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JPS6050923A - プラズマ表面処理方法 - Google Patents

プラズマ表面処理方法

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Publication number
JPS6050923A
JPS6050923A JP58157826A JP15782683A JPS6050923A JP S6050923 A JPS6050923 A JP S6050923A JP 58157826 A JP58157826 A JP 58157826A JP 15782683 A JP15782683 A JP 15782683A JP S6050923 A JPS6050923 A JP S6050923A
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JP
Japan
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gas
plasma
surface treatment
amount
vacuum chamber
Prior art date
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Application number
JP58157826A
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JPH0473287B2 (ja
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Keizo Suzuki
敬三 鈴木
Takeshi Ninomiya
健 二宮
Shigeru Nishimatsu
西松　茂
Sadayuki Okudaira
奥平　定之
Osami Okada
岡田　修身
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US06/642,801 priority patent/US4579623A/en
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Publication of JPH0473287B2 publication Critical patent/JPH0473287B2/ja
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はプラズマを用いた表面処理方法およびその装置
に係り、特に半導体集積回路用のプラズマエツチングや
、プラズマデポジション（プラス７　ＣＶｌ）　（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉ　ｔｉｏｎ
　）　）装置に関する。
〔発明の背景〕
プラズマを用いた表面処理技術が工業的に活発、　に用
いられている。このプラズマ表面処理装置は真空室、真
空室を排気する手段、真空室にガスを導入する手段、真
空室内またはその一部にプラズマを発生する手段、およ
び試料と試料を保持する手段から構成される。プラズマ
表面処理の特性は、プラズマ発生用ガス（放電ガス）の
種類２組成。
＃度によって極端に変化する。狭面処理の目的によって
は、放電ガスの種類９組成、濃度を処理期間の途中で一
定時間（周期的に）変化させ、特定の処理特性を強調す
ることが必要となる場合が有る。しかし、従来装置では
ガス導入手段にガスの種類２組成、濃度を変化させる機
能はなく、処理期間全搬に渡って一定の特性の処理しか
行うことができなかった。
第１図と第２図に従来のプラズマを用いたエツチング装
置（プラズマエツチング装置）の構成例を示しである（
菅野卓雄編「半導体プラズマプロセス技術」、産業図書
株式会社、　１９８０．ｐｐ１０１〜１６４）。第１図
は有磁場マイクロ波放電を用いた装置であり、第２図は
几Ｆ放電を用いた方法である。有磁場マイクロ波放電を
発生させる手段は、マイクロ波発振器１（通常マグネト
ロン）、マイクロ発振器消電＃、２、導波管３、放電管
４、電磁石５、永久磁石１２にょ多構成される。場合に
よっては電磁石５と永久磁石１２の両方は必要でなく、
どちらか片方だけで良い。ＲＦ放電を発生させる手段は
、ＲＦ電啄１５．コンデンサー１６、および１１１ｔＦ
上下電極１３．１４よ多構成される。
第２図ではＲＦ電極１５は真空室６内にあるが、場合に
よってはＲ，Ｆ電極１３．１４を真空外に設置する場合
も有る。
プラズマエツチング装置を半導体素子製造プロセスに適
用するためには次のことが重要な課題となる。
（１）　エツチング速さが大きいこと。
（２）第３（ａ）図に示す被エツチング物質２４をマス
ク２５ｆ用いて、第３（９図のようにアンダーカットの
ない垂直エツチング（マスク通シのエツチング）が可能
なこと。即ち、微測加工性が良いこと。
エツチング速さを大きくするためには、例えば被エツチ
ング物質２４がＳｉ（またはｐｏｌ）’−８りである場
合にはＳＦ６またはＦ２を放電ガスとして用いると良い
。しかし、この放電ガスは第３（ｂ）図のようにアンダ
ーカット２６が大きく条件（２）が満足されない。後に
示すごとく本発明を用いて放電ガスの組成を周期的に変
化させることによって、上記（１）、（匂の条件を同時
に満足させることが可能となる。
第１図、第２図の装置は、放電ガスの種類を変えること
によってプラズマデポジション装置（プラズマＣＶＤ　
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　１）ｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ　）装置）として使うこともできる。たとえば、
第１゜２図の装置で放題ガスとしてＳｉＨ４とＮ　Ｈ３
の混合ガスを用いると試料表面に８１とＮの混合膜（窒
化シリコン（ｓニーＮ）膜）が形成され、半導体素子の
保護膜として用いることができる。しかし、この窒化シ
リコン膜中には多量（原子密度比で１０−以上）の水素
が混入し素子特性を劣下させる（　Ｒ，Ｂ、　Ｆａｉｒ
　ｅｔ　ａｔ、　；　ＩＥＥＥ、　ＥＤ−２８゜８３−
９４（１９８１））。また、第１図の装置で放電ガスと
してｓ　ｉ　Ｆ４　とＮ２の混合ガスを用いると同様に
窒化シリコン膜を形成することができる。しかし、この
場合では膜中に混入する弗素が問題となる。本発明によ
シ放電ガスの組成を周期的に変化させること釦よって上
記の水素または弗素の混入量を極めて微量にすることが
可能となる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、放題ガスの種類９組成、濃度を処理途
中で、１回のみ、または複数回、または周期的に変化さ
せる手段を設けることによって、従来のプラズマ茨面処
理装置では不可能であった特性を実現することにある。
〔発明の概要〕
放題ガスの橿煩１組成、＃度はプラズマ沃面処理特性を
最もＭ効に変化させるパラメータでめる。
