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JPS607151A - 電子素子用輻射保護性強化ケーシング - Google Patents

電子素子用輻射保護性強化ケーシング

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Publication number
JPS607151A
JPS607151A JP59111071A JP11107184A JPS607151A JP S607151 A JPS607151 A JP S607151A JP 59111071 A JP59111071 A JP 59111071A JP 11107184 A JP11107184 A JP 11107184A JP S607151 A JPS607151 A JP S607151A
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JP
Japan
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charge number
atomic charge
radiation
casing
electronic components
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JP59111071A
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クリスチヤン・ヴアル
ジヨウジフ・ピヌル
イヴ・ボコン−ジボ
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DEIFUORUMATEIKU MIRITEERU SUPA
DEIFUORUMATEIKU MIRITEERU SUPASHIYARU E AERONOOTEIKU CO
Original Assignee
DEIFUORUMATEIKU MIRITEERU SUPA
DEIFUORUMATEIKU MIRITEERU SUPASHIYARU E AERONOOTEIKU CO
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Publication date
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Publication of JPS607151A publication Critical patent/JPS607151A/ja
Publication of JPH046094B2 publication Critical patent/JPH046094B2/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子構成要素用のケーシングに関し、該ケー
シングは輻射、特にイオン化輻射に対し強化された、す
なわち収容した電子構成要素をこれらの輻射から防護す
るケーシングに関する。
以下の記述において、簡単のために「構成要素」は、ケ
ーシング内に埋込み可能な、ノ・イブリッド回路または
集積回路を形成する個々の構成部品やその組立体を指す
ものとする。
高い効率の電子装置の構造は、搭載コンピュータのよう
に処理速度のみならず能力またはまとまりの良さに関し
て、ＬＳＩ（大規模集積回路）またはＶＬＳＩ（超大規
模集積回路）型式の高度に集積された複雑かつ高速度回
路を必要とする。
しかし、これらの回路は、輻射、特にイオン化の際に生
ずる輻射の影響を受け易い。
これらの影響を制限するために、通常、２つの保護また
は強化技術が用いられている。その１つは、例えば適切
に選択された金属シートによって装置全体の外側を包囲
することである。
この方法の欠点は、基本的に重量と場所を必要とし、特
に搭載装置用としては厄介である。第２の方法は、装置
の構成に対し、構成要素及び／または回路が輻射に耐え
るように選択され、このような構成要素及び回路は、現
在、僅かではあるが存在し、その強化は設計方針（特に
輻射によって受ける諸因子の変動及び損傷を十分に考慮
して）及び選択された技術によって得られる。しかし、
これらの回路は成る使用目的に対しては十分な成果が得
られず、特に得られる集積の程度に対して不十分であり
、さらに強化技法によるそれらの構成には、しばしば、
極めて長時間を要し、ひいてはその価格が高くなる。
本発明の目的は、保護される装置に用いられる構成要素
及び回路のケーシングの段階において強化することによ
