JPS6030152A - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
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- JPS6030152A JPS6030152A JP58138311A JP13831183A JPS6030152A JP S6030152 A JPS6030152 A JP S6030152A JP 58138311 A JP58138311 A JP 58138311A JP 13831183 A JP13831183 A JP 13831183A JP S6030152 A JPS6030152 A JP S6030152A
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- JP
- Japan
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- output
- power supply
- integrated circuit
- input
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Layout of the interconnection structure
- H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は集積回路に係シ、特に出力ビン数の多い集積回
路の電源バスの改良に関する。
路の電源バスの改良に関する。
第1図は従来の集積回路の構造を示す図−で、図中10
1は集積回路チップ102を保持するパッケージ、10
3−J〜103−Mは集積回路テップ102上に設けた
集積回路のM個のr−タ入力用/ぐラドである。また1
04,105はそれぞれ集積回路の入力回路および内部
回路、106−1〜106−Nは内部回路105のN個
の出力信号を増幅し、集積回路チン7a102の外部へ
出力するN個の出力バッファである。
1は集積回路チップ102を保持するパッケージ、10
3−J〜103−Mは集積回路テップ102上に設けた
集積回路のM個のr−タ入力用/ぐラドである。また1
04,105はそれぞれ集積回路の入力回路および内部
回路、106−1〜106−Nは内部回路105のN個
の出力信号を増幅し、集積回路チン7a102の外部へ
出力するN個の出力バッファである。
JO7−1〜107−Nは上記N個の出力バッファ10
6−J〜106−Nの出力を受、けるパッド、109,
113はそれぞれ接地電位、電源電位供給用のパッドで
パッケージ上のビン111.115に接続している。1
08−1〜108−Nは接地電位を供給する電源線の自
己インダクタンスをあられし、112−1〜112−N
は電源電位を供給する電源線の自己インダクタンスをあ
られしている。110および114はそれぞれパッド1
09とビン11ノとの間を接続する導線の自己インダク
タンスおよび・ぐラド113とビン115との間を接続
する導線の自己インダクタンスである。そしてノ4ッケ
ージ上のビン116−1〜116−Mはそれぞれパッド
103−1〜103−Mに接続し、同様にビン117−
1〜117−Nはそれぞれノぐラド107−1〜107
−Nに接続している。
6−J〜106−Nの出力を受、けるパッド、109,
113はそれぞれ接地電位、電源電位供給用のパッドで
パッケージ上のビン111.115に接続している。1
08−1〜108−Nは接地電位を供給する電源線の自
己インダクタンスをあられし、112−1〜112−N
は電源電位を供給する電源線の自己インダクタンスをあ
られしている。110および114はそれぞれパッド1
09とビン11ノとの間を接続する導線の自己インダク
タンスおよび・ぐラド113とビン115との間を接続
する導線の自己インダクタンスである。そしてノ4ッケ
ージ上のビン116−1〜116−Mはそれぞれパッド
103−1〜103−Mに接続し、同様にビン117−
1〜117−Nはそれぞれノぐラド107−1〜107
−Nに接続している。
まだ入力回路104、内部回路105〜の電源電位およ
び接地電位の供給は、パッド113゜109を介して、
あるいは図示しない他のパッドを介して行なう。
び接地電位の供給は、パッド113゜109を介して、
あるいは図示しない他のパッドを介して行なう。