したがって、放題ガスの種類１組成、′ａ度を処理途中
で変化させることによって、特定の沃面処理特性を強調
することが可能となる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。第４図は本発明を用い
たプラズマエツチング装置の一構成例である。プラズマ
発生手段としては有磁場マイクロ波放電を用い、被エツ
チング物質としては３ｉ（またはｐｏｌｙ−８ｊ　）の
例を示しである。ガス供給手段以外は第１図の装置と同
じである。ガス供給手段はＳＦｓ　、Ｎ２　、Ｈｅ、Ｎ
２　（７）４種類のガス源９ａ、９ｂ、９Ｃ，９ｄと、
各ｉ　ス源ＫＯけられたガス流量調整用ニードルバルブ
８ａ、８ｂ。
Ｂｃ、Ｂｄ、およびガス配管７から構成される。
ただし、ＳＦ６のニードルバルブ９ａによるガス供給量
がコントローラ１８によって電気的に制御はれるように
なっていることが本発明の特徴である。本実施例では、
まず真空室６を高真空（約ＩＸ　１０−’　Ｔｏｒｒ　
）に排気し、次に放電ガスを所定量供給する。例えば真
空室６内の分圧でＳＦａが５Ｘ　１０−４Ｔｏｒｒ、　
Ｎ、が５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ　、　Ｈｅ−１）：ｓ
　ｘ　ｉ　ｏ−５Ｔｏｒｒ　、　Ｈ，が２．５　Ｘ　ｌ
　０−５Ｔｏｒｒが一例である。しかし、各分圧を広範
囲（Ｉ　Ｘ　１０−’ＴＯｒｒ　〜５　Ｘ　１０−’　
Ｔｏｒｒ程度）に変えても本発明の効果は変わらない。
次に電磁石５により放電管４部に磁場を形成し、マグネ
トロンによるマイクロ波（周波数＝１〜ｌ０ＧＨ２，通
常は周波数＝２．４５０Ｈ２）を放電管４内に導入する
と有磁場マイクロ波放電が発生する。すると、放電中で
発生した活性な粒子（例えば、Ｆ２イオンやＦラジカル
）と３ｉ表面との物理・化学反応によシエッチングが進
行する。本実施例の特徴は、エツチング中のＳＦ６ガス
の流量を第５図に示すごとく変化させることである。ガ
ス流量の変化は、コントローラとニードルバルブにより
自動的罠行う。
ＳＦｇＦ２ガス空室への供給は、τ１の時間はＱｌのガ
ス流量で行われ、次いでτ２の時間だけＱ２のガス流量
で行われる。Ｑ、、　Ｑ２の値は任意であるが、−例と
してはＱｌは５　Ｘ　Ｉ　Ｆ’　Ｔｏｒｒの分圧を与え
るに必要なガス流量（通常の排気系を用いる場合はＱ１
＝１〜１０　ＳＣＣ／ｍ）でありＱ２＝０とすることが
できる。τｌ、τ２を決定する条件は後に述べるが、−
例としてτ」＝２５方、τ２＝５（８）を選ぶことがで
きる。このようにすることＫより、８部ｍ　ガスによる
高速エツテング（エツチング速さ＞　２００　ｎ　ｍ　
７ｍ　）がアンダーカットなく実現される。このような
、高速、垂直エツチングが本発明によシ初めて可能とな
ったことを以下に述べる。
エツチング開始後最初のＴＨの期間ではプラズマ中に多
量の活性な粒子（例えばＦ＋イオンとＦラジカル）が発
生してエツチングが進行する。試料はプラズマに対して
負の浮遊電位Ｖ（Ｖ＝約−２０ｖ）になっており、Ｆ＋
イオンは試料表面に垂直に入射する。したがってＦ９イ
オンによるエツチングは試料表面に垂直となりアンダー
カットを発生しない。一方、Ｆラジカルは電気的に中性
であるため試料表面に等方向に入射してアンダーカット
を発生させる。ところが、ＳＦ６ガスによるエツチング
では、Ｆ“イオンによる効果よりＦラジカルによる効果
の方が大きくエツチング形状は第６ａ図に示すごとく等
方向となる。即ちτ！の間に表面に垂直にｄｌ深さだけ
エツチングされると横方向にも約ｄ！のアンダーカット
が発生している。次いでＳＦｇガスの供給を停止すると
プラズマ中のＦ＋イオンやＦラジカルは排気されてなく
なり、Ｎ２とＨｅ、Ｎ２のみの放電となる。この放心中
で発生したＮ＋イオンやＮラジカルによって第６（ｂ）
図に示すようにＳｉ表面（水平面と側面の両方）が窒化
される（表面に窒化シリコン膜が形成される）。ＳＦａ
　ガスの供給をストップしたのは　ｐ　＋イオンやＦラ
ジカルが存在していてエツチングが進行していると強固
な（緻密な）窒化シリコン膜が形成されないからである
。
）（ｅガスを混入しているのは、以下の理由による。
即ち、ＳＦ６ガス供給を停止すると、Ｎ２の分圧（”　
×’　０−５Ｔｏｒｒ）のみでは安定な放電が維持され
ない。化学的に不活性なＨｅを混入して放電ガス圧（全
圧）を犬きくすることによって放電を安定化させること
ができるからである。したがって、Ｈｅｆ：Ｎｅ、Ａｒ
ｔ　Ｋｒｌ　Ｘｅ等の他の希ガスに置き替えても同様の
効果が得られる。また、Ｎ２ガスを混入しているのけＳ
Ｆ６ガス供給時でのＦラジカル濃度を適当に減少させる
ためである。さて、次に再びＳドロガスを供給すると試
料表面にＦ＋イオン、Ｆラジカルが入射してくる。しか
し、Ｆラジカルだけでは窒化シリコン膜はほとんどエツ
チングされないため、窒化シリコン膜で覆われた側面の
エツチングは行われず、垂直方向のエツチングと新たに
現われた側面のエツチングが行なわれる。この時のアン
ダーカットの大きさはやはりｄｌである。即ち、ｇｓ＜
ｃ）図のようになる。これをくシ返すことによって第６
（ｄ）図のような断面形状をしたエツチングが行なわれ
る。τ０＝τｌ十τ２を１周期として、ＳＦ６ガス供給
の断続を１回くシ返したとすると、全エツチング時間ｔ
。
は Ｌ　ａ　：　ｎτ０　・・１・・・−・・・１・・−１
−・■でアシ、垂直方向のエツチング深さｄＰ、および
水平方向のエツチング量（アンダーカット量）ｄｖは ｄｐ＝ｎｄ□　９８１００９０１０９０１０．１０８１
０．１８０．■ｄｙ＝ｄｔ　・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・■である。垂直エツチングと
しては一般にｄＰ／ｄｖ〉１０が必要であるから ｎ）１０　・・・・・・・・・・・・■が必要である。
ただし、Ｓｒｓ　ガスが低ガス圧力でアシ、アンダーカ
ット量の少ないエツチングか可能な場合には、ｎの値は
小さくてもよい。また、ＳＦ６ガス供給を停止して残り
のＦ１イオンやＦラジカルが排気されるに要する時間を
τ、とすると τ　２　）　τ　、　・・・・・・・・・・・・・・堂
■であることが必要である。τ、は真空室内に存在する
ガス分子、原子の滞在時間であり、真空室の体積をＶ　
（Ｚ）とし、排気系の排気速さｔ−８（ｔ／渡）とする
とτ、＝Ｖ／８である。通常の装置ではＶ−約２０１．
Ｓ＝約１０００ｔ／ＩＥ’ｔ６るため、ｒ　ｒ　！；０
．０２Ｓｅｃ＝　２０ｍ５ｅｃである。したかって■よ
シ τ２）　２０ｍ豊　・・・・・・・・・・・・■である
必要がある。また実験によれば、τ１の間にエツチング
される垂直方向のエツチング深さは２００ｎｍ以下であ
ることか必要であった。これ以上τ！を大きくすると一
旦形成された側壁の窒化シリコン膜がエツチングされて
アンダーカットが大きくなるからである。即ち最終的な
垂直方向のエツチング速さがε（ｎｍ／＝）とするとＴ
１＜（２００／ε）Ｎ６０　・・・・・・・・・・・・
■である必要がある。例えばε＝＝　２００　ｎ　ｍ／
ｍとすると丁１（５Ｑａが必要である。また、７２の間
