JPS604925A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS604925A JPS604925A JP58113968A JP11396883A JPS604925A JP S604925 A JPS604925 A JP S604925A JP 58113968 A JP58113968 A JP 58113968A JP 11396883 A JP11396883 A JP 11396883A JP S604925 A JPS604925 A JP S604925A
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- JP
- Japan
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- layer
- electrochromic
- film
- electrochromic layer
- electrode
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K9/00—Tenebrescent materials, i.e. materials for which the range of wavelengths for energy absorption is changed as a result of excitation by some form of energy
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
- G02F1/15245—Transition metal compounds based on iridium oxide or hydroxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電気化学的発消色現象、即ち、エレクトロク
ロミック現象を応用した素子を製造する際の第１エレク
トロクロミック層を、コバルト、イリジウム、ニッケル
の水酸化物の３種混合膜にしたエレクトロクロミック素
子に関するものである。
ロミック現象を応用した素子を製造する際の第１エレク
トロクロミック層を、コバルト、イリジウム、ニッケル
の水酸化物の３種混合膜にしたエレクトロクロミック素
子に関するものである。
エレクトロクロミック現象を応用した、全固体型エレク
トロクロミック素子の従来の例を１第１゜２図を用いて
説明する。ゝ 第１，２図は全固体型エレクトロクロミック素子の一般
的な構造を示す断面図である。
トロクロミック素子の従来の例を１第１゜２図を用いて
説明する。ゝ 第１，２図は全固体型エレクトロクロミック素子の一般
的な構造を示す断面図である。
図において、１はガラス基板、２は透明導電膜、６は陽
極側発色層である第１エレクトロクロミック層、４は誘
電体からなる絶縁層、６は陰極側発色層である第２エレ
クトロクロミック層、５は電極である。
極側発色層である第１エレクトロクロミック層、４は誘
電体からなる絶縁層、６は陰極側発色層である第２エレ
クトロクロミック層、５は電極である。
ここで、１のガラス基板は、ガラスのみではなく、プラ
スチック、アクリル等々のいわゆる無色透明であるもの
ならば良く、その位置に関しても、電極のどちら側か一
方で良いし、あるいは両側にあっても良い。２，５の電
極に関しても、どちらか一方が透明であれば良いし、両
側が透明であれば、透過型の素子が出来る。４も誘電体
のみではなく、固体電解質等の様なものでも良い。
スチック、アクリル等々のいわゆる無色透明であるもの
ならば良く、その位置に関しても、電極のどちら側か一
方で良いし、あるいは両側にあっても良い。２，５の電
極に関しても、どちらか一方が透明であれば良いし、両
側が透明であれば、透過型の素子が出来る。４も誘電体
のみではなく、固体電解質等の様なものでも良い。
透明導電膜としては、Ｉ′ｒＯ膜（酸化インジウム。
ＩｎｓＱｇ 、中に酸化錫、８ｎｏｍをドープしたもの
）やネサ膜等々が用いられる。
）やネサ膜等々が用いられる。
乙の陽極側発色層である第１エレクＦロク四ミツク層は
、三酸化クロム（Ｏｒ冨Ｏｓ）、水酸化イリジウム（Ｉ
ｒ（Ｏ）１）＊）、木酢化ニッケル（Ｎ４（Ｏ）い）等
々を用いて形成する。
、三酸化クロム（Ｏｒ冨Ｏｓ）、水酸化イリジウム（Ｉ
ｒ（Ｏ）１）＊）、木酢化ニッケル（Ｎ４（Ｏ）い）等
々を用いて形成する。
４の誘導体からなる絶縁層は、二酸化ジルコン（ＺｒＯ
ｓ） 、五酸化タンク／ｌ／ （Ｔａ５ｋｓ ） 、酸
化ケイ素（Ｓｌ、、 ８１ｏｚ）等々に代表される酸化
物、あるいは、フッ化リチウム（ＬｌＦ）、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ＊）等々に代表されるフッ化物が用い
られる。
ｓ） 、五酸化タンク／ｌ／ （Ｔａ５ｋｓ ） 、酸
化ケイ素（Ｓｌ、、 ８１ｏｚ）等々に代表される酸化
物、あるいは、フッ化リチウム（ＬｌＦ）、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ＊）等々に代表されるフッ化物が用い
られる。
６の陰極側発色層である第２エレクトロクロミック層は
、酸化タングステン（Ｗ違、Ｗ）ｓ）、酸化モリブデン
（Ｍｏｓｓ、Ｍｏｏｎ ） 、五酸化バナジウム（Ｖｍ
Ｏａ）等々の物質を用いて形成する。
、酸化タングステン（Ｗ違、Ｗ）ｓ）、酸化モリブデン
（Ｍｏｓｓ、Ｍｏｏｎ ） 、五酸化バナジウム（Ｖｍ
Ｏａ）等々の物質を用いて形成する。
この様な構造を持つ、全固体型エレクトロクロミック素
