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JPS6023776B2 - 陽イオン交換膜の製造方法 - Google Patents

陽イオン交換膜の製造方法

Info

Publication number
JPS6023776B2
JPS6023776B2 JP54006135A JP613579A JPS6023776B2 JP S6023776 B2 JPS6023776 B2 JP S6023776B2 JP 54006135 A JP54006135 A JP 54006135A JP 613579 A JP613579 A JP 613579A JP S6023776 B2 JPS6023776 B2 JP S6023776B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
layer
alkali metal
film
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54006135A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5599928A (en
Inventor
堅二 高橋
徹 清田
俊一 浅海
靖弘 坂中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Toyo Soda Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Soda Manufacturing Co Ltd filed Critical Toyo Soda Manufacturing Co Ltd
Priority to JP54006135A priority Critical patent/JPS6023776B2/ja
Publication of JPS5599928A publication Critical patent/JPS5599928A/ja
Publication of JPS6023776B2 publication Critical patent/JPS6023776B2/ja
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  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、改良された陽イオン交換膜の製造方法に関す
るものである。 テトラフルオロエチレンとパーフルオロー3,6−ジオ
キサ−4−メチル−7−オクテンスルフオニルフルオラ
ィドからなる共重合体をフィルム状にした後加水分解す
ることより得られる、交換基としてスルフオン酸基を有
するパーフルオロカーボン重合体からなる陽イオン交換
膜がデュポン社ナフィオン膜として知られている。 この膜をハロゲン化アルカリ金属水溶液の雷解隔膜とし
て用いるとスルフオン酸基の親水性が高いため、高い電
流効率が得られない。 そこでスルフオン酸基を有するパーフルオロカーボン重
合体からなる陽イオン交換膜の陰極側表層部にスルフオ
ンアミド基を含有する陽イオン交換膜が提案されかなり
改善されたが、30%苛性ソーを取得して電流効率は9
0%程度というのが現状である。 又、カルポン酸基を有するパーフルオロカーボン重合体
からなる陽イオン交換膜が知られている。 この種の膜は40%程度の高濃度苛性アルカリを取得し
ても高い電流効率を有し、95%近い電流効率を得るこ
とも可能である。ところが、このカルポン酸基は高濃度
の苛性アルカリを取得すると裕電圧が非常に増大してし
まうという欠点をもっていた。本発明者らは、この点を
克服することをめざし、鋭意研究を重ねた結果、本発明
に達したものである。 即ち、フッ素系共重合体より成る膜状物に存在する置換
基一〇(CF2)nCOOM(Mは日、アルカリ金属又
はアンモニウム基、n=2〜5)より導びかれた置換基
−0(CF2)nl(n=2〜5)を−○(CF2)n
S022(ZはOM、又はNMR、Mは日、アルカリ金
属、又はアンモニウム基、Rは日、C.〜C5のアルキ
ル基、又はフェニル基)に変換することを特徴とする、
存在する交換基の種類によって隣接する層と区別される
、実質的に表面に平行な二つの層から成り、一方の層に
下記側鎖‘a}なる構造をもつカルボン酸基を有し、他
の層には下記側鎖(bーなる構造をもつフッ素腸イオン
交換膜の製造方法およびその電解方法を提供する。 {a} −○(CF2)nCOOM((Mは日、アルカ
リ金属、又はアンモニウム基、n=2〜5)‘b} −
○(CF2)nS02Z (ZはOM、又はNMR、Mは日、アルカリ金属又はア
ンモニウム基、Rは日、C,〜C5のアルキル基、又は
フェニル基)この構造を有する膜の‘b}の構造が存在
する層を陰極側に向けてアルカリ金属ハラィド電解する
