JPS6063920A - 気相処理装置 - Google Patents
気相処理装置Info
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- JPS6063920A JPS6063920A JP13715384A JP13715384A JPS6063920A JP S6063920 A JPS6063920 A JP S6063920A JP 13715384 A JP13715384 A JP 13715384A JP 13715384 A JP13715384 A JP 13715384A JP S6063920 A JPS6063920 A JP S6063920A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はプラズマ放電を利用したデポジション装置等
の気相処理装置に関する。たとえば、減圧気相中でウェ
ハ等の板状物の表面処理を行なう装置については、特公
昭５０−９４７１号に示されている。
の気相処理装置に関する。たとえば、減圧気相中でウェ
ハ等の板状物の表面処理を行なう装置については、特公
昭５０−９４７１号に示されている。
気相中で化学反応を行わせて得た物質をプラズマ放電に
より励起させこのプラズマ電界中に載置した基板上に被
膜としてデポジション（析出）するプラズマデポジショ
ン法は周知である。このプラズマデポジション法による
被膜は比較的低温えば半導体装置におけるシリコン・ナ
イトライド被膜形成に多く利用されている。
より励起させこのプラズマ電界中に載置した基板上に被
膜としてデポジション（析出）するプラズマデポジショ
ン法は周知である。このプラズマデポジション法による
被膜は比較的低温えば半導体装置におけるシリコン・ナ
イトライド被膜形成に多く利用されている。
かかるプラズマデポジションによるプラズマナイトライ
ドデポジション装置として使用する電極によって容量方
式と誘導コイル方式に区分される。
ドデポジション装置として使用する電極によって容量方
式と誘導コイル方式に区分される。
従来型の装置は例えば容量方式においては第３図に示す
ようにベルジュア１０内に上下二枚の電極８゜９を対向
せしめこれら電極間に高周波電圧を印加し、上下電極間
に導入される反応ガスをプラズマ放電し、下部電極９上
に載置された、例えばシリコンウェハ２などの物体上に
シリコンナイトライドやシリコン酸化物を形成せしめる
ものである。
ようにベルジュア１０内に上下二枚の電極８゜９を対向
せしめこれら電極間に高周波電圧を印加し、上下電極間
に導入される反応ガスをプラズマ放電し、下部電極９上
に載置された、例えばシリコンウェハ２などの物体上に
シリコンナイトライドやシリコン酸化物を形成せしめる
ものである。
ところで上記の如きプラズマ反応装置においては、ウェ
ハを載置した下部電極９のみならず、上部電極８にも反
応物質は刺着し、この反応物質は利用することができず
、厚くなると電極よりはがれフレーク発生の原因となる
ので、ペルジュア内をＣＦ、ガスなどを用いてプラズマ
化させクリーニングが必要となってくる。そのため処理
能力に眼界六−ふりＶり１】−ニング布１本ノ】１塘い
シいへ朋頚点がある。
ハを載置した下部電極９のみならず、上部電極８にも反
応物質は刺着し、この反応物質は利用することができず
、厚くなると電極よりはがれフレーク発生の原因となる
ので、ペルジュア内をＣＦ、ガスなどを用いてプラズマ
化させクリーニングが必要となってくる。そのため処理
能力に眼界六−ふりＶり１】−ニング布１本ノ】１塘い
シいへ朋頚点がある。
本発明は、フレーク等の発生を低減することのできる気
相処理装置を提供することにある。
相処理装置を提供することにある。
第１図に本発明が考えたプラズマデポジション装置の例
を示す。同図において１ ａ ｒ １ ｂは相対向する
電極であり一方は接地他方は高周波発振機７に接続され
ている。シリコンウェハ（物体）２を両電極１ａ、１１
）に設置し、上記両電極の外側にヒータ（電気抵抗加熱
器）３を設けてウェハな所望の温度に加熱し、反応ガス
を電極間に導入し、高周波電圧を印加することにより、
反応物質は、上下両電極表面上に設置したウェハにプラ
ズマデポジションされる。
を示す。同図において１ ａ ｒ １ ｂは相対向する
電極であり一方は接地他方は高周波発振機７に接続され
ている。シリコンウェハ（物体）２を両電極１ａ、１１
）に設置し、上記両電極の外側にヒータ（電気抵抗加熱
器）３を設けてウェハな所望の温度に加熱し、反応ガス
を電極間に導入し、高周波電圧を印加することにより、
反応物質は、上下両電極表面上に設置したウェハにプラ
ズマデポジションされる。
第２図は、本発明の一実施例のプラズマ・デポジション
装置の正文断面図である。又反応室を多段にし、中央部
にてはヒータの両側に電極（１ｄ。
装置の正文断面図である。又反応室を多段にし、中央部
にてはヒータの両側に電極（１ｄ。
ｌｅ）があり、中央に通した心棒４によって電力、反応
ガスを供給しさらに処理能方向上を達成できる。上記の
ように反応室を多段にすると、中央部においてはヒータ
ーの熱の逃げは少く、ヒーターの熱の利用効率がよくな
る。
ガスを供給しさらに処理能方向上を達成できる。上記の
ように反応室を多段にすると、中央部においてはヒータ
ーの熱の逃げは少く、ヒーターの熱の利用効率がよくな
る。
本発明の装置によれば、ウエノ・面が横向きなのでフレ
ーク等の異物が落下しても付着することが少ないので、
被処理物の異物・欠陥の低減に有効である。
ーク等の異物が落下しても付着することが少ないので、
被処理物の異物・欠陥の低減に有効である。
第１図は、本発明者が考えたプラズマ・デポジション装
置、第２図は本発明によるプラズマ・デポジション装置
の例の概略図を示し第３図は従来のプラズマ・デポジシ
ョン装置の概略図を示す。 １・・・電極、２・・・ウェノ・、３・・・ヒーター、
４・・・反応ガス供給口、５・・・排気口、６・・・真
空ポンプ、７・・・高周波発振機、８・・・電極、９・
・・電極（サセプター）、１０・・・ペルジュア。 代理人 弁理士 高 橋 明 大 箱 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 ０
置、第２図は本発明によるプラズマ・デポジション装置
の例の概略図を示し第３図は従来のプラズマ・デポジシ
ョン装置の概略図を示す。 １・・・電極、２・・・ウェノ・、３・・・ヒーター、
４・・・反応ガス供給口、５・・・排気口、６・・・真
空ポンプ、７・・・高周波発振機、８・・・電極、９・
・・電極（サセプター）、１０・・・ペルジュア。 代理人 弁理士 高 橋 明 大 箱 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 ０
Claims (1)
- １、減圧中または真空中で被処理板状物に所定の処理を
施す気相処理装置であって、複数の被処理板状物をほぼ
横向きに、かつ、はぼ平面的に保持した状態で処理する
ことを特徴とする気相処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13715384A JPS6063920A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 気相処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13715384A JPS6063920A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 気相処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13163078A Division JPS5559727A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Plasma deposition device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063920A true JPS6063920A (ja) | 1985-04-12 |
Family
ID=15192056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13715384A Pending JPS6063920A (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 気相処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063920A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
| US5326404A (en) * | 1991-12-19 | 1994-07-05 | Sony Corporation | Plasma processing apparatus |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP13715384A patent/JPS6063920A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926793A (en) * | 1986-12-15 | 1990-05-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of forming thin film and apparatus therefor |
| US5326404A (en) * | 1991-12-19 | 1994-07-05 | Sony Corporation | Plasma processing apparatus |
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