ところで今、たとえばバッファ106−1の出力が接地
電位に対応する°′0″ルベルの状態から電源電位に対
応する”1”レベルの状態へ切換わる場合を考える。と
の場合、ビン115からインダクタンス114、パッド
113、インダクタンス112−N〜112−1を介し
、バッファ106−1を通シ、さらにノぐラド107−
1、e/117−1を経て外部出力を“′1″レベルに
駆動するように電流が増加する。逆にIt 171の出
力状態から0″の出力状態へ切換わる場合は、ビン11
7−1、パッド107−1、バッファ106−1を通シ
インタクタンス10B−1〜10B−Nを介しさらにパ
ッド109、インダクタンス110、ビン111の向き
に電流が増加する。
電位に対応する°′0″ルベルの状態から電源電位に対
応する”1”レベルの状態へ切換わる場合を考える。と
の場合、ビン115からインダクタンス114、パッド
113、インダクタンス112−N〜112−1を介し
、バッファ106−1を通シ、さらにノぐラド107−
1、e/117−1を経て外部出力を“′1″レベルに
駆動するように電流が増加する。逆にIt 171の出
力状態から0″の出力状態へ切換わる場合は、ビン11
7−1、パッド107−1、バッファ106−1を通シ
インタクタンス10B−1〜10B−Nを介しさらにパ
ッド109、インダクタンス110、ビン111の向き
に電流が増加する。
同様に出力ハッファ106−2〜106−Nの出力レベ
ルの切換においてもその出力・寸ツファへ接地電位ある
いは電源電位を供給する導線内に電流増加を生じる。
ルの切換においてもその出力・寸ツファへ接地電位ある
いは電源電位を供給する導線内に電流増加を生じる。
一般に導体を流れる電流に変化を生じると、次の1)式
で与えられる逆起電力を生じる。
で与えられる逆起電力を生じる。
I
E=−L −・・・1)
t
ここでEは逆起電力
I
■は単位時間あたシの電流変化
りは自己インダクタンスである。
したがって、第1図に示すような集積回路においても電
源線に付随する自己インダクタンス112−1〜112
−N、10B−1〜10B−N。
源線に付随する自己インダクタンス112−1〜112
−N、10B−1〜10B−N。
114.110は各出力バッファ106−1〜lθ6−
Nの出力レベルの切換えにともなって、電流の変化を妨
げる向きに逆起電力を生じ、それによって電源線にノイ
ズを発生する。とのようなノイズは、特に全ての出力バ
ッファ106−)−706−Nカ同時K ”1’レベル
かう+10”レベルへ変化する場合、あるいは0”レベ
ルから1”レベルへ変化する場合に電流変化量が多いた
めに、顕著なものとなる。
Nの出力レベルの切換えにともなって、電流の変化を妨
げる向きに逆起電力を生じ、それによって電源線にノイ
ズを発生する。とのようなノイズは、特に全ての出力バ
ッファ106−)−706−Nカ同時K ”1’レベル
かう+10”レベルへ変化する場合、あるいは0”レベ
ルから1”レベルへ変化する場合に電流変化量が多いた
めに、顕著なものとなる。
本発明は上記の事情に鑑みて外されたもので、特に出力
ビンの多い集積回路において、出力バッファの出力レベ
ルの切換え時に電源電位および接地電位の供給用の導線
上に生じるノイズを低域させ、更に入カバッンア回路へ
のノイズの影響を除去することを目的とするものである
。
ビンの多い集積回路において、出力バッファの出力レベ
ルの切換え時に電源電位および接地電位の供給用の導線
上に生じるノイズを低域させ、更に入カバッンア回路へ
のノイズの影響を除去することを目的とするものである
。
すなわち本発明は、所定個数毎の出力バッファもしくは
出力モードで動作ずろ入出力バッファ化に接地電位レベ
ルおよび電源電位レベルを供給する電源ハスを設け、こ
れらの名電源バス毎に出力パッドおよびパッケージ上に
ピンヲ設け、さらに入力専用回路もしくは入力モードで
動作する人出力バッファの′電源線と、出力バッファも
し、くけ出力モードで動作ちる人出力バッファの電源線
とを分離して設けることを特徴とするものである。
出力モードで動作ずろ入出力バッファ化に接地電位レベ
ルおよび電源電位レベルを供給する電源ハスを設け、こ
れらの名電源バス毎に出力パッドおよびパッケージ上に
ピンヲ設け、さらに入力専用回路もしくは入力モードで
動作する人出力バッファの′電源線と、出力バッファも
し、くけ出力モードで動作ちる人出力バッファの電源線
とを分離して設けることを特徴とするものである。
