JPS60250512A - Nb3Sn系複合超電導体の製造方法 - Google Patents
Nb3Sn系複合超電導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60250512A JPS60250512A JP59106434A JP10643484A JPS60250512A JP S60250512 A JPS60250512 A JP S60250512A JP 59106434 A JP59106434 A JP 59106434A JP 10643484 A JP10643484 A JP 10643484A JP S60250512 A JPS60250512 A JP S60250512A
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- JP
- Japan
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- tube
- composite
- conductor
- producing
- nb3sn
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明はNbBSn系複合超電導体の製造方法に関す
る。
る。
Nb38n系複合超電導体の製造方法の一つとして。
次のような方法(パウダー法)が知られている。
すなわち、Nb管の中にNbSn2パウダーを包含させ
、そのNb管をCuで被覆した後、細線化し、675℃
〜700℃の熱処理温度に加熱して、Nb管の内側にN
b38n層を形成させるNb 38 n複合超電導体の
製造方法が知られている。しかしながらこの方法には次
のような不都合さがある。パウダー法は一般に長尺線材
への細線化加工が非常に困難(Nb管にくびれが発生じ
やすい)であ)、それを克服するために従来Nb管の外
側にあるCuマトリックスの量を多くして(体積率〜7
0%)加工できるように工夫している。そのため導体全
体の臨界電流密度(オーバー−オールのJc)が極度に
低下する。またCu1E Nb管内に含まれていないの
で、Nb2Sn層を生成させる温度が高めになるので、
Jc特性が低下する問題点があった。
、そのNb管をCuで被覆した後、細線化し、675℃
〜700℃の熱処理温度に加熱して、Nb管の内側にN
b38n層を形成させるNb 38 n複合超電導体の
製造方法が知られている。しかしながらこの方法には次
のような不都合さがある。パウダー法は一般に長尺線材
への細線化加工が非常に困難(Nb管にくびれが発生じ
やすい)であ)、それを克服するために従来Nb管の外
側にあるCuマトリックスの量を多くして(体積率〜7
0%)加工できるように工夫している。そのため導体全
体の臨界電流密度(オーバー−オールのJc)が極度に
低下する。またCu1E Nb管内に含まれていないの
で、Nb2Sn層を生成させる温度が高めになるので、
Jc特性が低下する問題点があった。
我々は以前に、Nb管を用いた複合超電導体の細線化、
およびNb3Snの超電導特性を向上させる方法を開示
した(特公告昭55−16547)。すなわちNb管の
内側にCuを被覆したanを配置し、Nb管の外側にC
uを被覆した複合体を複数本束ねて、減面加工した後、
加熱処理を施してNb3Snを生成させる複合超電導体
の製造方法である(いわゆるNb tube法)。この
ような方法ではNb管を使う九めNb棒を使用する場合
と異なった加工上の問題点が、パウダー法と同様に、高
加工度の減面加工誉施すに従って現われる。しかし、N
b管の内壁にCu層を配置させることにより、高い減面
加工度をとることができるとともに、このCu層を介し
てNbとSnを反応させることによシ(低温度の熱処理
が可能)、結晶粒径の小さいNb38n層が生成し、
Jcを向上させることができる。
およびNb3Snの超電導特性を向上させる方法を開示
した(特公告昭55−16547)。すなわちNb管の
内側にCuを被覆したanを配置し、Nb管の外側にC
uを被覆した複合体を複数本束ねて、減面加工した後、
加熱処理を施してNb3Snを生成させる複合超電導体
の製造方法である(いわゆるNb tube法)。この
ような方法ではNb管を使う九めNb棒を使用する場合
と異なった加工上の問題点が、パウダー法と同様に、高
加工度の減面加工誉施すに従って現われる。しかし、N
b管の内壁にCu層を配置させることにより、高い減面