と高濃度の苛性アルカリを取得しても、高い電流効率が
得られ、しかも浴電圧の増大が極めて小さく、経済的な
操業が可能となった。 {b)の構造が存在する層は、なるべく薄い方がよく、
一方の表層部に10仏以下で存在していればよく、好ま
しくは5ム〜100Aで存在しているのがよい。 又、‘a}の構造が{b}の構造を有する層に存在して
もかまわないし、層間の境界付近では{aーの構造と

bーの構造が連続的に変化していてもよい。これより本
発明の陽イオン交換膜の製法について述べる。本発明膜
の製法の第一段階は、カルポン酸基を有するパーフルオ
ロカーボン重合体の製造である。 単量体としてカルボン酸基もしくはカルボン酸基に転換
しうる官能基を含有する重合率のある単量体を使用する
。このようなカルボン酸型官能性単量体(i〕の好適な
ものとして、一般式CF2=CXべOCF2CFYナa
○キCF2チnA (i)(ここでaは0〜3、nは
2〜5、×はフッ素原子又は−CF3であり、Yはフッ
素又は炭素数1〜10のパーフルオロアルキル基である
。 Aは−CN,一COF,一COOR,,−COOM又は
−COONR2R3であり、R,は炭素数1〜10のア
ルキル基、R2,R3は水素原子又はR,であり、Mは
日、アルカリ金属又はアンモニウム基である)で表わさ
れるフルオロビニル化合物があげられる。特に×はフッ
素原子、YはCF3、aは0〜1であり、Aは−COF
,一COOR,が好ましく、R,は炭素数1〜5の低級
アルキル基が好ましい。このようなフルオロビニル化合
物として、CF2=CF○(CF2)2〜3COOCH
3CF2=CF○(CF2)2〜5COFCF2=CF
○(CF2)2〜5COOC2QCF2=CFOCF2
CF(CF3)○(CF2)2〜3COOCH3CF2
=CFOCF2CF(CF3)○(CF2)2〜3CO
Fなどがあげられる。 次に、弗素化したエチレン系不飽和単量体(ii)とし
ては、四フツ化エチレン、三フツ化塩化エチレン、六フ
ツ化プロピレン、三フツ化エチレン、フッ化ビニリデン
などがあげられ、特に四フッ化エチレンが好ましい。 前記官能性単量体(i〕及びエチレン系不飽和単量体(
ii}の各単量体のそれぞれを二種以上使用することも
でき、これらの化合物の他に、他の成分、例えば一般式
C比=CR4R5(ここでR4,R5は水素原子、炭素
数1〜8のアルキル基又は芳香族を示す)で表わされる
オレフィン化合物、CF2=CFORf(Rfは炭素数
1〜10のパーフルオロアルキル基を示す)のようなフ
ルオロビニルェーナル、CF2:CF一CF=CF2,
CF2=CF。 (CF2),〜40CF=CF2のようなジビニルモノ
マーなどの一種又は二種以上を併用することもできる。
本発明において、上記(i),(ii)及び必要に応じ
て併用されたその他のモノマー化合物からなる共重合体
を使用してカルボン酸基を有するパーフルオロカーボン
重合体を製造する場合、使用するモノマーの組合せに応
じて適切なイオン交換容量を重合体にもたせることがで
きるが、イオン交換容量として好ましくは、0.5〜3
.0ミリグラム当量/グラム乾燥樹脂であり、特に0.
7〜2.5ミリグラム当量/グラム乾燥樹脂、更に好ま
しくは0.9〜2.0ミリグラム当量/グラム乾燥樹脂
である。 本発明の上記(i),(ii〕及び必要に応じて使用さ
れるモノマー化合物の共重合は、種々の方法によって実
施される。 即ち、不活性有機溶媒又は水性媒体を使用し、又は使用
せずにパーオキシ化合物、アゾ化合物、紫外線、電離性
放射線のような重合開始源の作用下で公知の手段によっ
て実施できる重合方法は、塊状重合、溶液重合、けんだ
く重合、乳化重合などの各種の重合方法が適用できる。 重合後、共重合されたポリマーを製膜する。製膜手段は
公知の任意の手段、例えばプレス成型、ロール成型等で
行われる。膜厚は好ましくは20〜500〆、特に好ま
しくは50〜300仏である。又、機械的強度を増大さ
せるため、布、網などの補強材を腰内にうめこんでもよ
い。共重合体がカルボン酸基でなく、該基に転換しうる
官能基の場合には、カルボン酸基に転換する必要がある
。 例えば、一CN,一COF,一COOR,,−COON
R2R3の場合には酸又はアルカリのアルコール溶液に
より加水分解させてカルボン酸基に転換する。本発明の
製法の第二段階は、第一段階で得られた−○(CF2)
nCOOMを有する母体膜を片面表層部のみ置換基−○
(CF2)nlに変換する。 その手段は以下のような方法がある。■ −○(CF2
)や0OHを片面表層部のみ、希薄なNaOH水溶液を
塗布し、一旦、Na型にした後更にAgN03水溶液で
−○(CF2)nCOOAgに転換し、充分乾燥した後
12存在下で加熱することにより脱C02化する。 ■ −○(CF2)nCOOHの片側にAg20の水溶
液を塗布することにより膜の片側表層部のみ−○(CF
2)nCOOAg塩に転換し、充分乾燥したのち12存
