JPS602387B2 - 無電解金メツキ用水溶液と無電解金メツキ法 - Google Patents
無電解金メツキ用水溶液と無電解金メツキ法Info
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- JPS602387B2 JPS602387B2 JP57207768A JP20776882A JPS602387B2 JP S602387 B2 JPS602387 B2 JP S602387B2 JP 57207768 A JP57207768 A JP 57207768A JP 20776882 A JP20776882 A JP 20776882A JP S602387 B2 JPS602387 B2 JP S602387B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシアン化物鍔体を使用しない無電解金メッキ法
に関連する。
に関連する。
本発明の背景
電気エネルギーを使用することなく接触表面に金を析出
する無電鱗金メッキ法は公知である。
する無電鱗金メッキ法は公知である。
無電鮫金メッキ法の多くは、米国特許第370046叫
号及び第4162337号明細書に記載されているよう
にシアン化物を利用して金の銭体を生成するか又は米国
特許3589916号明細書に記載されているようにシ
アン化物を使用してメッキ格を安定化する。シアン化物
を使用する場合には、アルカリ金属ホゥ水素化物又はア
ルキルァミンポランのような強力な還元剤を使用する必
要がある。しかしシアン化物の使用は廃棄と健康に問題
がありこの使用を避けることが望ましい。シアン化物を
使用しない無電解〆ッキ法の一つは米国特許第4142
902号明細書に記載されている。
号及び第4162337号明細書に記載されているよう
にシアン化物を利用して金の銭体を生成するか又は米国
特許3589916号明細書に記載されているようにシ
アン化物を使用してメッキ格を安定化する。シアン化物
を使用する場合には、アルカリ金属ホゥ水素化物又はア
ルキルァミンポランのような強力な還元剤を使用する必
要がある。しかしシアン化物の使用は廃棄と健康に問題
がありこの使用を避けることが望ましい。シアン化物を
使用しない無電解〆ッキ法の一つは米国特許第4142
902号明細書に記載されている。
この方法では還元剤として水溶性エーテル置換第三アミ
ンボランを使用する。この特許発明のメッキ格は環境保
全目的には合致するがメッキ速度がおそく、又高温にお
けるメッキ格の安定性が不充分である。従って本発明の
一目的は、高温におけるメッキ速度が商業的に適当であ
り、又鈴化剤として又はメッキ格安定剤としてシアン化
物を使用しないメッキ格とメッキ法を提供することにあ
る。
ンボランを使用する。この特許発明のメッキ格は環境保
全目的には合致するがメッキ速度がおそく、又高温にお
けるメッキ格の安定性が不充分である。従って本発明の
一目的は、高温におけるメッキ速度が商業的に適当であ
り、又鈴化剤として又はメッキ格安定剤としてシアン化
物を使用しないメッキ格とメッキ法を提供することにあ
る。
本発明の要約
一般に本発明は、テトラクロロ金酸塩イオンの水溶性塩
と、金と錆化する少くとも1種の無機配位子とを含む安
定した水浴を使用する。
と、金と錆化する少くとも1種の無機配位子とを含む安
定した水浴を使用する。
水溶性の第三アミンポラン又は第二アミンボラン、ジイ
ソプロピルアミンボランが還元剤として使用される。好
適にはメッキ格温度が35℃以上の場合には、触媒毒安
定剤を添加する。これらの安定剤は〆ッキ浴の自然分解
を阻止する。メッキ格のpHは8.5と14との間に維