加工度をとることができるとともに、このCu層を介し
てNbとSnを反応させることによシ(低温度の熱処理
が可能)、結晶粒径の小さいNb38n層が生成し、
Jcを向上させることができる。
この発明は上記のような不都合さ、欠点が除かれ、Nb
管フィラメントのくびれや芯線切れのない良好な加工性
を持ち、かつ高Jc、耐高歪特性を有する、Nb3Sn
複合超電導線を容易に製造する方法を提供することを目
的とするものである。
管フィラメントのくびれや芯線切れのない良好な加工性
を持ち、かつ高Jc、耐高歪特性を有する、Nb3Sn
複合超電導線を容易に製造する方法を提供することを目
的とするものである。
本発明に係る複合超電導体としてはNb管内で、Nbと
anが反応して、生成されるNb3Sn化合物超電導体
層とCuからなる常電導体とを複合したものである。
anが反応して、生成されるNb3Sn化合物超電導体
層とCuからなる常電導体とを複合したものである。
このNb38n超電導体層を形成した複合超電導体を製
造する場合について図面を参照しで説明する。
造する場合について図面を参照しで説明する。
第1図(A)に示すようにCuを主成分とするCu系合
金管1(メツシュ状になっている管も含む)を介して、
Nbを主成分とするNb系合金管2を外側に。
金管1(メツシュ状になっている管も含む)を介して、
Nbを主成分とするNb系合金管2を外側に。
Nb8n2パウダー3を内側に含有させ、かつ、Nb系
合金管2をさらにCuマトリックス4と接触させた複合
体を減面加工し、775℃以下の温度で加熱処理を施し
て第1図(B)に示すよりなNb3Sn超電導化合物6
を生成させるNb38n複合超電導体7の製造方法であ
る。
合金管2をさらにCuマトリックス4と接触させた複合
体を減面加工し、775℃以下の温度で加熱処理を施し
て第1図(B)に示すよりなNb3Sn超電導化合物6
を生成させるNb38n複合超電導体7の製造方法であ
る。
Nb系合金管とNb8n2パウダーとの間KCu系合金
管を介在させることにより、相互の密着性が非常に良く
なシ、減面加工中高加工度においても芯線のくびれ、肉
切れおよび、断線等がなくなった。
管を介在させることにより、相互の密着性が非常に良く
なシ、減面加工中高加工度においても芯線のくびれ、肉
切れおよび、断線等がなくなった。
すなわち加工性が向上した。このことから以下に述べる
効果が生まれた。
効果が生まれた。
(11Nb管フィラメントが切れないため、加熱処理時
に内部のanがNb管の外側のCuマトリックスに拡散
しないため、Icが尚い。また、Cuマトリックスが8
nで汚染されないため、低抵抗を維持できるので冷却安
定性が良い。
に内部のanがNb管の外側のCuマトリックスに拡散
しないため、Icが尚い。また、Cuマトリックスが8
nで汚染されないため、低抵抗を維持できるので冷却安
定性が良い。
(2)高減面加工度においてもNb管の健全性が保たれ
るためNb管径を小さくできるので、Nb38h層の厚
みを薄くできるため、引張や曲げ歪等に対して強い導体
となる。
るためNb管径を小さくできるので、Nb38h層の厚
みを薄くできるため、引張や曲げ歪等に対して強い導体
となる。
(3) Cuを介在させて、Nbとanの反応を行なわ
せることができるので熱処理温度が相対的に低くてすみ
、その結果Jc値の高いNb38nを生成させることが
できる。 ・ (4)加工性の向上により、 Cuマトリックスの導体
に占める割合を少なくできるので、実用的に重要である
導体の全断面積当りのIc(オーバー・オールのJc)
を高くすることができる。 。
せることができるので熱処理温度が相対的に低くてすみ
、その結果Jc値の高いNb38nを生成させることが
できる。 ・ (4)加工性の向上により、 Cuマトリックスの導体
に占める割合を少なくできるので、実用的に重要である
導体の全断面積当りのIc(オーバー・オールのJc)
を高くすることができる。 。
実施例1
第1図(A)に示すように、Cu管1に被覆されたNb
Sn2パウダー3を作るために、外径185mφ、内径
12+llIφのCu管内に平均粒径〜30#mのNb
Sn2パウダーを充填した後、細線化加工を行ない、外
径を5 wm’にした。このCuクラッドNbSn2パ
ウダー線を、外径8ノ、内径5JのNb管管内内装着し
、さらにこの組合せ体を、外径100m’、長さ100
0+mのCuビレッ・トに8コの挿通孔を78本穿設し
たCu′マトリックス4に挿着し、しかる後、これを減
