JPS60255971A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS60255971A JPS60255971A JP11248084A JP11248084A JPS60255971A JP S60255971 A JPS60255971 A JP S60255971A JP 11248084 A JP11248084 A JP 11248084A JP 11248084 A JP11248084 A JP 11248084A JP S60255971 A JPS60255971 A JP S60255971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- hole
- small hole
- thin film
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は金属蒸気を基板に蒸着させる薄膜形成装置に
関するものである。
関するものである。
C従来技術]
従来の薄膜形成装置を第1図に示す。図において、(1
)はるつぼ、(2)は金属、(3)は小孔、(4)は金
属蒸気、(5)はフィラメント、(6)(7)は電源、
(8) Hグリッド、(9)はフィラメント、(10)
(11)は電源、(12)は加速電極、(13)は基
板、(14)は蒸着膜、(15)は電源、(16)はシ
ールド板、(17)は真空容器、(18)は断熱材であ
る。
)はるつぼ、(2)は金属、(3)は小孔、(4)は金
属蒸気、(5)はフィラメント、(6)(7)は電源、
(8) Hグリッド、(9)はフィラメント、(10)
(11)は電源、(12)は加速電極、(13)は基
板、(14)は蒸着膜、(15)は電源、(16)はシ
ールド板、(17)は真空容器、(18)は断熱材であ
る。
次に動作を説明する。第1図において、フィラメント(
5)は電源(6)によって加熱され、電源(7)によっ
て与えられた電圧により電子の衝突を受けてるつぼ(1
)が加熱される。るつ#Y(1)内の金Ji11(2)
Vi蒸発して小孔(3)から真空中に噴射する。噴射さ
れた金属蒸気(4) Viフイラノント(9)、電源(
10)及びグリッド(8)によって電子の衝突を受けて
イオン化し、加速電極(12)と電源(15)によって
加速され、基板(13)に射突して蒸着膜(14)を作
る。この時、るつぼ(1)は高温になって、輻射熱が同
曲に放出される。
5)は電源(6)によって加熱され、電源(7)によっ
て与えられた電圧により電子の衝突を受けてるつぼ(1
)が加熱される。るつ#Y(1)内の金Ji11(2)
Vi蒸発して小孔(3)から真空中に噴射する。噴射さ
れた金属蒸気(4) Viフイラノント(9)、電源(
10)及びグリッド(8)によって電子の衝突を受けて
イオン化し、加速電極(12)と電源(15)によって
加速され、基板(13)に射突して蒸着膜(14)を作
る。この時、るつぼ(1)は高温になって、輻射熱が同
曲に放出される。
このため、るつぼ(1)の外面には輻射熱を反射させる
熱シールド板(16)を側面と底部に配置している。そ
して、上部は加速電極(12)を熱シールド板と共用す
る。金属蒸気(4)は小孔(3)を通った後ある角度を
もって広がるためこの広がりを妨げないように頂角を有
する孔を断熱材に設けている。金属蒸気(4) Fi直
径りの小孔を通るが、小孔の途中で直径a(aぐD)に
縮少してから広がる。この孔の場合、輻射熱は直径りの
面積を通って上方に達する。一方、加速電極(12)は
るつぼ(1)から離れた位置にあるため、金属蒸気(4
)が広がって通るので開口部が大きくとられている。こ
のため、るつぼの噴射面からの輻射熱は開口部を通り、
基板(13) K到達して、加熱することになるので、
基板(13)を冷す必要がある。
熱シールド板(16)を側面と底部に配置している。そ
して、上部は加速電極(12)を熱シールド板と共用す
る。金属蒸気(4)は小孔(3)を通った後ある角度を
もって広がるためこの広がりを妨げないように頂角を有
する孔を断熱材に設けている。金属蒸気(4) Fi直
径りの小孔を通るが、小孔の途中で直径a(aぐD)に
縮少してから広がる。この孔の場合、輻射熱は直径りの
面積を通って上方に達する。一方、加速電極(12)は
るつぼ(1)から離れた位置にあるため、金属蒸気(4
)が広がって通るので開口部が大きくとられている。こ
のため、るつぼの噴射面からの輻射熱は開口部を通り、
基板(13) K到達して、加熱することになるので、
基板(13)を冷す必要がある。
]発明の概要〕
本発明は上記欠点をなくすため、るつぼから噴出する金
属蒸気を小孔で細く絞って、金属蒸気の通らない部分に
は断熱材または幅射平の小さい材料を用いることKよっ
て基板に達する熱を小さくした薄膜形成装置を提供する
。
属蒸気を小孔で細く絞って、金属蒸気の通らない部分に
は断熱材または幅射平の小さい材料を用いることKよっ
て基板に達する熱を小さくした薄膜形成装置を提供する
。
[発明の実施例]
第3図に本発明による薄膜形成装置を示す。図において
、(1) (2)は従来と同様である。(19)はるつ
ぼ(1)の上部に設けた小孔で、るつぼ(1)外面から
内面に向って拡開した貫通穴である。(20)はるつぼ
(1)の外面を被い、小孔(19)と接続された連通孔
(20a)を有する断熱材である。なお断熱材(20)
の連通孔(2(la) #’iるりtY(1)の外面に
当接する側が直径dの小孔(19)の最小断面積で、外
111!IK向って拡開している。したがって、るつぼ
(1)の小孔(19)と断熱材(20)の連通孔(20
a)とで、中細ノズルが構成されている。
、(1) (2)は従来と同様である。(19)はるつ
ぼ(1)の上部に設けた小孔で、るつぼ(1)外面から
内面に向って拡開した貫通穴である。(20)はるつぼ
(1)の外面を被い、小孔(19)と接続された連通孔
(20a)を有する断熱材である。なお断熱材(20)
の連通孔(2(la) #’iるりtY(1)の外面に
当接する側が直径dの小孔(19)の最小断面積で、外
111!IK向って拡開している。したがって、るつぼ
(1)の小孔(19)と断熱材(20)の連通孔(20
a)とで、中細ノズルが構成されている。
上記構成によると、蒸気の自然の流れに浴って流路を形
成しであるので、流れを阻害することがない。
成しであるので、流れを阻害することがない。
[発明の効果]
この発IMKよると、るつぼの小孔と断熱材の連通孔と
で中細状のノズルを構成しているので、金属の自然の流
れを阻害することなく、基板に到達する輻射熱を低減さ
せることができる。
で中細状のノズルを構成しているので、金属の自然の流
れを阻害することなく、基板に到達する輻射熱を低減さ
せることができる。
第1図は従来の薄膜形成装置の構成図、第2図は第1図
の要部を示す断面図及び第3図はこの発明の一実施例を
示す断面図である。 図において、(1)はるつぼ、(4)は金属蒸気、(1
9)はるつぼ(1)の小孔、(20)は断熱材、(20
a) #−を連通孔である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人大岩 増雄 第1図
の要部を示す断面図及び第3図はこの発明の一実施例を
示す断面図である。 図において、(1)はるつぼ、(4)は金属蒸気、(1
9)はるつぼ(1)の小孔、(20)は断熱材、(20
a) #−を連通孔である。 なお各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人大岩 増雄 第1図
Claims (1)
- (1)真空中でるつぼ内の金属蒸気を上記るつぼの小孔
から噴射し、上記金属蒸気をイオン化して基板に薄膜を
形成させるものにおいて、上記小孔を上記るつぼの外面
が最小断面積となるように上記るつぼの外面から内面に
向って拡開させ、上記るつぼの外面をwT熱材で被って
上記断熱材に上記るつぼの外面側が上記小孔の最小断面
積で上部lIT熊材の外側に向って拡開した連油孔を設
けたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11248084A JPS60255971A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11248084A JPS60255971A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60255971A true JPS60255971A (ja) | 1985-12-17 |
Family
ID=14587688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11248084A Pending JPS60255971A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60255971A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0189953U (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | ||
JPH0189952U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-13 | ||
WO2000046418A1 (de) * | 1999-02-05 | 2000-08-10 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum beschichten von substraten mit einem materialdampf im unterdruck oder vakuum mit einer materialdampfquelle |
EP1505167A3 (en) * | 2003-08-04 | 2005-03-02 | LG Electronics Inc. | Evaporation source |
US7671532B2 (en) | 2004-10-21 | 2010-03-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP11248084A patent/JPS60255971A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0189953U (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | ||
JPH047182Y2 (ja) * | 1987-12-07 | 1992-02-26 | ||
JPH0189952U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-13 | ||
WO2000046418A1 (de) * | 1999-02-05 | 2000-08-10 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zum beschichten von substraten mit einem materialdampf im unterdruck oder vakuum mit einer materialdampfquelle |
EP1505167A3 (en) * | 2003-08-04 | 2005-03-02 | LG Electronics Inc. | Evaporation source |
US7359630B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-04-15 | Lg Electronics Inc. | Evaporation source for evaporating an organic electroluminescent layer |
US7641737B2 (en) | 2003-08-04 | 2010-01-05 | Lg Display Co., Ltd. | Evaporation source for evaporating an organic |
EP2369035A1 (en) * | 2003-08-04 | 2011-09-28 | LG Display Co., Ltd. | Evaporation source |
EP2381011A1 (en) * | 2003-08-04 | 2011-10-26 | LG Display Co., Ltd. | Evaporation source for evaporating an organic electroluminescent layer |
US8562741B2 (en) | 2003-08-04 | 2013-10-22 | Lg Display Co., Ltd. | Evaporation source for evaporating an organic electroluminescent layer |
US7671532B2 (en) | 2004-10-21 | 2010-03-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100276779B1 (ko) | 집적회로 제조시 재료를 증착시키는 개선된 방법 | |
JPH06228740A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPS60255971A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS56139673A (en) | Manufacture of lead coat | |
US3373050A (en) | Deflecting particles in vacuum coating process | |
JPH0225424B2 (ja) | ||
JPS61272367A (ja) | 薄膜形成装置 | |
US4412508A (en) | Nozzle beam source for vapor deposition | |
DE2628765C3 (de) | Vorrichtung zum Aufdampfen insbesondere sublimierbarer Stoffe im Vakuum mittels einer Elektronenstrahlquelle | |
JPS61279668A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH03287761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH03158458A (ja) | クラスターイオンビーム装置 | |
JPH04187760A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0731994B2 (ja) | 金属イオン源 | |
JPS62124271A (ja) | 溶融物質の蒸気噴出装置 | |
CN220777422U (zh) | 一种加热雾化芯片 | |
JPS60183720A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JPS60162771A (ja) | るつぼ | |
JPH0810730Y2 (ja) | ポットバーナ | |
JPS60181266A (ja) | 金属溶融装置 | |
JPS61163267A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPS61140131A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JPS6115965A (ja) | クラスタイオンビ−ム発生方法およびその装置 | |
JPH0414185B2 (ja) | ||
JPH02104659A (ja) | 薄膜の製造装置 |