JPS6040591A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6040591A JPS6040591A JP59139007A JP13900784A JPS6040591A JP S6040591 A JPS6040591 A JP S6040591A JP 59139007 A JP59139007 A JP 59139007A JP 13900784 A JP13900784 A JP 13900784A JP S6040591 A JPS6040591 A JP S6040591A
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- JP
- Japan
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- bubble
- transfer
- pattern
- magnetic
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、詳しくは、直径
はぼ２７ｔｍ以下の微小バブル転送に好適な転送路を有
する磁気バブルメモリ素子に関する〔発明の背景〕 従来、磁界駆動型の磁気バブル転送路としては、（１）
バブル媒体（磁性ガーネット膜など）」二に軟磁性金属
（パーマロイなど）でＴ−ｂａｒや非対称シェブロン型
に形成した転送路（例えば、米国特許第’１，００７，
４４７号に示される）および（２）媒体表面にイオン打
込等によって面内磁化層を形成した数珠状（コンティギ
ュアス・ディスク型）転送路（例えば、米国特許第３，
８２８，３２９号にされる）等が知られている。
はぼ２７ｔｍ以下の微小バブル転送に好適な転送路を有
する磁気バブルメモリ素子に関する〔発明の背景〕 従来、磁界駆動型の磁気バブル転送路としては、（１）
バブル媒体（磁性ガーネット膜など）」二に軟磁性金属
（パーマロイなど）でＴ−ｂａｒや非対称シェブロン型
に形成した転送路（例えば、米国特許第’１，００７，
４４７号に示される）および（２）媒体表面にイオン打
込等によって面内磁化層を形成した数珠状（コンティギ
ュアス・ディスク型）転送路（例えば、米国特許第３，
８２８，３２９号にされる）等が知られている。
第１図（ａ）に示すように上記（１）の非対称シェブロ
ン・パターン２の場合、転送周期λに対してパターン・
ギャップはλ／８、バブル１の直径ｄ−λ／４〜λ１５
であるから、λ＝８μｍの場合、ギャップが１μｍとな
り、従来のホ１へリングラフィの限界に達していないた
め、それ以上の高密度化は困難であった。
ン・パターン２の場合、転送周期λに対してパターン・
ギャップはλ／８、バブル１の直径ｄ−λ／４〜λ１５
であるから、λ＝８μｍの場合、ギャップが１μｍとな
り、従来のホ１へリングラフィの限界に達していないた
め、それ以上の高密度化は困難であった。
一方、第１図（ｂ）に示した」二記（２）においては、
ギャップレス型のため転送パターン５（非イオン打込み
領域）の形成は比較的容易であるが、バブル１の駆動力
として面内磁化層に生ずる磁荷を持った磁壁（ｃｈａｒ
ｍｅｄ ｗａｇ、］、） ４を用いるため、バブル１の
転送がガーネットの王回対称の結晶異方性に大きく依存
する。その結果、転送マージンがバブル転送方向によっ
て異なるという問題があった。
ギャップレス型のため転送パターン５（非イオン打込み
領域）の形成は比較的容易であるが、バブル１の駆動力
として面内磁化層に生ずる磁荷を持った磁壁（ｃｈａｒ
ｍｅｄ ｗａｇ、］、） ４を用いるため、バブル１の
転送がガーネットの王回対称の結晶異方性に大きく依存
する。その結果、転送マージンがバブル転送方向によっ
て異なるという問題があった。
なお、第１図において記号３は面内回転磁界の方したが
って本発明の目的は、リソグラフィが比較的容易でかつ
結晶異方性の影響の少ない微小バブル用転送路を持つ磁
気バブルメモリ素子を提供この目的を達成するため、本
発明は、」二記した（］）、（２）の転送方法の長所を
融合させて新らしい転送路を形成した。
って本発明の目的は、リソグラフィが比較的容易でかつ
結晶異方性の影響の少ない微小バブル用転送路を持つ磁
