JPS60239954A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の技術分野〉 本発明は光により情報の記録、再生、消去の少くとも一
つの動作を行なう光メモリ素子の製造方法に関するもの
であり、更に詳細には光メモリ素子のガイドトラック溝
部及びトラック番地の形成方法に関するものである。

〈発明の技術的背景とその問題点〉 近年、光メモリ素子は高密度大容量のメモリ素子として
注目されている。この光メモリ素子はその使用形態によ
り、再生専用メモリ、追加記録可能メモリ及び書き換え
可能メモリの３種に分けることが出来る。

このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可能メモリ
として使用する光メモリ素子は、情報の記録、再生を行
々う光ヒームを光メモリ素子の所定の位置に案内するた
めにガイドトラック番地及びガイドトラックを通常備え
ている。

例えば、第５図に示す如き光デイスクメモリではその基
板１にガイドトラック３及びそのガイドトラックの番地
信号部２が同心もしくは螺旋状に形成されている。なお
、第５図においては簡略化して１本のトラック３及び番
地２のみを示している。

第６図は上記した第５図に示した光ディヌクメモリのト
ラック３に沿ったディスク断面の一部拡大図である。

第６図においてディスク基板】は例えばカラスあるいは
ＰＭＭＡ等の樹脂製の透明基板であり、また４は光硬化
性樹脂層であり、この樹脂層４に帯地信号部２及びガイ
ドトラック３が形成されている。この番地信号部２及び
ガイドトラック３の深さはそれぞれ通常λ／　４　ｎ及
びλ／８ｎに設定されている（但し、λは光メモリ素子
に使用するレーザ光等の波長であり、通常は７８０　ｎ
ｍあるいは８３０　ｎｍの半導体レーザの波長であり、
またｎは樹脂層４の屈折率であり、通常１４〜１．６の
値である）。このように番地信号に対してはその再生信
号を最大にするためにガイドトラックに対してはトラッ
キングサーボ出力が最大になるように各々の深さが設定
されている。

このガイドトラック３および番地信号部２はディヌク基
板１がＰＭＭＡ等の樹脂製の場合には射出成型で基板作
製と同時に形成してしまうか、第６図のように光硬化樹
脂を用いて２Ｐ法で形成するかが一般的である。

一方、ディヌク基板１としてガラス基板を用いた場合に
は２Ｐ法で形成するのが、普通である。

本出願人は先に特願昭５８−８４６１．３ｒ光メモリ素
子の製造方法」でガラス基板に直接ガイド番地２および
ガイドトラック３を形成する方法を提案した。この本出
願人が先に提案した方法によると基板と記録媒体の間に
樹脂層が介在し々いため樹脂層に含凍れろ水分による記
録媒体の劣化を考える必要がないため、光メモリ素子の
長期に渡る信頼性が確五される。

〈発明の目的〉 本発明は先に提案したガラス基板にガイド番地およびガ
イドトラックを形成する方法を改良し番地信号とガイド
トラックの深さを異ならせるようにした光メモリ素子の
製造方法を提供することを目的とし、この目的を達成す
るため、本発明の光メモリ素子の製造方法は光メモリ素
子の基板と々るガラス基板にレジストを塗布し、このレ
ジストの塗布されたガラス基板にガイドトラック溝部を
１度露光すると共にトラック帯地部を１度露光すること
により上記のガイドトラック溝部とトラック番地部の深
さが異々るレジスト付ガラス板を形成し、このレジスト
付ガラス板を形成した後、リアクティブイオンエツチン
グを行なって上記のガラス基板に深さの異なるガイドト
ラック溝部及びトラック帯地部を形成するように成され
ている。

〈発明の笑施例〉 以下、本発明に係る光メモリ素子の製造方法の一実施例
を図面を用いて詳細に説明する。

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る光メモリ素子の製
造方法の特に基板の製法を工程順に示す説明図であり　
同図に従い本弁明に係る光メモリ素子基板の製法の一実
施例を工程順に説明する。

工程（１）・・・第１図（ａ）に示すように酸素水分等
の通過に対して信頼性の高い（酸素水分等を通過させた
りし々い）ガラス基板１′の」二にポジ型すなわち光の
あたった部分が現像により除去されるレジストを塗布す
る。

工程（１１）・第１図（ｂ）に示すように」−記ガラヌ
基板１′」−に塗布したレジスト膜５にＣｒ等によりガ
イド番地あるいはガイドトラックを形成したマスク（基
板が６でＣｒ部分が７で表わされている）を密着させ、
紫外線９を照射させる。この第１図（ｂ）の断面は第６
図と同じくガイドトラックに沿った部分の断面であり、
８の部分がガイドトラックに、Ｃｒの部分７が番地信号
になる。