り上記の不利点を避ける構造体を提供するにある。
本発明によれば、一つの電子構成要素に対して輻射保護
性強化ケーシングを提供し、該ケーシングは、３つの構
成要素、すなわち構成要素を収容する基部と、側部と、
前記側部によって基部に固定された力・々−を含み、少
くとも１つの前記構成要素が少くとも２つの異なる材料
の層を含み、層の一方は他方よりも当該構成要素に接近
して配置され、前記近い方の材料の原子荷電数は、他方
のものより原子荷電数が低いように構成される。
本発明の他の目的、態様及び成果は図面を参照しての本
発明についての以下の説明から明らかになるであろう。
図において、明瞭化を計るため、示される尺度は実際と
は異なる。さらに各図において同一構成要素には同一の
参照数字を付しである。
第１図の概略断面図において、一つの構成要素または集
積またはハイブリツＰ回路用のケーシングは、構成要素
が形成された例えば半導体片４が固定された基部３と、
側部２によって基部３に固定される力・々−Ｊを含む。
ケー’／７グ（ＣＩＬ、ＣｅＲｄｉｐ、「チップ台」な
ど、かつ平坦またはレベルを含むなど）の形式により、
側部２は基部３または力・ぐ−１と一体に形成される。
構成部品４は、例えば不図示の金属層への半田伺けなど
によって基部３の上面に固定される。
その結合点は導電性トラック（図示せず）に接続され、
該トラックは、例えばピン３１のような、ケーシングの
外側への電気的接続装置を末端とする。
第２図は、本発明によるケーシングの一実施例を示し、
このケーシングにおいて、輻射保護性強化は、カバー１
のレベルで達成される。
このカッ々−は、少くとも２つの異種材料１】及び１２
〜１３を含み、それぞれは、少くとも一つの層をもって
配置される。材料のうちの一つは他の材料１２〜１３の
原子荷電数Ｚ２に対して高い原子荷電数ｚ１をもつ。
一般に知られているように、高い原子荷電数をもつ材料
は、Ｘ線及びγ線のようなイオン化輻射を大いに弱める
。しかし、この弱化は、できる限り弱めることが望まし
い電子流を発生させる。このためには、原子荷電数の低
の材料を用いることが好適で、エネルギについての観点
から十分であり、また軽量であって上記の重量規準に適
合し、また、電子の出射も弱い。本発明によれば、この
ような材料は、力・ζ−の内面に用いられ、すなわち構
成要素に向って配設される。
本文において、高原子荷電数とは、少（とも３５に等し
く、また低原子荷電数とは、多くても２０に等しい値を
いう。
第２図に示す実施例において、装置の効率を向上するた
めに各材料の複数層が形成されている。
さらに、これらの材料は選択されて、コンデンサを形成
するように複数層に配列され、すなわち高原子荷電数２
１をもつ第１材料１１、次に絶縁材料、さらに低原子荷
電数Ｚ２をもつ第２材料から成る層を少くとも２層、そ
れぞれ１２及び１３を配列して絶縁材料１１を包囲して
、コンデンサ板を形成する。第２図の実施例において多
層コンデンサが、外側導体１５及び１６によって合体結
合された６つの板をもって形成されている。このような
コンデンサは、一般にこの種のケーシング用として要求
されている減結合コンデンサを好適に形成する。
最後に、第２図に示すように、力・ζ−１の内面に別の
層１４を付設することができ、この層は原子荷電数ｚ２
が低い材料で造られる。この変形実施例によれば、材料
１２．１３と１１の選択に際して大きい融通性が得られ
、結果として平均的に高い原子荷電数の材料を用いるこ
とができる。
材料の選択に関しては、低原子荷電数の材料は次の物質
、すなわち炭素、アルミニウム、シリコン、アルミナ及
びシリカの中の一つ、また高原子荷電数の材料としては
、絶縁セラミック、例えば変成チタン酸バリウム（高原
子荷電数）またはチタン酸ネオダイン（同じ（変成され
た）のようなチタン酸塩族から、或は例えば酸化チタニ
ウム（変成された）または複合鉛基セラミックのような
酸化物族から選ばれる。
例として、材料１１はチタン酸ノクリウム（ＢａＴｉＯ
２）または酸化ネオダインが用いられ、伺加層１４が側
設される場合は、該層はアルミナ（Ａ１２０３）で造ら
れ、板１２及び１３は、銀及びパラジウム基金属または
合金のような高原子荷電数２２をもつ材料で形成される
。
第３図は、第２図の装置の変形例な示し、この装置は技
術上の可能性を向上するために、層１４と同一の材料か
ら造ることが好適な付加層１９を含む。
実際の場合、同一の熱膨張係数をもつ異なる桐材を得る
ことは困難である。もしその熱膨張係数が著しく相亦し
、カバーの製造が可成り高い温度（］、　０００°Ｃ以
上）を含む場合には、平坦でない一つの構成要素が得ら