持される。本発明の方法では、金の陰イオンと配位子を
含む水溶液は加熱、好適には沸騰するまで加熱すること
が必要である。
ソプロピルアミンボランが還元剤として使用される。好
適にはメッキ格温度が35℃以上の場合には、触媒毒安
定剤を添加する。これらの安定剤は〆ッキ浴の自然分解
を阻止する。メッキ格のpHは8.5と14との間に維
持される。本発明の方法では、金の陰イオンと配位子を
含む水溶液は加熱、好適には沸騰するまで加熱すること
が必要である。
次にこの水溶液冷却後、還元剤と安定剤を添加する。金
イオンと配位子が加熱ないこ混合する場合には、還元剤
の添加で〆ッキ浴は迅速に分解する。金溶液を作る場合
にはKAに14又はNaAuC14のような水溶性の塩
を使用するとよい。
イオンと配位子が加熱ないこ混合する場合には、還元剤
の添加で〆ッキ浴は迅速に分解する。金溶液を作る場合
にはKAに14又はNaAuC14のような水溶性の塩
を使用するとよい。
金濃度の好適範囲は約0.001ないし0.006モル
/リットルであるが、適当な〆ッキ浴は0.001なし
、し0.05モル/リットルの金濃度で得られる。この
金溶液を緩衝しかつこれを鉛化する最も好適な無機配位
子は無機のホウ酸塩、o−及びm−ケイ酸塩、リン酸塩
、ピロリン酸塩又は炭酸塩である。特に0.06なし・
し6.0モル/リツトルの量のメタホウ酸ナトリウム、
0.02ないし1.0モル/リツトルの量のリン酸ナト
リウム、及び0.02なし、し1.5モルノリツトルの
量の炭酸ナトリウムが好適であることが判明した。本発
明に使用する還元剤は、0.004なし、し0.020
モルノリットルの量の水溶性第三アミンポラン、又は、
0.002ないし0.雌モルノリツトルの量のジイソプ
ロピルアミンボランである。
/リットルであるが、適当な〆ッキ浴は0.001なし
、し0.05モル/リットルの金濃度で得られる。この
金溶液を緩衝しかつこれを鉛化する最も好適な無機配位
子は無機のホウ酸塩、o−及びm−ケイ酸塩、リン酸塩
、ピロリン酸塩又は炭酸塩である。特に0.06なし・
し6.0モル/リツトルの量のメタホウ酸ナトリウム、
0.02ないし1.0モル/リツトルの量のリン酸ナト
リウム、及び0.02なし、し1.5モルノリツトルの
量の炭酸ナトリウムが好適であることが判明した。本発
明に使用する還元剤は、0.004なし、し0.020
モルノリットルの量の水溶性第三アミンポラン、又は、
0.002ないし0.雌モルノリツトルの量のジイソプ
ロピルアミンボランである。
この第三アミンは米国特許第4255194号明細書に
記載されているもの、即ち式R,R2R3NBH3(こ
こでR,、R2及びR3はメチル基又はエチル基である
)を有するトリアルキルアミンポラン、及び一般式(こ
こでRは好適には炭素数1ないし3のアルキル基である
)を有するNーアルキル置換モルホリンボランで、少く
とも溶解度0.004モル/リツトルを有するものであ
る。
記載されているもの、即ち式R,R2R3NBH3(こ
こでR,、R2及びR3はメチル基又はエチル基である
)を有するトリアルキルアミンポラン、及び一般式(こ
こでRは好適には炭素数1ないし3のアルキル基である
)を有するNーアルキル置換モルホリンボランで、少く
とも溶解度0.004モル/リツトルを有するものであ
る。
好適な遼元剤は、0.004ないし0.15モル/リツ
トルの量のトリメチルアミンボラン(TMAB)、0.
065ないし0.12モルノリツトルの量のメチルモル
ホリンボラン、及び0.0002なし、し0.雌モルノ
リツトルの量のジイソプロピルアミンポランである。
トルの量のトリメチルアミンボラン(TMAB)、0.
