JPS6037382B2 - ハニカム構造体の乾燥受台 - Google Patents
ハニカム構造体の乾燥受台Info
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- JPS6037382B2 JPS6037382B2 JP56025121A JP2512181A JPS6037382B2 JP S6037382 B2 JPS6037382 B2 JP S6037382B2 JP 56025121 A JP56025121 A JP 56025121A JP 2512181 A JP2512181 A JP 2512181A JP S6037382 B2 JPS6037382 B2 JP S6037382B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- honeycomb structure
- drying
- perforated plate
- pedestal
- end surface
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B33/00—Clay-wares
- C04B33/30—Drying methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/24—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening
- B28B11/241—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening using microwave heating means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
- B28B11/24—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening
- B28B11/243—Setting, e.g. drying, dehydrating or firing ceramic articles
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
- F26B3/32—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by development of heat within the materials or objects to be dried, e.g. by fermentation or other microbiological action
- F26B3/34—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by development of heat within the materials or objects to be dried, e.g. by fermentation or other microbiological action by using electrical effects
- F26B3/343—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by development of heat within the materials or objects to be dried, e.g. by fermentation or other microbiological action by using electrical effects in combination with convection
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はハニカム構造体の乾燥受台に関するものである
。
。
セラミック材料からなる杯士をダイスを通して押出成形
したほぼ均一な壁厚を有する隔壁により隔てられた無数
の平行貫通孔を有するセラミック生素地構造体であるハ
ニカム構造体が知られている。このハニカム構造体は例
えば特公昭５１−１２３２号公報に開示されているよう
にセラミック材料からなる杯土を押出機にセットしたハ
ニカム構造体断面形状に対応したダイスを通して押出成
形して得られる。
したほぼ均一な壁厚を有する隔壁により隔てられた無数
の平行貫通孔を有するセラミック生素地構造体であるハ
ニカム構造体が知られている。このハニカム構造体は例
えば特公昭５１−１２３２号公報に開示されているよう
にセラミック材料からなる杯土を押出機にセットしたハ
ニカム構造体断面形状に対応したダイスを通して押出成
形して得られる。
押出されたハニカム構造体を乾燥する方法としては相対
する電極を有し、高周波エネルギーによってハニカム構
造体内で水の双極子を分子運動させ、その摩擦熱によっ
て乾燥する譲蚤乾燥法がある。しかし誘電乾燥法によっ
てハニカム構造体を乾燥すると、ハニカム構造体を通過
する電気力線の密度が均一とならないため、局部的に高
水分領域が発生し、この高水分領域は誘電乾燥時間を長