気バブルメモリ素子を提供この目的を達成するため、本
発明は、」二記した（］）、（２）の転送方法の長所を
融合させて新らしい転送路を形成した。
一５伝朋Ｊｄ忙翼よ
すなわち、本発明は、イオン打込みなどを用いて形成さ
れた面内磁化層の磁荷によって、バブルが転送される無
間隙パターンの一部に、パーマロイなど軟磁性体パター
ンを配して、バブル転送の補助として用いる。
れた面内磁化層の磁荷によって、バブルが転送される無
間隙パターンの一部に、パーマロイなど軟磁性体パター
ンを配して、バブル転送の補助として用いる。
それにより、本発明は、いかなる方向へも広いマージン
をもってバブルを転送することを可能とし、また、軟磁
性体パターンの最小線幅および最小間隙に対する要求を
緩和させ、同時に、軟磁体パターンの間隙部における転
送を、無間隙パターンの特殊磁荷によって補完させるも
のである。
をもってバブルを転送することを可能とし、また、軟磁
性体パターンの最小線幅および最小間隙に対する要求を
緩和させ、同時に、軟磁体パターンの間隙部における転
送を、無間隙パターンの特殊磁荷によって補完させるも
のである。
〔発明の実施例〕
第２図（ａ）に基本転送路の一例を、第２図（ｂ）にそ
の断面構造の一例をそれぞれ示す。
の断面構造の一例をそれぞれ示す。
第２図（ａ） 、 （ｂ）から明らかなように、まず、
基板１２上に被着されたバブル層７の領域６にイオン１
１を打込んで、非４」込み層からなる無間隙パターン５
を形成する。
基板１２上に被着されたバブル層７の領域６にイオン１
１を打込んで、非４」込み層からなる無間隙パターン５
を形成する。
つぎにスペーサーとしてＳ ｊ、 ０２層８を被着した
後、通常の方法によって、軟磁性体パターン２を形成し
、さらに８１０２層８′を形成する。
後、通常の方法によって、軟磁性体パターン２を形成し
、さらに８１０２層８′を形成する。
また、パーマロイ層２の膜厚が薄い場合は、打込まれた
イオンは、容易にパーマロイ層２を通過してバブル層７
に到達できるので、この場合は、イオン打込みを行なわ
ずに、−１−記Ｓ ｊ ０２層８′の形成までを行ない
、その後に、Ａ １」／ Ｃｒ層などからなるイオン阻
止マスク１０を用いて、イオン（Ｔ（” 、 Ｉ−ｆ
ｅ＋など）１１を打込み、イオン打込み領域６（および
無間隙パターン５）を形成してもよい。なお、第２図（
ｂ）において、記号９はΔ１ｊ層とＳ ｊ、 ０２層と
の接着層を示す。
イオンは、容易にパーマロイ層２を通過してバブル層７
に到達できるので、この場合は、イオン打込みを行なわ
ずに、−１−記Ｓ ｊ ０２層８′の形成までを行ない
、その後に、Ａ １」／ Ｃｒ層などからなるイオン阻
止マスク１０を用いて、イオン（Ｔ（” 、 Ｉ−ｆ
ｅ＋など）１１を打込み、イオン打込み領域６（および
無間隙パターン５）を形成してもよい。なお、第２図（
ｂ）において、記号９はΔ１ｊ層とＳ ｊ、 ０２層と
の接着層を示す。
第２図（ａ）から明らかなように、このようにし−１３
− て形成された転送パターンの転送周期はえてあり、した
がって、パーマロイパターン２間のギャップはλ／４ま
たはそれ以」二でよい。
− て形成された転送パターンの転送周期はえてあり、した
がって、パーマロイパターン２間のギャップはλ／４ま
たはそれ以」二でよい。
そのため、ギャップ１μのときの周期は４μとなり、リ
ソグラフィ技術によって、従来の４倍以上の高密度化が
達成される。
ソグラフィ技術によって、従来の４倍以上の高密度化が
達成される。
この場合のバブルの直径は、約１μｍになるから、第１
１Ｅ（ａ）に示したような従来のパーマロイパターンの
場合とは異なり、バブル１が隣接するパーマロイパター
ン２間の間隙に来た場合、バブル１がパターン２間に橋
渡しする可能性は少ない。
１Ｅ（ａ）に示したような従来のパーマロイパターンの
場合とは異なり、バブル１が隣接するパーマロイパター
ン２間の間隙に来た場合、バブル１がパターン２間に橋
渡しする可能性は少ない。
その橋渡しの役割を果たしてバブル１を転送するのがチ
ャーシト・ウオール４である。チャーシト・ウオール４
は、従来のＴ−ｂａｒパターンにお番づるバーの役割と
