JPS6053445B2 - プランジャソレノイドコイルの電流制限回路 - Google Patents
プランジャソレノイドコイルの電流制限回路Info
- Publication number
- JPS6053445B2 JPS6053445B2 JP51132123A JP13212376A JPS6053445B2 JP S6053445 B2 JPS6053445 B2 JP S6053445B2 JP 51132123 A JP51132123 A JP 51132123A JP 13212376 A JP13212376 A JP 13212376A JP S6053445 B2 JPS6053445 B2 JP S6053445B2
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- Japan
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- solenoid
- power
- suction
- current
- solenoid coil
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプランジャソレノイドコイル(以後、ソレノイ
ドという)の電流制限回路に関するものである。
ドという)の電流制限回路に関するものである。
一般にソレノイドは第1図に示す如く、ストロークが大
きい時(第1日A点)は吸引力は小さくストロークが小
さく (特に吸引後、第1図B点)なれば非常に大きな
吸引力を有する。
きい時(第1日A点)は吸引力は小さくストロークが小
さく (特に吸引後、第1図B点)なれば非常に大きな
吸引力を有する。
所が吸引後はこのような大きな吸引力を必要としない装
置においては従来第2図及び第3図に示す如く吸引中は
3又は4のトランジスタをON(飽和状態とする)とし
、ソレノイド1の両端に全電源電圧を供給しソレノイド
に大きな吸引力を与え、吸引後は大電力用の抵抗2又は
大電力用のトランジスタ4によつて電源電圧を分圧しソ
レノイド1の両端にかかる電圧を数分の1にする事によ
つてソレノイドに流れる電流を制限し吸引後のソレノイ
ドに必要な保持力(第1図°点)を維持するに必要な電
流値(保持電流という)にまで制限していた。
置においては従来第2図及び第3図に示す如く吸引中は
3又は4のトランジスタをON(飽和状態とする)とし
、ソレノイド1の両端に全電源電圧を供給しソレノイド
に大きな吸引力を与え、吸引後は大電力用の抵抗2又は
大電力用のトランジスタ4によつて電源電圧を分圧しソ
レノイド1の両端にかかる電圧を数分の1にする事によ
つてソレノイドに流れる電流を制限し吸引後のソレノイ
ドに必要な保持力(第1図°点)を維持するに必要な電
流値(保持電流という)にまで制限していた。
さらに、この吸引後の電流制限によつてソレノイドの吸
引後の消費電力の低減及びソレノイドの温度上昇による
焼損を防いでいた。尚第1図のaカーブはソレノイドに
全電圧がか、かつた時のストロークと吸引力の関係、を
カーブはソレノイドにかかる電圧を落とした(電流制限
)時のストロークの吸引力の関係を示し、cカーブは装
置の負荷である。
引後の消費電力の低減及びソレノイドの温度上昇による
焼損を防いでいた。尚第1図のaカーブはソレノイドに
全電圧がか、かつた時のストロークと吸引力の関係、を
カーブはソレノイドにかかる電圧を落とした(電流制限
)時のストロークの吸引力の関係を示し、cカーブは装
置の負荷である。
第1図によればこのソレノイドに要求される吸J引力は
(負荷はストロークに関係なく一定である)ストローク
に関係なく2.7に9以上の吸引力を必要とし4点より
吸引し8点まで動カルて保持したとすると4点では2.
8に9の吸引力であつたのに8点では7に9もの吸引力
を有している。
(負荷はストロークに関係なく一定である)ストローク
に関係なく2.7に9以上の吸引力を必要とし4点より
吸引し8点まで動カルて保持したとすると4点では2.