面加工して、細線化し、Cuマトリックス4中にNb管
(CuクラッドNb8n2線を含む)を埋設した線径0
.2 mm’の複合導体5を形成した。細線化途中およ
び最終、線径0.2 Jにおいて芯線の異常はみとめら
れず。
Sn2パウダー3を作るために、外径185mφ、内径
12+llIφのCu管内に平均粒径〜30#mのNb
Sn2パウダーを充填した後、細線化加工を行ない、外
径を5 wm’にした。このCuクラッドNbSn2パ
ウダー線を、外径8ノ、内径5JのNb管管内内装着し
、さらにこの組合せ体を、外径100m’、長さ100
0+mのCuビレッ・トに8コの挿通孔を78本穿設し
たCu′マトリックス4に挿着し、しかる後、これを減
面加工して、細線化し、Cuマトリックス4中にNb管
(CuクラッドNb8n2線を含む)を埋設した線径0
.2 mm’の複合導体5を形成した。細線化途中およ
び最終、線径0.2 Jにおいて芯線の異常はみとめら
れず。
外径16μmφ、内径10μmφの芯線径(Nb )ま
で加工できた。これ以上の加工も可能であるが、特性の
評価のため、 0.2+m+φの線径で止めた。Nbの
芯線内径10μm6は従来の方法で得られる値の帰以下
である。
で加工できた。これ以上の加工も可能であるが、特性の
評価のため、 0.2+m+φの線径で止めた。Nbの
芯線内径10μm6は従来の方法で得られる値の帰以下
である。
特性評価のため、この複合導体5を625℃で50時間
、真空雰囲気中で熱処理して、第1図(B)に示すよう
に、Nb管2aの内側にNb 38 n超電導化合物6
を1.5μm生成させ念。このNb38n複合超電導体
7に占めるCuマトリックス4aの体積率は50%でち
ゃ従来のそれよfi、30%も低くすることができた。
、真空雰囲気中で熱処理して、第1図(B)に示すよう
に、Nb管2aの内側にNb 38 n超電導化合物6
を1.5μm生成させ念。このNb38n複合超電導体
7に占めるCuマトリックス4aの体積率は50%でち
ゃ従来のそれよfi、30%も低くすることができた。
このようにして得られたNbB8n複合超電導体7の臨
界電流(Ic )を11T(テスラ)の磁界中で榔1定
したところ、25.2 Aであった。この値を導体7の
全断面積で除して、臨界電流密度(Jc)をめたところ
、803 A/mJの値であった。この値は、従来の導
体よ934%向上している。これはCuマトリックスの
体積率の低下、および低温度熱処理によるJc内向上よ
るものである。
界電流(Ic )を11T(テスラ)の磁界中で榔1定
したところ、25.2 Aであった。この値を導体7の
全断面積で除して、臨界電流密度(Jc)をめたところ
、803 A/mJの値であった。この値は、従来の導
体よ934%向上している。これはCuマトリックスの
体積率の低下、および低温度熱処理によるJc内向上よ
るものである。
さらに歪特性を調べるために、曲げ歪を加えた後、4.
2に、IITの磁場下でIcを測定した。その結果を第
2図に示す。第2図において、横軸は曲げ歪を示し、縦
軸は曲げ歪下におけるIcと曲げ歪を加えないときのI
cとの比(%)を示す。(a)は特性比較用導体で、従
来の製法で作ったNbの芯線内Nb38n層を4μm厚
にして1本発明と同じIcをもつ導体である。上記の芯
線径が加工上限度であった。
2に、IITの磁場下でIcを測定した。その結果を第
2図に示す。第2図において、横軸は曲げ歪を示し、縦
軸は曲げ歪下におけるIcと曲げ歪を加えないときのI
cとの比(%)を示す。(a)は特性比較用導体で、従
来の製法で作ったNbの芯線内Nb38n層を4μm厚
にして1本発明と同じIcをもつ導体である。上記の芯
線径が加工上限度であった。
(b)は本発明に係る超電導線で、それぞれの特性曲線
を示す。この図から明らかなように本発明に係る超電導
体は従来の超電導体より約2倍、歪に対して強くなって
いることがわかる。
を示す。この図から明らかなように本発明に係る超電導
体は従来の超電導体より約2倍、歪に対して強くなって
いることがわかる。
実施例2
第1図(人)におけるCu管1のかわりに、メツシー状
のCu管(管が網状に形成されているもの)を用いて、
上記実施例1と同形状の線外径0.2 mm’のNb3
Sn複合導体を製作した。特性評価のため。
のCu管(管が網状に形成されているもの)を用いて、
上記実施例1と同形状の線外径0.2 mm’のNb3
Sn複合導体を製作した。特性評価のため。
625℃で50時間、真空中で熱処理を行なって、1.