以下本発明の一実施例を第2図に示すブロック図を参照
して詳細に説明する。図中201は/f ノケージ、2
02はノやッケージ201に保持される集積回路チップ
、204は入力回路、205は内部回路である。そして
216−1〜216−Mは入力ピン、203−1〜20
3−Mは入力・やットである。そして206−1−1〜
206−Q−Pは合計M個の出力バッファで、これを1
組がP個の出力バッファからなるQ組のバッファ群に分
割し、かつ各バッファ群毎にそれぞれ電源電位レベルを
供給するパッドと、接地電位レベルを供給するパッドと
を設けている。ここでPXQはMとなる。そして、たと
えば第1番目の出力バッファ群は、P個の出力バッファ
206−1−1〜2θ6−1−Pからなシ、これらの出
力はP個のパッド207−1−1〜207−1−Pのそ
れぞれに導線を介して接続し、さらにパッケージ上のP
個のビン217−1−)−217−1−Pのそれぞれに
導線を介して接続している。この第1番目の出力バッフ
ァ群には、電源電位レベルをビン215−1およびパッ
ド213−1を介して供給し、また接地電位レベルをビ
ン211−1およびツヤ、ド2θ9−1を介して供給し
ている。
して詳細に説明する。図中201は/f ノケージ、2
02はノやッケージ201に保持される集積回路チップ
、204は入力回路、205は内部回路である。そして
216−1〜216−Mは入力ピン、203−1〜20
3−Mは入力・やットである。そして206−1−1〜
206−Q−Pは合計M個の出力バッファで、これを1
組がP個の出力バッファからなるQ組のバッファ群に分
割し、かつ各バッファ群毎にそれぞれ電源電位レベルを
供給するパッドと、接地電位レベルを供給するパッドと
を設けている。ここでPXQはMとなる。そして、たと
えば第1番目の出力バッファ群は、P個の出力バッファ
206−1−1〜2θ6−1−Pからなシ、これらの出
力はP個のパッド207−1−1〜207−1−Pのそ
れぞれに導線を介して接続し、さらにパッケージ上のP
個のビン217−1−)−217−1−Pのそれぞれに
導線を介して接続している。この第1番目の出力バッフ
ァ群には、電源電位レベルをビン215−1およびパッ
ド213−1を介して供給し、また接地電位レベルをビ
ン211−1およびツヤ、ド2θ9−1を介して供給し
ている。
そして第2図において第2番目乃至第9番目の各出力バ
ッファ群も全く同様な構成である。
ッファ群も全く同様な構成である。
なおバッファ群を構成する出力バッファの数Pは全体の
出力バッファの数Mよシ小さいのでQ組の出カバ、ノア
群の1m、たとえば泥1番目のバッファ群は第1図にお
いて、電源パッドに近い側のP個の出力バッファおよび
付随する接地電位・電源電位供給用の配線、パッドおよ
びビンからなるものと等価である。
出力バッファの数Mよシ小さいのでQ組の出カバ、ノア
群の1m、たとえば泥1番目のバッファ群は第1図にお
いて、電源パッドに近い側のP個の出力バッファおよび
付随する接地電位・電源電位供給用の配線、パッドおよ
びビンからなるものと等価である。
そして電源電位及び接地電位を供給する導線のインダク
タンスによるノイズが最も大きく、なるのは、全ての出
力バッ7アが°′1″レベルを出力している状態から0
”レベルを出力する状態へ変化する場合、もしくは全て
の出カバソファが′0”1/ペルを出力している状態か
ら+!11ルベルを出力する状態へ変化する場合である
。そこで全ての出力バッファがこのように同一の出力レ
ベルを出力している状態の間を遷移する場合、第2図に
おけるインダクタンス214−1,212−1−PN2
J 2−1−1.210−1.208−Z−P〜20
B−1−1の電流変化の大きさは、第1図におけるイン
ダクタンス114.11.?−N−〜11、? −(N
−P+1)、110.10 B −N〜1os−CN−
P+1 )のそれぞれの電流変化の大きさよシも小さく
なる。ここで共通の集積回路技術、パッケージ技術及び
ボンディング技術を適用しているとすれば第2図に示す
インダクタンス214−1.212−1−P〜212−
1−1゜210−1.208−17P〜208 1 1
の値は第1図に示すインダクタンス114.112−N
〜112−(N−P+1) 、 110.1θ8− )
J〜108−(N−P+1 )の値にそれぞれ等しいと
仮定できる。したがって、1)式によって生じるノイズ
を比較すると、第2図のインダクタンス214−1.2