8に9の吸引力であつたのに8点では7に9もの吸引力
を有している。
そこで第′−2図及び第3図の様な方法で吸引後電流制
限を行い負荷を保持するに必要な保持力C点を得ている
。所が一方ソレノイド1の電流を制限する為に直列に入
れた抵抗器2及びトランジスタ4には保持電流が流れる
為ソレノイドを保持する為に必要な電力以外に余分に抵
抗器2又はトランジスタ4によつて電力を消費する事に
なる。
限を行い負荷を保持するに必要な保持力C点を得ている
。所が一方ソレノイド1の電流を制限する為に直列に入
れた抵抗器2及びトランジスタ4には保持電流が流れる
為ソレノイドを保持する為に必要な電力以外に余分に抵
抗器2又はトランジスタ4によつて電力を消費する事に
なる。
例えば直列に入れた抵抗値(r)をソレノイドの抵抗値
(R)の2倍とし電源電圧を(■)吸引後ソレノイドで
消費される電力を(Ps)、直列抵抗器で消費される電
力を(Pr)とすれば(但し、トランジスタのスイッチ
ング動作における電圧降下は無視するものとする)とな
り、抵抗器2はソレノイド1で消費される電力の2倍も
の電力を余分に消費する事になり、大電力用の抵抗器を
必要とする上、発熱に対する配慮も必要である。
(R)の2倍とし電源電圧を(■)吸引後ソレノイドで
消費される電力を(Ps)、直列抵抗器で消費される電
力を(Pr)とすれば(但し、トランジスタのスイッチ
ング動作における電圧降下は無視するものとする)とな
り、抵抗器2はソレノイド1で消費される電力の2倍も
の電力を余分に消費する事になり、大電力用の抵抗器を
必要とする上、発熱に対する配慮も必要である。
又トランジスタ4についても抵抗器2の場合と同じ事が
いえ、トランジスタ4は大電力用のものが必要な上発熱
に対する配慮も必要となる。そこで本発明はこの無駄な
電力の消費をなくししかも電流制限を行なうようソレノ
イドに供給される電流を2電源とし吸引中に高い電圧を
供給し吸引後は低い電圧が供給されるように半導体回路
によるスイッチングを行い吸引後の消費電力をほとんど
ソレノイドのみで消費するようにしたソレ.ノイドの電
流制限回路を提供せんとするものである。
いえ、トランジスタ4は大電力用のものが必要な上発熱
に対する配慮も必要となる。そこで本発明はこの無駄な
電力の消費をなくししかも電流制限を行なうようソレノ
イドに供給される電流を2電源とし吸引中に高い電圧を
供給し吸引後は低い電圧が供給されるように半導体回路
によるスイッチングを行い吸引後の消費電力をほとんど
ソレノイドのみで消費するようにしたソレ.ノイドの電
流制限回路を提供せんとするものである。
以下本発明回路の具体化例を図面を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
第4図において外部より吸引中に必要な電流■1及び吸
引後に必要な電源V2(V1〉V2=眉、〜↓V1)が
供給され、V1はPNPトランジスタqのエミッターと
バイアス抵植只、に、V2はNPNトランジスタQ3の
コレクタに接続される。
引後に必要な電源V2(V1〉V2=眉、〜↓V1)が
供給され、V1はPNPトランジスタqのエミッターと
バイアス抵植只、に、V2はNPNトランジスタQ3の
コレクタに接続される。
Q2のコレクタ−ー及びαのエミッターは直接接続され
ソレノイド1の一方に直結され、又ソレノイド1の他方
は共通のアースに接続される。さらにR1の他方はqの
ベース及び3の該回路の制御回路(電流制限回路には直
接関係がないので図の様なスイッチで代用する)に接続
されると共に制御回路3のスイッチが0N(閉成される
)のときには放電、0FFのときには充電されるような
コンデンサC1に接続される。該C1の他方はC1が充
電中には0Nになる様なQ1のベースに接続されQ1の
コレクターはR,を介してQ1が0NのときQ2も0N
になる様なQ2のベースに接続される。尚、Dl,R2
は回路保護用のダイオード及び抵)抗であり、また、D
2は回路保護を行なうと共にコンデンサC1の放電を急
速に行わせるためのダイオードである。
ソレノイド1の一方に直結され、又ソレノイド1の他方
は共通のアースに接続される。さらにR1の他方はqの
