JPS6037631B2 - アルゴン・イオン・レ−ザ装置 - Google Patents
アルゴン・イオン・レ−ザ装置Info
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- JPS6037631B2 JPS6037631B2 JP56086903A JP8690381A JPS6037631B2 JP S6037631 B2 JPS6037631 B2 JP S6037631B2 JP 56086903 A JP56086903 A JP 56086903A JP 8690381 A JP8690381 A JP 8690381A JP S6037631 B2 JPS6037631 B2 JP S6037631B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- side mirror
- argon ion
- index material
- laser device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/2207—Noble gas ions, e.g. Ar+>, Kr+>
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガスレーザ装置に関し、さらに詳しくは、波長
(入L)が4880△の発振線を単一かつ最適状態で発
振させ、出力を増大できるようにしたアルゴン・イオン
・レーザ装置に関する。
(入L)が4880△の発振線を単一かつ最適状態で発
振させ、出力を増大できるようにしたアルゴン・イオン
・レーザ装置に関する。
アルゴン・イオン・レーザ装置は、第1図に示すように
、ガラス等の外囲器16中に、適当な圧力でアルゴン・
ガスが封入され、放電路紬管17を通る電気的放電によ
り励起状態のアルゴン・イオン(Ar+、Ar十十)を
作る電源部、及び励起状態からの遷移を誘導し、レーザ
発振状態に至らしむ光共振器から構成される。
、ガラス等の外囲器16中に、適当な圧力でアルゴン・
ガスが封入され、放電路紬管17を通る電気的放電によ
り励起状態のアルゴン・イオン(Ar+、Ar十十)を
作る電源部、及び励起状態からの遷移を誘導し、レーザ
発振状態に至らしむ光共振器から構成される。
紬管17をはさんで配置された光共振器は、基板11上
に形成された譲電体多層膜13から成る高反射側ミラー
と、透明基板12の一方の面に形成された議電体多層膜
14から成る出力側ミラーとを組合せることにより構成
され、これらミラーは外圏器内に封入されている。出力
側ミラーの基板12の外面には反射防止膜15が形成さ
れ、この出力側ミラーからは、一部透過光としてレーザ
光1が取り出される。なお図中の符号18はカソード、
19はアノードをあらわしている。各ミラーの誘電体多
層膜13あるいは14は、各々基本的には第2図に示す
ように透明基板21上に高屈折率物質22と低屈折率物
質23の光互層より成っている。
に形成された譲電体多層膜13から成る高反射側ミラー
と、透明基板12の一方の面に形成された議電体多層膜
14から成る出力側ミラーとを組合せることにより構成
され、これらミラーは外圏器内に封入されている。出力
側ミラーの基板12の外面には反射防止膜15が形成さ
れ、この出力側ミラーからは、一部透過光としてレーザ
光1が取り出される。なお図中の符号18はカソード、
19はアノードをあらわしている。各ミラーの誘電体多
層膜13あるいは14は、各々基本的には第2図に示す
ように透明基板21上に高屈折率物質22と低屈折率物
質23の光互層より成っている。
各層は、光学的膜厚が^。/4になるように設計されて
いる。ここで入oは反射帯の中心波長である。第2図に
示す誘電体多層膜の典型的分光特性は、第3図に示すよ
うなものである。即ち、反射帯の中心波長入oを中心に
し、帯城幅2△gの高反射帯および、その両側の透過帯
より成っている。反射帯の幅2△gは高屈折率物質と低
屈折率物質との比で決まり、一般には非常に広帯域にな
る。ところで、アルゴン・イオン・レーザの可視城にお
ける発振波長は4880Aの他に、4545A、457
9A、4658A、4727△、4765△、4965
A、5017△、5145A、及び5287Aがあり、
これらの発振波長の隣り合う波長間隔は、34△から1
42人であり、最長波長、最短波長の差でも742△で
ある。
いる。ここで入oは反射帯の中心波長である。第2図に
示す誘電体多層膜の典型的分光特性は、第3図に示すよ
うなものである。即ち、反射帯の中心波長入oを中心に
し、帯城幅2△gの高反射帯および、その両側の透過帯
より成っている。反射帯の幅2△gは高屈折率物質と低
屈折率物質との比で決まり、一般には非常に広帯域にな
る。ところで、アルゴン・イオン・レーザの可視城にお
ける発振波長は4880Aの他に、4545A、457
9A、4658A、4727△、4765△、4965
A、5017△、5145A、及び5287Aがあり、
これらの発振波長の隣り合う波長間隔は、34△から1
42人であり、最長波長、最短波長の差でも742△で
ある。
それ故、誘電体多層膜ミラーの反射帯城幅(2略)の方
がはるかに広いため、通常はしきし、値を越えた波長の
発振器がすべて同時に発振する。しかし、レーザ発振光
を利用する場合には、単色発振とすることを要求される