くしても、高周波エネルギーの増大をはかっても解消で
きないことが判明した。
する電極を有し、高周波エネルギーによってハニカム構
造体内で水の双極子を分子運動させ、その摩擦熱によっ
て乾燥する譲蚤乾燥法がある。しかし誘電乾燥法によっ
てハニカム構造体を乾燥すると、ハニカム構造体を通過
する電気力線の密度が均一とならないため、局部的に高
水分領域が発生し、この高水分領域は誘電乾燥時間を長
くしても、高周波エネルギーの増大をはかっても解消で
きないことが判明した。
この高水分領域は第１図に示すように受台１に対してハ
ニカム構造体３の貫通孔が垂直となるようにハニカム構
造体を受台にのせ誘電乾燥するとハニカム構造体の上下
端面付近に発生する。
ニカム構造体３の貫通孔が垂直となるようにハニカム構
造体を受台にのせ誘電乾燥するとハニカム構造体の上下
端面付近に発生する。
このような高水分領域が発生すると乾燥したのち砥石を
用いて切断したときに切断面の貫通孔に目詰りが発生す
る。また、焼成においても高水分領域の存在のため、収
縮不均一がひき起されクラックが発生するという欠点が
あった。乾燥品を切断すれば前記の欠点があるため、焼
成してから切断する場合、焼成品は乾燥品にに比較し、
硬いため切断に多大なエネルギーが必要となり、切断用
砥石の摩耗も大きくなり有益でないという欠点があった
。
用いて切断したときに切断面の貫通孔に目詰りが発生す
る。また、焼成においても高水分領域の存在のため、収
縮不均一がひき起されクラックが発生するという欠点が
あった。乾燥品を切断すれば前記の欠点があるため、焼
成してから切断する場合、焼成品は乾燥品にに比較し、
硬いため切断に多大なエネルギーが必要となり、切断用
砥石の摩耗も大きくなり有益でないという欠点があった
。
本発明はハニカム構造体関口下端面が接する部分を含む
一定領域をそれ以外の外周部分より導電率の高い孔明板
としたハニカム構造体の乾燥受台である。
一定領域をそれ以外の外周部分より導電率の高い孔明板
としたハニカム構造体の乾燥受台である。
本発明の更に詳しい構成を図示の実施例に基づいて説明
する。
する。
第１図において本発明のハニカム構造体の乾燥受台１は
ハニカム構造体の端面形状より所定の寸法だけ広くした
形状に受台１をくり抜いて孔２を設け、その上面に受台
１の材質より導電率の高い材質でかつハニカム構造体開
□端面面積より所定の比率で大きい面積を有する孔明板
４を受台１にはめこんで構成される。
ハニカム構造体の端面形状より所定の寸法だけ広くした
形状に受台１をくり抜いて孔２を設け、その上面に受台
１の材質より導電率の高い材質でかつハニカム構造体開
□端面面積より所定の比率で大きい面積を有する孔明板
４を受台１にはめこんで構成される。
このようにし得られた受台１にハニカム構造体３を閉口
下端面が接するようにのせて第２図に示すように誘電乾
燥装置５とハニカム構造体３を完全に乾燥するため設け
た通風乾燥装置６を謙霞乾燥用コンベァ１０および通風
乾燥用コンベア１１によって連続化した乾燥装置に対し
て、まずハニカム構造体３の関口端面に対して平行とな
るように上下に位置した電極７を有し、乾燥により発生
した水蒸気が電極７あるいは議電乾燥装置５に鯖露しな
いように熱風通風口１２より熱風が通風している誘電乾
燥装置５へ議露乾燥用コンベア１０によって送りこみ誘
電乾燥したのちハニカム構造体３が乾燥後砥石によって
切断できるように、あるいは焼成しても収縮の不均一に
よりクラックを発生させないように完全乾燥するために
熱風循環用ダクト８より吹出した温度８び０〜１５００
０、風速０．３〜２．０肌／ｓｅｃの熱風がハニカム構
造体３の貫通孔を通風する通風乾燥装置６へ通風乾燥用
コンペアーによって送りこむことによりハニカム構造体
３は誘電乾燥と通風乾燥を連続して行なうことができる
。
下端面が接するようにのせて第２図に示すように誘電乾
燥装置５とハニカム構造体３を完全に乾燥するため設け
た通風乾燥装置６を謙霞乾燥用コンベァ１０および通風
乾燥用コンベア１１によって連続化した乾燥装置に対し
て、まずハニカム構造体３の関口端面に対して平行とな
るように上下に位置した電極７を有し、乾燥により発生
した水蒸気が電極７あるいは議電乾燥装置５に鯖露しな
いように熱風通風口１２より熱風が通風している誘電乾
燥装置５へ議露乾燥用コンベア１０によって送りこみ誘
電乾燥したのちハニカム構造体３が乾燥後砥石によって
切断できるように、あるいは焼成しても収縮の不均一に
よりクラックを発生させないように完全乾燥するために
熱風循環用ダクト８より吹出した温度８び０〜１５００
０、風速０．３〜２．０肌／ｓｅｃの熱風がハニカム構
造体３の貫通孔を通風する通風乾燥装置６へ通風乾燥用
コンペアーによって送りこむことによりハニカム構造体
３は誘電乾燥と通風乾燥を連続して行なうことができる
。
また、本発明の受台は議電乾燥の際、発生する局部的な
高水分領域が是正できるためハニカム構造体を完全乾燥
する必要のない場合、すなわち誘電乾燥のみの場合には
使用できる。
高水分領域が是正できるためハニカム構造体を完全乾燥
する必要のない場合、すなわち誘電乾燥のみの場合には
使用できる。
その場合、第１図で示す受台１の孔２を省くことができ
る。受台１の材質は導電率の低いプラスチックなどの合