子においては、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印
加することにより、電気化学反応が起き着色、消色をす
る。
子においては、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印
加することにより、電気化学反応が起き着色、消色をす
る。
この着色機構としては、例えば、第２エレクトロク四ミ
ツク物質層６へのカチオンと電子のダブルインジェクシ
ョンによるブロンズ形成が一般的に言われている。この
場給、エレクトロクロミック物質にｖｙｏｓを用いるな
らば、次の（１）式で表わされる醸化還元反応が起き着
色する。
ツク物質層６へのカチオンと電子のダブルインジェクシ
ョンによるブロンズ形成が一般的に言われている。この
場給、エレクトロクロミック物質にｖｙｏｓを用いるな
らば、次の（１）式で表わされる醸化還元反応が起き着
色する。
ＷＯｓ ＋ｘＨ” ＋ ｓ：ｅ−；ＨｘＷＯｓ （１）
（１）式に従って、タングステンブロンズ１−ｈＷＯｓ
カ形成され着色するが、ここで、印加電圧を逆転すれ
ば消色状態となる。
（１）式に従って、タングステンブロンズ１−ｈＷＯｓ
カ形成され着色するが、ここで、印加電圧を逆転すれ
ば消色状態となる。
（１）式のこの様な反応は、全固体型エレクトロクロミ
ック素子においては、素子内部の絶縁層によって、プロ
トンＨ＋が供給され着色するとされている。
ック素子においては、素子内部の絶縁層によって、プロ
トンＨ＋が供給され着色するとされている。
第１エレクト四クロミツク層は、水酸化イリジウム（Ｉ
ｒ （ＯＨ）り等の水酸化物を、反応性スパッタや陽極
酸化膜法で形成することもできるが、本発明では、反応
性高周波イオンブレーティング法を用い形成した。蒸着
材料としては、コバルト（Ｃｏ）、イリジウム（Ｉｒ）
、ニッケル（Ｎｉ）のベレット又は粉末を用い、電子銃
もしくは、抵抗加熱併用によって膜を形成した。
ｒ （ＯＨ）り等の水酸化物を、反応性スパッタや陽極
酸化膜法で形成することもできるが、本発明では、反応
性高周波イオンブレーティング法を用い形成した。蒸着
材料としては、コバルト（Ｃｏ）、イリジウム（Ｉｒ）
、ニッケル（Ｎｉ）のベレット又は粉末を用い、電子銃
もしくは、抵抗加熱併用によって膜を形成した。
本発明による方法を実施するのに使用されるイオンブレ
ーティング装置の一例を第３図に示す。
ーティング装置の一例を第３図に示す。
図中、１０はイオンブレーティング装置の本体、１１は
拡散ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１６は傘、１
４はＤＣＡイアスを印加するＤＣバイアス源、１５は高
周波コイル（凝゛コイル）、１６は０漏ガスを供給する
０２ガスボンベ、１７はニードルパルプを示す。
拡散ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１６は傘、１
４はＤＣＡイアスを印加するＤＣバイアス源、１５は高
周波コイル（凝゛コイル）、１６は０漏ガスを供給する
０２ガスボンベ、１７はニードルパルプを示す。
次に、全固体型エレクトロクロミック素子を製造する本
発明方法の実施例について説明する。
発明方法の実施例について説明する。
実施例１
厚み０．８ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ガラス基板
上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、Ｉ
ＴＯ膜上に、蒸着材料に金属コバ／ｌ／ ） （Ｃｏ）
、金属イリジウム（Ｉｒ）、金属ニッケル（Ｎ１）を
用い１反応性高周波イオンブレーティング方法により、
陽極側発色層である、第１エレクトロクロミック層を形
成した。
上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、Ｉ
ＴＯ膜上に、蒸着材料に金属コバ／ｌ／ ） （Ｃｏ）
、金属イリジウム（Ｉｒ）、金属ニッケル（Ｎ１）を
用い１反応性高周波イオンブレーティング方法により、
陽極側発色層である、第１エレクトロクロミック層を形
成した。
条件として、ＨｓＯ蒸気
を５．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度
を各各１． Ｑ Ａ ／ ｓｓｏ合計３．ＯＪ／ｓｅａ
とした。膜厚は１５００ Ａであった。
を各各１． Ｑ Ａ ／ ｓｓｏ合計３．ＯＪ／ｓｅａ
とした。膜厚は１５００ Ａであった。
この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体層であるＴ
ａｍｅｓの層を３００ＯＡ付けた。この時の真空度は２
． ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ａ ／
ｓｓ。
ａｍｅｓの層を３００ＯＡ付けた。この時の真空度は２
． ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８Ａ ／
ｓｓ。
であった。さらに、これらの膜の上に、陰極発色層であ
る、第２エレクトロクロミック層であるＷＯｓ層を、真
空蒸着方法により、４０００ Ａ付け、第２１！極であ
る半透明ＡＵ 膜を３０ＯＡ付けた。
る、第２エレクトロクロミック層であるＷＯｓ層を、真
空蒸着方法により、４０００ Ａ付け、第２１！極であ
る半透明ＡＵ 膜を３０ＯＡ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１．２ｍｍ極間に、２．２Ｖ印加して駆動し