ベース及び3の該回路の制御回路(電流制限回路には直
接関係がないので図の様なスイッチで代用する)に接続
されると共に制御回路3のスイッチが0N(閉成される
)のときには放電、0FFのときには充電されるような
コンデンサC1に接続される。該C1の他方はC1が充
電中には0Nになる様なQ1のベースに接続されQ1の
コレクターはR,を介してQ1が0NのときQ2も0N
になる様なQ2のベースに接続される。尚、Dl,R2
は回路保護用のダイオード及び抵)抗であり、また、D
2は回路保護を行なうと共にコンデンサC1の放電を急
速に行わせるためのダイオードである。
次に以上の如く構成される本発明回路の動作について説
明する。該回路を0N10FFさせる為の・制御回路3
のスイッチが0Nされアース回路に接続されているとき
Q3のベース及びQ1のベースは直流的にアース電位に
接続されQ,は0FF..Q1もOFF..Q1のコレ
クタよりR3を介してベースに接続されているQ2も0
FFである。従つてソレノイード1はOのエミッター、
Q2のコレクターによりそれぞれの電源から遮断されて
いる。次に3のスイッチが0FF(開成される)となる
と■1に接続されたR1→C1→Q1のベース→Q1の
エミッター→アースを通してC1に充電が始まると同時
にQ1が0NとなりQ1のコレクタ―電流(=Q2のベ
ース電流)がV,→Q2のエミッター→Q2のベース→
R3→Q1のコレクター→Q1のエミッター→アースを
通して流れると共にQ2が0Nとなり、ソレノイドにV
1→Q2のエミッターQ2のコレクター→ソレノイド→
アースを通して電流が流れソレノイドが吸引される。
明する。該回路を0N10FFさせる為の・制御回路3
のスイッチが0Nされアース回路に接続されているとき
Q3のベース及びQ1のベースは直流的にアース電位に
接続されQ,は0FF..Q1もOFF..Q1のコレ
クタよりR3を介してベースに接続されているQ2も0
FFである。従つてソレノイード1はOのエミッター、
Q2のコレクターによりそれぞれの電源から遮断されて
いる。次に3のスイッチが0FF(開成される)となる
と■1に接続されたR1→C1→Q1のベース→Q1の
エミッター→アースを通してC1に充電が始まると同時
にQ1が0NとなりQ1のコレクタ―電流(=Q2のベ
ース電流)がV,→Q2のエミッター→Q2のベース→
R3→Q1のコレクター→Q1のエミッター→アースを
通して流れると共にQ2が0Nとなり、ソレノイドにV
1→Q2のエミッターQ2のコレクター→ソレノイド→
アースを通して電流が流れソレノイドが吸引される。
このときQ3のエミッター電位はほぼV1(実際にはQ
2のコレクターエミッター間による飽和電圧(0.1V
〜0.5■)が差し引かれる)に等しく又Q3のベース
電位はC1の充電電圧がかかつているが■1より大きく
なる事はなく、Q3は0FFの状態にある。而してソレ
ノイドがV1により完全に吸引される。さらにR1によ
るC1への充電が進みQ1を0Nにするに足りる充電電
流が流れなくなり始めるとQ1のコレクタ電流つまりQ
2のベース電流も減り始め、さらにQ2のコレクター電
流が減り始める。するとQ2はもはやONの状態を維持
できなくなり0FFになろうとし始める。ということは
Q2のコレクターエミッター間の電圧降下が大きくなり
始め、ソレノイドにかかる電圧が小さくなり始める。
2のコレクターエミッター間による飽和電圧(0.1V
〜0.5■)が差し引かれる)に等しく又Q3のベース
電位はC1の充電電圧がかかつているが■1より大きく
なる事はなく、Q3は0FFの状態にある。而してソレ
ノイドがV1により完全に吸引される。さらにR1によ
るC1への充電が進みQ1を0Nにするに足りる充電電
流が流れなくなり始めるとQ1のコレクタ電流つまりQ
2のベース電流も減り始め、さらにQ2のコレクター電
流が減り始める。するとQ2はもはやONの状態を維持
できなくなり0FFになろうとし始める。ということは
Q2のコレクターエミッター間の電圧降下が大きくなり
始め、ソレノイドにかかる電圧が小さくなり始める。
この頃になるとC1はほぼ充電が完了しC1の電位がV
