JPS6051188B2 - 磁気バブルメモリの駆動法 - Google Patents
磁気バブルメモリの駆動法Info
- Publication number
- JPS6051188B2 JPS6051188B2 JP17195179A JP17195179A JPS6051188B2 JP S6051188 B2 JPS6051188 B2 JP S6051188B2 JP 17195179 A JP17195179 A JP 17195179A JP 17195179 A JP17195179 A JP 17195179A JP S6051188 B2 JPS6051188 B2 JP S6051188B2
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Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリアルループ型の磁気バブルメモリのアク
セスタイムを短縮する駆動法に関する。
セスタイムを短縮する駆動法に関する。
書換え可能な大容量不揮発性メモリとして磁気バブルメ
モリは甚だ有用であるが、このメモリは例えば第１図の
ように用いられる。同図において、ＭＥＭは磁気バブル
メモリで、中央処理装置（マイクロプロセッサ）ＭＰＵ
とバスＢにより接続され、またこのバスには小容量のラ
ンダムアクセスメモリＲＡＭが接続される。磁気バブル
メモリＭＥＭにはメジャー、マイナーループ型とシリア
ルループ型とあるが、シリアルループ型は第２図のよう
に、蛇行しながらも１つのループを構成するパーマロイ
パターンなどからなる転送路ＳＲを用いて磁気バブルの
転送、保持を行なうもので、信号は直列形式になる。Ｒ
ＡＭが用いられるのはこのためで、ＭＰＵは４ビット、
８ビットなどの複数ビット並列転送を行なうので、シリ
アルバブルメモリとの間で直並列変換を行なう。このシ
リアルバブルメモリは、構造は簡単ぜあるがアクセスタ
イムが長いという欠点がある。なお第２図において、Ｒ
ＥＰはレプリケータ、ＤＥＴ、〜ＤＥＴ、はディテクタ
、ＡＮＨはアナイレータ、ＧＥＮはジェネレータ、Ｌｘ
は駆動磁界発生用のＸコイル、Ｌｙは同Ｙコイルである
。この磁気バブルメモリＭＥＭは７２に詳しくは７４０
３２ビットの例であり、ジェネレータＧＥＮの位置を（
Ｏ）ビット目として各々の位置に相当するビットを（７
３９０４）、（７３９０７）等の数字で示してある。総
ビット数が； ７４０３２であるから（Ｏ）ビット目と
（７４０３２）ビット目は同じビットであり、この位置
でバブル発生、検出、消去が行なわれる。このバブルメ
モリでは全ビットを１４４バイトずつに区切つて各々を
１頁とし、各頁には数バイトフずつの開始および終了コ
ントロールデータと１２８バイトのデータ領域を設ける
。
モリは甚だ有用であるが、このメモリは例えば第１図の
ように用いられる。同図において、ＭＥＭは磁気バブル
メモリで、中央処理装置（マイクロプロセッサ）ＭＰＵ
とバスＢにより接続され、またこのバスには小容量のラ
ンダムアクセスメモリＲＡＭが接続される。磁気バブル
メモリＭＥＭにはメジャー、マイナーループ型とシリア
ルループ型とあるが、シリアルループ型は第２図のよう
に、蛇行しながらも１つのループを構成するパーマロイ
パターンなどからなる転送路ＳＲを用いて磁気バブルの
転送、保持を行なうもので、信号は直列形式になる。Ｒ
ＡＭが用いられるのはこのためで、ＭＰＵは４ビット、
８ビットなどの複数ビット並列転送を行なうので、シリ
アルバブルメモリとの間で直並列変換を行なう。このシ
リアルバブルメモリは、構造は簡単ぜあるがアクセスタ
イムが長いという欠点がある。なお第２図において、Ｒ
ＥＰはレプリケータ、ＤＥＴ、〜ＤＥＴ、はディテクタ
、ＡＮＨはアナイレータ、ＧＥＮはジェネレータ、Ｌｘ
は駆動磁界発生用のＸコイル、Ｌｙは同Ｙコイルである
。この磁気バブルメモリＭＥＭは７２に詳しくは７４０
３２ビットの例であり、ジェネレータＧＥＮの位置を（
Ｏ）ビット目として各々の位置に相当するビットを（７
３９０４）、（７３９０７）等の数字で示してある。総
ビット数が； ７４０３２であるから（Ｏ）ビット目と
（７４０３２）ビット目は同じビットであり、この位置
でバブル発生、検出、消去が行なわれる。このバブルメ
モリでは全ビットを１４４バイトずつに区切つて各々を
１頁とし、各頁には数バイトフずつの開始および終了コ