れ、層１４と同一の熱特性（例えば同一材料）をもつ層
１９によって構造を対称化することによりこの欠点を１
し正する。
第４図は、別の実施例を示し、ここにおいて、力・々−
１及び側部２は、カバー５を形成するために一体に形成
され装置全体が輻射保護性を強化される。
前例と同様な変形実施例が力・ぐ−５の部分１として設
けられている。
側部２は、高原子荷電数２１　をもつ材料１１によって
形成され、その内面を低原子荷電数２３をもつ材料の層
１４をもって被覆される。
側部２は、このようにして、強化の有無、コンデンサ形
態をもつか否かに拘らずカバーの部分１とは独立に強化
される。
第５図は、本発明によるケーシングの他の実施例を示し
、この場合、強化はその側部２のレベルで実施される。
この装置は、第２図の部分１と同様にコンデンサを含み
、その絶縁部２１とその板部２２及び２３を有し、これ
らは要求に従って（多層コンデンサ）合体結合され、か
つ結合要素２５及び２６によって外側に接触され、要素
２］、２２゜２３．２５．２６は第２図の要素］、　］
、　、　１２　、　Ｉ　３　。
１５．１６と同様で゛ある。
層２１．２２．２３は、弱めるべき輻射と構成要素４と
の間に大きい面を介在させるために、図のように力・々
−１と基部３とに平行に、或は直角に形成される。
この実施例において、カッ々−１は、コンデンサを形成
するかしないかによって前述の変形実施例の一つにより
強化されずまたは強化される。
第６図は、本発明の別の実施例を示し、ケーシングの基
部３は、強化されている。
例として、ケーシングは、「チップ台」型で、接続ピン
を具備しないことを特徴とし、ビンは基部３の下部に設
けられた単一の金属性化された部分３２によって置換さ
れている。さらに例として、このケーシングの基部は平
坦である。
力・ぐ−５は、例えば強化されかつ第４図の力・々−と
同一である。コンデンサの板部材を合体結合する接続部
材１５及び１６は、例えばチップ台の基部に対して通常
実施されるように半孔１７及び１８それぞれに形成され
る。カッ々−５は基部３に対しシール手段３６によって
密封される。
基部３は、金属層３４に固定された構成要素４を支持す
る。構成要素は金属性化された部分３２まで、基部３に
配置されかつ半孔３８を通って延びるトラック３７に普
通の手段、（導線４１）を用いて接続される。
本発明によれば、基部３はまた、強化のために、高原子
荷電数及び低原子荷電数をもつ材料を交互に配置し、こ
れらの材料は、それらが通常ケーシングの基部に与えら
れる要求事項、すなわち基部３の熱膨張係数が半導体４
の熱膨張係数と基本的に適合し、かつこの構成要素によ
って出射される勢力を除去するために良好な熱伝導性を
もつというような要求事項を満足するように選択されか
つ配置される。このために、基部３は、例えばアルミニ
ウムのような低原子荷電数をもつ材料３つで造られ、か
つ金属性化された部分３２間において、その外側（下）
面にタングステンのような高原子荷電数をもつ材料の層
３３を含む。
好ましくは、構成要素が固定される層３４はまた、低原
子荷電数をもつ材料で造られる。
第６図に示す変形実施例において、基部３の中でその２
つの大きい面に、熱伝導性にすぐれかつ高原子荷電数を
もつ材料で造られた包有体３５を含む。その材料はタン
グステンが好適である。
それぞれの既述した実施例において、高原子荷電数と低
原子荷電数をもつ材料間の突然の遷移を避けることが望
ましい・これは輻射が強イ場合に材料間の界面に熱衝撃
が起るのを防止することである。突然の遷移現象を避け
るためには、両者の中間の原子荷電数２をもつ別の材料
によって実現させる。また両方の材料を含む合金或は化
合物によって実現することもできる。
上述の発明の詳細な説明例について記述した。従って、
例えば、カッ々−に形成されたコンデンサは低原子荷電
数をもつ材料から形成され、さらに高原子荷電数をもつ
材料で造られた層をカバーの外側面に配置することもで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、電子構成要素用ケーシングの概略図、第２図
は、本発明による装置の第１実施例の構成を示す断面図
、第３図は、第２図に示す装置の変形実施例、第４図は
、本発明による装置の第２実施例の構成を示す断面図、
第５図は、本発明による装置の第３実施例、第６図は、
本発明による装置の第４実施例である。 ］・・・・・・カッぐ−２・・・・・・側部３・・・・
・・基部　４・・・・・構成要素５・・・・・カッぐ−
　】１・・・第１材料１２・・・層　１３・・・層 １４・・・層　１５・・・導体 １６・・・導体　１７・・・半孔 １８・・・半孔　１９・・・層 ２１・・・絶縁材　２２・・・板部材 ２３・・・板部材　２５・・・接続部材２６・・・接続