場合が多い。同時に発振しているいくつかの波長から単
色光を分離するのは、余分の光学系を必要とし、レーザ
利用効率も悪い。それ故、発振そのものを単色にする必
要がある。通常用いられる単色発振の手段として、共振
器内部にプリズムを挿入し、その分散を利用する方式、
あるいは反射形回折格子を高反射側ミラーの代りに用い
る方式がある。しかし分散プリズムを共振器内部に挿入
する場合には、プリズムをブリュースター角で挿入して
も、プリズム表面での散乱損失や、プリズムの透過損失
のため発振出力が低下し、しかも光共振器の調整が非常
に複雑になるという欠点がある。また周囲温度、機械的
振動等の環鏡変化に過敏で安定動作が継続し‘こくい点
、素子が高価である点、さらにレーザ煤質に直接触れて
取りつける内部ミラー方式のレーザ管では、その固定方
法が難かしいことも欠点である。以上の欠点は回折格子
を用いた場合にも同様に生じる。そこで、上述の各欠点
を除くため、譲露体多層膜の分光特性を移動させること
により、単一波長のみを発振させる方式が、特公昭44
−29436号公報に提案されている。
がはるかに広いため、通常はしきし、値を越えた波長の
発振器がすべて同時に発振する。しかし、レーザ発振光
を利用する場合には、単色発振とすることを要求される
場合が多い。同時に発振しているいくつかの波長から単
色光を分離するのは、余分の光学系を必要とし、レーザ
利用効率も悪い。それ故、発振そのものを単色にする必
要がある。通常用いられる単色発振の手段として、共振
器内部にプリズムを挿入し、その分散を利用する方式、
あるいは反射形回折格子を高反射側ミラーの代りに用い
る方式がある。しかし分散プリズムを共振器内部に挿入
する場合には、プリズムをブリュースター角で挿入して
も、プリズム表面での散乱損失や、プリズムの透過損失
のため発振出力が低下し、しかも光共振器の調整が非常
に複雑になるという欠点がある。また周囲温度、機械的
振動等の環鏡変化に過敏で安定動作が継続し‘こくい点
、素子が高価である点、さらにレーザ煤質に直接触れて
取りつける内部ミラー方式のレーザ管では、その固定方
法が難かしいことも欠点である。以上の欠点は回折格子
を用いた場合にも同様に生じる。そこで、上述の各欠点
を除くため、譲露体多層膜の分光特性を移動させること
により、単一波長のみを発振させる方式が、特公昭44
−29436号公報に提案されている。
これは、5145Aの単色レーザ波長を、反射波長領域
の中心から、反射率半値幅の3′8以上離れた点に置く
誘電体多層膜を有する単一波長レーザ装置である。51
45Aの単一波長発振の場合のアルゴン・イオン・レー
ザ装置の高反射側ミラーの分光特性の一例を第4図に示
す。
の中心から、反射率半値幅の3′8以上離れた点に置く
誘電体多層膜を有する単一波長レーザ装置である。51
45Aの単一波長発振の場合のアルゴン・イオン・レー
ザ装置の高反射側ミラーの分光特性の一例を第4図に示
す。
第4図に於て、Bは反射帯の幅であり、発振させようと
する単一波長5145Aを、中心波長から3/8B以遠
に置いて5145Aのみを発振させ、短波長の同時発振
を抑えている。この方式は、波長が最短または最長の発
振線に対しては比較的有効である。しかるに、上述の方
式を中間波長にある4880A等の発振線に対し適用し
ようとすると、詳細な実験結果によれば、反射帯幅の3
/8以遠に所望の単一発振波長を置くことは不適切であ
ることを本発明者らは発明した。
する単一波長5145Aを、中心波長から3/8B以遠
に置いて5145Aのみを発振させ、短波長の同時発振
を抑えている。この方式は、波長が最短または最長の発
振線に対しては比較的有効である。しかるに、上述の方
式を中間波長にある4880A等の発振線に対し適用し
ようとすると、詳細な実験結果によれば、反射帯幅の3
/8以遠に所望の単一発振波長を置くことは不適切であ
ることを本発明者らは発明した。
その理由は中間の発振波長ではミラーの分光特性の最適
設定が技術的に困難で、多色発振になるが、高反射側ミ
ラーからの透過損失損多くなる不都合が避けられない点
にある。これに対し、本発明は高屈折率物質および低屈
析率物質を主体とする誘電体多層膜より成る出力側ミラ
ーと高反射側ミラーとを有するアルゴン・イオン・レー
ザ装置に於て、前記高反射側ミラーの反射帯の幅を2△
g、反射帯の中心波長を^。
設定が技術的に困難で、多色発振になるが、高反射側ミ
ラーからの透過損失損多くなる不都合が避けられない点
にある。これに対し、本発明は高屈折率物質および低屈
析率物質を主体とする誘電体多層膜より成る出力側ミラ
ーと高反射側ミラーとを有するアルゴン・イオン・レー
ザ装置に於て、前記高反射側ミラーの反射帯の幅を2△
g、反射帯の中心波長を^。
とし、出力側ミラーからとり出す出力レーザ光発振波長
^Lを4880Aとして、入。
^Lを4880Aとして、入。
十講6‐2△g<〜<入。十旨‐2△gを満足する範囲
に設定し、さらに出力側ミラーは多層膜積層数を高反射
側ミラーのよれよりも少なく且つ反射帯の中心波長入T
が4880Aよりも長い波長値に設定されてなることを
特徴とするアルゴン・イオン・レーザ装置である。これ
によって後述するように、アルゴン・イオン・レーザで
4880△のレーザ光を高出力のもとでも単一発振させ
ることが極めて容易となる。以下、まず本発明に使用す
る誘電体多層膜レーザ・ミラーの実施例を、図面を用い
て詳細に説明する。