ントロールデータと１２８バイトのデータ領域を設ける
。
このような磁気バブルメモリＭＥＭの第ｎ頁に新たにデ
ータＤｎ’を書込む場合には第３図に示すように、１先
ず第ｎ頁に既に格納されているデータＤｎをランダムア
５クセスメモリＲＡＭに続出し、２該ＲＡＭに追加デー
タＤｎ’を書込んだ後、３磁気バブルメモリｒｖ１ＥＭ
のバブルが一巡されて再び第ｎ頁が戻つてきたときＲＡ
Ｍの全データを該ｎ頁に書込むという方法をとるのが普
通である。書込むべきデータがＤｎ″＋１，Ｄｎ″＋２
・・・ ・・とある場合には各頁ｎ＋１，ｎ＋２・・・
・・・・について同様のことを行なうので、データ書込
みに必要な時間は相当に大となる。現在の磁気バブルメ
モリは、大量のデータを扱うことができればスピードは
遅くとも良いということで使用されるのが一般的である
が、勿論アクセスタイム小が望ましいことは言う迄もな
い。特に数１０バイト以下の小容量単位でデータ書込み
、読出しを頻繁と行なう使用法ではそのアクセスタイム
大が実用上無視できないものとなつている。本発明はこ
の点を改善しようとするもので、シリアルループを備え
た磁気バブルメモ１八中央処理装置、およびランダムア
クセスメモリを有する磁気バブルメモリの駆動法におい
て、該磁気バブルメモリの第ｎ頁目にデータを書込む際
は、該第ｎ頁目に既に格納されているデータを一旦該ラ
ンダムアクセスメモリへ読出し、そして該ランダムアク
セスメモリに前記データを書込んだ後、該ランダムアク
セスメモリの全データを該磁気バブルメモリの第（ｎ＋
１）頁目に書込むことを特徴とするものであるが、以下
図示の実施例を参照しながらこれを詳細に説明する。
ータＤｎ’を書込む場合には第３図に示すように、１先
ず第ｎ頁に既に格納されているデータＤｎをランダムア
５クセスメモリＲＡＭに続出し、２該ＲＡＭに追加デー
タＤｎ’を書込んだ後、３磁気バブルメモリｒｖ１ＥＭ
のバブルが一巡されて再び第ｎ頁が戻つてきたときＲＡ
Ｍの全データを該ｎ頁に書込むという方法をとるのが普
通である。書込むべきデータがＤｎ″＋１，Ｄｎ″＋２
・・・ ・・とある場合には各頁ｎ＋１，ｎ＋２・・・
・・・・について同様のことを行なうので、データ書込
みに必要な時間は相当に大となる。現在の磁気バブルメ
モリは、大量のデータを扱うことができればスピードは
遅くとも良いということで使用されるのが一般的である
が、勿論アクセスタイム小が望ましいことは言う迄もな
い。特に数１０バイト以下の小容量単位でデータ書込み
、読出しを頻繁と行なう使用法ではそのアクセスタイム
大が実用上無視できないものとなつている。本発明はこ
の点を改善しようとするもので、シリアルループを備え
た磁気バブルメモ１八中央処理装置、およびランダムア
クセスメモリを有する磁気バブルメモリの駆動法におい
て、該磁気バブルメモリの第ｎ頁目にデータを書込む際
は、該第ｎ頁目に既に格納されているデータを一旦該ラ
ンダムアクセスメモリへ読出し、そして該ランダムアク
セスメモリに前記データを書込んだ後、該ランダムアク
セスメモリの全データを該磁気バブルメモリの第（ｎ＋
１）頁目に書込むことを特徴とするものであるが、以下
図示の実施例を参照しながらこれを詳細に説明する。
第４図は本発明の一実施例であり、前出した各部と同一
部分には同一符号が付してある。
部分には同一符号が付してある。
本発明では１回の転送容量が１頁（１２８／くイト）以
下の場合は常に１頁ずつを対象としてデータ転送を行な
う。そしてアクセスタイムを改善するために、壬データ
Ｄｎ″，Ｄｎ″＋２，・（各データは１２８／曹■＊卜
以内）を磁気バブルメモリＭＥＭに書込む楊合には１磁
気バブルメモリＭＥＭの第ｎ頁目に既に格納されている
データＤｎをＲＡＭに読出し、２該ＲＡＭへ新たに追加
データＤｎ″を書込む。そして、３ＲＡＭの全データ（
Ｄｎ＋Ｄｎ″）を次の第（ｎ＋１）頁目に書込む。同様
にして次のデータＤｎ″＋２を書込む場合には、４第（
ｎ＋２）頁目のデータＤｎ＋２をＲＡＭに読出し、５該
ＲＡＭに新たにデータＤ″ｎ＋２を書込む。そして６Ｒ
ＡＭの全データ７（Ｄｎ＋２＋Ｄ″ｎ＋２）を次の第（
ｎ＋３）頁目に書込む。この際ｎ＋１，ｎ＋３，・・・
・頁にあつたデータは、不要ならＲＡＭからデータ（Ｄ
ｎ＋Ｄ″ｎ）、（Ｄｎ＋２＋Ｄ″ｎ＋２）を該頁へ書込
む前に消去する。また必要データならＲＡＭデータはＮ
．＋１，ｎ＋３，・・・・頁に、その頁にあつたデータ