12−1−P〜212−1−1.210−1.20B−
1−P〜20B−1−7によシ発生するノイズは、第1
図のインダクタンス114.112−N〜11.2−(
N−P−1−1)、110,108−N〜1os−(N
−P+1 )によシ発生するノイズよシも小さくなる。
タンスによるノイズが最も大きく、なるのは、全ての出
力バッ7アが°′1″レベルを出力している状態から0
”レベルを出力する状態へ変化する場合、もしくは全て
の出カバソファが′0”1/ペルを出力している状態か
ら+!11ルベルを出力する状態へ変化する場合である
。そこで全ての出力バッファがこのように同一の出力レ
ベルを出力している状態の間を遷移する場合、第2図に
おけるインダクタンス214−1,212−1−PN2
J 2−1−1.210−1.208−Z−P〜20
B−1−1の電流変化の大きさは、第1図におけるイン
ダクタンス114.11.?−N−〜11、? −(N
−P+1)、110.10 B −N〜1os−CN−
P+1 )のそれぞれの電流変化の大きさよシも小さく
なる。ここで共通の集積回路技術、パッケージ技術及び
ボンディング技術を適用しているとすれば第2図に示す
インダクタンス214−1.212−1−P〜212−
1−1゜210−1.208−17P〜208 1 1
の値は第1図に示すインダクタンス114.112−N
〜112−(N−P+1) 、 110.1θ8− )
J〜108−(N−P+1 )の値にそれぞれ等しいと
仮定できる。したがって、1)式によって生じるノイズ
を比較すると、第2図のインダクタンス214−1.2
12−1−P〜212−1−1.210−1.20B−
1−P〜20B−1−7によシ発生するノイズは、第1
図のインダクタンス114.112−N〜11.2−(
N−P−1−1)、110,108−N〜1os−(N
−P+1 )によシ発生するノイズよシも小さくなる。
同様に第2番目乃至第9番目の出力バッファ群について
もノイズは小さくなる。
もノイズは小さくなる。
また第2図においてパッド221.223およびパッケ
ージ上のビン222.224は出力バッファ用の電源か
ら分離して入力・ぐソファ群のために設けた電源配線用
のバンドおよび・ぐツケージのビンである。このように
すれば出力ピンの出力レベルの変化によって生じるノイ
ズが、電源腺を介して入力回路に影響することを避ける
ことができる。
ージ上のビン222.224は出力バッファ用の電源か
ら分離して入力・ぐソファ群のために設けた電源配線用
のバンドおよび・ぐツケージのビンである。このように
すれば出力ピンの出力レベルの変化によって生じるノイ
ズが、電源腺を介して入力回路に影響することを避ける
ことができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
選択的に出力モードもしくは入力モードで動作する入出
力バッファを崩する集積回路にも適用することができる
。第3図はこのような集積回路の一例を示すブロック図
で301はノヤッケージ、302はパック°−ジ30ノ
に保持される集積回路チップ、304.30.5はそれ
ぞれ入力回路および内部回路である。そして316〜1
〜316−MはM個の入力用ピンでそれぞれパッド30
3−1〜303−Mに電気的に接続し、かつ入力回路3
04へ入力する。
選択的に出力モードもしくは入力モードで動作する入出
力バッファを崩する集積回路にも適用することができる
。第3図はこのような集積回路の一例を示すブロック図
で301はノヤッケージ、302はパック°−ジ30ノ
に保持される集積回路チップ、304.30.5はそれ
ぞれ入力回路および内部回路である。そして316〜1
〜316−MはM個の入力用ピンでそれぞれパッド30
3−1〜303−Mに電気的に接続し、かつ入力回路3
04へ入力する。
321.323はそれぞれ電源電位および接地電位を入
力回路304へ供給するだめの・七ッドで、これらをパ
ッケージ301上のピン322.324に接続して外部
から電源電位および接地電位を供給するようにしている
。306−1と307−1とはそれぞれ出カバソファお
よび入カパッファでいずれも内部回路305、パッド3
08−1およびピン309−1に接続している。この出
力バッファ306−1、入カパッンア307−1は共に
電源電位を与えるピン312およびパッド310に接続
するとともに接地電位を与えるピン313およびパッド
311に接続している。また出力パッファ306−1は
