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JPS60249327A - レジストパタ−ン検出方法 - Google Patents

レジストパタ−ン検出方法

Info

Publication number
JPS60249327A
JPS60249327A JP59104529A JP10452984A JPS60249327A JP S60249327 A JPS60249327 A JP S60249327A JP 59104529 A JP59104529 A JP 59104529A JP 10452984 A JP10452984 A JP 10452984A JP S60249327 A JPS60249327 A JP S60249327A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
latent image
resist pattern
electron beam
irradiated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59104529A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiharu Matsuzawa
松澤　敏晴
Kozo Mochiji
広造 持地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59104529A priority Critical patent/JPS60249327A/ja
Priority to US06/737,481 priority patent/US4670650A/en
Publication of JPS60249327A publication Critical patent/JPS60249327A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
    • G01N23/2276—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM] using the Auger effect, e.g. Auger electron spectroscopy [AES]

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は集積回路製造のための微細加工技術に係り、特
に製造原価の低減および自動制御工程に好適なレジスト
パターン位置測定方法に関するものである。
〔発明の背景〕
従来のレジストパターン測定、すなわちレジストの線幅
の測定や、異なる層の間における位置合せずれ（いわゆ
るマスク合せずれ）の測定は、現像処理後に行なわれて
いる。測定値が規格をはずれた場合には、レジストパタ
ーンを除去し、再度レジスト塗布工程からやり直すから
、結果として、無駄な現像処理を行なったことになる。
すなわち。
現像時間および現像液が浪費されており、原価の上昇を
招いている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、レジストに形成された潜像を検出する
ことにより、現像処理に先立って寸法あるいはマスク合
せずれを測定する技術を提供することにある。
〔発明の概要〕
レジストは、光や電子線、Ｘ線、イオン線等の輻射線に
対して反応し化学組成の変化を生ずる。
変化した部分が潜像である。この変化をそのまま電子分
光法により元素分布の変化としてとらえれば、潜像の位
置を検出することができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を、実施例により説明する。
実施例１ 第１図に示す如くウェファ１の上に塗布したポジ型フォ
トレジストＡＺ１３５０Ｊ（シラプレー社製品）に常法
に従いフォトマスクを通して紫外線を照射し、未照射部
２と照射部３を形成した。その後、マイクロオージェ電
子分光法により電子ビーム４を走査し、窒素の分布を測
定し、紫外線の照射された部分と未照射の部分を判別す
ることにより、着目するパターンの潜像の線幅を測定し
た。窒素を検出対象としたのは、フォトレジストの感光
剤を構成する窒素を含む化合物（キノンジアジド）が、
紫外線照射により窒素を放出し、照射部分ではその濃度
が低減することを利用するためである。
実施例２ 第２図に示す如く、段差を有するウェファ基板５の上に
存在する薄膜６を加工すべく、フェノール樹脂とポリメ
チルペンテンスルフォンを主成分とする電子線レジスト
を塗布し、常法に従い、電子線描画装置により所定のパ
ターンを描画し、未照射部７と照射部８を形成した。同
装置内に設置したマイクロオージェ電子分光装置を用い
て検出ビーム９を走査することにより電子線描画に引き
続いて、所定のパターンについてイオウの分布の測定を
行なった。
電子線照射により、ポリメチルペンテンスルフォンに含
まれるイオウが分離・散逸するので、イオウの分布を測
定することにより、照射部分を検出することができるわ
けである。
本例の場合には、潜像の線幅を測定するばかりではなく
、レジストの下に存在する位置合せ用パターン１０を常
法に従って電子線により検出し、この位置情報と潜像の
位置情報を対比することにより、潜像の位置合せずれも
測定することができた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、レジストを現像する前に潜像の位置を
検出できるので、寸法が規格をはずれた場合に無駄な現
像処理を行なわずに、効率的な処理が可能となる。また
、本発明により得られるレジストパターン情報を用いて
、現像時間を調整すれば、潜像の寸法が規格外であって
も現像後の寸法を規格の範囲に収めることも可能となる
。
さらに、潜像の位置情報をもとに、照射量あるいはプリ
ベーク温度などを制御すれば、高い精度で微細パターン
を形成することができ、本発明は自動制御に適した方法
であると言える。
【図面の簡単な説明】
第１図は、平坦なウェファ上のレジスト潜像の断面図、
第２図は、すでに段差を持つウェファ上のレジスト潜像
の断面図である。 ■・・・ウェファ基板、２・・・フォトレジストの未照
射部分、３・・・フォトレジストの照射部分、４・・・
検出用電子ビーム、５１段差の形成されたウェファ基板
、６・・・被加工簿膜、７・・・電子線レジストの未照
射部分、８・・・電子線レジストの照射部分、９・・・
検Ｚ　ｉ　図 第　Ｚ　ロ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、レジスト膜中に形成された潜像の位置を、分光法あ
    るいは電子分光法によって検出することを特徴とするレ
    ジストパターン検出方法。
JP59104529A 1984-05-25 1984-05-25 レジストパタ−ン検出方法 Pending JPS60249327A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59104529A JPS60249327A (ja) 1984-05-25 1984-05-25 レジストパタ−ン検出方法
US06/737,481 US4670650A (en) 1984-05-25 1985-05-24 Method of measuring resist pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59104529A JPS60249327A (ja) 1984-05-25 1984-05-25 レジストパタ−ン検出方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60249327A true JPS60249327A (ja) 1985-12-10

Family

ID=14383016

Family Applications (1)

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JP59104529A Pending JPS60249327A (ja) 1984-05-25 1984-05-25 レジストパタ−ン検出方法

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US (1) US4670650A (ja)
JP (1) JPS60249327A (ja)

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US4670650A (en) 1987-06-02

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