同様にバブル１を隣りのパーマロイパターン２への橋渡
しをするように作用して、バブル１を転送する。
ャーシト・ウオール４である。チャーシト・ウオール４
は、従来のＴ−ｂａｒパターンにお番づるバーの役割と
同様にバブル１を隣りのパーマロイパターン２への橋渡
しをするように作用して、バブル１を転送する。
上記のように、本発明によれば、従来のホ１〜リソグラ
フィを用いても、４倍以上の高密度化が実４− 現されるばかりでなく、バブルは主にパーマロイパター
ンの磁化によって転送さ九るため、イオン１Ｊ込みによ
って形成されたパターンを用いて転送するコンティギュ
アス素子に特有な転送マージンの結晶異方性依存性も大
幅に軽減することができた。また、転送に必要な最小駆
動磁界ｒ−＋ もコンテイギユアスディスク素子に比べ
て低減したなど、実用−１−の利点は多い。
フィを用いても、４倍以上の高密度化が実４− 現されるばかりでなく、バブルは主にパーマロイパター
ンの磁化によって転送さ九るため、イオン１Ｊ込みによ
って形成されたパターンを用いて転送するコンティギュ
アス素子に特有な転送マージンの結晶異方性依存性も大
幅に軽減することができた。また、転送に必要な最小駆
動磁界ｒ−＋ もコンテイギユアスディスク素子に比べ
て低減したなど、実用−１−の利点は多い。
図面のｆｌｌｌＬｌｉな説明
第１図（ａ）および（ｂ）は従来の転送パターンを説明
するための図、第２図（ａ）および（ｂ）は、それぞれ
本発明の一実施例の平面および断面構造を示す図である
。
するための図、第２図（ａ）および（ｂ）は、それぞれ
本発明の一実施例の平面および断面構造を示す図である
。
１・・磁気バブル、２・・・軟磁性膜、３・・・面内回
転磁界、４・・・チャーシト・ウオール、５・・・非打
込層、６・イオン打込層、７・バブル層、８，８′ ス
ペーサ、９・・Ａｕと５ｉ０２との接着層、１０・・・
イオン阻止マスク、１１・打込みイオン、１２・・バブ
ル層用基板。
転磁界、４・・・チャーシト・ウオール、５・・・非打
込層、６・イオン打込層、７・バブル層、８，８′ ス
ペーサ、９・・Ａｕと５ｉ０２との接着層、１０・・・
イオン阻止マスク、１１・打込みイオン、１２・・バブ
ル層用基板。
第１図
（久）
Ｃｂ）
（ｂ）
第１頁の続き
う
＠発 明 者 積 １） 則 和 国分寺市東恋う・窪
１丁目２８幡地 株式会社日立製作所中・窪１丁目２８
幡地 株式会社日立製作所中ｒ窪１丁目２８幡地 株式
会社日立製作所中、窪１丁目２８幡地 株式会社日立製
作所中６１０−
１丁目２８幡地 株式会社日立製作所中・窪１丁目２８
幡地 株式会社日立製作所中ｒ窪１丁目２８幡地 株式
会社日立製作所中、窪１丁目２８幡地 株式会社日立製
作所中６１０−
Claims (1)
- イオン打込みによって形成された無間隙パターンと、該
無間隙パターンとスペーサを介して配置された軟磁性体
パターンからなる転送パターンをそなえた磁気バブルメ
モリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139007A JPS6040591A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59139007A JPS6040591A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6040591A true JPS6040591A (ja) | 1985-03-02 |
Family
ID=15235301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59139007A Pending JPS6040591A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6040591A (ja) |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP59139007A patent/JPS6040591A/ja active Pending
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