065ないし0.12モルノリツトルの量のメチルモル
ホリンボラン、及び0.0002なし、し0.雌モルノ
リツトルの量のジイソプロピルアミンポランである。
約35qo以上に維持される本発明のメッキ俗には雌媒
毒安定剤を使用することが好適である。
毒安定剤を使用することが好適である。
適当=な安定剤はメルカプタン、例えば6−ェトキシメ
ルカプトベンゾチアゾール(EM旧T)、シアノヒドロ
キノン、例えば2・3ージシアノヒドロキノ・ン;有機
ヨウ素化合物、例えばヨードピリジノール:アルカリ金
属ヨウ素酸塩;炭素と二重結合した硫黄を含む有機化合
物、例えば3ーメチル−2mチオキソー4−オキサゾリ
ジノン又はェチルキ‐サントゲン酸である。他の型式の
化合物、特に硫黄含有有機化合物も本発明のメッキ格を
安定化する。これらの安定剤の多くは1なし、し5脚の
量で有効である。シアン化物イオンは安定剤としては有
効ではなく、又1胸以下の量ではメッキ作用を停止する
。上記のメッキ格の再生は、金の鍔体溶液と固体の還元
剤を室温で劣化〆ッキ浴に添加することによって達成さ
れる。
ルカプトベンゾチアゾール(EM旧T)、シアノヒドロ
キノン、例えば2・3ージシアノヒドロキノ・ン;有機
ヨウ素化合物、例えばヨードピリジノール:アルカリ金
属ヨウ素酸塩;炭素と二重結合した硫黄を含む有機化合
物、例えば3ーメチル−2mチオキソー4−オキサゾリ
ジノン又はェチルキ‐サントゲン酸である。他の型式の
化合物、特に硫黄含有有機化合物も本発明のメッキ格を
安定化する。これらの安定剤の多くは1なし、し5脚の
量で有効である。シアン化物イオンは安定剤としては有
効ではなく、又1胸以下の量ではメッキ作用を停止する
。上記のメッキ格の再生は、金の鍔体溶液と固体の還元
剤を室温で劣化〆ッキ浴に添加することによって達成さ
れる。
この金溶液は少量の水にテトラクロロ金酸塩イオンの水
溶性塩を溶解し、メツゴF格の最初の構成に使用された
ものの約半量の鯨GZ子を添加し「次にこれを加熱して
沸騰させ、金を鈴化することによって生成される。メッ
キ速度及びメッキ品質を低下することなくメッキ裕中の
金は2回以上の再生が可能であった。好適実施例の説明 本発明のメッキ格の生成 本発明の好適な方法では、テトラクロロ金酸塩イオンの
水溶性塩を水に溶解し、次に糠機配位子を含む固体塩を
添加する。
溶性塩を溶解し、メツゴF格の最初の構成に使用された
ものの約半量の鯨GZ子を添加し「次にこれを加熱して
沸騰させ、金を鈴化することによって生成される。メッ
キ速度及びメッキ品質を低下することなくメッキ裕中の
金は2回以上の再生が可能であった。好適実施例の説明 本発明のメッキ格の生成 本発明の好適な方法では、テトラクロロ金酸塩イオンの
水溶性塩を水に溶解し、次に糠機配位子を含む固体塩を
添加する。
得られた溶液をゆるく沸騰するまで加熱すると、溶液の
色は黄色から非常に薄い黄色又は無色に変わる。しかし
この加熱を省略すると還元剤を添加した時メッキ格は激
しく分解する。室温まで冷却後、上記の金鍔体溶液に通
常、安定剤を添加する。
色は黄色から非常に薄い黄色又は無色に変わる。しかし
この加熱を省略すると還元剤を添加した時メッキ格は激
しく分解する。室温まで冷却後、上記の金鍔体溶液に通
常、安定剤を添加する。
次にアミンボラン還元剤の水溶液を添加し、この混合溶
液を縄拝する。このようにして得られたメッキ格は、必
要に応じて蒸留水で所望の容積に増量し、次に中位多孔
度の炉紙で炉過して不溶解物を除去する。メッキ用基体
の準備 銅、ニッケル、軟鋼及びステンレス鋼は、濃塩酸溶液な
どを使用する脱脂又は酸化物除去操作を除いては、本発
明によって前処理なしにメッキできる。
液を縄拝する。このようにして得られたメッキ格は、必
要に応じて蒸留水で所望の容積に増量し、次に中位多孔
度の炉紙で炉過して不溶解物を除去する。メッキ用基体
の準備 銅、ニッケル、軟鋼及びステンレス鋼は、濃塩酸溶液な
どを使用する脱脂又は酸化物除去操作を除いては、本発