ではエツチングが行なわれないからＴ２（Ｔ１も実用的
には必要となる。以上の条件により、前述では、τ１＝
２５池、τ２＝５廐の結果を述べ１ま たが、τ１＝５〜６０３１でＴ２二（−〜　）　５０ ×τｌ　としても同様の効果（即ち、Ｓｌのエツチング
速さεζ２００　ｎｍ／＝ａで、アンダーカットがほと
んどないエツチング〕が得られること１ｃ実験的に確認
している。
第４図の実施例では有磁場マイクロ波放電を用いた装置
について述べているが、ＲＦ放電を用いたプラズマエツ
チング装置に本発明を適用しても同様の効果が得られる
。また、第４図の実施例では、Ｓ　Ｆ　ｓ　＋Ｈ２＋Ｈ
ｅ　十Ｈ２の混合ガスについて示したが、ＳＦｇのかわ
りにＦ２さらには他の・・ロゲン元素を含むカス（例え
ば、Ｃ，Ｆｍ（ＣＦ４゜Ｃ２Ｆ６　＋　０３Ｆｇ　＋　
Ｃ４Ｐｓ　ｒ　０４Ｆ’ＩＯ等）′ガス、ＮＦａ。
Ｃ１２ガス、Ｃ−Ｃｔ−（００ｔ４．　Ｃ２Ｃｔ６等）
ガス、ＣｏＦｍＣｔｋ（ｎ　、ｍ、ｋ　；整数）カスＩ
　Ｃｍ　Ｆ＋＋＋ＣｔｋＨＩ（ｎ、ｍ、に、ｉ　；整数
）ガス、ＢＣｌ２、その他、Ｂｒ−Ｍを含むガス等）を
用いても効果は同様である。また、Ｎ２のかわりに０２
やＣ−Ｈ系化合物ガスさらＫは、Ｎ、０．Ｃのうちいず
れか一つ、又は複数の元素を含むガスを用いても効果は
同様である（なぜなら、酸化シリコンやＳｉＣ膜は窒化
シリコン膜と同様にＦラジカルではエツチングされない
からである）。ただし、０２を用いると、マスク材とし
て用いる光レジストがエツチングされやすいという問題
が発生する。また、ＳＦ６ガス分圧が適当な時にはＨ２
混入をやめても、本発明の効果はかわらない。また、本
実施例では被エツチング物質としてＳｉ（またはｐｏｔ
ｙ−８ｉ）の場合について示したが、被エツチング物質
が、ＭＯ，Ｗ、Ａ、／１．またはこれらのシリサイドで
あっても効果は同じである。また、第４図の実施例では
、試料台および試料が放電管の下部に位置しているが、
これらを放電管内に設置しても良い。こうすることによ
って試料表面に入射するＦ＋イオン、Ｆラジカルが増大
してエツチング速さを増大させることができる。
第７図に別の実施例が示しである。第４図の実施例と異
なる点は、以下の通りである。
（１）試料台１１および試料１０に外部電圧１５を印加
する手段を設けである。外部電圧としては直流、交流の
いずれでも良いが、試料１０表面に電気的に絶縁性の薄
膜が存在する場合は交流電圧（高周波電圧（ＲＦ電圧）
）の方が絶縁薄膜表面での帯電を防止するために浸れて
いる。
実験的では、高周波の周波数は１００〜１０００ＫＨ２
、高周波電圧の振幅はＯ〜２００Ｖが適当であった。
（２）　試料台１１を冷却する機能が設けられている。
（３）　ＮｚとＨｅ、Ｈ２ガス（場合によっては、Ｎ２
とＨｅｒ　Ｈ２のどちらか一つ）が、試料台１１内部、
試料台１１と試料１０との間隙を通つて真空室６内に導
入される。
（匂と（３）の機能によってエツチング中での試料１０
温度上昇を防ぐことができる。これは、マスク材の光レ
ジストの変質防止に有効である。（１）の機能によって
試料に入射するイオンを上刃加速できるため、エツチン
グ速さの増大、およびアンダーカットの減少に有効であ
る。高周波電圧（外部電圧）は、エツチング中（表面処
理中）常時印加していても構わない。しかし、高周波電
圧印加によってマスク材の変質消耗が加速されるため、
ＳＦ６ガスの供給を停止する期間（即ち第５図のＴ２の
期間）高周波電圧印加を停止することはマスク材の変質
、消耗防止に有効である。本実施例の効果は、 （υ　被エツチング物質をＳ　ｉ　、ｐｏ１３／−８ｉ
以外の物質（Ｍｏ、Ｗ、Ａｌおよびこれらのレフサイド
等）にかえても、 （２）ＳＦｇＦ２ガスのハロゲン元素を含むガス（第４
図の実施例の説明参照）にかえても、（３）Ｈｅを他の
希ガスにしても、 （４）Ｎ２ガスを除いても、 同様に有効である。
また試料台冷却と試料台を通してのガス導入の方法は、
本発明を適用した他のプラズマエッチング装置やプラズ
マ表面処理装置全搬に有効である。
また、高周波（ＲＦ）電圧印加の方法は本発明を用いた
プラズマ表面処理装置全搬に有効である。
第８図に別の実施例を示しである。本実施例の特徴は、
ＳＦ６ガスのガス流量のみでなく、Ｎ２ガスのガス流量
と高周波電源１５の駆動、停止がコントローラ１８から
の電気的信号によって制御されていることである。また
、ＨｅとＮ２ガスを使用していない。第９（ａ）図にＳ
ＦａとＮ２のガス流量と高周波電圧の制御の一例が示し
である。
τ！、τ２．τ０は第４図の実施例で説明した値が適当
である。例えＩｒＪ：、ｒｌ＝２ｒ、５Ｓ銭、τ０＝２
．５１ｉｅｃとすることができる。ガス流ｆｆ１Ｑ＋　
、　Ｑ２　。
Ｑ　ｒ　’　ｒ　Ｑ　ｚ　’は自由であるが、例えばＱ
　ｌ＝　Ｑ　ｓ　’　ｒＱ　ｚ　”　Ｑ２’＝　０とす
ることができる。Ｑｓ　ｒ　Ｑｔ’の値としては、例え
ば真空室内のガス圧力が５Ｘ１　Ｑ−”ｌ’□ｒｒ　と
なるようにとることができる。また、Ｖｌ　＋　Ｖ２は
自由であるが、例えばＶｌ　＝１００Ｖ、Ｖ２　＝ＯＶ
とすることができる。高周波電圧振幅を変化させる理由
は第７図の実施例で述べたのと同じである。本実施例で
は（第４図の実施例と異なって）、ＳＦ”６カスの供給
を停止すると同時にＮ２のガス供給を増大することによ
って次の利点が生ずる。
（１）真空室内のガス圧力が、常に放電維持に十分な高
ガス圧力（一般Ｋ　Ｉ　Ｘ　１０”　Ｔｏｒｒ以上）に
なっているために、第４図の実施例のように放電補助ガ
ス（Ｈｅ等の希ガス）の導入を必要としない。
（２）　τ２の期間中でのＮＺの分圧が高くなるので、
短い１２時間で緻密な窒化シリコン保護膜を形成できる
。
本実施例の方法で、シリコンのエツチング速さが２５０
ｎｍ／ｓ＋ｆｓのときアンダーカットのないエツチング
が実現した。使用するガスの種類を変えれは、本実施例
の方法が他の被エツチング物質のエツチングや、プラズ
マ衣面処理装置全般に適用可能なことは当然である。
本実施例の方法では、Ｓ　Ｆ　ｓやＮ２ガスの供給量を
変えたシ、高周波印加電圧を変えるタイミングが同時に
なっているが、これらのタイミングを互いにずらしても
かまわない（第９（ｂ）図参照）。
τ１．τｂは互いの位相のずれを表わす。例えば、高周
波電圧を印加する時間Ｔｌをτ１より小さくし、必要最
小限にすることによって、高周波印加による素子特性の
劣化を最小にすることができる。
第１Ｏ図は、第８図で説明した方法を几Ｆ放電を用いた
エツチング装置に適用した実施例を示している。
第１１図は、公転（自公転）板２０を用いて複数枚の試
料１０を同時にエツチングする装置に本発明を適用した
例を示している。試料表面にはプラズマが間歇的に照射
されてエツチングが進行する。プラズマ発生手段として
は有磁場マイクロ波放電を用いている。試料台に高周波
電圧が印加可能なことと、ガス流量と高周波電圧印加が
コントローラ１８で制御されることは第８図の実施例と
同じである。本実施例で注意しなければならないことは
、試料１０間のエツチング進行の・（うつき（誤差）を
なくすためには、公転板２００回転とガス流量および高
周波電圧印加の制御とを連動させて行う必要があること
である。したがって図に示した如く、コントローラ１８