出カパッ7ア制御信号315を内部回路305から与え
られて制御され、オンすると出力状態となり、オフする
と出力は/・イインピーダンス状態になる。人カパッフ
ァ307−1は同様に入力バッファ制御信号314を内
部回路305から与えられて制御され、オンすると入力
信号を内部回路305へ与え、オフすると入力信号を断
つ。このような入出力バッファをP組設けている。そし
てP番目の人出力バッファも同様に出力ハノファ30G
−Pと入カパッファ307−Pとからなシ、ピン309
−Pおよびパッド30B−Pを介して信号を入出力する
。そして電源電位を与えるピン312、パッド310と
の接続および接地電位を与えるピン313、パッド31
1との接続も入出力バッファ30671および307−
1と同様に構成している。また、入力バッファ制御信号
314、出力バッファ制御信号315も第1番目の人出
力バッファと同様に接続する。
力回路304へ供給するだめの・七ッドで、これらをパ
ッケージ301上のピン322.324に接続して外部
から電源電位および接地電位を供給するようにしている
。306−1と307−1とはそれぞれ出カバソファお
よび入カパッファでいずれも内部回路305、パッド3
08−1およびピン309−1に接続している。この出
力バッファ306−1、入カパッンア307−1は共に
電源電位を与えるピン312およびパッド310に接続
するとともに接地電位を与えるピン313およびパッド
311に接続している。また出力パッファ306−1は
出カパッ7ア制御信号315を内部回路305から与え
られて制御され、オンすると出力状態となり、オフする
と出力は/・イインピーダンス状態になる。人カパッフ
ァ307−1は同様に入力バッファ制御信号314を内
部回路305から与えられて制御され、オンすると入力
信号を内部回路305へ与え、オフすると入力信号を断
つ。このような入出力バッファをP組設けている。そし
てP番目の人出力バッファも同様に出力ハノファ30G
−Pと入カパッファ307−Pとからなシ、ピン309
−Pおよびパッド30B−Pを介して信号を入出力する
。そして電源電位を与えるピン312、パッド310と
の接続および接地電位を与えるピン313、パッド31
1との接続も入出力バッファ30671および307−
1と同様に構成している。また、入力バッファ制御信号
314、出力バッファ制御信号315も第1番目の人出
力バッファと同様に接続する。
そして第3図において、331−1〜331−Qは出力
バッファであって、これらは、いずれも内部回路305
から与えられる信号を増幅してパラI+s 32− J
〜332−Qおよびピン333−1〜333−Qを介し
て出力する。そしてこの出力バッファ5sx−z〜33
1−Qへの電源電位の供給は、ピン336およびパッド
334を介して行ない、接地電位の供給は、ピン337
寂よびパッド335を介して行なう。
バッファであって、これらは、いずれも内部回路305
から与えられる信号を増幅してパラI+s 32− J
〜332−Qおよびピン333−1〜333−Qを介し
て出力する。そしてこの出力バッファ5sx−z〜33
1−Qへの電源電位の供給は、ピン336およびパッド
334を介して行ない、接地電位の供給は、ピン337
寂よびパッド335を介して行なう。
なお第3図においては、第1図、第2図に示すような電
源配線のインダクタンスは省略している。
源配線のインダクタンスは省略している。
このようにすれば人出力バッファpi306−1〜30
6−P 、 307−J〜3θ7− Pと、出力バッフ
ァ群331−1〜331−Qおよび入力回路304の電
源配線をそれぞれ分離して設けることによシ出力パッフ
ァ群のスイッチングに起因するノイズにより入力回路の
動作が影響を受けることがなくなる。壕だ入出力パッン
ア群が入力モードで動作しているときに、出カバソファ
群のスイッチングに起因するノイズの影響を受けること
も赴けることができる。しかも入出カバ、ノア群が出力
モードで動作し、かつ出刃バッファ群と同じ極性のスイ
ッチング動作、すなわち全て°°1″を出力している状
態から全て+10”を出力している状態へスイッチング
し、または全て′O”を出力している状態から全て°゛
1″を出力している状態へスイッチングするような極端
な場合、もしくはそれに準じるような−大きな電源電流
の変化をともなう場合でも電源線を分離しているので出
力レベルへの電源線のノイズの影響を軽威し、さらに電
