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JPS6072663A - 低融点金属球接続方法 - Google Patents

低融点金属球接続方法

Info

Publication number
JPS6072663A
JPS6072663A JP17807283A JP17807283A JPS6072663A JP S6072663 A JPS6072663 A JP S6072663A JP 17807283 A JP17807283 A JP 17807283A JP 17807283 A JP17807283 A JP 17807283A JP S6072663 A JPS6072663 A JP S6072663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
balls
wiring
protective film
wiring pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17807283A
Other languages
English (en)
Inventor
Ritsu Yoshii
吉居 立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP17807283A priority Critical patent/JPS6072663A/ja
Publication of JPS6072663A publication Critical patent/JPS6072663A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は金属球の接続方法に係シ、特に配線パターンが
形成された基板に低融点金属球を接続する方法に関する
ものである。
従来技術と問題点 従来、配線/fターンが形成された例えば第1のセラミ
ック基板上にぎ一ル状の導電体を接続し、更に該導電体
上に配線パターンを有する第2の基板を接続することに
よって配線ノ千ターンを有する2つの基板を接続する方
法がある。その方法の詳細を第1A図から第1D図に示
す。第1図において配線パターン(図示せず)を有する
例えばセラミック基板1上に約30〜50μmの厚さを
有するポリイミド樹脂からなる保論膜2が塗布され更に
、該保@膜の上に約0.2〜0,3聴の厚さを有する例
えばステンレス製のメタルマスク3が配置されるO該保
護膜及びメタルマスクには、半田ボールを配置するため
の孔Aが形成されている。
次に第1B図に示すようにメタルマスク3を形成した後
約0.4 rranの径をする半田?−ル4を該メタル
マスクの孔Aに配置し、セラミック基板1上の配線パタ
ーン上に搭載する。次に約200℃の温度に加熱し半田
ゾール4を溶融し配線ノぐターンに溶着せしめる。
次に第1C図に示すように、メタルマスク3を71%し
その後配線パターンを有する第2のセラミック基板5を
該半田?−ル4上にセットし約200℃に加熱し、第2
のセラミック基板上の配線ノ4ターと半田が一ル4を溶
着させる(第2C図)。
このようにして半田ボール4を介して2つのセラミック
基板が電気的に接続される。上記従来工程は工程が複雑
で生産能率が悪かった。
本発明の目的 上記欠点を鑑み本発明は従来工程を簡略化し、生産能率
を向上させる半田ゴールの基板への接続方法を提供する
ととを目的とする。
本発明の構成 本発明の目的は配線パターンが形成された基板上に、配
線用孔を有する平らな保護膜を配設し、次に前記保護膜
の厚さよシ大きな径を有する低融点金属球を前記配線用
孔内に配置し、次に該低融点金属球の融点温度以上に加
熱することを特徴とする低融点金属球を基板上に接続す
る方法によって達成される。
発明の実施例 以下本発明の1実施例を図面に基づいて説明する。
第2A図から第2C図は本発明の1実施例を説明するた
めの概略工程断面図である。
第2A図に示すように配線パターンが形成された例えば
0.6〜0.7簡の厚さを有するセラミック基板11上
に例えば約0.2 mmの厚さを有する平らなシリコン
樹脂からなる保護膜13をスクリーン印刷によって被着
形成する。該保護膜13には直径が約0.3叫よりわず
かに大きい円柱状の孔Bが配線パターンに対応するツヤ
ターン化されて形成されている。
次に第2B図に示すように該円柱状孔B内に直径が約0
.3mjnの半田ボール(例えば鉛37チと錫63襲合
金、融点183℃)を配置し、セラミック基板11上に
搭載する。次に約220℃で加熱し、該半田?−ル14
をセラミック基板11上の配線z4’ターンに溶着させ
る。この方法では従来使用したメタルマスクは不要とな
りその代わり厚い保護膜でその代用とした。
以下従来と同様に第2C図に示すように第2のセラミッ
ク基板15を該半田ボール14上にセリトン、第1のセ
ラミック基板11と第2のセラミック基板を該半田ゾー
ル14を介して導通させることが出来る。
本発明では保護膜としては上記シリコン樹脂の他にエポ
キシ樹脂等も用いられ、該保護膜の厚さは低融点金属球
(半田ボール)の直径の約2/3程度が好ましい。本発
明で用いられる保護膜は抵抗、コンデンサ及び配線パタ
ーンの保設ばかシでなく金属球のコロガリを防止し電極
と半田ボールの位置合せを正確に実施し得るものである
。また本発明では低融点金属球として半田ボールを用い
たが半田メッキ、銀が一ル、半田メッキ、金ボール等も
用いられる。
発明の詳細 な説明したように本発明によれば、従来使用していたメ
タルマスクが不要となるためメタルマスクのセットとメ
タルマスクの取シはずし工程が煮略され、金属球の基板
への接続工程が簡単化され、生産能率の向上に効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1A図から第1D図迄は従来技術を説明するための概
略工程断面図であシ、第2A図から第2C図迄は本発明
に係る1実施例を説明するための概略工程断面図である
。 1t5tll、15・・・セラミック基板、2・・・保
護膜、3・・・メタルマスク、4.14・・・半田sj
−ル、13・・・保護膜。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士 内 1)幸 男 弁理士 山 口 昭 之 準]へ口1 第1B)司 第1C口 千 コD 1り) ja 第2A))ンi 粗危2B丘1 ]4 率2C筐1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 配線パターンが形成された基板上に、配線。 用孔を有する平らな保護膜を配設し、次に前記保護膜の
    厚さよシ大きな径を有する低融点金属球を前記配線用孔
    内に配置し、次に該低融点金属球の融点温度以上に加熱
    することを特徴とする低融点金属球を基板上に接続する
    方法。
JP17807283A 1983-09-28 1983-09-28 低融点金属球接続方法 Pending JPS6072663A (ja)

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ID=16042125

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