JPS6056344A - 走査型反射電子回折顕微装置 - Google Patents
走査型反射電子回折顕微装置Info
- Publication number
- JPS6056344A JPS6056344A JP58163219A JP16321983A JPS6056344A JP S6056344 A JPS6056344 A JP S6056344A JP 58163219 A JP58163219 A JP 58163219A JP 16321983 A JP16321983 A JP 16321983A JP S6056344 A JPS6056344 A JP S6056344A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction
- aperture
- sample
- reflected
- scanning
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は試料表面の結晶性を分析する走査型反射電子回
折顕微装置の改良に関し、特に、反射回折像を螢光板上
でなく陰極管上（（表示することを可能にすることによ
って、装置の小型化、操作性向上、画像処理能力の向上
全図る機構に関するものである。
折顕微装置の改良に関し、特に、反射回折像を螢光板上
でなく陰極管上（（表示することを可能にすることによ
って、装置の小型化、操作性向上、画像処理能力の向上
全図る機構に関するものである。
従来の走査型反射′電子回折顕微装置でに、試料 □表
面上の分析点の結晶構造を知るために、螢光板上に反射
回折像を形成する。しかし、反射回折像から充分な情報
を得るためには螢光板が大きくなり結果として装置が大
型化する２反射回折像中の回折スポットを・ψ、くする
場合に機械的操作にたよらさるえなく操作性が良くない
１反射回折像金画１珍処理する場合二次元画像を画素分
割して記憶する等の特別な装置を必要とする。という欠
点が従来装置にほろり、何らかの対策が望まれていた。
面上の分析点の結晶構造を知るために、螢光板上に反射
回折像を形成する。しかし、反射回折像から充分な情報
を得るためには螢光板が大きくなり結果として装置が大
型化する２反射回折像中の回折スポットを・ψ、くする
場合に機械的操作にたよらさるえなく操作性が良くない
１反射回折像金画１珍処理する場合二次元画像を画素分
割して記憶する等の特別な装置を必要とする。という欠
点が従来装置にほろり、何らかの対策が望まれていた。
したがって、本発明の目的は、反射回折像を・螢光板上
ではなく、陰極線管上に得ることを可能にすることによ
って、小型で、操作性が良く、画像処理能力の大きい走
、ｆ型反射邂子回折顕微装置全提供することにある。
ではなく、陰極線管上に得ることを可能にすることによ
って、小型で、操作性が良く、画像処理能力の大きい走
、ｆ型反射邂子回折顕微装置全提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明においては、試料と
螢光板あるいは酸子検出器との間に偏向系及びアパーチ
ャを設け、偏向系Ｖこよりある角度幅内の反射′醒子線
を偏向し、そのときつ′パーチャ全通過する電子シーよ
る光は号あるいｖｉ亀気侶信号禎陰極紛管の輝度変調信
号に変換することにより−（陰極線管」二に反射回折像
を得ること全月蝕してするように走査型反射電子回折顯
ｗＸ、装置（ｆ−構成し烹こしを特徴としている。
螢光板あるいは酸子検出器との間に偏向系及びアパーチ
ャを設け、偏向系Ｖこよりある角度幅内の反射′醒子線
を偏向し、そのときつ′パーチャ全通過する電子シーよ
る光は号あるいｖｉ亀気侶信号禎陰極紛管の輝度変調信
号に変換することにより−（陰極線管」二に反射回折像
を得ること全月蝕してするように走査型反射電子回折顯
ｗＸ、装置（ｆ−構成し烹こしを特徴としている。
ｖ下、本匪明を図面を用いて訂細に一説明する。
第１図は従来の走査型反射電子回折顕微装置の基本的り
構成を示したものである。同図において、加速電源１？
有する電子錠２から放出される一次篭子ビーム４は収束
Ｖンズ３により真空容器６内にある試料７の表面に収束
さノ′とる。走査電源１４により一次′電子ビーム用偏
向コイル群５？動作させて一次電子ビーム４を試料７の
表面上で走査させる。そのと＠に得ら九る試料７の陰極
線管（以下、ＣＲＴと略称する）１３の輝度変調信号に
かえてＣＲＴ１３上に試料７の吸収電流像？得る。
構成を示したものである。同図において、加速電源１？