に設定し、さらに出力側ミラーは多層膜積層数を高反射
側ミラーのよれよりも少なく且つ反射帯の中心波長入T
が4880Aよりも長い波長値に設定されてなることを
特徴とするアルゴン・イオン・レーザ装置である。これ
によって後述するように、アルゴン・イオン・レーザで
4880△のレーザ光を高出力のもとでも単一発振させ
ることが極めて容易となる。以下、まず本発明に使用す
る誘電体多層膜レーザ・ミラーの実施例を、図面を用い
て詳細に説明する。
高反射側ミラーを形成するに際し、高屈折率物質22,
日として、二酸化チタンT、低屈折率物質23,Lとし
て、二酸化シリコンSを用いた場合につき詳述する。蒸
着膜の形成方法としては電子ビム蒸着法、またはスパッ
タリング法であり。高反射側ミラーの多層膜構成は、例
えばSゆ・l〔T・S〕n・T・るfAir ・・・
・・・【b}である。ここで各層の光学的膜厚は、入o
/4であり、最終層のるのみが入。/2である。今、対
の層数n=10、及び入。24530Aとした時の分光
反射率を第5図に示す。
日として、二酸化チタンT、低屈折率物質23,Lとし
て、二酸化シリコンSを用いた場合につき詳述する。蒸
着膜の形成方法としては電子ビム蒸着法、またはスパッ
タリング法であり。高反射側ミラーの多層膜構成は、例
えばSゆ・l〔T・S〕n・T・るfAir ・・・
・・・【b}である。ここで各層の光学的膜厚は、入o
/4であり、最終層のるのみが入。/2である。今、対
の層数n=10、及び入。24530Aとした時の分光
反射率を第5図に示す。
第5図に於て、半値波長はそれぞれ、入, =3840
A、入2 =5220A、であり、中心波長入oは、入
。=4530△である。反射帯の幅2△gは、2△g=
^2一入,=1380Aであるので、となる。
A、入2 =5220A、であり、中心波長入oは、入
。=4530△である。反射帯の幅2△gは、2△g=
^2一入,=1380Aであるので、となる。
それ故、出力レーザ光(入L=4880A)との関係は
{a}式を満足している。そして入L=4880Aであ
るから、これは反射帯中心波長(^o=4530A)よ
り3/8・2△g以遠に離れてはいない。一方、出力側
ミラーは第6図に示す分光特性を有するミラーを用いる
。
{a}式を満足している。そして入L=4880Aであ
るから、これは反射帯中心波長(^o=4530A)よ
り3/8・2△g以遠に離れてはいない。一方、出力側
ミラーは第6図に示す分光特性を有するミラーを用いる
。
同図において曲線72は、図の左端の透過率尺度であら
わした曲線71を1の音‘こ拡大して図の右側の透過率
尺度であらわした特性である。このような特性のミラー
は高反射側ミラーの多層膜に比べて層数を少なくするこ
と、およびこのミラーの反射帯の中心波長(入?)が出
力レーザ光の波長(入L=4880A)よりも長波長側
に位置するように設定すればよい。以上の各ミラーの組
合せにより、比較的大出力まで4880△の単一波長レ
ーザ光をとり出すことができる。第7図はアルゴン・イ
オン・レーザ管を動作させた場合の発振特性を示す結果
である。
わした曲線71を1の音‘こ拡大して図の右側の透過率
尺度であらわした特性である。このような特性のミラー
は高反射側ミラーの多層膜に比べて層数を少なくするこ
と、およびこのミラーの反射帯の中心波長(入?)が出
力レーザ光の波長(入L=4880A)よりも長波長側
に位置するように設定すればよい。以上の各ミラーの組
合せにより、比較的大出力まで4880△の単一波長レ
ーザ光をとり出すことができる。第7図はアルゴン・イ
オン・レーザ管を動作させた場合の発振特性を示す結果
である。
このし−ザ媒質を励起するための細管放電部有効長は3
6肌、管内径は約1柳とした。ここでは放電電流をパラ
メー外こし、各発振線別に出力側ミラーの透過率を変え
てレーザ出力を測定した。図から明らかな様にアルゴン
・イオン・レーザでは4800A発振線の利得は他の発
振線に比較しきわめて大きい。一般にこの種レーザ発振
器では可視城において図に示す様な波長が近接した多数
の発振線が存在し、且つ出力側ミラーの透過率によって
その発振勢力がそれぞれ蓄しく異なる。同図によれば、
放電電流10Aにて当レーザ管を動作させる場合、48
80Aの単一波長のレーザ光のみを発振させるには各発
振器に於ける出力側ミラー透過率Lは、となるように設
計すればよいことがわかる。一方、4880A線のみを
最大効率で発振させる条件は、第7図から、放電電流が
8Aの場合も10Aの場合も4880△の発振線に於け
る出力側ミラーの最適透過率が約3%であるので、とな
る。
6肌、管内径は約1柳とした。ここでは放電電流をパラ
メー外こし、各発振線別に出力側ミラーの透過率を変え
てレーザ出力を測定した。図から明らかな様にアルゴン
・イオン・レーザでは4800A発振線の利得は他の発
振線に比較しきわめて大きい。一般にこの種レーザ発振
器では可視城において図に示す様な波長が近接した多数
の発振線が存在し、且つ出力側ミラーの透過率によって
その発振勢力がそれぞれ蓄しく異なる。同図によれば、
放電電流10Aにて当レーザ管を動作させる場合、48
80Aの単一波長のレーザ光のみを発振させるには各発
振器に於ける出力側ミラー透過率Lは、となるように設
計すればよいことがわかる。一方、4880A線のみを
最大効率で発振させる条件は、第7図から、放電電流が
8Aの場合も10Aの場合も4880△の発振線に於け