からの電気信号に従って全転板駆動機構２１を働かせる
（または、その逆）ことが望ましい。一般的には公転板
２０の周期（１回転に要する時間）をτ、とすると、第
９図に示したコントローラ１８の周期τ０はτ・／τ０
″＝−整数、またはτ０／Ｔ、′；整数の関係を持つこ
とが望ましい。本実施例はガス種を変えればプラズマＣ
ＶＤ装置にも適用可能である。
第１２図に、終点検知機構２２を有したエツチング装置
に本発明を適用した例を示しである。プラズマ発生方法
としては有磁場マイクロ波放電を用いた例について示し
である。一般に終点検知は、被エツチング物質がなくな
った時のプラズマの状態の変化を扱えて行う。一方、供
給ガスの種類。
組成、濃度を変えるとプラズマの状態が犬きく変化する
ため、プラズマからの終点検知の信号を取シ入れる時期
をカス流量および高周波電圧印加の制御と連動させる必
要がある。したがって、本実施例では終点検知機構２２
がコントローラ１８からの信号を受けて動作するよう例
なっている。本実施例の方法が、他のプラズマエツチン
グ装置や、他の放電ガスによるエツチングにも適用可能
なことは第４図、第８図の実施例の場合と同様である。
エツチングの断面形状としては必ずしも垂直エツチング
による矩形ばかシでなく、若干のアンダーカットによる
台形や逆台形（素子間のアイツレ−’／　：１７　用エ
ツチングやオーバーハング除去のエツチングに有効）が
望まれる場合がある。このような要望は、第９図のτ１
．τ２．ＴＯ、Ｑｌ　＋Ｑ２　ｒ　Ｑｌ’＋　Ｑｚ’＋
　Ｖｔ　＋　Ｖ２をエツチング処理の途中で適当に変え
ることによって実現できる。
第１３図は、プラズマＣＶＤ装置に本発明を適用した例
を示している。プラズマ発生手段として、有磁場マイク
ロ波放電を用いている。−例として５ｆＦｉ　とＮ２ガ
スによって窒化シリコン膜＜５ｒ＝Ｎ膜）を形成する例
を示しである。構造としては第８図と同じであるが、Ｓ
ＦｇガスがＳｉＦ４ガスに替わっている。ガス流量の調
整、高周波電圧印加の制御の一例が第１４図に示しであ
る。τ！、τ２＋　ＴＯの乗件は後に説明するが、例え
ばτ１＝３秒、τ２−３秒＋”Ｏ”τｌ＋τ２−６秒と
することができる。Ｑ１＋　Ｑ２　ｒＱ１′ｌ　Ｑ２’
も自由であるが、例えばＱｌ　ｌ　Ｑｌ’としては真空
室内のｓ　ｉ　Ｆ４　とＮ２ガス圧力がそれぞれ４　Ｘ
　１０”　’Ｉ’ｏｒｒと８　Ｘ　１０−４Ｔｏｒｒに
なるように選ぶことができる。また、Ｑ２　二ｏ　、　
Ｑ　２／　＝１Ｑ１′とするのが適当である。また、Ｖ
ｓ　＋　’Ｖ２も自由であるが、例えばＶ＋　−１００
Ｖ、Ｖ２　’＝５０Ｖが一例である。本実施例を用いる
ことによって、Ｆ元素の混入の少ない５Ｉ−Ｎ膜を形成
できる。その理由は以下の通シである。即ち、τ！の時
間に（Ｓ　ｉ　Ｐ４　十Ｎ２　）の放電によって試料表
面Ｋｓ’ｒ−Ｎ膜が形成されるが、この時に膜内にＦ元
素が混入する。
次に、５ｒｐ４ガス供給が停止され、Ｎ２ガス供給量が
増大される（τ２の期間）と％　Ｎ２放電で形成される
Ｎラジカルが５ｉ−Ｎ膜表面に入射して ２　（Ｓ　ｒ−Ｆ）＋２Ｎ→２　（Ｓ　１−Ｎ）　十Ｆ
’２↑の反応によってＦ元素を膜中から遊離蒸発させる
。
これを〈シ返すことによってＦ元素混入の少ない５ｉ−
Ｎ膜が形成される。第４図の実施例と同様に、τ２は真
空室６中のガス分子、原子の滞在時間τ２より十分大き
いことが必要である。即ち、”２＞τｒ　！；２０　ｍ
％　・・団・由由■が必要である。また、実験によれば
τ２の期間中にＦ元素を十分に除去するためには、τ１
の期間中に形成される膜厚が１０ｎｍ以下である必要が
ある。即ち、τ２；０池として連続に膜形成した時の膜
形成速さをＤ　（ｎ　ｍ　／　ｍ　）とするとτ１はｒ
ｓ　＜　（１０／Ｄ）　Ｎ６０　・・・・・団・・・・
■である必要がある。通常Ｄ″−ｉ１００ｎｍ／ａｍで
あるから ７１　（６武　・・・・・・・・・○ が必要である。本実施例と同様の方法は、几Ｆ放電を用
いた他のプラズマＣＶＤ装置に適用可能である。またガ
ス種をかえれば、５ｉ−Ｎ膜以外のプラズマＣＶＤ装置
にも適用可能である。
第１５図は開閉パルプを用いてガス流量を制御する方法
を示すものであり、本発明の実施例すべてに適用可能で
ある。本実施例は、各ガス種（例えばガスＡ）に対して
、ニードルパルプと２つの開閉弁２３ａ、２３ａ’およ
びこれらを継なぐ配管系から構成されている。２つの開
閉弁２３ａ。
２３ａ′はコントローラ１８からの信号によって開閉を
制御される。ポンベ９ａ、９ｂがら出たガスはニードル
パルプ８ａ、８ｂによって常に一定量が流れるように調
整されている。開閉パルプ２３ａを開け２３ａ′を閉じ
ればガスを真空屋内に導入できる。また、パルプ２３ａ
を閉じれば真空室へのガス導入は停止されるが、このま
まではパル７”　２３　ａ　（！：ニードルバルブ８ａ
の間にガスがたまってしまい、次に２３８を開けた時に
ガスが真空室へ突出してしまう。これを防ぐためにバル
プ２３ａを閉じると同時に２３ａ′を開き、・＜ルプ２
３ａとニードルパルプ８ａの間にたまるガスを排気する
ようになっている。次に再び真空室へガスを導入するに
は、パルプ２３ａ′を閉じ２３ａｔ−開ければ良い。こ
の方法の特徴は、二一ドルノくルブの開口度を直接制御
するよりも、流量制御の再現性、制御性が良いことであ
る。２つの開閉パルプ２３ａ、２３ａ’は、一つの三方
パルプに置き替え可能である。第１５図のガス種は必要
に応じて増やすことが可能である。
〔発明の効果〕
本発明によってプラズマ表面処理装置の放電ガス種１組
成、濃度を処理途中で変化させれば、表面処理の特性を
時系列的に変化させることができ特定の処理特性を一定
期間強調することが可能となる。この結果、従来装置で
は不可能であった表面処理特性を実現することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、従来のプラズマ表面処理装置を
示す図、第３図は、垂直エツチングと非垂直エツチング
の説明図、第４図は本発明の一実施例を示す図、第５図
は第４図におけるＳＦｇガス流量の制御例を示す図、第
６図はエツチングの進行説明図、第７図は本発明の別の
実施例を示す図、第８図は本発明のさらに別の実施例を
示す図、第９図は第８図の実施例におけるガス流量と高
周波電圧付加の制御例を示す図、第１０図ないし第１３
図はさらに別の実施例を示す図、第１４図は第１３図に
示す実施例でのガス流量と高周波電圧付加の制御例を示
す図、第１５図は導入ガス流量の制御機構例を示す図で
ある。 １・・・マイクロ波発振器、２・・・マイクロ波発振器
用電源、３・・・導波管、４・・・放電管、５・・・電
磁石、６・・・真空室、７・・・配管、８・・ニードル
バルブ、９・・・ボンベ、１０・・・試料、１１・・・
試料保持手段（試料台）、１２・・・永久磁石、１３・
・・上側電極、１４・・・下側電極、１５・・・高周波
（几Ｆ）電源、１６・・・コンデンサー、１７・・・絶
縁物、１８・・・コントローラ、１９・・・試料台冷却
機構、２０・・・公転板（又は自公転板）、２１・・・
公転板（自公転板）駆動機構、２２・・・終点検知機構
