JPS6028103B2 - 光導電性撮像管タ−ゲツト - Google Patents
光導電性撮像管タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6028103B2 JPS6028103B2 JP55157086A JP15708680A JPS6028103B2 JP S6028103 B2 JPS6028103 B2 JP S6028103B2 JP 55157086 A JP55157086 A JP 55157086A JP 15708680 A JP15708680 A JP 15708680A JP S6028103 B2 JPS6028103 B2 JP S6028103B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- film
- type
- tube target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電性撮像管ターゲット、特に光導電層の耐
熱構造に関するものであり、詳細には高温度使用時にお
ける感度特性の劣化を防止させた光導電性撮像管ターゲ
ットに関するものである。
熱構造に関するものであり、詳細には高温度使用時にお
ける感度特性の劣化を防止させた光導電性撮像管ターゲ
ットに関するものである。
近時、特関昭４９−２４６１９および持鰯昭５０−４５
１斑等において、非晶質のセレン（Ｓｅ）、ヒ素（船）
、テルル（Ｔｅ）などを含有するＰ型光導電膜とＮ型導
電膜との間に整流性接触を形成した新しいタイプの整流
接触型の光導電性撮像管ターゲットが提案されている。
このタイプの糠像管ターゲットは、残像、フレアが少な
く、解像度が高く、白点状の画面欠陥が少なく、しかも
製造方法が簡単である等の特徴を有しており、次のよう
な構造を有している。すなわち第１図に姿部断面図で示
すように透光性ガラス村からなる円板状のガラス基板１
の上面には、スズ、インジウムまたはチタンなどの中か
ら選定された一元素の酸化物を主成分とする透明電極２
ａが被着され、さらにその背面にはＺｎＳｅ，蛇０，Ｃ
ｅ０２の中から選定された材料からなる極めて薄いＮ型
導電腰２ｂ被着されて上記透明電極２ａとＮ型導電膜２
ｂとで透明導電腹２が形成されている。また、この透明
導電膜２と整流接触がなされるようにこの透明導電膜２
の背面には、第２図のＡ領域で示すようにＳｅが９５ｗ
ｔ％，Ａｓが５ｗィ％の濃度分布を有する第１層目のＰ
型光導電膜３ａが膜厚方向に向って約３００Ａの厚さで
彼着され、さらにこの第１層３ａの背面には第２図のＢ
領域で示すようにＳｅが６５Ｍ％，俗が５Ｍ％，Ｔｅが
３仇れ％の濃度分布を有する第２層目のＰ型光導電膜３
ｂが腰厚方向に向って約６００Ａの厚さで被着されてい
る。この場合、この第２層３ｂは第１層３ａの膜厚約３
００Ａの部分から急速にＴｅの濃度分布を増大させて膜
厚約９００Ａにわたって添加させて感度増感層を形成し
ている。また、この第１層３ａと第２層３ｂとに約９０
０Ａにわたって同一濃度分布で添加されているＡｓはＳ
ｅの熱安定性を高める作用を有している。また、第２層
３ｂの背面には第２図のＣ領域で示すようにＳｅが７仇
Ｘ％から１０肌ｔ％まで、＄が３肌ｔ％から仇れ％まで
濃度分布が変化する第３層目のＰ型光導電膜３ｃが膜厚
方向に向って約６００Ａの厚さで被着されてＰ型の光導
電膜３が形成されている。この場合、この第３層３ｃは
船の濃度分布が低い順位から高い順位まで約６００Ａに
わたって一様に変化する濃度勾配を有して形成されてい
るので、第２層目３ｂの増感効果を高めるととに、Ｓｅ
の熱安定性をさらに高める作用を有している。さらにこ
のＰ型光導電膜３の背面には走査ビームのランディング
を補助する導電膜４がＳｂ夕３を約１０００Ａの厚さに
黍着して形成されている。そして入射光５はガラス基板