る出力側ミラーの最適透過率が約3%であるので、とな
る。
しかしながら、【dーの条件を満足するような分光特性
を有する出力側ミラーを製作することは困難であり、そ
こで第6図に示す如くこのミラーの反射帯の中心波長入
Tを4880Aより長波長側に移動させ、なる条件のみ
を満足する出力側ミラーとする。
を有する出力側ミラーを製作することは困難であり、そ
こで第6図に示す如くこのミラーの反射帯の中心波長入
Tを4880Aより長波長側に移動させ、なる条件のみ
を満足する出力側ミラーとする。
この場合には、L(4880A)と4%となり、488
oAのレーザ出力は最大効率が得られる場合より3〜5
%低下する。しかしこの程度の出力損失は実用上問題と
はならない。かくして、第7図によれば、4880Aお
ける出力側ミラーの透過率を4%以上、6%以下に設定
すれば10A以上の大電流の放電のとき4765△線が
わずか混在するのみで、4880Aの単一線をとり出す
ことができる。船以下であれば完全に単一線のみを発振
させることができる。また、長波長側のレーザ光、例え
ば5145△の光線は第5図から明らかなように高反射
側ミラーで透過率曲線のすそ野の部分にかかっており、
この線で比較的透過率が高いため、発振利得が低く抑え
られる。
oAのレーザ出力は最大効率が得られる場合より3〜5
%低下する。しかしこの程度の出力損失は実用上問題と
はならない。かくして、第7図によれば、4880Aお
ける出力側ミラーの透過率を4%以上、6%以下に設定
すれば10A以上の大電流の放電のとき4765△線が
わずか混在するのみで、4880Aの単一線をとり出す
ことができる。船以下であれば完全に単一線のみを発振
させることができる。また、長波長側のレーザ光、例え
ば5145△の光線は第5図から明らかなように高反射
側ミラーで透過率曲線のすそ野の部分にかかっており、
この線で比較的透過率が高いため、発振利得が低く抑え
られる。
そして出力側ミラーの透過率が4%以上であれば10A
の放電電流でも出力はほぼ零となる。尚、アルゴン・イ
オン・レーザの上記の4波長以外の発振線については、
いずれも利得が低いので特に発振を抑えるための考慮は
必要しない。
の放電電流でも出力はほぼ零となる。尚、アルゴン・イ
オン・レーザの上記の4波長以外の発振線については、
いずれも利得が低いので特に発振を抑えるための考慮は
必要しない。
第1図はアルゴン・イオン・レーザ装置の一例、第2図
は誘電体多層膜、第3図は一般の謙雷体多層膜の分光特
性、第4図は従来のレーザ・ミラーの分光特性の一例、
第5図、第6図は本発明のレーザ・ミラーの分光特性の
一例、第7図は出力側ミラーの透過率とアルゴン・イオ
ン・レーザの出力の関係特性図である。 11,12,21・・・・・・基板、13・・・・・・
高反射側ミラーの誘電体多層膜、14・・・・・・出力
側ミラーの譲蚕体多層膜、15・・・・・・反射防止膜
、16・・・・・・外囲器、17・・・・・・紬管、1
8・…・・カソード、19・・・…アノード。 第1図 第2図 第3図 第4図 第6図 第5図 第7図
は誘電体多層膜、第3図は一般の謙雷体多層膜の分光特
性、第4図は従来のレーザ・ミラーの分光特性の一例、
第5図、第6図は本発明のレーザ・ミラーの分光特性の
一例、第7図は出力側ミラーの透過率とアルゴン・イオ
ン・レーザの出力の関係特性図である。 11,12,21・・・・・・基板、13・・・・・・
高反射側ミラーの誘電体多層膜、14・・・・・・出力
側ミラーの譲蚕体多層膜、15・・・・・・反射防止膜
、16・・・・・・外囲器、17・・・・・・紬管、1
8・…・・カソード、19・・・…アノード。 第1図 第2図 第3図 第4図 第6図 第5図 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 内部にアルゴンガスが封入され一部に放電路細管を
備える外囲器と、前記放電路細管をはさんで配置されそ
れぞれ基板上に形成された高屈折率物質および低屈折率
物質の交互層を主体とする誘電体多層膜からなる高反射
側ミラーおよび出力側ミラーによる光共振器とを備え、
前記出力ミラーを通して主として波長(λ_L)が48
80Åのレーザ光をとり出すアルゴン・イオン・レーザ
装置において、 上記高反射側ミラーは、その反射帯の
幅を2△g、該反射帯の中心波長をλ_0としたとき、
λ_0+3/(16)・2△g<λ_L<λ_0+3/
8・2△gを満足する範囲に設定され、 上記出力側ミ
ラーは、その反射帯の中心波長λ_Tが4880Åより
もわずか長い波長値に設定されてなることを特徴とする
アルゴン・イオン・レーザ装置。 2 出力側ミラーは、4880Åのレーザ光に対する透
過率が4%以上6%以下の範囲内に設定されてなる特許
請求の範囲第1項記載のアルゴン・イオン・レーザ装置
。 3 両ミラーは、高屈折率物質がチタン酸化物からなり
、低屈折率物質がシリコン酸化物からなる特許請求の範
囲第1項記載のアルゴン・イオン・レーザ装置。 4 両ミラーの多層膜は、ともに外囲器内に封入されて
なる特許請求の範囲第1項記載のアルゴン・イオン・レ
ーザ装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56086903A JPS6037631B2 (ja) | 1981-06-08 | 1981-06-08 | アルゴン・イオン・レ−ザ装置 |