たところ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３
００ ｍ５ｅｏ であった。
素子を、第１．２ｍｍ極間に、２．２Ｖ印加して駆動し
たところ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３
００ ｍ５ｅｏ であった。
実施例２
厚み０．８ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ガラス基板
上に、適当なす１き出し電極部及びリード部を備えた、
■ＴＯ膜上に、蒸着材料に金属スバル）（Ｃｏ）と金属
ニッケル（Ｎ１）合金ペレット（１：１λ及び金はイリ
ジウム（Ｉｒ ）ペレットを用い、反応性高周波イオン
ブレーティング方法により、陽極側発色層である、第１
エレクトロクロミック層を形成した。
上に、適当なす１き出し電極部及びリード部を備えた、
■ＴＯ膜上に、蒸着材料に金属スバル）（Ｃｏ）と金属
ニッケル（Ｎ１）合金ペレット（１：１λ及び金はイリ
ジウム（Ｉｒ ）ペレットを用い、反応性高周波イオン
ブレーティング方法により、陽極側発色層である、第１
エレクトロクロミック層を形成した。
条件として、Ｈ寓０蒸気
を５． ＯＸ １０”−’Ｔｏｒｒ まで導入し、蒸着
速度を各々Ａであった。
速度を各々Ａであった。
この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体層であるＴ
ａａＯａの層を３０００ ｉ付けた。この時の真空度は
２． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８Ａ ／
ｓｅｅ テあった。さらに、これらの膜の上に、陰極発
色層である、第２エレクトロクロミック層であるＶＫ）
ｓ層を、真空蒸着方法により、４０００ Ａ付け、第２
電極である半透明Ａｔｒ 膜を６０ＯＡ付けた。
ａａＯａの層を３０００ ｉ付けた。この時の真空度は
２． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８Ａ ／
ｓｅｅ テあった。さらに、これらの膜の上に、陰極発
色層である、第２エレクトロクロミック層であるＶＫ）
ｓ層を、真空蒸着方法により、４０００ Ａ付け、第２
電極である半透明Ａｔｒ 膜を６０ＯＡ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに！１
５０ ｍａｅｏ であった。
素子を、第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに！１
５０ ｍａｅｏ であった。
実施例６
厚み０．８ ｍｍのｅａｒｎｉｎｇ ７０５９ガラス基
板上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、
ＩＴＯ膜上に、蒸着材料に金属コバル）（Ｃｏ）と金属
イリジウム（Ｉｒ）の合金へレット（１：１）及び、粉
末状ニッケルを用い、反応性高周波イオンブレーティン
グ方法により、陽極側発色層である、第１エレクトロク
ロミック層を形成した。
板上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、
ＩＴＯ膜上に、蒸着材料に金属コバル）（Ｃｏ）と金属
イリジウム（Ｉｒ）の合金へレット（１：１）及び、粉
末状ニッケルを用い、反応性高周波イオンブレーティン
グ方法により、陽極側発色層である、第１エレクトロク
ロミック層を形成した。
条件として、ニードルバルブ１７′を開放して水溜１９
からＨ露Ｏ蒸気 を５． Ｄ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速
度を各々膜厚は１２０ＯＡであった。
からＨ露Ｏ蒸気 を５． Ｄ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速
度を各々膜厚は１２０ＯＡであった。
この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体層であるＴ
ａ露Ｏｓの層を３００ＯＡ付けた。この時の真空度は２
． ＯＸ １０”−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８Ａ ／
ｓｅａ ”’Ｃあった。さらに、これらの膜の上に、陰
極発色層である、第２エレクトロクロミック層であるＷ
ａｓ層を、真空蒸着方法により４０００ Ａ付け、第２
電極である半透明Ａｔｒ 膜を６００Ａ付けた。
ａ露Ｏｓの層を３００ＯＡ付けた。この時の真空度は２
． ＯＸ １０”−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８Ａ ／
ｓｅａ ”’Ｃあった。さらに、これらの膜の上に、陰
極発色層である、第２エレクトロクロミック層であるＷ
ａｓ層を、真空蒸着方法により４０００ Ａ付け、第２
電極である半透明Ａｔｒ 膜を６００Ａ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１．２電極間に、２．２■印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３４
０ｍ５θＣであった。
素子を、第１．２電極間に、２．２■印加して駆動した
ところ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３４
０ｍ５θＣであった。
実施例４
厚みＯ−８ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ガラス基板
