JPS6028449B2 - 可変減衰器 - Google Patents
可変減衰器Info
- Publication number
- JPS6028449B2 JPS6028449B2 JP56002557A JP255781A JPS6028449B2 JP S6028449 B2 JPS6028449 B2 JP S6028449B2 JP 56002557 A JP56002557 A JP 56002557A JP 255781 A JP255781 A JP 255781A JP S6028449 B2 JPS6028449 B2 JP S6028449B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- fet
- variable attenuator
- reference power
- attenuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/007—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using FET type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/001—Digital control of analog signals
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可変減衰器、特に2つの予定した異なる減衰比
が選択できる減衰器に関する。
が選択できる減衰器に関する。
減衰器は、一般に信号路に直列及び並列接続された2個
以上のインピーダンス素子、例えば抵抗器により形成さ
れ、その形状により、逆L字形、[形及びT形があるこ
と周知である。
以上のインピーダンス素子、例えば抵抗器により形成さ
れ、その形状により、逆L字形、[形及びT形があるこ
と周知である。
これら減衰器の減衰比を2つ以上の値に切換え、いわゆ
る可変減衰器を得るには、上述した直列及び並列インピ
ーダンスの一方又は両方を切換えることにより行なう。
その為には多数のインピーダンス素子を必要とすると共
に多数の切換えスイッチを必要とする。最近のデジタル
制御型電子機器、例えばオシロスコープの信号入力回路
の可変減衰器にあっては、減衰比の切換選択を電子的に
且つ遠隔制御できることが好ましい。従って、本発明の
目的は構成の簡単且つ安価な可変減衰器を提供すること
である。
る可変減衰器を得るには、上述した直列及び並列インピ
ーダンスの一方又は両方を切換えることにより行なう。
その為には多数のインピーダンス素子を必要とすると共
に多数の切換えスイッチを必要とする。最近のデジタル
制御型電子機器、例えばオシロスコープの信号入力回路
の可変減衰器にあっては、減衰比の切換選択を電子的に
且つ遠隔制御できることが好ましい。従って、本発明の
目的は構成の簡単且つ安価な可変減衰器を提供すること
である。
本発明の他の目的は電子制御の可能な可変減衰器を提供
することである。
することである。
本発明の他の目的は、温度依存性のない可変減衰器を提
供することである。
供することである。
以下本発明による可変減衰器を、好適一実施例を示す添
付図を参照して詳細に説明する。
付図を参照して詳細に説明する。
この実施例にあっては入力端子1に印加する入力信号を
2つの所定減衰比、例えば1/2又は1/5に切換選択
する減衰器を示す。尚、図示せずも入力端1には低出力
インピーダンスの緩衝増中器及び更にその前段には入力
信号を1′10又は1′100に減衰する減衰器を含ん
でもよい。本発明による可変減衰器は一端が夫々出力端
2に共通接続された抵抗器50及び52を含む第1及び
第2インピーダンス素子と、出力機2及び基準電源(接
地を含む)間に接続された抵抗器54を含み並列信号路
をなす第3インピーダンス素子とを含みスイッチ制御型
の可変減衰回路網を構成する。
2つの所定減衰比、例えば1/2又は1/5に切換選択
する減衰器を示す。尚、図示せずも入力端1には低出力
インピーダンスの緩衝増中器及び更にその前段には入力
信号を1′10又は1′100に減衰する減衰器を含ん
でもよい。本発明による可変減衰器は一端が夫々出力端
2に共通接続された抵抗器50及び52を含む第1及び
第2インピーダンス素子と、出力機2及び基準電源(接
地を含む)間に接続された抵抗器54を含み並列信号路
をなす第3インピーダンス素子とを含みスイッチ制御型
の可変減衰回路網を構成する。
抵抗器50、52の他端には夫々電界効果トランジスタ
(以下FETという)11〜13及び15〜17より成
るアナログ電子スイッチが接続されている。FETII
及び15のチャンネルは夫々抵抗器50及び52の池端
と入力端1間に直列接続され、一方FET13及び17
のチャンネルは夫々上記抵抗器50及び52の他端と基
準電源間に接続されている。後述の動作説明から明らか
なようにこれらFETII〜13及び15〜17は夫々
1対の双没スイッチを構成する。これらFETII乃至
17のスイッチング動作を制御する為に、制御器21か
らの制御信号が制御ライン27及び29から夫々抵抗器
35,36,37及び38を介して各FETのゲートに
印加される。また、抵抗器54には後述の目的でFET
II乃至17と同様特性のFET56が常時導適状態と
なるようバイアスされて直列接続されている。次に上述
した可変減衰器の動作を説明する。
(以下FETという)11〜13及び15〜17より成
るアナログ電子スイッチが接続されている。FETII
及び15のチャンネルは夫々抵抗器50及び52の池端
と入力端1間に直列接続され、一方FET13及び17
のチャンネルは夫々上記抵抗器50及び52の他端と基
準電源間に接続されている。後述の動作説明から明らか
なようにこれらFETII〜13及び15〜17は夫々
1対の双没スイッチを構成する。これらFETII乃至
17のスイッチング動作を制御する為に、制御器21か
らの制御信号が制御ライン27及び29から夫々抵抗器
35,36,37及び38を介して各FETのゲートに
印加される。また、抵抗器54には後述の目的でFET
II乃至17と同様特性のFET56が常時導適状態と
なるようバイアスされて直列接続されている。次に上述
した可変減衰器の動作を説明する。
先ず、制御ライン29及び27の制御信号が夫々高及び
低レベルであるとすると、FETII及び17はオン、
FET13及び15はオフである。この状態下では、入
力端1と出力端2間にFETIIのチャンネル抵抗及び