US06/386,351 US4615033A (en) | 1981-06-08 | 1982-06-08 | Argon gas laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56086903A JPS6037631B2 (ja) | 1981-06-08 | 1981-06-08 | アルゴン・イオン・レ−ザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57202791A JPS57202791A (en) | 1982-12-11 |
JPS6037631B2 true JPS6037631B2 (ja) | 1985-08-27 |
Family
ID=13899789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56086903A Expired JPS6037631B2 (ja) | 1981-06-08 | 1981-06-08 | アルゴン・イオン・レ−ザ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4615033A (ja) |
JP (1) | JPS6037631B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4615034A (en) * | 1984-03-30 | 1986-09-30 | Spectra-Physics, Inc. | Ultra-narrow bandwidth optical thin film interference coatings for single wavelength lasers |
DE3662737D1 (en) * | 1985-01-30 | 1989-05-11 | Siemens Ag | Gas laser with a frequency-selection dielectric layer system |
JPS63113507A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Hitachi Ltd | 光導波路およびその製造法 |
US4740988A (en) * | 1986-11-12 | 1988-04-26 | Particle Measuring Systems, Inc. | Laser device having mirror heating |
JP2629693B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1997-07-09 | 松下電器産業株式会社 | エキシマレーザ用ミラー |
CA1302548C (en) * | 1987-09-28 | 1992-06-02 | Koichi Wani | Laser apparatus |
US5127018A (en) * | 1989-08-08 | 1992-06-30 | Nec Corporation | Helium-neon laser tube with multilayer dielectric coating mirrors |
EP0575324A1 (en) * | 1990-07-27 | 1993-12-29 | Ion Laser Technology | Mixed gas ion laser |
US5214658A (en) * | 1990-07-27 | 1993-05-25 | Ion Laser Technology | Mixed gas ion laser |
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US5257278A (en) * | 1992-05-13 | 1993-10-26 | Liconix | Helium-cadmium laser for 353.6 nm line |
US5274661A (en) * | 1992-12-07 | 1993-12-28 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Thin film dielectric coating for laser resonator |
US6282013B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-08-28 | Lasermed, Inc. | System for curing polymeric materials, such as those used in dentistry, and for tailoring the post-cure properties of polymeric materials through the use of light source power modulation |
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WO1999021505A1 (en) | 1997-10-29 | 1999-05-06 | Bisco, Inc. | Dental composite light curing system |