１側から供給され、走査電子ビーム６は導電膜４に供給
される。このように構成された撮像管ターゲットによれ
ば、長波長光に対する感度を増加させるという目的が蓬
せられ、残像、競付けなど撮像管として通常要求される
諸特性が良好に得られる。
１斑等において、非晶質のセレン（Ｓｅ）、ヒ素（船）
、テルル（Ｔｅ）などを含有するＰ型光導電膜とＮ型導
電膜との間に整流性接触を形成した新しいタイプの整流
接触型の光導電性撮像管ターゲットが提案されている。
このタイプの糠像管ターゲットは、残像、フレアが少な
く、解像度が高く、白点状の画面欠陥が少なく、しかも
製造方法が簡単である等の特徴を有しており、次のよう
な構造を有している。すなわち第１図に姿部断面図で示
すように透光性ガラス村からなる円板状のガラス基板１
の上面には、スズ、インジウムまたはチタンなどの中か
ら選定された一元素の酸化物を主成分とする透明電極２
ａが被着され、さらにその背面にはＺｎＳｅ，蛇０，Ｃ
ｅ０２の中から選定された材料からなる極めて薄いＮ型
導電腰２ｂ被着されて上記透明電極２ａとＮ型導電膜２
ｂとで透明導電腹２が形成されている。また、この透明
導電膜２と整流接触がなされるようにこの透明導電膜２
の背面には、第２図のＡ領域で示すようにＳｅが９５ｗ
ｔ％，Ａｓが５ｗィ％の濃度分布を有する第１層目のＰ
型光導電膜３ａが膜厚方向に向って約３００Ａの厚さで
彼着され、さらにこの第１層３ａの背面には第２図のＢ
領域で示すようにＳｅが６５Ｍ％，俗が５Ｍ％，Ｔｅが
３仇れ％の濃度分布を有する第２層目のＰ型光導電膜３
ｂが腰厚方向に向って約６００Ａの厚さで被着されてい
る。この場合、この第２層３ｂは第１層３ａの膜厚約３
００Ａの部分から急速にＴｅの濃度分布を増大させて膜
厚約９００Ａにわたって添加させて感度増感層を形成し
ている。また、この第１層３ａと第２層３ｂとに約９０
０Ａにわたって同一濃度分布で添加されているＡｓはＳ
ｅの熱安定性を高める作用を有している。また、第２層
３ｂの背面には第２図のＣ領域で示すようにＳｅが７仇
Ｘ％から１０肌ｔ％まで、＄が３肌ｔ％から仇れ％まで
濃度分布が変化する第３層目のＰ型光導電膜３ｃが膜厚
方向に向って約６００Ａの厚さで被着されてＰ型の光導
電膜３が形成されている。この場合、この第３層３ｃは
船の濃度分布が低い順位から高い順位まで約６００Ａに
わたって一様に変化する濃度勾配を有して形成されてい
るので、第２層目３ｂの増感効果を高めるととに、Ｓｅ
の熱安定性をさらに高める作用を有している。さらにこ
のＰ型光導電膜３の背面には走査ビームのランディング
を補助する導電膜４がＳｂ夕３を約１０００Ａの厚さに
黍着して形成されている。そして入射光５はガラス基板
１側から供給され、走査電子ビーム６は導電膜４に供給
される。このように構成された撮像管ターゲットによれ
ば、長波長光に対する感度を増加させるという目的が蓬
せられ、残像、競付けなど撮像管として通常要求される
諸特性が良好に得られる。
しかしながら、上記構成による撮像管ターゲットは、通
常の使用条件では良好な特性が得られるが、周囲温度が
通常の使用状態より大幅に増加すると、長波長光に対す
る感度特性が著しく低下するという欠点を有していた。
常の使用条件では良好な特性が得られるが、周囲温度が
通常の使用状態より大幅に増加すると、長波長光に対す
る感度特性が著しく低下するという欠点を有していた。
したがって、本発明は、第１層目の光導電膜に添加する
Ａｓ濃度を第２層目よりも大きくすることよって、ター
ゲットの耐熱性を向上させ、長波長光における感度特性
の劣化を防止させた光導電性撮像管ターゲットを提供す
ることを目的としている。以下実施例を用いて本発明を
詳細に説明する。第３図は本発明による光導電性撮像管
ターゲットの一例を設明すための光導電膜の成分分布を
示したものである。
Ａｓ濃度を第２層目よりも大きくすることよって、ター