の後に続けて書込む。この処理は終了コントロールデー
タを利用して簡単にできる。これらのデータとそれが書
込まれた頁との対応関係は必要なら■用側で管理し、ま
たは各データに識別コードを付しておいて読出すときは
バブルメモリの全バイトを走査して所要データを検索す
るようにする。この本発明方式ではＲＡＭからのバブル
メモリへの書込み４，６・ ・を、データＤｎ，Ｄ
ｎ＋２，・・・・を読出した頁Ｎ，ｎ＋２，・・の次の
頁ｎ＋１，ｎ＋３，・・・・に対して行なうので、ルー
プの一巡時間を待つ必要はなく、従つて第３図の駆動法
よりはるかにアクセスタイムが短緒される。
下の場合は常に１頁ずつを対象としてデータ転送を行な
う。そしてアクセスタイムを改善するために、壬データ
Ｄｎ″，Ｄｎ″＋２，・（各データは１２８／曹■＊卜
以内）を磁気バブルメモリＭＥＭに書込む楊合には１磁
気バブルメモリＭＥＭの第ｎ頁目に既に格納されている
データＤｎをＲＡＭに読出し、２該ＲＡＭへ新たに追加
データＤｎ″を書込む。そして、３ＲＡＭの全データ（
Ｄｎ＋Ｄｎ″）を次の第（ｎ＋１）頁目に書込む。同様
にして次のデータＤｎ″＋２を書込む場合には、４第（
ｎ＋２）頁目のデータＤｎ＋２をＲＡＭに読出し、５該
ＲＡＭに新たにデータＤ″ｎ＋２を書込む。そして６Ｒ
ＡＭの全データ７（Ｄｎ＋２＋Ｄ″ｎ＋２）を次の第（
ｎ＋３）頁目に書込む。この際ｎ＋１，ｎ＋３，・・・
・頁にあつたデータは、不要ならＲＡＭからデータ（Ｄ
ｎ＋Ｄ″ｎ）、（Ｄｎ＋２＋Ｄ″ｎ＋２）を該頁へ書込
む前に消去する。また必要データならＲＡＭデータはＮ
．＋１，ｎ＋３，・・・・頁に、その頁にあつたデータ
の後に続けて書込む。この処理は終了コントロールデー
タを利用して簡単にできる。これらのデータとそれが書
込まれた頁との対応関係は必要なら■用側で管理し、ま
たは各データに識別コードを付しておいて読出すときは
バブルメモリの全バイトを走査して所要データを検索す
るようにする。この本発明方式ではＲＡＭからのバブル
メモリへの書込み４，６・ ・を、データＤｎ，Ｄ
ｎ＋２，・・・・を読出した頁Ｎ，ｎ＋２，・・の次の
頁ｎ＋１，ｎ＋３，・・・・に対して行なうので、ルー
プの一巡時間を待つ必要はなく、従つて第３図の駆動法
よりはるかにアクセスタイムが短緒される。
例えば転送速度が１００Ｋビット／秒である場合に、１
頁分のアクセスタイムはとなり、第３図の方式（３２Ｋ
バイトで平均アクセスタイムは３７０ｒＴ１ＳｅＣ）に
比し約３０倍の高速アクセ３スが可能となる。
頁分のアクセスタイムはとなり、第３図の方式（３２Ｋ
バイトで平均アクセスタイムは３７０ｒＴ１ＳｅＣ）に
比し約３０倍の高速アクセ３スが可能となる。
このためキーボードから連続して出力されるデータを不
揮発性メモリに即刻格納することが、シリアルループ型
の磁気バブルメモリでも充分可能となる。
揮発性メモリに即刻格納することが、シリアルループ型
の磁気バブルメモリでも充分可能となる。
４（第１図は磁気バブルメモリを用いたシステムの一例
を示すブロック図、第２図はシリアルループ型の磁気バ
ブルメモリの一例を示す構成図、第３図は従来の磁気バ
ブルメモリ駆動法の説明図、第４図は本発明の一実施例
を示す説明図である。
を示すブロック図、第２図はシリアルループ型の磁気バ
ブルメモリの一例を示す構成図、第３図は従来の磁気バ
ブルメモリ駆動法の説明図、第４図は本発明の一実施例
を示す説明図である。
Claims (1)
- １ シリアルループを備えた磁気バブルメモリ、中央処
理装置、およびランダムアクセスメモリを有する磁気バ
ブルメモリの駆動法において、該磁気バブルメモリの第
ｎ頁目にデータを書込む際は、該第ｎ頁目に既に格納さ
れているデータを一旦該ランダムアクセスメモリへ読出
し、そして該ランダムアクセスメモリに前記データを書
込んだ後、該ランダムアクセスメモリの全データを該磁
気バブルメモリの第（ｎ＋１）頁目に書込むことを特徴
とする、シリアルループ型磁気バブルメモリの駆動法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17195179A JPS6051188B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | 磁気バブルメモリの駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17195179A JPS6051188B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | 磁気バブルメモリの駆動法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5694572A JPS5694572A (en) | 1981-07-31 |
| JPS6051188B2 true JPS6051188B2 (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=15932806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17195179A Expired JPS6051188B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | 磁気バブルメモリの駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051188B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019171234A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Pi Industries Ltd. | Heterocyclic compounds as fungicides |
| WO2020070611A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd | Oxadiazoles as fungicides |
| WO2020070610A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd. | Novel oxadiazoles |
| WO2020208509A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208511A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208510A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17195179A patent/JPS6051188B2/ja not_active Expired
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019171234A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Pi Industries Ltd. | Heterocyclic compounds as fungicides |
| WO2020070611A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd | Oxadiazoles as fungicides |
| WO2020070610A1 (en) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | Pi Industries Ltd. | Novel oxadiazoles |
| WO2020208509A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208511A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
| WO2020208510A1 (en) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | Pi Industries Limited | Novel oxadiazole compounds for controlling or preventing phytopathogenic fungi |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5694572A (en) | 1981-07-31 |
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