JPS6064442A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(8) 発明の技術分野
本発明は半導体装置にかかり、特にワイヤ短絡防止構造
に関する。
に関する。
(bl 従来技術と問題点
半導体装置の目覚ましい進歩によってIC1LSI、V
LSIと極めて高集積化されているが、それに伴って半
導体チップから導出するボンディングワイヤの数も多く
なり、且つ半導体チップも大きくなってきた。
LSIと極めて高集積化されているが、それに伴って半
導体チップから導出するボンディングワイヤの数も多く
なり、且つ半導体チップも大きくなってきた。
そうすると、多数のボンディングワイヤの中には、長い
距離を接続しなければならないボンディングワイヤも現
れ、その場合にワイヤの垂れ下りが起こり易くなる。ワ
イヤの垂れはボンディング機の調整不良にも原因がある
が、ボンディング機を長時間使用していると次第に調整
が崩れてくる問題もある。そのためワイヤ垂れを起こし
、次のプラスチック樹脂封止工程や試験工程において多
数の接触不良品を検出し、歩留が低下して手痛い損害を
被ることがある。
距離を接続しなければならないボンディングワイヤも現
れ、その場合にワイヤの垂れ下りが起こり易くなる。ワ
イヤの垂れはボンディング機の調整不良にも原因がある
が、ボンディング機を長時間使用していると次第に調整
が崩れてくる問題もある。そのためワイヤ垂れを起こし
、次のプラスチック樹脂封止工程や試験工程において多
数の接触不良品を検出し、歩留が低下して手痛い損害を
被ることがある。
第1図はボンディングワイヤを配線した工程後の全体断
面図、第2図18)、 (b)は上記のような問題点の
一例を図示した部分図で、同図(alは断面図、同図(
b)は平面図である。1は半導体チップ、2はボンディ
ングワイヤ、3はステージ、4はワイヤ接続端子で、ボ
ンディングワイヤ2が垂れて半導体チップlの表面周縁
(矢印部分)で接触しており、このような状態になると
半導体装置は正常な電気特性が得られない。
面図、第2図18)、 (b)は上記のような問題点の
一例を図示した部分図で、同図(alは断面図、同図(
b)は平面図である。1は半導体チップ、2はボンディ
ングワイヤ、3はステージ、4はワイヤ接続端子で、ボ
ンディングワイヤ2が垂れて半導体チップlの表面周縁
(矢印部分)で接触しており、このような状態になると
半導体装置は正常な電気特性が得られない。
(C) 発明の目的
本発明はこのような問題点を除去した半導体装置を提案
するものである。
するものである。
+dl 発明の構成
その目的は、半導体チップとボンディングワイヤとの短
絡防止用絶縁フィルムがパンケージ側のワイヤ接続端子
の先端部分、・もしくは該半導体チップ表面に、その周
縁部からはみ出ずように貼付されている半導体装置によ
って達成される。
絡防止用絶縁フィルムがパンケージ側のワイヤ接続端子
の先端部分、・もしくは該半導体チップ表面に、その周
縁部からはみ出ずように貼付されている半導体装置によ
って達成される。
(e) 発明の実施例
以下3図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第3図+a)、 (b)は本発明にかかる一実施例図で
、同図(alは一部断面図、同図(blは全体の平面図
である。図において、10は耐熱性テープに接着剤を付
けた絶縁フィルムを示しており、ポンディングパッド領
域を除く半導体チップ1の全面を周縁からはみ出すよう
に絶縁フィルム10で覆っている。耐熱性テープは例え
ば商品名KAPTONフィルム、接着剤はポリイミドな
どを使用し、厚みは接着剤を含めて100μm前後のも
のである。このようにすれば、第3図(alに図示され
ているようにボンディングワイヤ2が垂れ下っても、絶
縁フィルム10のために半導体チップlと接触すること
はなくなり、樹脂封入までその形状を維持し、また封止
後に絶縁フィルム10を残存していても耐熱性絶縁体の
ため悪影響はない。
、同図(alは一部断面図、同図(blは全体の平面図
である。図において、10は耐熱性テープに接着剤を付
けた絶縁フィルムを示しており、ポンディングパッド領
域を除く半導体チップ1の全面を周縁からはみ出すよう
に絶縁フィルム10で覆っている。耐熱性テープは例え
ば商品名KAPTONフィルム、接着剤はポリイミドな
どを使用し、厚みは接着剤を含めて100μm前後のも
のである。このようにすれば、第3図(alに図示され
ているようにボンディングワイヤ2が垂れ下っても、絶
縁フィルム10のために半導体チップlと接触すること
はなくなり、樹脂封入までその形状を維持し、また封止
後に絶縁フィルム10を残存していても耐熱性絶縁体の
ため悪影響はない。
第3図(blに全体の平面図を示しているが、本例はL
SIメモリ、例えば64にビットDRAMのチップ部分
の平面図である。著しく高集積化されると、半導体チッ
プ1は大きくなるものの、パンケージの型式に規正され
て、チップ形状は一方向に細長くならざるを得ない。且
つ、ポンディングパッド領域は長手方向の両端に設けら
れる。従って、図示のようにボンディングソイ4ツ2が
極めて長くなって、本発明による構造が必要になるわけ
である。
SIメモリ、例えば64にビットDRAMのチップ部分
の平面図である。著しく高集積化されると、半導体チッ
プ1は大きくなるものの、パンケージの型式に規正され
て、チップ形状は一方向に細長くならざるを得ない。且
つ、ポンディングパッド領域は長手方向の両端に設けら
れる。従って、図示のようにボンディングソイ4ツ2が
極めて長くなって、本発明による構造が必要になるわけ
である。
次に、第4図(a)、 (b)は本発明にかかる他の実
施例を示した図で、同図(81は部分断面図、同図(b
lは全体平面図である。本例では絶縁フィルム11をワ
イヤ接続端子4の先端部分に貼付しており、この絶縁フ
ィルム11によって半導体チップ1との接触を防いでい
る。この場合、絶縁フィルムの厚さは200〜300μ
mと厚くする。
施例を示した図で、同図(81は部分断面図、同図(b
lは全体平面図である。本例では絶縁フィルム11をワ
イヤ接続端子4の先端部分に貼付しており、この絶縁フ
ィルム11によって半導体チップ1との接触を防いでい
る。この場合、絶縁フィルムの厚さは200〜300μ
mと厚くする。
また、第5図(a)、 (b)は本発明にかかる更に他
の実施例を示した図で、同図(11)は部分断面図、同
図(b)は全体平面図である。本例では絶縁フィルム1
2を半導体チップ1の表面周囲に貼付しており、同様に
接触防止の効果がある。
の実施例を示した図で、同図(11)は部分断面図、同
図(b)は全体平面図である。本例では絶縁フィルム1
2を半導体チップ1の表面周囲に貼付しており、同様に
接触防止の効果がある。