、２３・・・開閉パルプ、２４・・・第　１１２］ 排気 第Ｚ図 ｉ３　図 排気 第５　図 、。　勇■　ろ　しヨ ９　図 ＜、ｂ） χ　１０　圀 箇　１１　口 第１Ｚ　図 ％　７３　図 第　１４　図 Ｙ１５Ｉ２１ 第１頁の続き ［相］発明者　岡１）修身　国分寺ｕ稔ケ介央研究所内 【１丁目２８幡地　株式会社日立製作所中手続補正書、
ヵえ。 事件の表示 昭和　５８年特許願第１５７８２６　号発明の名称 プラズマ表面処理方法およびその装置 補正をする者 １ｉｆｔとの］酸　特許出願人 名　称　４５１０１株式会７１　日　立製イ乍　所代　
理　人 補正の対象　１図面」 補正の内容　図面の第６図を苑葎ｑ神り訂正する。 第６図 （ｃＬ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、真空室内を排気した後ガスを導入し、この真空室内
    又はその一部にプラズマを発生させ、このプラズマによ
    シ試料の表面を処理する方法において、上記ガス導入量
    を試料表面処理途中にて変化させることを特徴とするプ
    ラズマ表面処理方法。 ２、前記ガス導入量を予め定められたプログラムに従っ
    て変化させること′ｆ：％徴とする特許請求の範囲第１
    項に記載のプラズマ表面処理方法。 ３、前記ガス導入量を表面処理状況に応じて変化させる
    ことを特徴とするプラズマ表面処理方法。 ４、真空室、この真空室を排気する手段、前記真空室に
    ガスを導入する手段、前記真空室内又はその一部にプラ
    ズマを発生させる手段、前記プラズマによシ表面処理さ
    れる試料を保持する手段よ如構成されるものにおいて、
    前記ガス導入手段に処理途中でガス導入量を変化させる
    機構を設けたことを特徴とするプラズマ表面処理装置。 ５、前記ガス導入量を変化させる機構がコントローラで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載のプ
    ラズマ表面処理装置。 ６、前記ガス導入量を変化させる機構は、前もつ″て定
    められたプログラムに従ってガス導入量を変化させるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のプラズマ表
    面処理装置。 ７、前記ガス導入量の変化は周期的であることを特徴と
    する特許請求の範囲第６項記載のプラズマ表面処理装置
    。 ８、前記周期が前記真空室内のガス分子又は原子の滞在
    時間より長いことを特徴とする特許請求の範囲第７項に
    記載のプラズマ表面処理装置。 ９、前記ガス導入量を変化させる機構は、前記試料表面
    処理の進行状況を測定しこれをフィードバックするプロ
    グラムに従ってガス導入量を変化させることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項に記載のプラズマ表面処理装置
    。 １０゜真空室、この真空室を排気する手段、前記真空室
    にガスを導入する手段、前記真空室内又はその一部にプ
    ラズマを発生させる手段、前記プラズマによシ表面処理
    される試料を保持する手段、および前記試料に外部電圧
    を印加する手段とより構成されるものにおいて、前記ガ
    ス導入手段に処理途中でガス導入量を変化させる機構を
    設けたことを特徴とするプラズマ表面処理装置。 １１、前記外部電圧が高周波電圧であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１０項に記載のプラズマ表面処理装
    置。 １２、前記ガス導入量を変化させる機構は、ガス導入量
    の変化に応じて前記電圧の印加を変化させることを特徴
    とする特許請求の範囲第１０項又は１１項に記載のプラ
    ズマ表面処理装置。 １３、前記ガス導入量を変化させる機構は、ガス導入量
    の変化に応じて前記試料へのプラズマ照射を間欠的に変
    化させることを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記
    載のプラズマ表面処理装置。 １４、真空室、この真壁室を排気する手段、前記真空室
    にガスを導入する手段、前記真空室内又はその一部にプ
    ラズマを発生させる手段、前記プラズマによシ表面処理
    される試料を保持する手段より構成されるものにおいて
    、前記ガス導入量を変化させる機構と、この機構からの
    信号によって試料表面処理の終点を検知する手段とを備
    えたことを特徴とするプラズマ表面処理装置。
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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61263125A (ja) * 1985-05-15 1986-11-21 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
JPS61281531A (ja) * 1985-06-07 1986-12-11 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
JPS6222420A (ja) * 1985-07-23 1987-01-30 Canon Inc 堆積膜形成装置
JPS63151024A (ja) * 1986-12-16 1988-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd エツチング方法
US4795529A (en) * 1986-10-17 1989-01-03 Hitachi, Ltd. Plasma treating method and apparatus therefor
JPH01231326A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Hitachi Ltd プラズマエッチング方法
JPH01231323A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング装置
JPH01239844A (ja) * 1988-03-22 1989-09-25 Hitachi Ltd プラズマエッチング方法
JPH01315135A (ja) * 1988-03-11 1989-12-20 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング装置
JPH02230729A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPH02308530A (ja) * 1989-05-24 1990-12-21 Hitachi Ltd プラズマ処理方法およびその装置
JPH0348423A (ja) * 1989-07-17 1991-03-01 Hitachi Ltd 終点判定方法および装置