成樹脂、アスベスト、石膏ボードまたは木材が好ましい
。また孔明板４の材質は受台１の材質より導電率が高く
なるように金属例えばアルミニウム、銅、アルミニウム
合金、銅合金およびこれらの組合せ等が好ましい。
る。受台１の材質は導電率の低いプラスチックなどの合
成樹脂、アスベスト、石膏ボードまたは木材が好ましい
。また孔明板４の材質は受台１の材質より導電率が高く
なるように金属例えばアルミニウム、銅、アルミニウム
合金、銅合金およびこれらの組合せ等が好ましい。
孔明板４とハニカム構造体３の開口下端面の面積比はハ
ニカム構造体開口下端面の面積を１としたとき、ハニカ
ム構造体閉口下端面が接する孔暁板の面積Ｓは１．０＜
ＳＳ３．３好ましくは１．０くＳミ２．０である。
ニカム構造体開口下端面の面積を１としたとき、ハニカ
ム構造体閉口下端面が接する孔暁板の面積Ｓは１．０＜
ＳＳ３．３好ましくは１．０くＳミ２．０である。
乾燥受台１と孔暁板４の材質が好ましい組合せである場
合およびハニカム構造体関口下端面とハニカム構造開口
下端面が接する孔明板の面積比が上述の範囲以内の場合
はハニカム構造体開□下端面を通過する電気力線の密度
が高くなり誘電乾燥後の残存不均一が著しく改善される
。
合およびハニカム構造体関口下端面とハニカム構造開口
下端面が接する孔明板の面積比が上述の範囲以内の場合
はハニカム構造体開□下端面を通過する電気力線の密度
が高くなり誘電乾燥後の残存不均一が著しく改善される
。
また孔暁板４の関孔率は２０〜９０％が必要あり、４０
〜８０％が好ましい。
〜８０％が好ましい。
そして孔明板４に設けられた孔形状は円形、四角形、ス
リット状等でもよく、とくに限定されない。しかし孔明
板４の開孔率が２０％未満であると誘電乾燥中にハニカ
ム構造体３の閉口下端面付近より発生する水蒸気が十分
に拡散せず孔明板４とハニカム横溝体３の開□下端面と
の間で結露してしまいハニカム構造体３の開□下端面の
乾燥が不十分となる。
リット状等でもよく、とくに限定されない。しかし孔明
板４の開孔率が２０％未満であると誘電乾燥中にハニカ
ム構造体３の閉口下端面付近より発生する水蒸気が十分
に拡散せず孔明板４とハニカム横溝体３の開□下端面と
の間で結露してしまいハニカム構造体３の開□下端面の
乾燥が不十分となる。
また誘電乾燥後、ハニカム構造体を完全に乾燥する目的
で連続して通風乾燥する場合、通風量が不足し、通風乾
燥時間の増加あるいは完全乾燥ができないなどの問題が
生ずる。
で連続して通風乾燥する場合、通風量が不足し、通風乾
燥時間の増加あるいは完全乾燥ができないなどの問題が
生ずる。
また関孔率が９０％を越えると孔明板４の強度低下によ
り孔明板のたわみハニカム構造体３の自重により孔明板
４への食い込みあるいはハニカム構造体を完全乾燥する
目的で連続して通風乾燥する場合、通風量が増加し、乾
燥速度が速まり収縮の不均一などにより乾燥クラックが
発生するなどの問題が生じる。
り孔明板のたわみハニカム構造体３の自重により孔明板
４への食い込みあるいはハニカム構造体を完全乾燥する
目的で連続して通風乾燥する場合、通風量が増加し、乾
燥速度が速まり収縮の不均一などにより乾燥クラックが
発生するなどの問題が生じる。
ハニカム構造体を誘電乾燥したのち、完全に乾燥するた
め実施する通風乾燥の際、ハニカム構造体内を通過する
通風温度は８０〜１５０００好まし〈は１００〜１３０
ｑ○用いられる。通風温度が８０ｏｏ未満の場合は乾燥
不足、１５０００を越える場合はハニカム構造体内のバ
インダーが焼失し、ハニカム構造体の乾燥強度が低下し
、砥石による切断の際かけが発生するなどの不良原因と
なる。また、通風乾燥によりハニカム構造体内を通過す
る風速は０．３〜２．０の／ｓｅｃが好ましい。
め実施する通風乾燥の際、ハニカム構造体内を通過する
通風温度は８０〜１５０００好まし〈は１００〜１３０
ｑ○用いられる。通風温度が８０ｏｏ未満の場合は乾燥
不足、１５０００を越える場合はハニカム構造体内のバ
インダーが焼失し、ハニカム構造体の乾燥強度が低下し
、砥石による切断の際かけが発生するなどの不良原因と
なる。また、通風乾燥によりハニカム構造体内を通過す
る風速は０．３〜２．０の／ｓｅｃが好ましい。
風速が０．３の／ｓｅｃ未満の場合は乾燥不十分、乾燥
時間の増加が生じる。また２．０の／ｓｅｃを越える場
合は急加熱によるクラックが発生する。次に上述した乾
燥装置に用いた受台について第３図に示す実施例を用い
て詳しく説明する。受台１の材質は木材、孔明板４は材
質がアルミニウム、大きさは直径Ｄ，＝１４６伽、孔明
板の関孔率は孔蓬ｄと孔間ピッチｐにより決定され、実
施例ではｄ＝５．５脚、ｐ＝７．仇吻であるため関孔率
は４８．５％となっている。
時間の増加が生じる。また２．０の／ｓｅｃを越える場
合は急加熱によるクラックが発生する。次に上述した乾
燥装置に用いた受台について第３図に示す実施例を用い
て詳しく説明する。受台１の材質は木材、孔明板４は材
質がアルミニウム、大きさは直径Ｄ，＝１４６伽、孔明
板の関孔率は孔蓬ｄと孔間ピッチｐにより決定され、実
施例ではｄ＝５．５脚、ｐ＝７．仇吻であるため関孔率
は４８．５％となっている。
また孔明板４に置かれたハニカム構造体３の直径Ｄ＝１
１８側であるからハニカム構造体３の開〇下端面の面積