これらの絶縁フィルムの取りつけはいづれも半導体チッ
プ1をステージ3に取りつけた後、ワイヤをボンディン
グする前に行う。かくすることによって、ボンディング
ワイヤが垂れ下っても、半導体チップとは絶縁が維持さ
れる。
プ1をステージ3に取りつけた後、ワイヤをボンディン
グする前に行う。かくすることによって、ボンディング
ワイヤが垂れ下っても、半導体チップとは絶縁が維持さ
れる。
(fl 発明の効果
以上の説明から判るように、本発明によればボンディン
グワイヤの接触が防止されて、半導体装置の歩留並びに
信頼性が向上するものである。
グワイヤの接触が防止されて、半導体装置の歩留並びに
信頼性が向上するものである。
なお、本発明はプラスティック樹脂封止型半導体装置だ
けでなく、セラミック容器などパッケージ封止型半導体
装置にも適用できることは云うまでもない。
けでなく、セラミック容器などパッケージ封止型半導体
装置にも適用できることは云うまでもない。
第1図はワイヤ配線の全体断面図、第2図(a)。
(blは従来の問題点を示す部分断面図と部分平面図、
第3図(al、 (blは本発明にかかる一実施例の一
部断面図と全体平面図、第4図f8)、 fb)は本発
明にかかる他の実施例の部分断面図と全体平面図、第5
図(a)、 (b)は本発明にかかる更に他の実施例の
部分断面図と全体平面図である。 図中、1+↓半導体チップ、2はボンディングワイヤ、
3はステージ、4はワイヤ接続端子、10゜11.12
は絶縁フィルムを示している。 第1図 第3図 0 。 〆−/S C5b −ノ −ノ
第3図(al、 (blは本発明にかかる一実施例の一
部断面図と全体平面図、第4図f8)、 fb)は本発
明にかかる他の実施例の部分断面図と全体平面図、第5
図(a)、 (b)は本発明にかかる更に他の実施例の
部分断面図と全体平面図である。 図中、1+↓半導体チップ、2はボンディングワイヤ、
3はステージ、4はワイヤ接続端子、10゜11.12
は絶縁フィルムを示している。 第1図 第3図 0 。 〆−/S C5b −ノ −ノ
Claims (1)
- 半導体チップとボンディングワイヤとの短絡防止用絶縁
フィルムがパッケージ側のワイヤ接続端子の先端部分、
もしくは該半導体チップ表面に、その周縁部からはみ出
すように貼付されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58173541A JPS6064442A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58173541A JPS6064442A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6064442A true JPS6064442A (ja) | 1985-04-13 |
JPH0469424B2 JPH0469424B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=15962441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58173541A Granted JPS6064442A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6064442A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5334803A (en) * | 1991-10-30 | 1994-08-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of producing the same |
US5585667A (en) * | 1994-12-23 | 1996-12-17 | National Semiconductor Corporation | Lead frame for handling crossing bonding wires |
US5710457A (en) * | 1994-10-28 | 1998-01-20 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit |
JP2008004650A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016192513A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社沖データ | 半導体装置、半導体素子アレイ装置、及び画像形成装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5265868U (ja) * | 1975-11-11 | 1977-05-16 | ||
JPS5375763A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-05 | Nec Corp | Manufacture for semiconductor device |
JPS5784752U (ja) * | 1980-11-12 | 1982-05-25 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP58173541A patent/JPS6064442A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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JPS5784752U (ja) * | 1980-11-12 | 1982-05-25 |
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USRE35496E (en) * | 1991-10-30 | 1997-04-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of producing the same |
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JP2016192513A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社沖データ | 半導体装置、半導体素子アレイ装置、及び画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0469424B2 (ja) | 1992-11-06 |
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