在下で加熱することにより脱C02化する。 ■ −○(CF2)nCOOHを−○(CF2)nCO
OCH3に転換後、片側表層部のみ薄いNaOH水溶液
で加水分解したのち、更にAg塩に置換し、充分乾燥さ
せたのちIZ字在下で加熱することにより脱C02化す
る。■,■,■いずれの場合にも−○ (CF2)nCOOAg層のみが−○(CF2)nl層
の厚みを規定するので、その層の厚みをコントロールす
ることが必要である。 一○(CF2)nCOOAg層の厚みは10ミクロン以
下の厚さで表層に存在することが好ましく、更に好まし
くは5ミクロン〜100Aで存在しているのがよい。 −○(CF2)nCOOAg塩を12存在下加熱する場
合の反応条件は、反応時間5分〜2餌時間、好ましくは
、10分〜5時間であり、反応温度150〜250℃、
好ましくは170〜220ooである。 これらの方法で得られた、片側表層部のみ−0(CF2
)nlに置換され、残りの層には−○(CF2)nCO
OH又は−○(CF2)nCOOCH3が存在する原膜
を用いて次の第三段階の反応を行わせる。 第三段階では、置換基−○(CF2)nlに以下のよう
な反応を行う。 (i)Zn−Cuカップルの存在する無水ジメチルスル
フオキシド中に置換基−○(CF2)nlを有する膜状
物を浸潰し、S02と接触させる。 その反応例を示す。 N2雰囲気下で無水ジメチルスルフオキシド中でZnパ
ウダーと酢酸鋼を反応させ、Zn−Cuカップルを生成
させる。 ここに置換基−○(CF2)nlをもつ膜状物を浸潰し
、そこへS02をバブルさせながら反応させる。 反応後、CI2を溶解したメタノール中に浸債すると置
換基−○(CF2)nS02CIが生成する。Znパウ
ダーと酢酸鋼の比率は約100:1ぐらいでよい。 置換基−○(CF2)nlとZn一Cuカップルのモル
比は約1:1でよい。 S02との反応時間は10分から2独特間がよい。 好ましくは1時間〜1餌時間がよい。反応温度は0℃〜
10000がよい。好ましくは20〜50こ○がよい。
CI2との接触温度は0℃〜5000で、接触時間は5
分から2独特間がよい。 (ii) NaSCH3/(CH3)2S2を非プロト
ン液媒中に溶解し、そこへ置換基一〇(CF2)nlを
有する膜状物を浸潰して−○(CF2)nSCH3を導
入する。 この基を酸化させることにより−0(CF2)nS03
H‘こ導びく。 その反応例を示す。ナトリウムメタンチオレートと置換
基−○(CF2)1の反応には、反応温度50〜150
oo、反応時間1時間〜100時間が適当である。 この時、溶媒としてジメチルスルフオキシドのような極
性非プロトン溶媒を用いると反応を進行させるのに好ま
しい。得られたメチルスルフィドを例えば過マンガン酸
カリウム−酢酸系や過酸化水素−酢酸系で酸化すること
によりメチルスルフオン化合物が得られる。 反応温度は−10qC〜150午○、反応時間は5分〜
20餌時間である。過マンガン酸カリウム−酢酸の系で
は、反応温度が0〜20つ0、反応時間1時間〜5時間
で反応が容易に進行するので特に好ましい。得られたメ
チルスルフオンを更に過マンガン酸力IJウム水溶液で
還流することによりスルフオン酸カリウム塩が得られる
。この塩を酸型にもどすのは公知の方法で塩醸等に接触
させることにより容易に行える。(iii) スルフオ
ン酸アミド基を導入したい場合には(i)で得られた置
換基一○(CF2)nS02CIにアミン類を反応させ
る。アミンとして一般式RNH2(Rは日、C,〜Gの
アルキル基、フェニル基)で示されるアミンと、反応温
度−40qo〜200℃、好ましくは0〜100oCで
処理することによりスルフオンアミド基を導入できる。 (iー,(ii),(iilーの方法で導入されたスル
フオン酸、スルフオンアミド基及びそれらの謙導体を有
する膜状物を、必要な場合は加水分解して、アルカリ金
属ハラィドの電解用の陽イオン交換膜として用いると、
耐久性がすぐれ、裕電圧も低く、又、高い電流効率を有
する極めてすぐれた性能を発揮した。 以下に実施例を示すが、本発明を束縛するものではない
。 実施例 1 テトラフルオロエチレンと CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2C
OOCH3を1,1,2−トリク□ロー1,2,2−ト
リフルオロエタン中でパーフルオロプロピオニルパーオ
キサィドを開始剤としてステンレス製オートクレープ中
で共重合した。 得られた生成物を250こ0にてプレス成型して透明な
200ムのフィルム状原膜(1)を得た。このフィルム
状原膜(1)を10%KOH−メタノール(50/50
V/V)中で加水分解したのち、滴定によってカルボン
酸塩舎量は1.2ミリ当量/タ乾燥樹脂であることを確
認した。 この原腰(1)2膜をアクリル樹脂製の枠の間にテフロ
ン製パッキンを用いて挟み、この枠ごと2%NaOH水