有する電子錠２から放出される一次篭子ビーム４は収束
Ｖンズ３により真空容器６内にある試料７の表面に収束
さノ′とる。走査電源１４により一次′電子ビーム用偏
向コイル群５？動作させて一次電子ビーム４を試料７の
表面上で走査させる。そのと＠に得ら九る試料７の陰極
線管（以下、ＣＲＴと略称する）１３の輝度変調信号に
かえてＣＲＴ１３上に試料７の吸収電流像？得る。
この吸収電流像から試料７上の分析すべき場所全選択す
る。この分析点に一次電子像４を固定照射することによ
って得られる反射回折線８ｔユ螢光似９上にのぞき窓１
０を通して反射回折像として観測される。この回折像を
解析することに、〔っで試料７０表面上の任意の場所の
結晶状態（試料７の表面部分を溝底する元素の配列状態
）を分析することが可能となる。さらに、アパーチャ［
１を使用しである特定の回折スポット７選び、光電変換
素子（例えば、フォトマルチプライヤ）１２から得られ
る電気信号音一次電子ビーム４の走査に同期させてＣ几
Ｔ１３の輝度変調信号にかメーることによってＣＲＴ１
３上に回折顕微像が得られる。
る。この分析点に一次電子像４を固定照射することによ
って得られる反射回折線８ｔユ螢光似９上にのぞき窓１
０を通して反射回折像として観測される。この回折像を
解析することに、〔っで試料７０表面上の任意の場所の
結晶状態（試料７の表面部分を溝底する元素の配列状態
）を分析することが可能となる。さらに、アパーチャ［
１を使用しである特定の回折スポット７選び、光電変換
素子（例えば、フォトマルチプライヤ）１２から得られ
る電気信号音一次電子ビーム４の走査に同期させてＣ几
Ｔ１３の輝度変調信号にかメーることによってＣＲＴ１
３上に回折顕微像が得られる。
この回折顕微像から試料７の表面の結晶分布がわかり、
試料７の異面の結晶解析の有力な手段となる。このよう
に上記走査型反射電子回折顕微装置は表面の結晶状態を
ミクロに調べる上で有力な装置である。しかし、広範囲
の反射回折線ヲ螢光板９上で観察する心太があるため、
螢光、＆９が太きく ’ｈ リ結果として装置が大型化
する。める特定の回折スポフト（ｚ選択する場合、光電
変換素子１２堂アパーチャ１１を機械的に動かす必要が
あり操作性が艮〈ｌい１反射回折像＊ １ｌｆｊ像処理
する場合二次元ＩＩ！１１像を記憶する等の特別な装置
を必要とうる１等の欠点がある。
試料７の異面の結晶解析の有力な手段となる。このよう
に上記走査型反射電子回折顕微装置は表面の結晶状態を
ミクロに調べる上で有力な装置である。しかし、広範囲
の反射回折線ヲ螢光板９上で観察する心太があるため、
螢光、＆９が太きく ’ｈ リ結果として装置が大型化
する。める特定の回折スポフト（ｚ選択する場合、光電
変換素子１２堂アパーチャ１１を機械的に動かす必要が
あり操作性が艮〈ｌい１反射回折像＊ １ｌｆｊ像処理
する場合二次元ＩＩ！１１像を記憶する等の特別な装置
を必要とうる１等の欠点がある。
こｔＬＶこ対して、次に述べる本発明Ｖこよる装置によ
りこハらの欠点を除去することができる。本発明による
走査型反射電子回折顕微装置の基本構成ケ第２図に示す
。本発明の最も特徴とする部分に螢光恨９、のぞき窓１
０、アパーチャ１１、光電変換素子１２、信号切替スイ
ッチ１５、磁場迦蔽＆１６、反射回折線用偏向コイル群
１７、反射回折線用ＣＲＴＬ８、反射回折線用走食電源
１９よりなる信号検出部にある。
りこハらの欠点を除去することができる。本発明による
走査型反射電子回折顕微装置の基本構成ケ第２図に示す
。本発明の最も特徴とする部分に螢光恨９、のぞき窓１
０、アパーチャ１１、光電変換素子１２、信号切替スイ
ッチ１５、磁場迦蔽＆１６、反射回折線用偏向コイル群
１７、反射回折線用ＣＲＴＬ８、反射回折線用走食電源
１９よりなる信号検出部にある。
一次寛子ビーム４を試料７の表面に固定したときに得ら
れる反射回折線８の一部は磁場遮蔽板１６を通過し、さ
らに小さな部分がアノ（−チャ１１を通過して螢光板９
上に輝点を形成する。さらに、のぞき窓１０を通して光
電変換素子１２によってこの輝点による光信号を受けて
電気信号に変換し、反射回折線用ＣＲＴ１８の輝度変調
信号として使用する。このとき、反射回折線用走査電源
１９ンこより反射回折線用偏向コイル群１７全動作させ
、磁場遮蔽板１６を通過した反射回折線８を偏向し、こ
の偏向に同期した輝度変調像を反射回折線用ＣＩｔＴ１
８上に表示する。磁場趙蔽板１６は反射回折線用コイル
群全動作させたときに生ずる磁場を遮蔽し、−次電子ビ
ーム４σ）照射点？一定に保つ役割１ｆ：：はたす。