明によって前処理なしにメッキできる。
無電解〆ツキされたニッケルとパラジウム、並びに金(
シアン化物非含有浴でメッキされた)は本発明により前
処理を必要とせずに直接メッキできる。一方、ABSプ
ラスチックは、酸化アルミニウムのようなセラミックス
の場合と同様に、最初エッチング処理した後、塩化スズ
及び塩化パラジウム又は塩化金の溶液で処理しなければ
ならない。ガラスは最初研摩してからセラミックスと同
様に処理する。他の基体は業界では公知の増感操作が必
要である。例1 前記の製造手順によって下記の濃度組成、即ちKA虻1
4・3日20、2.0タ′〆;Na3PQ・12日20
、20多/夕;2ーメルカプトベンゾチアゾール(MB
T)、1.2の夕/似;及びトリェチルアミンポラン(
TMAB)、2.0夕/夕、の格を作った。
シアン化物非含有浴でメッキされた)は本発明により前
処理を必要とせずに直接メッキできる。一方、ABSプ
ラスチックは、酸化アルミニウムのようなセラミックス
の場合と同様に、最初エッチング処理した後、塩化スズ
及び塩化パラジウム又は塩化金の溶液で処理しなければ
ならない。ガラスは最初研摩してからセラミックスと同
様に処理する。他の基体は業界では公知の増感操作が必
要である。例1 前記の製造手順によって下記の濃度組成、即ちKA虻1
4・3日20、2.0タ′〆;Na3PQ・12日20
、20多/夕;2ーメルカプトベンゾチアゾール(MB
T)、1.2の夕/似;及びトリェチルアミンポラン(
TMAB)、2.0夕/夕、の格を作った。
pHは約11.9であった。50qoに保持したこの格
で塩化パラジウム増感ニッケル加工片に25ムin/h
rの速度と36塊′そのメッキ負荷でメッキした。
で塩化パラジウム増感ニッケル加工片に25ムin/h
rの速度と36塊′そのメッキ負荷でメッキした。
得られたメッキは非常に滑らかで光沢があり、このメッ
キカタサは25グラム負荷で測定して9のPNであった
。例2 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAに14・細20
、2.7夕/そ;Na2CQ、15夕/そ;MBT、1
0桝/そ:TMAB、4.0タ′〆、の格を作った。
キカタサは25グラム負荷で測定して9のPNであった
。例2 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAに14・細20
、2.7夕/そ;Na2CQ、15夕/そ;MBT、1
0桝/そ:TMAB、4.0タ′〆、の格を作った。
この格の軸は約10.8であった。塩化スズ−塩化パラ
ジウム処理で軽くエッチングしたガラスに490でメッ
キした。このメッキの化学分析で約0.15%のホウ素
を含有していることが判明した。例3 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAに14・知日2
0、2.0夕/そ;NaB02、10夕/そ;メチルモ
ルホリンボラン、5夕/そ;MBT、1.6のc/Z、
の格を作った。
ジウム処理で軽くエッチングしたガラスに490でメッ
キした。このメッキの化学分析で約0.15%のホウ素
を含有していることが判明した。例3 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAに14・知日2
0、2.0夕/そ;NaB02、10夕/そ;メチルモ
ルホリンボラン、5夕/そ;MBT、1.6のc/Z、
の格を作った。
この餌は水酸化ナトリウム溶液で12.6に調節した。
60℃、及び観測メッキ速度、15山in/そで塩化パ
ラジウム増感ニッケル板にメッキした。
60℃、及び観測メッキ速度、15山in/そで塩化パ
ラジウム増感ニッケル板にメッキした。
例4
例1と同機に下記の濃度組成、即ちKAに14・2日2
0、4.0夕/夕;Na3P〇6・12も○、40夕/
夕;TMAB、4.0タ′夕;及び6ーェトキシー2ー
メルカプトベンゾチアゾール(EMBT)、2.0雌/
夕の浴を作った。