571m厚のNb3Snを生成させた。そのfi、4.
2K。
571m厚のNb3Snを生成させた。そのfi、4.
2K。
11Tの磁場下゛で臨界電流(Ic)の測定したところ
30、OAであった。この値は実施例1における本発明
の導体よシさらに20%程度向上していた。これはNb
と8nの反応が非常に効率よく行なわれることにより、
生成したNbBSn層内の原子の秩序度が改善されたこ
とによるものと考える。
30、OAであった。この値は実施例1における本発明
の導体よシさらに20%程度向上していた。これはNb
と8nの反応が非常に効率よく行なわれることにより、
生成したNbBSn層内の原子の秩序度が改善されたこ
とによるものと考える。
第17 (A)におけるCu管は純金属Kかぎらず、加
工性を阻害しない範囲で元素を添加した合金でもよい。
工性を阻害しない範囲で元素を添加した合金でもよい。
実施例2におけるCuメツシー管のかわりにNbSn2
パウダーを焼結した外周面にCu線等をら旋状に巻回し
てもよい。
パウダーを焼結した外周面にCu線等をら旋状に巻回し
てもよい。
第1図(A)、(B)はこの発明の詳細な説明するため
に複合超電導体の構成について示す一部断面図、第2図
は本発明導体と比較導体の臨界電流(Ic)−曲げ歪特
性図である。 1・・・Cu系合金管、2・・・Nb系合金管、3・・
・Nb8n2パウダー、4・・・Cuマトリックス、
5・・・複合導体。 6・・・Nb3Sn超電導化合物、7・・・Nb38n
複合超電導体、8・・・反応後のNb −8n −Cu
合金。 代理人弁理士 則近憲佑 (ほか1名)第 1 図 第 2 図 胡 曲丁JLε(幻
に複合超電導体の構成について示す一部断面図、第2図
は本発明導体と比較導体の臨界電流(Ic)−曲げ歪特
性図である。 1・・・Cu系合金管、2・・・Nb系合金管、3・・
・Nb8n2パウダー、4・・・Cuマトリックス、
5・・・複合導体。 6・・・Nb3Sn超電導化合物、7・・・Nb38n
複合超電導体、8・・・反応後のNb −8n −Cu
合金。 代理人弁理士 則近憲佑 (ほか1名)第 1 図 第 2 図 胡 曲丁JLε(幻
Claims (1)
- (1) Cu t−主成分とするCu系合金管を介して
、Nbを主成分とするNb系合金管を外側に、Nb8n
2パウダーを内側に接触せしめ、かつ、 Nb系合金管
をさらにCuと接触させた複合体を減面加工し775℃
以下の温度で、加熱処理を施し、Nb 38n化合物°
超電導層を生成させることを特徴とするNb38n系複
合超電導体の製造方法。 (21euを主成分とするCu系合金管がメツシュ状に
なっている管を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のNb B S n系複合超電導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59106434A JPS60250512A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Nb3Sn系複合超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59106434A JPS60250512A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Nb3Sn系複合超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60250512A true JPS60250512A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14433541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59106434A Pending JPS60250512A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | Nb3Sn系複合超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60250512A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6139322A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-02-25 | リツプス ユナイテツド ベスロ−テム・ベンノツトシヤツプ | 超電導物質の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP59106434A patent/JPS60250512A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6139322A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-02-25 | リツプス ユナイテツド ベスロ−テム・ベンノツトシヤツプ | 超電導物質の製造方法 |
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