ゲットの耐熱性を向上させ、長波長光における感度特性
の劣化を防止させた光導電性撮像管ターゲットを提供す
ることを目的としている。以下実施例を用いて本発明を
詳細に説明する。第３図は本発明による光導電性撮像管
ターゲットの一例を設明すための光導電膜の成分分布を
示したものである。
同図において、第２図の成分分布と異なる点は、透明導
電膜２（第１図参照）の背面には第３図のＡ，領域で示
すようにＳｅが９５ｗｔ％，Ａｓが５ｗｔ％の濃度分布
を有する第１＾層目のＰ型光導電膜が膜厚方向に向って
約１５０Ａの厚さで被着され、さらにこの第１＾層目の
Ｐ型光導電膜の背面には第３図のＡ２領域で示すように
Ｓｅが８仇れ％，Ａｓが２肌ｔ％の濃度分布を有する第
ＩＢ種目のＰ型光導電膜が膜厚方向に向って約１５０Ａ
の厚さで被着されて第３図にＡ′領域で示すように合計
３００Ａの膜厚を有する第１層目のＰ型光導噂腰が形成
されている。つまり、Ｎ型透明導電膜と整流接触する第
１層目のＰ型光導電膜がＮ型透明導電膜側からＡｓ濃度
の低い（５ｗｔ％）膜厚と、舵濃度の急速に高くなる（
２仇れ％）膜厚とで形成されている。また、第２層目は
従来と全く同様に形成され、さらに、第２層目３ｂ（第
１図参照）の背面には、第３図の〇領域で示すようにＳ
ｅが７０ｗｔ％から９５ｗｔ％まで、Ａｓが３仇れ％か
ら５Ｍ％まで濃度分布が変化する第３層目のＰ型光導電
膜が膜厚方向に向って約６００Ａの厚さで被看され、さ
らにこの第３層目の背面にはＳｅが７肌ｔ％，俗が５ｗ
ｔ％の濃度分布を有する第４層目のＰ型光導電膜が、全
体の膜厚Ｄ＝４ムｍとなるまでの厚さに一様に被着形成
されている。この場合、この第４層副ま数八ないし数十
Ａ程度である。次に本発明による光導電性撮像管ターゲ
ットの製造方法の一例を説明する。まず、ガラス基板上
に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成し、さらに整
流性接触補助層としてＣｅ０２を３×１０‐６Ｔｏｎの
真空中で約３００△の厚さに蒸着する。
電膜２（第１図参照）の背面には第３図のＡ，領域で示
すようにＳｅが９５ｗｔ％，Ａｓが５ｗｔ％の濃度分布
を有する第１＾層目のＰ型光導電膜が膜厚方向に向って
約１５０Ａの厚さで被着され、さらにこの第１＾層目の
Ｐ型光導電膜の背面には第３図のＡ２領域で示すように
Ｓｅが８仇れ％，Ａｓが２肌ｔ％の濃度分布を有する第
ＩＢ種目のＰ型光導電膜が膜厚方向に向って約１５０Ａ
の厚さで被着されて第３図にＡ′領域で示すように合計
３００Ａの膜厚を有する第１層目のＰ型光導噂腰が形成
されている。つまり、Ｎ型透明導電膜と整流接触する第
１層目のＰ型光導電膜がＮ型透明導電膜側からＡｓ濃度
の低い（５ｗｔ％）膜厚と、舵濃度の急速に高くなる（
２仇れ％）膜厚とで形成されている。また、第２層目は
従来と全く同様に形成され、さらに、第２層目３ｂ（第
１図参照）の背面には、第３図の〇領域で示すようにＳ
ｅが７０ｗｔ％から９５ｗｔ％まで、Ａｓが３仇れ％か
ら５Ｍ％まで濃度分布が変化する第３層目のＰ型光導電
膜が膜厚方向に向って約６００Ａの厚さで被看され、さ
らにこの第３層目の背面にはＳｅが７肌ｔ％，俗が５ｗ
ｔ％の濃度分布を有する第４層目のＰ型光導電膜が、全
体の膜厚Ｄ＝４ムｍとなるまでの厚さに一様に被着形成
されている。この場合、この第４層副ま数八ないし数十
Ａ程度である。次に本発明による光導電性撮像管ターゲ
ットの製造方法の一例を説明する。まず、ガラス基板上
に酸化スズを主体とする透明導電膜を形成し、さらに整
流性接触補助層としてＣｅ０２を３×１０‐６Ｔｏｎの
真空中で約３００△の厚さに蒸着する。
次に、その上面に２段階にあげた第１層の前半層として
Ｓｅ，松２Ｓｅ３をそれぞれ別の蒸着ボートから同時に
約１５０Ａの厚さに蒸着する。この場合、松の濃度は机
ｔ％とし膜厚方向に一様に分布させる。さらに第１層後