を１としたとき、孔明板４の面積は１．５３となる。本
発明に示すハニカム構造体の受台を用いて誘電乾燥した
のち、通風乾燥を連続して行なうことにより、ハニカム
構造体は完全に乾燥されるため、乾燥後焼成前に砥石を
用いて切断してもハニカム構造体の貫通孔に目語りが発
生しない。
１８側であるからハニカム構造体３の開〇下端面の面積
を１としたとき、孔明板４の面積は１．５３となる。本
発明に示すハニカム構造体の受台を用いて誘電乾燥した
のち、通風乾燥を連続して行なうことにより、ハニカム
構造体は完全に乾燥されるため、乾燥後焼成前に砥石を
用いて切断してもハニカム構造体の貫通孔に目語りが発
生しない。
また焼成において収縮不均一によるクラックの発生がな
くなる。受台１と孔明板４の導電率を本発明に示す組合
せにすることによって譲露乾燥による残存水分不均一の
是正、つまり上下端面付近に発生する高水分領域の水分
量が減じ、誘導乾燥時間を短縮できるなどの効果がある
。
くなる。受台１と孔明板４の導電率を本発明に示す組合
せにすることによって譲露乾燥による残存水分不均一の
是正、つまり上下端面付近に発生する高水分領域の水分
量が減じ、誘導乾燥時間を短縮できるなどの効果がある
。
以上のように本発明は従来の誘電乾燥装置によるハニカ
ム構造体乾燥の欠点が改善でき、コージエライト、ムラ
イト、シリコンナイトライドなど各種ハニカム構造体の
乾燥受台として有用で生産性が高く産業上有利である。
ム構造体乾燥の欠点が改善でき、コージエライト、ムラ
イト、シリコンナイトライドなど各種ハニカム構造体の
乾燥受台として有用で生産性が高く産業上有利である。
図面の簡単な説明第１図は本発明の実施例の説明図、第
２図は誘電通風乾燥装置の概略図、第３図は本発明の実
施例理解のための参考図である。
２図は誘電通風乾燥装置の概略図、第３図は本発明の実
施例理解のための参考図である。
１……受台、２……孔、３……ハニカム構造体、４・・
・・・・孔明板、５・・・・・・誘電乾燥装置、６・・
・・・・通風乾燥装置、７・・・・・・電極、８・・・
・・・熱風循環用ダクト、９・・・・・・水蒸気排気用
ダクト、１０・・・・・・誘電乾燥用コンベア、１１・
・・・・・通風乾燥用コンベア、１２・・・・・・熱風
通風口。
・・・・孔明板、５・・・・・・誘電乾燥装置、６・・
・・・・通風乾燥装置、７・・・・・・電極、８・・・
・・・熱風循環用ダクト、９・・・・・・水蒸気排気用
ダクト、１０・・・・・・誘電乾燥用コンベア、１１・
・・・・・通風乾燥用コンベア、１２・・・・・・熱風
通風口。
第１図
第２図
第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ハニカム構造体開口下端面が接する部分を含む一定
領域をそれ以外の外周部分より導電率の高い孔明板とし
たことを特徴とするハニカム構造の乾燥受台。 ２ 孔明板がアルミニウム、銅、アルミニウム合金およ
び銅合金よりなるグループから選ばれた少なとも１つの
材料で構成される特許請求の範囲第１項記載のハニカム
構造体の乾燥受台。 ３ ハニカム構造体開口下端面の面積を１としたとき、
ハニカム構造体開口下端面が接する孔明板の面積Ｓを１
．０＜Ｓ≦３．３とした特許請求の範囲第１項記載のハ
ニカム構造体の乾燥受台。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56025121A JPS6037382B2 (ja) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | ハニカム構造体の乾燥受台 |
| US06/349,476 US4439929A (en) | 1981-02-23 | 1982-02-17 | Apparatus for drying a ceramic green honeycomb body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56025121A JPS6037382B2 (ja) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | ハニカム構造体の乾燥受台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57139278A JPS57139278A (en) | 1982-08-28 |
| JPS6037382B2 true JPS6037382B2 (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=12157097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56025121A Expired JPS6037382B2 (ja) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | ハニカム構造体の乾燥受台 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4439929A (ja) |