0、4.0夕/夕;Na3P〇6・12も○、40夕/
夕;TMAB、4.0タ′夕;及び6ーェトキシー2ー
メルカプトベンゾチアゾール(EMBT)、2.0雌/
夕の浴を作った。
最初、鋼板上に50〆nの厚さにリン酸ニッケルで無電
解〆ツキし、次に加工品を蒸留水で洗浄して上記の金メ
ッキ格に入れた。メッキ速度は590で20一25ムi
n′hrと観測された。例5例1と同様に下記の濃度組
成、即ちKAに14・が20、4.0夕/夕;Na3P
04・12L0、20夕/そ;TMABI.0タ′ぞ;
3−エチル一2−チオキソ−4−オキサゾリジノン、5
.5の9/その格を作った。
解〆ツキし、次に加工品を蒸留水で洗浄して上記の金メ
ッキ格に入れた。メッキ速度は590で20一25ムi
n′hrと観測された。例5例1と同様に下記の濃度組
成、即ちKAに14・が20、4.0夕/夕;Na3P
04・12L0、20夕/そ;TMABI.0タ′ぞ;
3−エチル一2−チオキソ−4−オキサゾリジノン、5
.5の9/その格を作った。
55℃のこの格を使用し24の/そのメッキ負荷と31
ムin/hrの速度でニッケル板にメッキした。このメ
ッキは非常に滑らかで光沢がありニッケル基体に良好に
付着した。例6 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAuC14・2日
2〇、5‐2夕/そ;MBT、1‐2雌/そ;NaB〇
2、10夕/夕;及びジイソプロピルアミンボラン、8
夕/その格を作った。
ムin/hrの速度でニッケル板にメッキした。このメ
ッキは非常に滑らかで光沢がありニッケル基体に良好に
付着した。例6 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAuC14・2日
2〇、5‐2夕/そ;MBT、1‐2雌/そ;NaB〇
2、10夕/夕;及びジイソプロピルアミンボラン、8
夕/その格を作った。
格温度60℃で、ニッケル板に15〃in/hrの速度
で金メッキした。例7 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAに14・が20
、2.0タ′夕;NaB02、10夕/そ;MBT、1
.5地′〆:及びTMAB、2.0タ′その格を作った
。
で金メッキした。例7 例1と同様に下記の濃度組成、即ちKAに14・が20
、2.0タ′夕;NaB02、10夕/そ;MBT、1
.5地′〆:及びTMAB、2.0タ′その格を作った
。
ABS樹脂試料をヱッチングし、55℃の格温度で25
山in′hrの速度で金メッキした。少くとも厚さ1.
脚il(0.0総肌)の無電鱗金メッキに対して25タ
負荷で微小硬度は90−10皿PNでこれは純金の微小
硬度よりも僅かに大きい。
山in′hrの速度で金メッキした。少くとも厚さ1.
脚il(0.0総肌)の無電鱗金メッキに対して25タ
負荷で微小硬度は90−10皿PNでこれは純金の微小
硬度よりも僅かに大きい。
標準の硝酸蒸気試験で測定した発孔率(po的tion
)は、厚さ50仏の滑らかできれいなメッキでlpor
/の又はこれ以下であった。
)は、厚さ50仏の滑らかできれいなメッキでlpor
/の又はこれ以下であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ホウ酸塩、炭酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩及びo
−又はm−ケイ酸塩からなる群から選択された陰イオン
で錯化され、0.001ないし0.05モル/リツトル
の濃度を有する3価の金、水溶性のホウ酸塩、o−又は
m−ケイ酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩及び炭酸塩から
なる群から選択され、0.02ないし6.0モル/リツ
トルの量で存在する無機配位子、及び少くとも0.00
4モル/リツトルの第三アミンボラン又は少くとも0.