抵抗器50の抵抗より成る第1インピーダンスの直列信
号路が得られる。また、出力端2と基準電源間には抵抗
器52の抵抗及びFET17のチャンネル抵抗の和の第
2インピーダンスと、抵抗器54の抵抗及びFET56
のチャンネル抵抗の和の第3インピーダンスとの並列合
成インピーダンスの並列信号路が得られる。この直列信
号路と並列信号路とにより逆L字形の減衰器が構成され
、第1乃至第3インピーダンスで決まる第1減衰比の減
衰器が得られる。上述した制御ライン27,29の制御
信号が上述から反転すると、FETII及び17がオフ
、13及び15がオンとなり、第2インピーダンスが直
列信号機を、また第1インピーダンスは第3インピーダ
ンスと並列接続されて並列信号路をなす。そこでこの減
衰器の減衰比は予定の第2減衰比となる。そこで例えば
上記第1、第2及び第3インピーダンスを夫々2000
、5000及び3330とすると、上述した第1及び第
2減衰比は夫々1/2及び1/5となる。即ち、入力端
1の入力信号は夫々出力端2において1/2及び1/5
に減衰されることとなる。これらインピーダンスを任意
に選択することにより、上述と異なる任意の減衰比が得
られること勿論である。電子スイッチとしてFETを使
用する場合にはバィポーラトランジスタと違ってオン時
の抵抗が比較的大きく、低インピーダンス減衰器にあっ
てはこのオン抵抗が無視できない。
低レベルであるとすると、FETII及び17はオン、
FET13及び15はオフである。この状態下では、入
力端1と出力端2間にFETIIのチャンネル抵抗及び
抵抗器50の抵抗より成る第1インピーダンスの直列信
号路が得られる。また、出力端2と基準電源間には抵抗
器52の抵抗及びFET17のチャンネル抵抗の和の第
2インピーダンスと、抵抗器54の抵抗及びFET56
のチャンネル抵抗の和の第3インピーダンスとの並列合
成インピーダンスの並列信号路が得られる。この直列信
号路と並列信号路とにより逆L字形の減衰器が構成され
、第1乃至第3インピーダンスで決まる第1減衰比の減
衰器が得られる。上述した制御ライン27,29の制御
信号が上述から反転すると、FETII及び17がオフ
、13及び15がオンとなり、第2インピーダンスが直
列信号機を、また第1インピーダンスは第3インピーダ
ンスと並列接続されて並列信号路をなす。そこでこの減
衰器の減衰比は予定の第2減衰比となる。そこで例えば
上記第1、第2及び第3インピーダンスを夫々2000
、5000及び3330とすると、上述した第1及び第
2減衰比は夫々1/2及び1/5となる。即ち、入力端
1の入力信号は夫々出力端2において1/2及び1/5
に減衰されることとなる。これらインピーダンスを任意
に選択することにより、上述と異なる任意の減衰比が得
られること勿論である。電子スイッチとしてFETを使
用する場合にはバィポーラトランジスタと違ってオン時
の抵抗が比較的大きく、低インピーダンス減衰器にあっ
てはこのオン抵抗が無視できない。
更にこのチャンネル抵抗は温度特性を有し、温度に依存
する。そこで、FET56は、斯るチャンネル抵抗によ
る減衰器の精度を保証する為、FETII乃至17の温
度補償用として使用している。抵抗器50,52及び5
4の抵抗に比してチャンネル抵抗が充分小さい場合には
FET56を除去することも可能である。尚、実施例に
あっては出力端2と最終出力端子3間に可変利得増幅器
60をカスケード接続している。
する。そこで、FET56は、斯るチャンネル抵抗によ
る減衰器の精度を保証する為、FETII乃至17の温
度補償用として使用している。抵抗器50,52及び5
4の抵抗に比してチャンネル抵抗が充分小さい場合には
FET56を除去することも可能である。尚、実施例に
あっては出力端2と最終出力端子3間に可変利得増幅器
60をカスケード接続している。
この増幅器60の利得は制御器21からの制御ライン6
2及び64により×1(1倍、即ち基本利得)又は×2
(2倍、即ち基本利得の2倍)に選択できる。よって、
制御器21により制御ライン27,29,62及び64
の制御信号を制御することにより、種々の組合せの減衰
比が得られることが理解できる。本発明による可変減衰
器によれば、3個のインピーダンス素子とFETで構成
した2個の双役スイッチとにより減衰比を予定の2つの
値に切換選択することができる。
2及び64により×1(1倍、即ち基本利得)又は×2
(2倍、即ち基本利得の2倍)に選択できる。よって、
制御器21により制御ライン27,29,62及び64
の制御信号を制御することにより、種々の組合せの減衰
比が得られることが理解できる。本発明による可変減衰
器によれば、3個のインピーダンス素子とFETで構成
した2個の双役スイッチとにより減衰比を予定の2つの
値に切換選択することができる。
FETによる双役スイッチは相補的な2つの制御信号を
用いて簡単かつ遠隔的な制御が可能になる。また、FE
Tの高いオンオフ抵抗比、特に高いオフ抵抗により良好
な切換動作を行ない得る。しかも、常時、基準電源に接
続される第3インピーダンス素子54は常時導適状態の
FET56を介して基準電源に接続されるので、双役ス
イッチに用いたFETのオン抵抗の温度依存性を補償し
、温度変化に対して極めて安定な可変減衰器を提供でき
るという顕著な効果を奏する。尚、以上は本発明の好適
一実施例のみについて説明したが、本発明は何ら斯る実
施例に限定するものではなく、特定の用途に応じて種々
の変更変形がなし得ること当業者には容易に理解できよ
つ。
用いて簡単かつ遠隔的な制御が可能になる。また、FE
Tの高いオンオフ抵抗比、特に高いオフ抵抗により良好
な切換動作を行ない得る。しかも、常時、基準電源に接
続される第3インピーダンス素子54は常時導適状態の
FET56を介して基準電源に接続されるので、双役ス
イッチに用いたFETのオン抵抗の温度依存性を補償し
、温度変化に対して極めて安定な可変減衰器を提供でき
るという顕著な効果を奏する。尚、以上は本発明の好適
一実施例のみについて説明したが、本発明は何ら斯る実
施例に限定するものではなく、特定の用途に応じて種々
の変更変形がなし得ること当業者には容易に理解できよ
つ。
図は本発明による可変減衰器の一実施例を示す。
Claims (1)
- 1 一端が夫々出力端に共通接続された第1、第2及び
第3のインピーダンス素子と、上記第1インピーダンス
素子の他端を入力端及び基準電源に夫々接続する第1の
電界効果トランジスタ対と、上記第2インピーダンス素
子の他端を上記入力端及び基準電源に夫々接続する第2
の電界効果トランジスタ対と、上記第3インピーダンス