JPH04181728A (ja) * 1990-11-16 1992-06-29 Kokusai Electric Co Ltd ドライエッチング方法
US5368685A (en) * 1992-03-24 1994-11-29 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus and method
US6660647B1 (en) 1998-03-12 2003-12-09 Hitachi, Ltd. Method for processing surface of sample
JP2006507664A (ja) * 2002-08-16 2006-03-02 ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド 任意ガススイッチング法を用いた高アスペクト比／深いエッチングの側壁平滑化
JP2006190493A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Tohoku Techno Arch Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2009239304A (ja) * 2004-03-12 2009-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US7682518B2 (en) 2003-08-28 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Process for etching a metal layer suitable for use in photomask fabrication
US7786019B2 (en) 2006-12-18 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control
US7790334B2 (en) 2005-01-27 2010-09-07 Applied Materials, Inc. Method for photomask plasma etching using a protected mask
US7829243B2 (en) 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
US7879510B2 (en) 2005-01-08 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Method for quartz photomask plasma etching
JP2013219198A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Nissin Electric Co Ltd 薄膜製造方法
CN104167347A (zh) * 2014-08-04 2014-11-26 苏州工业职业技术学院 连续性处理的板式水冷电极组等离子体表面处理装置
KR20160056257A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR20190032983A (ko) 2017-09-20 2019-03-28 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마 처리 장치
KR20200145644A (ko) 2019-06-20 2020-12-30 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
US11081320B2 (en) 2019-03-06 2021-08-03 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus, plasma processing method, and ECR height monitor

Families Citing this family (456)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890004881B1 (ko) * 1983-10-19 1989-11-30 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리 방법 및 그 장치
JPH0752718B2 (ja) 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US6786997B1 (en) 1984-11-26 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JPS61222534A (ja) * 1985-03-28 1986-10-03 Anelva Corp 表面処理方法および装置
US5053104A (en) * 1985-04-01 1991-10-01 International Business Machines Corporation Method of plasma etching a substrate with a gaseous organohalide compound
US4689112A (en) * 1985-05-17 1987-08-25 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
GB2178227B (en) * 1985-06-17 1990-01-24 Honda Motor Co Ltd Vacuum treating method and apparatus
JP2635021B2 (ja) * 1985-09-26 1997-07-30 宣夫 御子柴 堆積膜形成法及びこれに用いる装置
US4715941A (en) * 1986-04-14 1987-12-29 International Business Machines Corporation Surface modification of organic materials to improve adhesion
US4908094A (en) * 1986-04-14 1990-03-13 International Business Machines Corporation Method for laminating organic materials via surface modification
CA1327769C (en) * 1986-06-20 1994-03-15 Shoji Ikeda Powder treating method and apparatus used therefor
NL8601824A (nl) * 1986-07-11 1988-02-01 Hauzer Holding Werkwijze en inrichting voor het met een geleidend plasmakanaal ontsteken van een boog.