半部を、蒸着ボートに流れる電流を変えることによって
、Ａｓ濃度を制御して２冊ｔ％とし、膜厚方向に一様に
分布させる。次に第１層の上に第２層目を蒸着するＳｅ
，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを刻々の蒸着ボートから同時に蒸
着させ、厚さ約６００Ａの第２層目を形成する。このと
き兆濃度は３ｗｔ％，Ｔｅ濃度は３仇Ｗ％とし膜厚方向
に一様に分布させる。次に、この第２層の上にＳｅ，Ａ
ｓからなる第３層を形成する。ここで、第３層目を蒸着
する場合、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３をそれぞれ別々の蒸着ボ
ートに入れて同時に蒸着させる。このときＡｓ２Ｓｅ３
のボート電流を制御して松濃度が最初３肌ｔ％で蒸着が
進むにつれて厚さ約６００Ａにわたって滑らかに変化さ
せ、最終でぶれ％になるようにする。次に、この第３層
の上にＳｅとＡｓとからなる第４層を蒸着し、全体の膜
厚○を約４仏ｍとする。この場合、この第４層の粕濃度
は細ｔ％とし一様の分布させる。また、これらの第１層
から第４層までの蒸着は２×１０‐６Ｔｏｒｒの真空中
で行なう。
Ｓｅ，松２Ｓｅ３をそれぞれ別の蒸着ボートから同時に
約１５０Ａの厚さに蒸着する。この場合、松の濃度は机
ｔ％とし膜厚方向に一様に分布させる。さらに第１層後
半部を、蒸着ボートに流れる電流を変えることによって
、Ａｓ濃度を制御して２冊ｔ％とし、膜厚方向に一様に
分布させる。次に第１層の上に第２層目を蒸着するＳｅ
，Ａｓ２Ｓｅ３，Ｔｅを刻々の蒸着ボートから同時に蒸
着させ、厚さ約６００Ａの第２層目を形成する。このと
き兆濃度は３ｗｔ％，Ｔｅ濃度は３仇Ｗ％とし膜厚方向
に一様に分布させる。次に、この第２層の上にＳｅ，Ａ
ｓからなる第３層を形成する。ここで、第３層目を蒸着
する場合、Ｓｅ，Ａｓ２Ｓｅ３をそれぞれ別々の蒸着ボ
ートに入れて同時に蒸着させる。このときＡｓ２Ｓｅ３
のボート電流を制御して松濃度が最初３肌ｔ％で蒸着が
進むにつれて厚さ約６００Ａにわたって滑らかに変化さ
せ、最終でぶれ％になるようにする。次に、この第３層
の上にＳｅとＡｓとからなる第４層を蒸着し、全体の膜
厚○を約４仏ｍとする。この場合、この第４層の粕濃度
は細ｔ％とし一様の分布させる。また、これらの第１層
から第４層までの蒸着は２×１０‐６Ｔｏｒｒの真空中
で行なう。
最終に第４層の上にＳＱＳ３を２×１０‐ＩＴｏｒｒの
アルゴン雰囲気中で約１０００Ａの厚さに蒸着してビー
ムランディング補助膜としての導電腰４（第１図参照）
を形成する。このように構成された光導電性撮像管ター
ゲットは、Ｐ型光導電膜の第２層の直前に高Ａｓ濃度層
を設けたことによって、高粘性層が形成されて高温中に
保持されたターゲット中のＴｅの熱拡散を防止ることに
なり、したがって、周囲温度が通常の使用状態により増
加した場合の長波長光に対する感度特性の耐熱性を改善
することができる。第４図は従来および本発明の光導電
性撮像管ターゲットを一定の周囲温度に保持した場合の
長波長光に対する感度劣化時間をプロットしたものであ
る。機軸は使用中の周囲温度、縦軸は放置時間を示たも
のである。同図において、そ曲線は従来のターゲットの
特性であり、本発明を実施することによってｍ曲線のよ
うに改善することができた。本発明による効果は高濃度
のＡｓを添加した層厚が薄い場合には効果も少ない。ま
た層厚が厚い場合には整流性を損なうことになり好まし
くない。望ましい層厚は第５図に示すように５０〜２０
０Ａの範囲である。なお、第５図は機軸が層厚、縦軸が
脂電流および耐熱温度を示したものである。同図におい
て、曲線ｎは耐熱温度に対する依存性を示し、曲線Ｐは
階電流依存性をそれぞれ示したものである。なお、Ｎ型
導電膜とＰ型光導電膜の間に酸化セリウム酸からなるＮ
型酸化物を代表例とする階電流阻止層を介在させた構造