1近くになつている。このC1の電位がソレノイドにか
かる電圧より大きくなると、いいかえればQ3のベース
電圧がQ3のエミッター電圧より高く(約0.7V位)
なると急激にQ3が0NとなりQl,Q2は0FFとな
る。従つてソレノイドはらによつてV1より切り離され
、V1よりJ−!氏いV2に接続され吸引後は吸
241引中の糺ヒ〜−の電流値て保持する。
1近くになつている。このC1の電位がソレノイドにか
かる電圧より大きくなると、いいかえればQ3のベース
電圧がQ3のエミッター電圧より高く(約0.7V位)
なると急激にQ3が0NとなりQl,Q2は0FFとな
る。従つてソレノイドはらによつてV1より切り離され
、V1よりJ−!氏いV2に接続され吸引後は吸
241引中の糺ヒ〜−の電流値て保持する。
24
この後、ソレノイドの駆動を停止させる場合には、3の
スイッチを0NすることによりQl,Q2,qは全て0
FFされるため、ソレノイドは電源から遮断される。
スイッチを0NすることによりQl,Q2,qは全て0
FFされるため、ソレノイドは電源から遮断される。
また、充電状態にあるC1は3のスイッチ及びD2を介
して急速に放電が行われる。尚Q3が0Nとなつた時Q
l,Q2が0FFになるのはQ3はエミッターフォロワ
ーとして使用されている為Oが0NになればQ3のエミ
ッター電位は即V2となり、qのベース電圧は■2+0
.7Vとなる。
して急速に放電が行われる。尚Q3が0Nとなつた時Q
l,Q2が0FFになるのはQ3はエミッターフォロワ
ーとして使用されている為Oが0NになればQ3のエミ
ッター電位は即V2となり、qのベース電圧は■2+0
.7Vとなる。
という事はQ2が0Nの間はC1はほぼV1まで充電さ
れていたものがQ3の0NにによりV2+0.7Vまで
放電した事になりC1のマイナス側、つまりQ1のベー
スには−(V1−(V2+0.7))■なる負電圧が現
われQl,Q2を直ちに0FFとしているが、実際には
この負電圧によつてQ1が破壊されるのを防止する為D
2なるダイオードを入れてこの負電圧をD2によつてバ
イパスしD2の電圧降下による約一0.7■の逆バイア
スをQ1のベースに与えている。このQ2ONからQ,
ONに切り変る過程は一瞬の内に行われ使用されている
トランジスタは全てス!ツチング動作を行なわせている
ためQ2及びqが能動領域を通過する時間は一瞬であり
よく見られる様な能動領域を通過する時間が長いための
トランジスタのランナウェイによる破壊もしくは発熱が
全くない。従つてQ2及びらは許容損失の小さなトラン
ジスタで十分まかなえる事になり従来の様にソレノイド
で消費させる電力を減らす変りに大電力用の抵抗又は大
電力用のトランジスタで電力を消費させる必要はなく又
系全体の消費電力が数分の1小さくてすむような事を特
徴とする回路である。
れていたものがQ3の0NにによりV2+0.7Vまで
放電した事になりC1のマイナス側、つまりQ1のベー
スには−(V1−(V2+0.7))■なる負電圧が現
われQl,Q2を直ちに0FFとしているが、実際には
この負電圧によつてQ1が破壊されるのを防止する為D
2なるダイオードを入れてこの負電圧をD2によつてバ
イパスしD2の電圧降下による約一0.7■の逆バイア
スをQ1のベースに与えている。このQ2ONからQ,
ONに切り変る過程は一瞬の内に行われ使用されている
トランジスタは全てス!ツチング動作を行なわせている
ためQ2及びqが能動領域を通過する時間は一瞬であり
よく見られる様な能動領域を通過する時間が長いための
トランジスタのランナウェイによる破壊もしくは発熱が
全くない。従つてQ2及びらは許容損失の小さなトラン
ジスタで十分まかなえる事になり従来の様にソレノイド
で消費させる電力を減らす変りに大電力用の抵抗又は大
電力用のトランジスタで電力を消費させる必要はなく又
系全体の消費電力が数分の1小さくてすむような事を特
徴とする回路である。
また、本発明による回路ではC1の放電を急速に行うD
2を設け、3のスイッチが短時間の間に0N,.0FF
された場合でもC1を完全に放電させる.ことができる
ため、ソレノイドが駆動されなくなることを防ぐことが