素子の他端を上記基準電源に常時導通状態で接続する電
界効果トランジスタとを具え、上記第1及び第2電界効
果トランジスタ対を夫々相補駆動する可変減衰器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/736,929 US4121183A (en) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | Programmable attenuator apparatus employing active FET switching |
US736929 | 1976-10-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56168419A JPS56168419A (en) | 1981-12-24 |
JPS6028449B2 true JPS6028449B2 (ja) | 1985-07-04 |
Family
ID=24961918
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12920077A Granted JPS5360139A (en) | 1976-10-29 | 1977-10-27 | Attenuator |
JP56002557A Expired JPS6028449B2 (ja) | 1976-10-29 | 1981-01-09 | 可変減衰器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12920077A Granted JPS5360139A (en) | 1976-10-29 | 1977-10-27 | Attenuator |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4121183A (ja) |
JP (2) | JPS5360139A (ja) |
CA (1) | CA1100201A (ja) |
DE (1) | DE2747282C3 (ja) |
FR (1) | FR2369741A1 (ja) |
GB (1) | GB1568105A (ja) |
NL (1) | NL171762C (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7811229A (nl) * | 1978-11-14 | 1980-05-19 | Philips Nv | Verzwakkerinrichting bevattende een cascadeschakeling van een stappenverzwakker en een regelbare spannings- deler, alsmede een besturingsschakeling voor de rege- ling daarvan. |
US4302774A (en) * | 1979-05-03 | 1981-11-24 | Hughes Aircraft Company | Amplitude compression and frequency compensation system |
JPS5611012U (ja) * | 1979-07-09 | 1981-01-30 | ||
DE2934400C2 (de) * | 1979-08-24 | 1983-01-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Steuerbare Eichleitung |
JPS5664520A (en) * | 1979-10-08 | 1981-06-01 | Nec Corp | Noise eraser |
US4301445A (en) * | 1979-12-10 | 1981-11-17 | General Electric Company | Communication system and method having wide dynamic range digital gain control |
US4495498A (en) * | 1981-11-02 | 1985-01-22 | Trw Inc. | N by M planar configuration switch for radio frequency applications |
US4495458A (en) * | 1982-09-30 | 1985-01-22 | Tektronix | Termination for high impedance attenuator |
JPS5980010A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-09 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | プログラマブルアツテネ−タ |
JPS6028310A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-13 | Nec Corp | 電子ボリユ−ム |
JPS60149234U (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-03 | 株式会社ケンウッド | 音量調整回路 |
US4710726A (en) * | 1986-02-27 | 1987-12-01 | Columbia University In The City Of New York | Semiconductive MOS resistance network |
US4872145A (en) * | 1987-05-04 | 1989-10-03 | Hazeltine Corporation | Noise trap circuit |
US4864162A (en) * | 1988-05-10 | 1989-09-05 | Grumman Aerospace Corporation | Voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship |
US4875023A (en) * | 1988-05-10 | 1989-10-17 | Grumman Aerospace Corporation | Variable attenuator having voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship |
US4978932A (en) * | 1988-07-07 | 1990-12-18 | Communications Satellite Corporation | Microwave digitally controlled solid-state attenuator having parallel switched paths |
US4868519A (en) * | 1988-11-02 | 1989-09-19 | Dnic Brokerage Company | Microprocessor-controlled amplifier |
JPH02148421U (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-17 | ||
US6451415B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer |
US7028105B2 (en) | 2000-07-25 | 2006-04-11 | Electronic Solutions, Inc. | Apparatus, method and signal set for monoline serial interface |
DE10340619B4 (de) * | 2003-09-03 | 2011-06-01 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Eichleitung |
US20060258319A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Bernd Wuppermann | Integrated wide bandwidth attenuating-and-amplifying circuit |
KR100825227B1 (ko) * | 2007-10-04 | 2008-04-25 | 넥스트랩주식회사 | 팝 노이즈 제거 회로 |
WO2010116897A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
US9461606B2 (en) * | 2014-03-17 | 2016-10-04 | Adaptive Sound Technologies, Inc. | Systems and methods for automatic signal attenuation |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3796945A (en) * | 1973-05-15 | 1974-03-12 | Beltone Electronics Corp | Digital attenuator wherein transistor switch means are biased by rectifier circuit |
US3936607A (en) * | 1973-11-28 | 1976-02-03 | Michael Davis | Electronically variable audiometer of the von Bekesy type |
US4014238A (en) * | 1974-08-13 | 1977-03-29 | C.G. Conn, Ltd. | Tone signal waveform control network for musical instrument keying system |
US4009400A (en) * | 1975-11-28 | 1977-02-22 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Digitally controlled variable conductance |
-
1976
- 1976-10-29 US US05/736,929 patent/US4121183A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-09-20 GB GB39154/77A patent/GB1568105A/en not_active Expired
- 1977-09-27 CA CA287,629A patent/CA1100201A/en not_active Expired
- 1977-10-07 NL NLAANVRAGE7711022,A patent/NL171762C/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-10-21 DE DE2747282A patent/DE2747282C3/de not_active Expired
- 1977-10-27 JP JP12920077A patent/JPS5360139A/ja active Granted
- 1977-10-28 FR FR7733336A patent/FR2369741A1/fr active Granted
-
1981
- 1981-01-09 JP JP56002557A patent/JPS6028449B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2747282B2 (de) | 1979-03-22 |
NL7711022A (nl) | 1978-05-03 |
NL171762B (nl) | 1982-12-01 |
FR2369741A1 (fr) | 1978-05-26 |
JPS5754016B2 (ja) | 1982-11-16 |
CA1100201A (en) | 1981-04-28 |
JPS5360139A (en) | 1978-05-30 |
DE2747282A1 (de) | 1978-05-03 |
FR2369741B1 (ja) | 1982-11-19 |
JPS56168419A (en) | 1981-12-24 |
DE2747282C3 (de) | 1979-11-08 |
US4121183A (en) | 1978-10-17 |
GB1568105A (en) | 1980-05-21 |
NL171762C (nl) | 1983-05-02 |
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