US5354416A (en) * 1986-09-05 1994-10-11 Sadayuki Okudaira Dry etching method
US4713141A (en) * 1986-09-22 1987-12-15 Intel Corporation Anisotropic plasma etching of tungsten
US4687539A (en) * 1986-10-29 1987-08-18 International Business Machines Corp. End point detection and control of laser induced dry chemical etching
US4734158A (en) * 1987-03-16 1988-03-29 Hughes Aircraft Company Molecular beam etching system and method
US4956043A (en) * 1987-05-25 1990-09-11 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus
FR2616030A1 (fr) * 1987-06-01 1988-12-02 Commissariat Energie Atomique Procede de gravure ou de depot par plasma et dispositif pour la mise en oeuvre du procede
US4870030A (en) * 1987-09-24 1989-09-26 Research Triangle Institute, Inc. Remote plasma enhanced CVD method for growing an epitaxial semiconductor layer
US4846920A (en) * 1987-12-09 1989-07-11 International Business Machine Corporation Plasma amplified photoelectron process endpoint detection apparatus
JPH0610356B2 (ja) * 1988-02-18 1994-02-09 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ温度測定方法
US4961820A (en) * 1988-06-09 1990-10-09 Fujitsu Limited Ashing method for removing an organic film on a substance of a semiconductor device under fabrication
JPH0622218B2 (ja) * 1988-08-06 1994-03-23 富士通株式会社 エッチング方法
JP2918892B2 (ja) * 1988-10-14 1999-07-12 株式会社日立製作所 プラズマエッチング処理方法
KR900013595A (ko) * 1989-02-15 1990-09-06 미다 가쓰시게 플라즈마 에칭방법 및 장치
US4985113A (en) * 1989-03-10 1991-01-15 Hitachi, Ltd. Sample treating method and apparatus
DE3914065A1 (de) * 1989-04-28 1990-10-31 Leybold Ag Vorrichtung zur durchfuehrung von plasma-aetzverfahren
US5192717A (en) * 1989-04-28 1993-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of a polycrystalline semiconductor film by microwave plasma chemical vapor deposition method
US5173146A (en) * 1989-08-31 1992-12-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Plasma treatment method
US4948462A (en) * 1989-10-20 1990-08-14 Applied Materials, Inc. Tungsten etch process with high selectivity to photoresist
US5500393A (en) * 1990-05-21 1996-03-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for fabricating a schottky junction
US5024722A (en) * 1990-06-12 1991-06-18 Micron Technology, Inc. Process for fabricating conductors used for integrated circuit connections and the like
US4992137A (en) * 1990-07-18 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Dry etching method and method for prevention of low temperature post etch deposit
US5474650A (en) * 1991-04-04 1995-12-12 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for dry etching
US6008133A (en) 1991-04-04 1999-12-28 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for dry etching
JPH05267249A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Hitachi Ltd ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
US5318667A (en) * 1991-04-04 1994-06-07 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for dry etching
JP3371143B2 (ja) * 1991-06-03 2003-01-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JP3024317B2 (ja) * 1991-10-25 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3198586B2 (ja) * 1992-02-14 2001-08-13 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
US5314576A (en) * 1992-06-09 1994-05-24 Sony Corporation Dry etching method using (SN)x protective layer
JP3111661B2 (ja) * 1992-07-24 2000-11-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JPH06232099A (ja) * 1992-09-10 1994-08-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法，半導体装置の製造装置，半導体レーザの製造方法，量子細線構造の製造方法，及び結晶成長方法
DE4241045C1 (de) * 1992-12-05 1994-05-26 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
US5824158A (en) * 1993-06-30 1998-10-20 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Chemical vapor deposition using inductively coupled plasma and system therefor
JP3223661B2 (ja) * 1993-08-31 2001-10-29 ソニー株式会社 プラズマ堆積方法
US5516722A (en) * 1994-10-31 1996-05-14 Texas Instruments Inc. Method for increasing doping uniformity in a flow flange reactor
US6409828B1 (en) * 1994-10-31 2002-06-25 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for achieving a desired thickness profile in a flow-flange reactor
US5575888A (en) * 1995-04-14 1996-11-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Sidewall passivation by oxidation during refractory-metal plasma etching
DE69725245T2 (de) * 1996-08-01 2004-08-12 Surface Technoloy Systems Plc Verfahren zur Ätzung von Substraten
US5910341A (en) * 1996-10-31 1999-06-08 International Business Machines Corporation Method of controlling the spread of an adhesive on a circuitized organic substrate
US5939831A (en) * 1996-11-13 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications
US6129807A (en) * 1997-10-06 2000-10-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for monitoring processing of a substrate
KR100521120B1 (ko) * 1998-02-13 2005-10-12 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 반도체소자의 표면처리방법 및 장치
WO2000005749A2 (en) 1998-07-23 2000-02-03 Surface Technology Systems Limited Method and apparatus for anisotropic etching
US6417013B1 (en) 1999-01-29 2002-07-09 Plasma-Therm, Inc. Morphed processing of semiconductor devices
WO2001012873A1 (en) * 1999-08-17 2001-02-22 Tokyo Electron Limited Pulsed plasma processing method and apparatus
FR2797997B1 (fr) * 1999-08-26 2002-04-05 Cit Alcatel Procede et dispositif pour le traitement de substrat sous vide par plasma
US6291357B1 (en) 1999-10-06 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a substrate with reduced microloading
US6514850B2 (en) * 2001-01-31 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Interface with dielectric layer and method of making
US20020144655A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-10 Chiang Tony P. Gas valve system for a reactor
JP4209774B2 (ja) * 2001-09-28 2009-01-14 住友精密工業株式会社 シリコン基板のエッチング方法およびエッチング装置
US6759340B2 (en) 2002-05-09 2004-07-06 Padmapani C. Nallan Method of etching a trench in a silicon-on-insulator (SOI) structure
US7074723B2 (en) * 2002-08-02 2006-07-11 Applied Materials, Inc. Method of plasma etching a deeply recessed feature in a substrate using a plasma source gas modulated etchant system
US20070131652A1 (en) * 2003-01-12 2007-06-14 Mitsuhiro Okune Plasma etching method
US7381650B2 (en) * 2003-04-07 2008-06-03 Unaxis Usa Inc. Method and apparatus for process control in time division multiplexed (TDM) etch processes
US7115520B2 (en) * 2003-04-07 2006-10-03 Unaxis Usa, Inc. Method and apparatus for process control in time division multiplexed (TDM) etch process
US20040224524A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Maintaining the dimensions of features being etched on a lithographic mask
US20050112891A1 (en) * 2003-10-21 2005-05-26 David Johnson Notch-free etching of high aspect SOI structures using a time division multiplex process and RF bias modulation