源線に発生するノイズを小さくでき集積■路の佃ね性を
高めることができる。
6−P 、 307−J〜3θ7− Pと、出力バッフ
ァ群331−1〜331−Qおよび入力回路304の電
源配線をそれぞれ分離して設けることによシ出力パッフ
ァ群のスイッチングに起因するノイズにより入力回路の
動作が影響を受けることがなくなる。壕だ入出力パッン
ア群が入力モードで動作しているときに、出カバソファ
群のスイッチングに起因するノイズの影響を受けること
も赴けることができる。しかも入出カバ、ノア群が出力
モードで動作し、かつ出刃バッファ群と同じ極性のスイ
ッチング動作、すなわち全て°°1″を出力している状
態から全て+10”を出力している状態へスイッチング
し、または全て′O”を出力している状態から全て°゛
1″を出力している状態へスイッチングするような極端
な場合、もしくはそれに準じるような−大きな電源電流
の変化をともなう場合でも電源線を分離しているので出
力レベルへの電源線のノイズの影響を軽威し、さらに電
源線に発生するノイズを小さくでき集積■路の佃ね性を
高めることができる。
以上のように本発明によれば、出カバアクアもしくは出
力モードで動作している入出力バッファのスイッチング
による電源線のノイズが入力回路、もしくは入力モード
で動作している入出力・ぐッファの動作に影響すること
を避けることができる。また1組の電源線を介して接地
電位および電源電位を供給される出力バッファもしくは
出力モードで動作する入出力パノフ1の数を少なくでき
、これらのバッファのスイノチングに起因する電源線上
のノイズも低減させ、これらのノイズによって生じる出
力レベルの変動を減少させることができる。さらに電源
線のノイズの低減によシ、電源線自体および集積回路の
信頼性を高めることができる。また集積回路をテスタで
評価する際に、特殊な電源配線を行なうことなく評価を
することができ、集積回路とパッケージを結ぶボンディ
ングワイヤ、パッケージ内の配線等に従来技術をそのま
ま適用できる利点もある。
力モードで動作している入出力バッファのスイッチング
による電源線のノイズが入力回路、もしくは入力モード
で動作している入出力・ぐッファの動作に影響すること
を避けることができる。また1組の電源線を介して接地
電位および電源電位を供給される出力バッファもしくは
出力モードで動作する入出力パノフ1の数を少なくでき
、これらのバッファのスイノチングに起因する電源線上
のノイズも低減させ、これらのノイズによって生じる出
力レベルの変動を減少させることができる。さらに電源
線のノイズの低減によシ、電源線自体および集積回路の
信頼性を高めることができる。また集積回路をテスタで
評価する際に、特殊な電源配線を行なうことなく評価を
することができ、集積回路とパッケージを結ぶボンディ
ングワイヤ、パッケージ内の配線等に従来技術をそのま
ま適用できる利点もある。
第1図は従来の集積回路の一例を示すブロック図、第2
図は本発明の一実施例を示すブロック図、第3図は本発
明の他の実施例を示すブロック図である。 201・・・ノRツケージ、202・・・集積回路f7
ノ、216−1〜216−M・・・入力ビン、203−
1〜203−M・・・入力用パッド、204・・・入力
回路、205・・・内部回路、206−1−1〜206
−1−P・・・出力バッファ、20B−1−1〜208
−Q−P、212−1−1〜212−1−P、〜。 2J2−Q−1〜2 1 2−Q−P 、2 1 4−
1〜214−Q、210−1〜210−Q・・・インダ
クタンス、207−1−1〜207−1−P。 〜、207−Q−1〜207−Q−P・・・出力用パラ
ド、217−1−J〜217−1−P、〜。 217−Q−1〜217−Q−P・・・出力用ビン、2
13−1〜213−Q、221・・・電源電位供給用ノ
母ッ ド、209−1〜209−Q、223・・・接地
電位供給用パッド、215−1〜215−Q。 222・・・電源電位供給用ビン、211−1〜211
−Q、224・・・接地電位供給用ピン。
図は本発明の一実施例を示すブロック図、第3図は本発
明の他の実施例を示すブロック図である。 201・・・ノRツケージ、202・・・集積回路f7
ノ、216−1〜216−M・・・入力ビン、203−
1〜203−M・・・入力用パッド、204・・・入力
回路、205・・・内部回路、206−1−1〜206
−1−P・・・出力バッファ、20B−1−1〜208