れる反射回折線８の一部は磁場遮蔽板１６を通過し、さ
らに小さな部分がアノ（−チャ１１を通過して螢光板９
上に輝点を形成する。さらに、のぞき窓１０を通して光
電変換素子１２によってこの輝点による光信号を受けて
電気信号に変換し、反射回折線用ＣＲＴ１８の輝度変調
信号として使用する。このとき、反射回折線用走査電源
１９ンこより反射回折線用偏向コイル群１７全動作させ
、磁場遮蔽板１６を通過した反射回折線８を偏向し、こ
の偏向に同期した輝度変調像を反射回折線用ＣＩｔＴ１
８上に表示する。磁場趙蔽板１６は反射回折線用コイル
群全動作させたときに生ずる磁場を遮蔽し、−次電子ビ
ーム４σ）照射点？一定に保つ役割１ｆ：：はたす。
このようにして得られた反射回折線用Ｃ狂′Ｐ１８上の
輝度変調像は、第１図に示す従来装置で螢光板９上に得
られる反射回折像とまったく等価′ｆＬ像になる。また
、ある特定回折スポフトを信号とする回折顕微像は反射
回折線用ＣＲＴ上に表示されている反射回折像中の回折
スボントの位置にＣＲＴの陰極線を固定し、この状態で
信号切替スイッチ１５ｔＣ）ｔＴ１３の方に切替え、走
査電源１４（（より一定電子ビーム４を試料７の表面上
で走査することによってＣＲＴ１３上に得ることができ
る。
輝度変調像は、第１図に示す従来装置で螢光板９上に得
られる反射回折像とまったく等価′ｆＬ像になる。また
、ある特定回折スポフトを信号とする回折顕微像は反射
回折線用ＣＲＴ上に表示されている反射回折像中の回折
スボントの位置にＣＲＴの陰極線を固定し、この状態で
信号切替スイッチ１５ｔＣ）ｔＴ１３の方に切替え、走
査電源１４（（より一定電子ビーム４を試料７の表面上
で走査することによってＣＲＴ１３上に得ることができ
る。
第２図に示す実施例により、反射回折像乞取得する場合
に大口径の螢光板を必要としない、すべての信号取得ｋ
ｔ！気的に行なえるので操作性が非常に良く、また走査
電源１９の走査に同期して得ら〕する光′冠変撲素子１
２からの五気信号をメモリーに記１．はし種々の処理全
行なうことによって信号のＳ、／Ｎ’に増大させること
かでさる等の画像処理を容易に行１ｒうことができるｌ
’ＦＴ’の効果を得ることができる。
に大口径の螢光板を必要としない、すべての信号取得ｋ
ｔ！気的に行なえるので操作性が非常に良く、また走査
電源１９の走査に同期して得ら〕する光′冠変撲素子１
２からの五気信号をメモリーに記１．はし種々の処理全
行なうことによって信号のＳ、／Ｎ’に増大させること
かでさる等の画像処理を容易に行１ｒうことができるｌ
’ＦＴ’の効果を得ることができる。
以上に述べ女、如く、本発明による走査型反射電子回折
顯倣装置は反射回折線像を大口径の螢光板上でなく、陰
極線管上に得ることを可能にすることによって、小型で
、操作性が良く、画像処理が容易であるという極めて優
れた利点を持つ。
顯倣装置は反射回折線像を大口径の螢光板上でなく、陰
極線管上に得ることを可能にすることによって、小型で
、操作性が良く、画像処理が容易であるという極めて優
れた利点を持つ。
第１図は従来の走査型反射電子回折顕微装置の基本構成
図、第２図は本発明に」こる走査型反射Ｉｉｔ子回折顕
微装置の基本構成図で４りる。。 １・・・加速電源、２・・・′爾、子錠、３・・・収束
リンズ、４・・・−次電子ビーム、５・・・−次中二子
ビーム用偏向コイル群、６・・・真空容器、７・・試料
、８・・・反射回折線、９・・・螢光板、１０・・・の
ぞき窓、１１・・・アパーチャ、１２・・・光電変換素
子、１３・・・陰極線憤（Ｃ）（Ｔ）、１４・・・疋食
屯源、１５・・・信号切替スイッチ、１６・・・磁場逼
藪似、１７・・・反射回折線用偏向コイル群、１８・・
・反射回折線像（“ＲＴ、１９・・・及第 １ 図 １ 第 Ｚ 図 ／１
図、第２図は本発明に」こる走査型反射Ｉｉｔ子回折顕
微装置の基本構成図で４りる。。 １・・・加速電源、２・・・′爾、子錠、３・・・収束
リンズ、４・・・−次電子ビーム、５・・・−次中二子
ビーム用偏向コイル群、６・・・真空容器、７・・試料
、８・・・反射回折線、９・・・螢光板、１０・・・の
ぞき窓、１１・・・アパーチャ、１２・・・光電変換素
子、１３・・・陰極線憤（Ｃ）（Ｔ）、１４・・・疋食
屯源、１５・・・信号切替スイッチ、１６・・・磁場逼
藪似、１７・・・反射回折線用偏向コイル群、１８・・
・反射回折線像（“ＲＴ、１９・・・及第 １ 図 １ 第 Ｚ 図 ／１
Claims (1)
- １、具債中で′成子源から一次′電子ビームーｒ取出し
、上記−次′酸子ビームを収束レンズ及び偏向系によっ