US6116900A (en) * | 1997-11-17 | 2000-09-12 | Lumachem, Inc. | Binary energizer and peroxide delivery system for dental bleaching |
US6200134B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-03-13 | Kerr Corporation | Apparatus and method for curing materials with radiation |
US6157661A (en) * | 1999-05-12 | 2000-12-05 | Laserphysics, Inc. | System for producing a pulsed, varied and modulated laser output |
US6377340B1 (en) | 1999-10-29 | 2002-04-23 | General Electric Company | Method of detection of natural diamonds that have been processed at high pressure and high temperatures |
US7065109B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-20 | Melles Griot Inc. | Laser with narrow bandwidth antireflection filter for frequency selection |
US7050215B1 (en) * | 2003-08-01 | 2006-05-23 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Method and apparatus for providing a gas correlation filter for remote sensing of atmospheric trace gases |
US7030991B1 (en) | 2003-08-01 | 2006-04-18 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Field condensing imaging system for remote sensing of atmospheric trace gases |
WO2007099475A2 (en) * | 2006-03-04 | 2007-09-07 | Udo Von Wimmersperg | Gas bubble storage |
US9072572B2 (en) | 2009-04-02 | 2015-07-07 | Kerr Corporation | Dental light device |
US9066777B2 (en) | 2009-04-02 | 2015-06-30 | Kerr Corporation | Curing light device |
CA2938319C (en) * | 2014-05-27 | 2017-07-11 | GHGSat Inc. | Fabry-perot interferometer based satellite detection of atmospheric trace gases |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL295159A (ja) * | 1963-07-10 | |||
GB1529813A (en) * | 1974-10-16 | 1978-10-25 | Siemens Ag | Narrow-band interference filter |
NL7511581A (nl) * | 1975-10-02 | 1977-04-05 | Philips Nv | Reflektor. |
NL7606693A (nl) * | 1976-06-21 | 1977-12-23 | Philips Nv | Gasontladingslaser en weergmefinrichting voor het uitlezen van informatie voorzien van een dergelijke gasontladingslaser. |
NL7802454A (nl) * | 1978-03-07 | 1979-09-11 | Philips Nv | Gasontladingslaser voor het opwekken van lineair gepolariseerde straling. |
-
1981
- 1981-06-08 JP JP56086903A patent/JPS6037631B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-06-08 US US06/386,351 patent/US4615033A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57202791A (en) | 1982-12-11 |
US4615033A (en) | 1986-09-30 |
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