工程ＧｉＤ　工程（１１）の終了後第１図（ｃ）に示す
ように他ノマスク６′を用い、ガイド査地部にのみ紫外
線９を照射する。たとえばこの時のマスクは第２図に示
すように帯地信号部２１だけ紫外線が通るようになって
いる。

工程ＩＩＶ）・・・工程（ｌｉＤを経過した後、第１図
（ｄ）に示すようにレジスト付き基板１′を現像してレ
ジストに番地信号２とガイドトラック３を形成する。こ
の時、ガイドトラック部３には約７０　ｎｍのレジスト
１０が残り番地信号部２はガラス基板が露出するよう、
時間コントロールを行なう。

工程（ｖ）・・・工程（Ｖ）を通過した後の基板１′を
ＣＦ４゜ＣＨＥ　３等のエツチングガス中でリアクテイ
ブイオンエツチングを行なって基板１′に第１図（ｅ）
に示すように番地信号部２およびガイドトランク部３を
形成する。この時ガイドトラック部３をλ／８ｎの深さ
にし帯地信号部をλ／４　ｎの深さにする。々お１１は
リアクティブイオンエツチング後も残ったレジスト部分
である。

工程（ｖｉｌ・・・第１図（ｆ）に示すように」−記し
シフ１〜膜１１をアセトン等の溶剤で除去するか又は０
２中でスパッタリングして除去する。この結果ガラス基
板１′に所望の番地信号部２及びガイドトランク部３が
形成される。

上記各工程における諸条件は製造装置の性能により大き
く異るがたとえば次の点に注意をはらえば良い。

■　レジスト膜厚 工程（ｖ）のりアクティブイオンエツチング後も番地信
号部の凸部は残る必要がある。又、現像工程４Ｖ）で一
部はガラス面が露出する位が巨い。

■　露光工程および現像工程 原＠！６すには光源を出来るだけ弱くし、現像液をでき
るだけ薄くしておくと、露出時間、現像時間が長くなり
、時間設定が容易となる。

■　エツチング速度はガラスとレジストがほぼ同程度が
良い。

たとえば第３図にＣＨＦ　、ガスでエツチングした時の
エンチングレートを、自己バイアスの関数として示して
いる。

この第３図から明らかなようにＣＨＦ　３ガスを用い真
空度２７ｍＴｏｒｒ程度でエツチングすると、はぼこの
条件は充たされる。

第１図の本発明の一実施例の説明では第２と第３の工程
で２枚のマスクを用いているが、この時２枚のマスクの
位置精度は図に示すごとく正確でなくても良い。たとえ
ば第２の工程終了後、第４図に示すごとく紫外線をカッ
トするフィルム１１をマスク６に重ねても巨い。このよ
うな構成により紫外線はマスク基板６を通過の際回折に
よってガイド１−ラック上に回り込むがｌ・ラック帯地
領域は数１００μｍの精度で良いため特に問題は生じな
い。

又、第４の工程でトラック番地部分全ガラス面まで現像
したがエツチング条件さえコントロール出来ればレジス
ト面の深さがトランク帯地部の方が深く、ガイドトラッ
ク部が浅くしておけば良い。

〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、光メモリ素子のガラス基
板にガイド番地部及びガイドトラック部を深さを異々ら
せて容易に形成することが出来るため、サーボ信号を良
好に取り出し得る光メモリ素子を得ることが出来ると共
に、ガイド番地部及びガイドトラック部の形成に樹脂材
を用いないため、酸素あるいは水分等が記録媒体に達す
ることを防止することが出来るため、信頼性の高い光メ
モリ素子を作成することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ＞ＵＮ（ｆ）はそれぞれ本発明に係る光メモ
リ素子の基板の製法の一実施例を説明するための図、第
２図は本発明の実施に際して用いられるマスクの一例を
示す図、第３図はガラスとレジストのエツチング速度の
一例を示す図、第４図は本発明の他の実施例を示す図、
第５図は光メモリ円板に設けられたガイドトラック部と
番地部ケ示す概念図、第６図は従来の光メモリ素子のガ
イド１−ラックに沿った断面の一部拡大図である。 ２・・・トランク帯地部、３・・・ガイドトラック溝部
、５・・・レジスト膜、６・・マスク基板、９・・・紫
外線、　１′・ガラス基板。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）第２図 ｎ乙　パ′イア又（−Ｖ） 第１図 第３図 ＼　１ψ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、光メモリ素子の基板と々るガラス基板にレジストを
   塗布し、該レジストの塗布されたガラス基板にガイドト
   ラック溝部を一度露光すると共にトラック帯地部を１度
   露光することにより上記ガイドトラック溝部とトラック
   番地部の深さが異なるレジスト付ガラス板を形成し、該
   レジメ）付ガラヌ板を形成した後リアクティゾイオンエ
   ッチングを行なって上記ガラス基板に深さの異なるガイ
   ドトラック溝部及びトラック番地部を形成するように成
   したことを特徴とする光メモリ素子の製造方法。