を有する光導電性撮像管ターゲットにおいても、ターゲ
ットの動作の本質に相違なく、勿論本発明の範囲内であ
る。
アルゴン雰囲気中で約１０００Ａの厚さに蒸着してビー
ムランディング補助膜としての導電腰４（第１図参照）
を形成する。このように構成された光導電性撮像管ター
ゲットは、Ｐ型光導電膜の第２層の直前に高Ａｓ濃度層
を設けたことによって、高粘性層が形成されて高温中に
保持されたターゲット中のＴｅの熱拡散を防止ることに
なり、したがって、周囲温度が通常の使用状態により増
加した場合の長波長光に対する感度特性の耐熱性を改善
することができる。第４図は従来および本発明の光導電
性撮像管ターゲットを一定の周囲温度に保持した場合の
長波長光に対する感度劣化時間をプロットしたものであ
る。機軸は使用中の周囲温度、縦軸は放置時間を示たも
のである。同図において、そ曲線は従来のターゲットの
特性であり、本発明を実施することによってｍ曲線のよ
うに改善することができた。本発明による効果は高濃度
のＡｓを添加した層厚が薄い場合には効果も少ない。ま
た層厚が厚い場合には整流性を損なうことになり好まし
くない。望ましい層厚は第５図に示すように５０〜２０
０Ａの範囲である。なお、第５図は機軸が層厚、縦軸が
脂電流および耐熱温度を示したものである。同図におい
て、曲線ｎは耐熱温度に対する依存性を示し、曲線Ｐは
階電流依存性をそれぞれ示したものである。なお、Ｎ型
導電膜とＰ型光導電膜の間に酸化セリウム酸からなるＮ
型酸化物を代表例とする階電流阻止層を介在させた構造
を有する光導電性撮像管ターゲットにおいても、ターゲ
ットの動作の本質に相違なく、勿論本発明の範囲内であ
る。
以上説明したように本発明による光導電性撮像管ターゲ
ットによれば、ターゲットの耐熱性を向上させ、長波長
光における感度特性の劣化を防止することができ、信頼
性を大幅に向上させることができる極めて優れた効果が
得られる。
ットによれば、ターゲットの耐熱性を向上させ、長波長
光における感度特性の劣化を防止することができ、信頼
性を大幅に向上させることができる極めて優れた効果が
得られる。
第１図は従来の光導電性糠像管ターゲットの一例を示す
要部断面図、第２図は第１図に示したターゲットの主要
部の成分分布を示す図、第３図は本発明による光導電性
撮像管ターゲットの主要部の成分分布を示す図、第４図
は耐熱特性を示す図、第５図は母ド−ブ層の依存性を示
す図である。 １・・・・・・ガラス基板、２ａ・・・・・・透明電極
、２ｂ・・・・・・Ｎ型導亀膜、２・・・・・・透明導
電膜、３ａ・・・・・・第１層目の光導電膜、３ｂ・・
・・・・第２層目の光導電膜、３ｃ・・・・・・第３層
目の光導電腰、３・・・・・・光導電膜、４・・・・・
・導電膜、５・・・・・・入射光、６・・・・・・走査
電子ビーム。 第１図 第５図 第２図 第３図 第４図
要部断面図、第２図は第１図に示したターゲットの主要
部の成分分布を示す図、第３図は本発明による光導電性
撮像管ターゲットの主要部の成分分布を示す図、第４図
は耐熱特性を示す図、第５図は母ド−ブ層の依存性を示
す図である。 １・・・・・・ガラス基板、２ａ・・・・・・透明電極
、２ｂ・・・・・・Ｎ型導亀膜、２・・・・・・透明導
電膜、３ａ・・・・・・第１層目の光導電膜、３ｂ・・
・・・・第２層目の光導電膜、３ｃ・・・・・・第３層
目の光導電腰、３・・・・・・光導電膜、４・・・・・
・導電膜、５・・・・・・入射光、６・・・・・・走査
電子ビーム。 第１図 第５図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に形成されたＮ型導電膜と、前記Ｎ型
導電膜と整流性接触をなすＳｅ，Ａｓおよび増幅剤とし
てＴｅを含有するＰ型光導電膜とを具備した光導電性撮
像管ターゲツトにおいて、前記Ｎ型導電膜と前記Ｐ型光
導電膜のＴｅ含有層間で、前記Ａｓの濃度差を前記Ｎ型