部材　３１・・・ピン ３２・・・金属性化部分　３３・・・層３４・・・層　
３５・・・包有体 ３６・・・シール部　３７・・・トラック３８・・・半
孔　３９・・・材料 ４１・・・導体 特許出願人 コンノξニ　デイフオルマテイク　ミリテールスノξシ
ャル　エ　アエロノーティク 代理人 若　林　忠

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １３つの要素、すなわち該要素を受けろ基部と側部と前
    記側部によって基部に固定されたカバーを含み、少くと
    も１つの前記要素が少（とも２つの異なる材料の層を含
    み、前記材料の一方が他方の材料よりも構成要素に近く
    配置され、前記一方の材料の原子荷電数が他方の材料の
    原子荷電数よりも高い電子構成要素用輻射保護性強化ケ
    ーシング。 ２、　前記構成要素に近い方の材料が低原子荷電数をも
    ち、他方の材料が高原子荷電数をもつ特許請求の範囲第
    １項記載の電子構成要素用輻射保護性強化ケーシング。 ３　前記要素が前記力・々−である特許請求の範囲第１
    項記載の電子構成要素用輻射保護性強化ケーシング。 ４　前記材料のうちの第１のものが絶縁材であり、前記
    第２材料が前記第１材料の各側において少（とも２つの
    層をもって配置され、これにより形成された組立体がコ
    ンデンサを形成する特許請求の範囲第１項記載の電子構
    成要素用輻射保護性強化ケーシング。 ５　前記材料が複数の交互に配置され、これにより多層
    コンデンサを形成する特許請求の範囲第４項記載の電子
    構成要素用輻射保護性強化ケーシング。 ６　前記要素がその内側面に配置されかつその原子荷電
    数が低い材料の別の第１層を含む特許請求の範囲第１項
    記載の電子構成要素用輻射保護性強化ケーシング。 ７　前記要素がその外側面に配置されかつ前記別の第１
    層と同一の熱特性をもつ材料から造られた別の第２層を
    含む特許請求の範囲第６項記載の電子構成要素用輻射保
    護性強化ケーシング。 ８、　前記要素がその外側面に配置されかつ高い原子荷
    電数をもつ材料の層を含む特許請求の範囲第１項記載の
    電子構成要素用輻射保護性強化ケーシング。 ９　前記側部が高原子荷電子をもつ材料で造られ、かつ
    前記側部の高原子荷電数をもつ材料まりも低い原子荷電
    数をもちその界面に配置された層を含む特許請求の範囲
    第３項または第４項記載の電子構成要素用輻射保護性強
    化ケーシング。 １０　前記基部が低原子荷電数をもつ材料で造られかつ
    その外面に配置されかつ前記原子荷電数よりも高い原子
    荷電数をもつ層を含む特許請求の範囲第３項または第４
    項記載の電子構成要素用輻射保護性強化ケーシング。 １１、前記基部がその内面に配置された低原子荷電数を
    もつ金属層を含み、前記構成要素が前記金属層に固定さ
    れる特許請求の範囲第８項記載の電子構成要素用輻射保
    護性強化ケーシング。 １２　前記基部が、低原子荷電数をもつ前記制御」内に
    形成されその内面及び外面に設けられた包有物を含み、
    前記包有物が良好な熱伝導性と高い原子荷電数をもつ材
    料で造られる特許請求の範囲第１０項記載の電子構成要
    素用輻射保護性強化ケーシング。 １３　異なる原子荷電数をもつ材料間の遷移が中間材料
    によって実現される特許請求の範囲第１項記載の電子構
    成要素用輻射保護性強化ケーシング。 １４　低原子荷電数をもつ材料が多くても２０に等しい
    原子荷電数をもつ特許請求の範囲第１項記載の電子構成
    要素用輻射保護性強化ケーシング。 １５　低原子荷電数をもつ材料が、炭素、アルミニウム
    、シリコン、アルミナ、シリカを含む群から選ばれる特
    許請求の範囲第１項記載の電子構成要素用輻射保護性強
    化ケーシング。 １６　高原子荷電数をもつ材料が少くとも３５に等しい
    原子荷電数をもつ特許請求の範囲第１項記載の電子構成
    要素用輻射保護性強化ケーシング。 】７．高原子荷電数をもつ材料がチタン酸塩族から、酸
    化物族からまたは複合塩基性セラミックから選択される
    絶縁性セラミックである特許請求の範囲第１項記載の電
    子構成要素用輻射保護性強化ケーシング。
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