て試料表面上の所定領域に所定角度で照射し、それによ
って上記試料の表面で反射される反射回折線による回折
像を螢光板上に形成し、上記螢光板上の回折像の中の特
定回折スボントからの発光のみをアパーチャによって選
択的に取出し、光電変換素子により電気信号に変換して
走査電子顕微像？得る走査型反射電子回折顕微装置にお
いて、上記試料と上記螢光板との間に偏向系及びアパー
チャを設け、上記偏向系によりある角度幅内の上記反射
回折線を偏向し、上記アパーチャを通過する電子による
電気信号を陰極線管の輝度変調信号に変換することによ
って、上記陰極線管上に反射回折１＃を得るようにして
なることを特徴とする走査型反射電子回折顕微装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163219A JPS6056344A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163219A JPS6056344A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6056344A true JPS6056344A (ja) | 1985-04-01 |
| JPH0586022B2 JPH0586022B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=15769568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163219A Granted JPS6056344A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056344A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295538U (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-30 | ||
| EP0499490A2 (en) * | 1991-02-15 | 1992-08-19 | Shimadzu Corporation | Scanning reflection electron diffraction microscope |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363860A (en) * | 1976-11-12 | 1978-06-07 | Siemens Ag | Method of displaying diffraction picture of transmissive scan particleeray microscope |
| JPS5510212U (ja) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP58163219A patent/JPS6056344A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363860A (en) * | 1976-11-12 | 1978-06-07 | Siemens Ag | Method of displaying diffraction picture of transmissive scan particleeray microscope |
| JPS5510212U (ja) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0295538U (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-30 | ||
| JPH0515943Y2 (ja) * | 1989-01-11 | 1993-04-27 | ||
| EP0499490A2 (en) * | 1991-02-15 | 1992-08-19 | Shimadzu Corporation | Scanning reflection electron diffraction microscope |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0586022B2 (ja) | 1993-12-09 |
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