３は金属マスクをそれ
ぞれ示す。 第２図 距離 （ｃ）
スを合成した磁気バブルメモリデバイスのファンクショ
ンゲート部分を説明するだめの図、第２図はそのイオン
注入領域と非イオン注入領域との境界におけるポテンシ
ャルを示す図、第３図は本発明による磁気バブルメモリ
素子を説明するだめの図、第４図はそのイオン注入領域
と非イオン注入領域との境界におけるポテンシャルを示
す図、第５図及び第６図は他の実施例を説明するための
図である。 図面において、１０はバブル結晶、１１は金１．’＋（
蒸着膜、１２はホトレジスト、１３は金属マスクをそれ
ぞれ示す。 第２図 距離 （ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 イオン注入法によるバブル転送路とパーマロイパ
ターンによるバブル転送路とを有する磁気バブルメモリ
素子において、イオン注入領域と非イオン注入領域との
境界は、バブルが通過するのに十分なある狭い範囲にお
いてのみ、イオン注入のプロファイルをなだらかにする
ことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。 ２、前記条件を実現する手段として、イオン注入転送路
形成用マスクの前記掲載第１項のバブル通過が行なわれ
る境界部分に対応する箇所を凸形もしくは凹形とし、そ
の一部が光露光の分解能以下の形状とすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子
。 ３、 同様に前記条件を実現する手段として前記掲載第
２項のマスクの該当部分に光露光の分解能以下の島状パ
ターンを復数個境界に隣接して設けることを特徴とする
特￥ｆ請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114164A JPS607682A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58114164A JPS607682A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607682A true JPS607682A (ja) | 1985-01-16 |
| JPS622386B2 JPS622386B2 (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=14630762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58114164A Granted JPS607682A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607682A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS635417A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-11 | Aikiyoo:Kk | 交流電源の過電圧保護回路 |
| JPH0360377A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Murata Mfg Co Ltd | スイッチングレギュレータ |
| JPH0435684U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-25 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740791A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Fujitsu Ltd | High-density bubble memory element |
| JPS5891583A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS5896705A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS58108085A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS58203690A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS58208987A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-05 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58114164A patent/JPS607682A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740791A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Fujitsu Ltd | High-density bubble memory element |
| JPS5891583A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS5896705A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-06-08 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS58108085A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS58203690A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS58208987A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-05 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622386B2 (ja) | 1987-01-19 |
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