できる。以下に従来の回路と本発明による回路の比較を
行ないながら更に本発明回路の特徴を説明する。
2を設け、3のスイッチが短時間の間に0N,.0FF
された場合でもC1を完全に放電させる.ことができる
ため、ソレノイドが駆動されなくなることを防ぐことが
できる。以下に従来の回路と本発明による回路の比較を
行ないながら更に本発明回路の特徴を説明する。
条件を同じくする為従来の回路、本発明回路のソレノイ
ドの抵抗をR1電源電圧を■1(本発明回路は吸引中に
必要な高い方の電源とする)とし吸引後の電流を吸引中
の電流ちの人に制限するものとすると、第2図では吸引
後の電流をAにするには抵抗器2の抵抗値rはr=訳と
なる。従つて吸引中の電流1。
ドの抵抗をR1電源電圧を■1(本発明回路は吸引中に
必要な高い方の電源とする)とし吸引後の電流を吸引中
の電流ちの人に制限するものとすると、第2図では吸引
後の電流をAにするには抵抗器2の抵抗値rはr=訳と
なる。従つて吸引中の電流1。
:V1/R吸引後の電流
又吸引中におけるソレノイドの消費電力
吸引後におけるソレノーYFの消!亨力
吸引後における抵抗の消費電力
吸引後における全体の消費電力
となり吸引後におけるソレノイドの消費電力は吸引中の
Δになる。
Δになる。
にもかかわらず抵抗によつても電力消費が行われ系全体
としては吸引中のAの電力消費となる。第3図では吸引
後の電流をAにするにはトランジスタ4によつ寸,の電
圧降下を生じさせる事・になり同図aの抵抗による消費
電力分をトランジスタで消費させる事により吸引後のソ
レノイドで消費される電力は吸引中のΔ、トランジスタ
はト全体でAとなる。
としては吸引中のAの電力消費となる。第3図では吸引
後の電流をAにするにはトランジスタ4によつ寸,の電
圧降下を生じさせる事・になり同図aの抵抗による消費
電力分をトランジスタで消費させる事により吸引後のソ
レノイドで消費される電力は吸引中のΔ、トランジスタ
はト全体でAとなる。
(尚A,bともスイッチングにおけるトランジスタの電
圧降下は無視する。)本発明回路では吸引後の電流を一
にするにはV2はV2=1!1となる。従つて吸引中の
電流 ち=■1/R 吸引後の電流 吸引中におけるソレノイドの消費電力 PO=POR=10V1 吸引後におけるソレノイドの消費電力ニ系全体の消費電
力となり、従来の回路ど比較して吸引中における電力は
全く変わらないが、吸引後はソレノイドとしては同じよ
うに吸引中の六の電力であるが従来の回路はさらに余分
に抵抗又はトランジスタによつてソレノイドに必要な電
力の2倍にあたる電力を消費し全体として本発明回路の
3倍の電力を消費する事になる。
圧降下は無視する。)本発明回路では吸引後の電流を一
にするにはV2はV2=1!1となる。従つて吸引中の
電流 ち=■1/R 吸引後の電流 吸引中におけるソレノイドの消費電力 PO=POR=10V1 吸引後におけるソレノイドの消費電力ニ系全体の消費電
力となり、従来の回路ど比較して吸引中における電力は
全く変わらないが、吸引後はソレノイドとしては同じよ
うに吸引中の六の電力であるが従来の回路はさらに余分
に抵抗又はトランジスタによつてソレノイドに必要な電
力の2倍にあたる電力を消費し全体として本発明回路の
3倍の電力を消費する事になる。
此様に本発明回路は無駄な電力消費がなくなりしかも電
源制限を行なうことによりソレノイドに供給される電源
を2電源とし、吸引中は高い電圧を供給し、吸引後は低
い電圧が供給されるようにスイッチングを行い吸引後の
電力消費を殆んどソレノイドのみでなされるようにした
ものでソレノイドの電源制限回路としてはきわめて有効
なもの−である。
源制限を行なうことによりソレノイドに供給される電源
を2電源とし、吸引中は高い電圧を供給し、吸引後は低
い電圧が供給されるようにスイッチングを行い吸引後の
電力消費を殆んどソレノイドのみでなされるようにした
ものでソレノイドの電源制限回路としてはきわめて有効
なもの−である。
第1図はプランジャソレノイドコイルのストロークと吸
引力との関係図、第2図及び第3図は従来一般に用いら
れているプランジャソレノイドコイルの電流制限回路の