溶液に室温で10分間浸糟し、片側表層部のみ加水分解
した。 この膜を原膜(D)とする。 原膜(0)をクリスタルバイオレットで染色すると片側
表層部の2ミクロン程度が染色された。 原膜(□)をIN−AgN03水溶液に浸潰して片側2
Aの層に存在する−COONaを−COOAgに転換し
た後水洗し、80ooで加熱しながら真空乾燥した。片
側2ムの層がAg塩に置換された膜状物を12存在下1
8000にて1時間反応させた。 メタノールで洗浄後乾燥し、表面赤外スペクトルを探る
と−COOAgの1650の‐1のピークが全く消失し
、一CF21の91比ネ‐1のピークが新たに出現した
。 この膜を原膜(m)とする。 原膜(m)を、N2雰囲気下で無水ジメチルスルフオキ
シド中でZnパウダーと酢酸鋼を反応させ、Zn−Cu
カップルを生成させておいたサスベンジョン中に浸潰し
、そこにS02をバブルさせながら、温度460で6時
間反応させた。 反応後、膜を取り出しCI2を溶解したメタノール中に
30ooで1既時間浸潰した。メタノールで充分洗浄後
、乾燥して表面赤外スペクトルを探ると−CF21の9
10仇‐1のピークは全く消失し、新たに】420伽‐
1に−CF2S02CIによると思われるピークが出現
した。 この膜を原膜(W)とする。原膜(W)を10%KOH
ーメタノール(50/50V/V)中で60ooにて1
斑時間浸潰して加水分解した。 上記腸イオン交換膜の処理面を陰極側に向けて電解槽に
組み込み、食塩電解隔膜としての電流効率94%、槽電
圧3.8Vを得た。電解槽は通電面積36c濯(8弧×
4.反ネ)で腸イオン交換膜を挟んで陽極室と陰極室か
ら成る二室型で、陽極は塩素過電圧の小さい金属電極、
陰極には鉄を用い、陽極室にはpH7の飽和食塩水溶液
を供給し、陰極室には水を供V給して36%の苛性ソー
ダを取得した。 食塩水の分解率は50%、電解温度880、電流密度3
船/d〆で電解した。比較例 1実施例1で得た原膜(
1)を10%KOHーメタノール(50/50V/V)
中で60午0にて1畑寿間浸潰して加水分解して食塩電
解に用いたところ、電流効率94%、槽電圧4.1Vで
あった。 電解条件は実施例1と同じで行った。実施例 2 実施例1で得た原膜(N)をNH3ガスと接触させ、室
温下2畑時間反応させた。 反応面を表面赤外スペクトルを探ると1350〜140
比ヌ‐1にスルフオンアミドと思われるピークが現われ
、1420弧‐1のピークはほとんど消失した。この膜
を10%KOH−メタノール(50/50V/V)中で
60qoにて1筋時間浸濃して加水分解した。 上記陽イオン交換膜の処理面を陰極側に向けて電解槽に
組み込み、食塩電解隔膜としての電流効率95%、槽電
圧3.85Vを得た。電解条件は実施例1と同じで行っ
た。 実施例 3 実施例1で得た原膜(m)をナトリウムメタンチオレー
トとジメチルジスフイドを1:5の比率で溶解したジメ
チルスルフオキシド中に浸潰し、4q時間、約110℃
で反応した。 反応後KMn04−CH3COO日に浸潰し、2000
で1q時間反応させた。 さらに、この膜をKMn04水溶液中で15時間環流さ
せた。 続いて10%KOH−メタノール(50/50V/V)
中で6000に1曲時間加水分解して陽イオン交換膜と
した。 この膜を食塩電解に用いたところ、電流効率94%、糟
電圧3.85Vであった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 フツ素系共重合体より成る膜状物に存在する置換基
    −O(CF_2)_nCOOM(MはH、アルカリ金属
    又はアンモニウム基、n=2〜5)より導びかれた置換
    基−O(CF_2)_nI(n=2〜5)を−O(CF
    _2)_nSO_2Z(ZはOM、又はNMR、MはH
    、アルカリ金属又はアンモニウム基、RはH、C_1〜
    C_5のアルキル基、又はフエニル基)に変換すること
    を特徴とする、存在する交換基の種類によつて隣接する
    層と区別される、実質的に表面に平行な二つの層から成
    り、一方の層に下記側鎖(a)からなる構造をもつカル
    ボン酸基を有し、他の層には下記側鎖(b)なる構造を
    もつフツ素系陽イオン交換膜の製造方法。 (a) −O(CF_2)_nCOOM (MはH、アルカリ金属又はアンモニウム基、n=2〜
    5)(b) −O(CF_2)_nSO_2Z(ZはO
    M、又はNMR、MはH、アルカリ金属又はアンモニウ
    ム基、RはH、C_1〜C_5のアルキル基又はフエニ
    ル基)2 (b)の構造をもつ層が10μ以下の厚さで
    、表層に存在することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の方法。
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