002モル/リツトルの量で存在するジイソプロピルア
ミンボランの水溶液、を含み、pHが8.5ないし14
である水溶液からなる無電解金メツキ用水溶液。 2 上記第1項記載の水溶液で、第三アミンボランが、
トリアルキルアミンボラン、及びN−アルキル置換モル
ホリンボランからなる群から選択される無電解金メツキ
用水溶液。 3 (a) 3価の金の水溶液、該水溶液に添加され、
ホウ酸塩、リン酸塩、炭酸塩又はo−又はm−ケイ酸塩
の陰イオンからなる無機配位子、を含む水溶液を作る工
程;(b) 上記水溶液を加熱して金と配位子陰イオン
を錯化する工程;(c) 上記水溶液の冷却後、0.0
04ないし0.020モル/リツトルの量の第三アミン
ボラン、又は0.002ないし0.08モル/リツトル
の量のジイソプロピルアミンボランを添加してメツキ浴
を生成する工程;及び(d) 基体を該メツキ浴に入れ
て所定の厚さまでメツキする工程;を含む、予め準備さ
れた基体の無電解金メツキ法。 4 上記第3項記載のメツキ法で、第三アミンボランが
、トリアルキルアミンボラン及びN−アルキル置換モル
ホリンボランからなる群から選択される無電解金メツキ
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US34246882A | 1982-01-25 | 1982-01-25 | |
US342468 | 1994-11-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58133367A JPS58133367A (ja) | 1983-08-09 |
JPS602387B2 true JPS602387B2 (ja) | 1985-01-21 |
Family
ID=23341958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57207768A Expired JPS602387B2 (ja) | 1982-01-25 | 1982-11-29 | 無電解金メツキ用水溶液と無電解金メツキ法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS602387B2 (ja) |
CA (1) | CA1182953A (ja) |
DE (1) | DE3247144C2 (ja) |
FR (1) | FR2520385B1 (ja) |
GB (1) | GB2114159B (ja) |
IT (1) | IT1160454B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3640028C1 (de) * | 1986-11-24 | 1987-10-01 | Heraeus Gmbh W C | Saures Bad fuer das stromlose Abscheiden von Goldschichten |
DE69224914T2 (de) * | 1992-11-25 | 1998-10-22 | Kanto Kagaku | Stromloses goldbeschichtungsbad |
TW467770B (en) * | 2000-10-24 | 2001-12-11 | Huei-Tang Liou | Gold plating method for quartz or high alumina tube of high heat resistance and high voltage resistance, and gold-plated quartz and high alumina tube for the application of ozone generator |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52151637A (en) * | 1976-04-29 | 1977-12-16 | Trw Inc | Aqueous solution for gold plating and method of applying gold film onto nickel surface at room temperature |
US4091128A (en) * | 1976-10-08 | 1978-05-23 | Ppg Industries, Inc. | Electroless gold plating bath |
GB1547028A (en) * | 1976-11-19 | 1979-06-06 | Mine Safety Appliances Co | Electroless gold plating baths |
-
1982
- 1982-11-15 GB GB08232572A patent/GB2114159B/en not_active Expired
- 1982-11-23 FR FR8219596A patent/FR2520385B1/fr not_active Expired
- 1982-11-29 JP JP57207768A patent/JPS602387B2/ja not_active Expired
- 1982-12-21 DE DE3247144A patent/DE3247144C2/de not_active Expired
- 1982-12-23 CA CA000418444A patent/CA1182953A/en not_active Expired
-
1983
- 1983-01-21 IT IT19210/83A patent/IT1160454B/it active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2520385B1 (fr) | 1986-03-14 |
JPS58133367A (ja) | 1983-08-09 |
DE3247144C2 (de) | 1985-01-10 |
GB2114159A (en) | 1983-08-17 |
IT8319210A0 (it) | 1983-01-21 |
IT1160454B (it) | 1987-03-11 |
CA1182953A (en) | 1985-02-26 |
FR2520385A1 (fr) | 1983-07-29 |
DE3247144A1 (de) | 1983-08-04 |
GB2114159B (en) | 1986-02-12 |
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