回路図、第4図は本発明の一実施例に於けるプランジャ
ソレノイドコイルの電流制限回路の回路図である。 1・・・・・・プランジャソレノイドコイル、Q2,Q
,・・・トランジスタ、C1・・・・・コンデンサ、D
2・・・・ダイオード。
引力との関係図、第2図及び第3図は従来一般に用いら
れているプランジャソレノイドコイルの電流制限回路の
回路図、第4図は本発明の一実施例に於けるプランジャ
ソレノイドコイルの電流制限回路の回路図である。 1・・・・・・プランジャソレノイドコイル、Q2,Q
,・・・トランジスタ、C1・・・・・コンデンサ、D
2・・・・ダイオード。
Claims (1)
- 1 プランジャソレノイドコイルに異なる値の電流を供
給する第1及び第2の電源と、この第1及び第2の電源
にそれぞれ接続されプランジャソレノイドコイルに供給
する電源のON、OFFを行う第1及び第2のトランジ
スタと、前記第1及び第2のトランジスタの制御電極間
に接続されたコンデンサと、上記コンデンサの1端と電
源の帰線との間に接続され、その放電を急速に行わせる
放電手段とを設け、コンデンサの充電時に第1のトラン
ジスタをオンさせて第1の電源をプランジャソレノイド
コイルに供給し、コンデンサの充電完了時に第2のトラ
ンジスタをオンさせると共にこの第2のトランジスタの
オンにより第1のトランジスタをオフさせて第2の電源
をプランジャソレノイドコイルに供給させるようにして
制限された電流が流れるようにしたプランジャソレノイ
ドコイルの電流制限回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51132123A JPS6053445B2 (ja) | 1976-11-02 | 1976-11-02 | プランジャソレノイドコイルの電流制限回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51132123A JPS6053445B2 (ja) | 1976-11-02 | 1976-11-02 | プランジャソレノイドコイルの電流制限回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5357462A JPS5357462A (en) | 1978-05-24 |
JPS6053445B2 true JPS6053445B2 (ja) | 1985-11-26 |
Family
ID=15073937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51132123A Expired JPS6053445B2 (ja) | 1976-11-02 | 1976-11-02 | プランジャソレノイドコイルの電流制限回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6053445B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60211726A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-24 | 富士通株式会社 | リレ−駆動方式 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50107458A (ja) * | 1974-01-31 | 1975-08-23 |
-
1976
- 1976-11-02 JP JP51132123A patent/JPS6053445B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50107458A (ja) * | 1974-01-31 | 1975-08-23 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5357462A (en) | 1978-05-24 |
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