上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、■
ＴＯ膜上に、蒸着材料にコバルト、イリジウム、ニッケ
ルの酸化物を混合（１：１：１）ペレットを用い、反応
性高周波イオンブレーティング方法により、陽極側発色
層である、第１エレクトロクロミック層を形成した。
上に、適当な引き出し電極部及びリード部を備えた、■
ＴＯ膜上に、蒸着材料にコバルト、イリジウム、ニッケ
ルの酸化物を混合（１：１：１）ペレットを用い、反応
性高周波イオンブレーティング方法により、陽極側発色
層である、第１エレクトロクロミック層を形成した。
条件として、Ｈ２０蒸気
を４． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ まで導入し、蒸着速
度ヲ１．５この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体
層であるＴａａＯａの居を３００ＯＡ付けた。この時の
真空度は２． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８
Ａ ／ ｓｅａであった。さらに、これらの膜の上に、
陰極発色層である、第２エレクトロクロミック層である
Ｗ）ｓ層を、真空蒸着法により、４０００ Ａ付け、第
２電極である半透明Ａｔｒ膜を６０ＯＡ付けた。
度ヲ１．５この膜の上に、真空蒸着方法により、絶縁体
層であるＴａａＯａの居を３００ＯＡ付けた。この時の
真空度は２． ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度は８
Ａ ／ ｓｅａであった。さらに、これらの膜の上に、
陰極発色層である、第２エレクトロクロミック層である
Ｗ）ｓ層を、真空蒸着法により、４０００ Ａ付け、第
２電極である半透明Ａｔｒ膜を６０ＯＡ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動したと
ころ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３００
ｍ５ｅｏであった。
素子を第１，２電極間に、２．２Ｖ印加して駆動したと
ころ、着色濃度がΔＯＤで０．４に達するまでに３００
ｍ５ｅｏであった。
第１図および第２図は、本発明方法により製造される全
固体型エレクトロクロミック素子の２つ４史 の例を示す断面図、第６図は本発明方法に使用されるイ
オンプレティング装置を示す概略図である。 １：基板、２：第１電極、６：エレクトロクロミック層
、４：絶縁層、５：第２電極、６：エレクトロクロミッ
ク層、１０：イオンプレティング装置本体、１１；拡散
ポンプ、１２：電子銃（ＥＢガン）、１３：傘、１４：
ＤＣバイアス源、１５：高周波コイル（’Ｒ，Ｆコイル
）１６：Ｏ雪ガスボンベ、１７：ニードルバルブ、１’
９：水溜。 特許出願人 キャノン株式会社 口 Ｃ○ 恢
固体型エレクトロクロミック素子の２つ４史 の例を示す断面図、第６図は本発明方法に使用されるイ
オンプレティング装置を示す概略図である。 １：基板、２：第１電極、６：エレクトロクロミック層
、４：絶縁層、５：第２電極、６：エレクトロクロミッ
ク層、１０：イオンプレティング装置本体、１１；拡散
ポンプ、１２：電子銃（ＥＢガン）、１３：傘、１４：
ＤＣバイアス源、１５：高周波コイル（’Ｒ，Ｆコイル
）１６：Ｏ雪ガスボンベ、１７：ニードルバルブ、１’
９：水溜。 特許出願人 キャノン株式会社 口 Ｃ○ 恢
Claims (1)
- 第１電極としての透明導電体を第１層とし、第１エレク
トロクロミック層を第２層、絶縁層を第３ｆｆ、第２エ
レクトロクロミック層を第４層、第２電極を第５層とす
るとき、前記第１から第５層あるいは第１．２，３．５
層を順次積層して構成した、全固体型エレクトロクロミ
ック素子において、第１エレクトロクロミック層をコバ
ルト１イリジウム、およびニッケルの水激化物の６種混
合膜にしたことを特徴とするエレクトロクロミック素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113968A JPS604925A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113968A JPS604925A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604925A true JPS604925A (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=14625721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113968A Pending JPS604925A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604925A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543624B1 (ja) * | 1971-03-04 | 1979-02-24 |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113968A patent/JPS604925A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS543624B1 (ja) * | 1971-03-04 | 1979-02-24 |
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