CN100517596C (zh) * 2004-06-29 2009-07-22 优利讯美国有限公司 减少时分复用蚀刻工艺中蚀刻纵横比相关度的方法和装置
JP4701691B2 (ja) * 2004-11-29 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US8293430B2 (en) * 2005-01-27 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication
US7517812B2 (en) * 2005-10-31 2009-04-14 Tokyo Electron Limited Method and system for forming a nitrided germanium-containing layer using plasma processing
US7517818B2 (en) * 2005-10-31 2009-04-14 Tokyo Electron Limited Method for forming a nitrided germanium-containing layer using plasma processing
US7977037B2 (en) * 2006-08-24 2011-07-12 Micron Technology, Inc. Photoresist processing methods
US20100116206A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Applied Materials, Inc. Gas delivery system having reduced pressure variation
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5179339B2 (ja) * 2008-12-22 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5198685B2 (ja) * 2010-05-26 2013-05-15 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマエッチング方法
US8669185B2 (en) * 2010-07-30 2014-03-11 Asm Japan K.K. Method of tailoring conformality of Si-containing film
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5937385B2 (ja) 2012-03-16 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のガス供給方法、ガス供給システム及び半導体製造装置
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
CN113284789A (zh) 2020-02-03 2021-08-20 Asm Ip私人控股有限公司 形成包括钒或铟层的结构的方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
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JP2021181612A (ja) 2020-04-29 2021-11-25 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体ソースプリカーサ容器
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
CN113667953A (zh) 2020-05-13 2021-11-19 Asm Ip私人控股有限公司 用于反应器系统的激光器对准夹具
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
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KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
CN113471070B (zh) 2020-05-22 2022-04-12 北京屹唐半导体科技股份有限公司 使用臭氧气体和氢自由基的工件加工
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210148914A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
CN113871296A (zh) 2020-06-30 2021-12-31 Asm Ip私人控股有限公司 衬底处理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011093A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202218049A (zh) 2020-09-25 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050048A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52141443A (en) * 1976-05-21 1977-11-25 Nippon Electric Co Method of etching films
JPS5683943A (en) * 1979-12-12 1981-07-08 Matsushita Electronics Corp Plasma etching of aluminum film
JPS56116880A (en) * 1980-02-20 1981-09-12 Toshiba Corp Plasma etching method
JPS57198258A (en) * 1981-05-29 1982-12-04 Ulvac Corp Surface treating device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4417947A (en) * 1982-07-16 1983-11-29 Signetics Corporation Edge profile control during patterning of silicon by dry etching with CCl4 -O2 mixtures
US4426246A (en) * 1982-07-26 1984-01-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52141443A (en) * 1976-05-21 1977-11-25 Nippon Electric Co Method of etching films
JPS5683943A (en) * 1979-12-12 1981-07-08 Matsushita Electronics Corp Plasma etching of aluminum film
JPS56116880A (en) * 1980-02-20 1981-09-12 Toshiba Corp Plasma etching method
JPS57198258A (en) * 1981-05-29 1982-12-04 Ulvac Corp Surface treating device

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61263125A (ja) * 1985-05-15 1986-11-21 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
JPH0646630B2 (ja) * 1985-06-07 1994-06-15 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法
JPS61281531A (ja) * 1985-06-07 1986-12-11 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
JPS6222420A (ja) * 1985-07-23 1987-01-30 Canon Inc 堆積膜形成装置
US4795529A (en) * 1986-10-17 1989-01-03 Hitachi, Ltd. Plasma treating method and apparatus therefor
JPS63151024A (ja) * 1986-12-16 1988-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd エツチング方法
JPH01315135A (ja) * 1988-03-11 1989-12-20 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング装置
JPH01231323A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング装置
JPH01231326A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Hitachi Ltd プラズマエッチング方法
JPH01239844A (ja) * 1988-03-22 1989-09-25 Hitachi Ltd プラズマエッチング方法
JPH02230729A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPH02308530A (ja) * 1989-05-24 1990-12-21 Hitachi Ltd プラズマ処理方法およびその装置
JPH0348423A (ja) * 1989-07-17 1991-03-01 Hitachi Ltd 終点判定方法および装置
JPH04181728A (ja) * 1990-11-16 1992-06-29 Kokusai Electric Co Ltd ドライエッチング方法
US5368685A (en) * 1992-03-24 1994-11-29 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus and method
US7259104B2 (en) 1998-03-12 2007-08-21 Hitachi, Ltd. Sample surface processing method
US6660647B1 (en) 1998-03-12 2003-12-09 Hitachi, Ltd. Method for processing surface of sample
JP2006507664A (ja) * 2002-08-16 2006-03-02 ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド 任意ガススイッチング法を用いた高アスペクト比／深いエッチングの側壁平滑化
US7682518B2 (en) 2003-08-28 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Process for etching a metal layer suitable for use in photomask fabrication
JP2009239304A (ja) * 2004-03-12 2009-10-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2006190493A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Tohoku Techno Arch Co Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7879510B2 (en) 2005-01-08 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Method for quartz photomask plasma etching
US7790334B2 (en) 2005-01-27 2010-09-07 Applied Materials, Inc. Method for photomask plasma etching using a protected mask
US7829243B2 (en) 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
US7786019B2 (en) 2006-12-18 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control
JP2013219198A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Nissin Electric Co Ltd 薄膜製造方法
CN104167347A (zh) * 2014-08-04 2014-11-26 苏州工业职业技术学院 连续性处理的板式水冷电极组等离子体表面处理装置
KR20160056257A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US10699909B2 (en) 2014-11-11 2020-06-30 Hitach High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20190032983A (ko) 2017-09-20 2019-03-28 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마 처리 장치
US11081320B2 (en) 2019-03-06 2021-08-03 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus, plasma processing method, and ECR height monitor
KR20200145644A (ko) 2019-06-20 2020-12-30 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
CN112424911A (zh) * 2019-06-20 2021-02-26 株式会社日立高新技术 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
US11387110B2 (en) 2019-06-20 2022-07-12 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method

Also Published As

Publication number Publication date
US4579623A (en) 1986-04-01
JPH0473287B2 (ja) 1992-11-20

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