導電膜側に小さく前記Ｔｅ含有層側に高くしたことを特
徴とする光導電性撮像管ターゲツト。 ２ 前記Ｔｅ含有層側の高Ａｓ濃度領域を５０Å以上と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導
電性撮像管ターゲツト。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55157086A JPS6028103B2 (ja) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | 光導電性撮像管タ−ゲツト |
| US06/319,796 US4445131A (en) | 1980-11-10 | 1981-11-09 | Photoconductive image pick-up tube target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55157086A JPS6028103B2 (ja) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | 光導電性撮像管タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5780639A JPS5780639A (en) | 1982-05-20 |
| JPS6028103B2 true JPS6028103B2 (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=15641933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55157086A Expired JPS6028103B2 (ja) | 1980-11-10 | 1980-11-10 | 光導電性撮像管タ−ゲツト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4445131A (ja) |
| JP (1) | JPS6028103B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5101255A (en) * | 1987-01-14 | 1992-03-31 | Sachio Ishioka | Amorphous photoelectric conversion device with avalanche |
| JPH065223A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5240809B2 (ja) * | 1972-04-07 | 1977-10-14 | ||
| JPS5419127B2 (ja) * | 1974-06-21 | 1979-07-12 | ||
| JPS5263090A (en) * | 1975-11-19 | 1977-05-25 | Hitachi Ltd | Photosensitive device and its production |
-
1980
- 1980-11-10 JP JP55157086A patent/JPS6028103B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-11-09 US US06/319,796 patent/US4445131A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5780639A (en) | 1982-05-20 |
| US4445131A (en) | 1984-04-24 |
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