−Q−P、212−1−1〜212−1−P、〜。 2J2−Q−1〜2 1 2−Q−P 、2 1 4−
1〜214−Q、210−1〜210−Q・・・インダ
クタンス、207−1−1〜207−1−P。 〜、207−Q−1〜207−Q−P・・・出力用パラ
ド、217−1−J〜217−1−P、〜。 217−Q−1〜217−Q−P・・・出力用ビン、2
13−1〜213−Q、221・・・電源電位供給用ノ
母ッ ド、209−1〜209−Q、223・・・接地
電位供給用パッド、215−1〜215−Q。 222・・・電源電位供給用ビン、211−1〜211
−Q、224・・・接地電位供給用ピン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)複数個の出力バッファを有する集積回路において
、一定の個数の出力バッファ毎にそれぞれ電源パスを設
けたことを特徴とする集積回路。 (2、特許請求の範Ill第1項記載のものにおいて、
各電源パス毎にボンディング用の・eラドを設けたこと
を特徴とする集積回路。 (3)特許請求の範囲第2項記載のものにおいて、各バ
ンド毎に集積回路チップを登載するパッケージに電源ビ
ンを設けたことを特徴とする集積回路。 (4) %許請求の範囲第1項記載のものにおいて一定
の個数の入出力バッファ毎にそれぞれ電源バスを設けた
ことを特徴とする集積回路。 (5)特許請求の範囲第1項記載のものにおいて、入カ
バ、ノア群の電源線を出力バッファ群または入出力バッ
ファ群の電源線とは別に設けたことを特徴とする集積回
路。 (6)特許請求の範囲第5項記載のものにおいて、入力
バッファ群の電源線に対応してボンディング用のパッド
および集積回路チップを登載するパッケージに電源ビン
を設けたことを特徴とする集積回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138311A JPS6030152A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 集積回路 |
US06/634,028 US4656370A (en) | 1983-07-28 | 1984-07-24 | Integrated circuit with divided power supply wiring |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58138311A JPS6030152A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6030152A true JPS6030152A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15218915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58138311A Pending JPS6030152A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4656370A (ja) |
JP (1) | JPS6030152A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7148567B2 (en) | 2001-12-03 | 2006-12-12 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device |
JP2007019100A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
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1983
- 1983-07-28 JP JP58138311A patent/JPS6030152A/ja active Pending
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1984
- 1984-07-24 US US06/634,028 patent/US4656370A/en not_active Expired - Lifetime
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