| JP (1) | JPS6037382B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04297783A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-21 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体の乾燥受台 |
| JPH054858Y2 (ja) * | 1983-11-08 | 1993-02-08 | ||
| EP2366970A2 (en) | 2010-03-17 | 2011-09-21 | NGK Insulators, Ltd. | Method of drying a honeycomb formed body |
| JP2018021720A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 熱風循環式加熱装置およびこの熱風循環式加熱装置を用いた分離膜構造体の製造方法 |
| DE102021207063A1 (de) | 2020-09-10 | 2022-03-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielektrisches Trocknungsverfahren und dielektrische Trocknungsvorrichtung für keramische Formkörper und Verfahren zur Herstellung von Keramikstrukturen |
| DE112021007543T5 (de) | 2021-06-09 | 2024-02-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielektrisches trocknungsverfahren für keramikformkörper und dielektrische trocknungsvorrichtung für keramikformkörper sowie verfahren zum herstellen von keramikstrukturen |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61222721A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Ngk Insulators Ltd | 押出成形品の移載方法 |
| JPS61275169A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-12-05 | 日本碍子株式会社 | セラミツクス成形体の乾燥方法及びその治具 |
| DE3623511A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-21 | Max Wagner | Verfahren und vorrichtung zum trocknen von keramischen hohlkoerpern |
| DE3635542A1 (de) * | 1986-10-18 | 1988-04-28 | Philips Patentverwaltung | Verfahren und vorrichtung zum trocknen keramischer gruenkoerper |
| JPH061150B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1994-01-05 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体の誘電乾燥法 |
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| US5263263A (en) * | 1993-02-26 | 1993-11-23 | Corning Incorporated | Rotary dielectric drying of ceramic honeycomb ware |
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| US5671543A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-30 | Sears; Todd A. | Tape measure marking device and method for use thereof |
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| JP2942235B2 (ja) * | 1997-03-28 | 1999-08-30 | 日本碍子株式会社 | セラミック成形体の乾燥方法 |
| JP2002228359A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体の乾燥方法 |
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