JPS6022658B2 - 光通信用フアイバ - Google Patents
光通信用フアイバInfo
- Publication number
- JPS6022658B2 JPS6022658B2 JP55085600A JP8560080A JPS6022658B2 JP S6022658 B2 JPS6022658 B2 JP S6022658B2 JP 55085600 A JP55085600 A JP 55085600A JP 8560080 A JP8560080 A JP 8560080A JP S6022658 B2 JPS6022658 B2 JP S6022658B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- cladding
- core
- jacket
- fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/08—Doped silica-based glasses containing boron or halide
- C03C2201/14—Doped silica-based glasses containing boron or halide containing boron and fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
- C03C2201/28—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
- C03C2201/31—Doped silica-based glasses containing metals containing germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/40—Gas-phase processes
- C03C2203/42—Gas-phase processes using silicon halides as starting materials
- C03C2203/44—Gas-phase processes using silicon halides as starting materials chlorine containing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/40—Gas-phase processes
- C03C2203/42—Gas-phase processes using silicon halides as starting materials
- C03C2203/46—Gas-phase processes using silicon halides as starting materials fluorine containing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、MCVD法によって製造する光通信用フアィ
バに関し主に、クラッド部のガラス組成に特徴を有する
ものである。
バに関し主に、クラッド部のガラス組成に特徴を有する
ものである。
発明の背景
第1図に、光フアィバの断面と屈折率分布を示す。
10はコア、20はクラツド、3川まジャケットである
。
。
クラッド20の屈折率が、純粋なSi02からなるジャ
ケット30の屈折率より低ければ低いほど、コア10を
伝般するパワーが、クラッド20内に多く漏れる。
ケット30の屈折率より低ければ低いほど、コア10を
伝般するパワーが、クラッド20内に多く漏れる。
その結果、クラッド20やジャケット30の影響を多く
受け、これらの中に含まれる不純物やOH基による吸収
損失が増加する。そこで、現在の単一モード型やグレー
テツド型フアィバでは、クラッドの屈折率を、純粋なS
i02の屈折率(1.458)に等しくするか、あるい
はわずかに低い程度にしている。クラツドの屈折率を1
.458程度にするのに、従釆、次のような方法をとつ
ていた。
受け、これらの中に含まれる不純物やOH基による吸収
損失が増加する。そこで、現在の単一モード型やグレー
テツド型フアィバでは、クラッドの屈折率を、純粋なS
i02の屈折率(1.458)に等しくするか、あるい
はわずかに低い程度にしている。クラツドの屈折率を1
.458程度にするのに、従釆、次のような方法をとつ
ていた。
しかし、それぞれに問題がある。{11 クラッドを、
純粋なSi02系にする。
純粋なSi02系にする。
この場合は、デポジション温度(160000位)が、
出発石英管の軟化温度よりより高くなる。すると、1)
デポジション中に管の収縮や変形がおこる。そのため透
明ガラス化が不十分になり、構造不完全のための損失が
大きくなる。また、2)十分な厚さのクラッド層の形成
が困難になる。そのため、出発石英管からコアー川こ拡
散するOH基による1.39仏m帯の損失を十分低くす
ることができない。また良尺の光ファィバを作ることが
できない。{2} コアを、P2Q−B203−Sj0
2系にする。
出発石英管の軟化温度よりより高くなる。すると、1)
デポジション中に管の収縮や変形がおこる。そのため透
明ガラス化が不十分になり、構造不完全のための損失が
大きくなる。また、2)十分な厚さのクラッド層の形成
が困難になる。そのため、出発石英管からコアー川こ拡
散するOH基による1.39仏m帯の損失を十分低くす
ることができない。また良尺の光ファィバを作ることが
できない。{2} コアを、P2Q−B203−Sj0
2系にする。
低温のデポジションが可能になり、上記(1}の問題が
解消できる。しかし&03固有の赤外吸収の影響で、1
.3仏m以上の波長域で損失が増加する。{3l クラ
ツドを、P24一F−Sj02系にする。
解消できる。しかし&03固有の赤外吸収の影響で、1
.3仏m以上の波長域で損失が増加する。{3l クラ
ツドを、P24一F−Sj02系にする。
&03の代わりにFによって屈折率を下げる。
1.3ムm帯で低損失である。
しかし、この系のガラスで、屈折率をSi02と同じ1
.458にするのは、次の理由によって非常に困難であ
る。1 第2図にSF6(Fを添加するための原料ガス
)の流量と屈折率との関係を示す。
.458にするのは、次の理由によって非常に困難であ
る。1 第2図にSF6(Fを添加するための原料ガス
)の流量と屈折率との関係を示す。
ただし戊Qを4cc/min、Si02を8比c/mi
n、デポジション温度を1400o0とした場合である
。Xc/min程度のSF6で、屈折率はSi02の屈
折率1.4斑位に下がる。この程度の徴量な流量制御は
非常に難しい。それゆえ、屈折率の制御性が悪くなり、
半径方向に屈折率変動を生じやすい。半径方向の屈折率
が変動すると「伝動特性が悪くなる。
n、デポジション温度を1400o0とした場合である
。Xc/min程度のSF6で、屈折率はSi02の屈
折率1.4斑位に下がる。この程度の徴量な流量制御は
非常に難しい。それゆえ、屈折率の制御性が悪くなり、
半径方向に屈折率変動を生じやすい。半径方向の屈折率
が変動すると「伝動特性が悪くなる。
2 SF6の流量が4〜枕c/miM屋度であれば、安
定な流量制御が可能になる。
定な流量制御が可能になる。
がそうすると屈折率が下がり過ぎる。そこで、その分だ
けP2Qの量を多くして屈折率を持ち上げることも孝え
られる。しかし、P205は4cc/min、あるいは
それよりわずかに多い程度が限度で、それ以上多くする
と、固有の赤外吸収によって1.5一m帯の損失が無視
できなくなる。3 第3図に、デポジション温度と屈折
率との関係を示した。
けP2Qの量を多くして屈折率を持ち上げることも孝え
られる。しかし、P205は4cc/min、あるいは
それよりわずかに多い程度が限度で、それ以上多くする
と、固有の赤外吸収によって1.5一m帯の損失が無視
できなくなる。3 第3図に、デポジション温度と屈折
率との関係を示した。
ただしSi02が8比c/min、P2QとFが4cc
/mjnの場合である。デポジション温度を16000
0くらし、にすれば、屈折率をSi02と同じ1.45
8程度にすることができる。しかしそのような高温でデ
ポジションすると、上記【1}の場合と同じ問題が生ず
る。結局、P205一F−Si02系ガラスでは、1)
安定に制御できるSF6の流量の範囲、ならびに、2)
出発石英管が変形しないデボジション温度の範囲内にお
いて、クラッドの屈折率をSi02と同じ1.4班にす
ることができない。なお、以上はSIC14が8比c/
minの場合を述べた。
/mjnの場合である。デポジション温度を16000
0くらし、にすれば、屈折率をSi02と同じ1.45
8程度にすることができる。しかしそのような高温でデ
ポジションすると、上記【1}の場合と同じ問題が生ず
る。結局、P205一F−Si02系ガラスでは、1)
安定に制御できるSF6の流量の範囲、ならびに、2)
出発石英管が変形しないデボジション温度の範囲内にお
いて、クラッドの屈折率をSi02と同じ1.4班にす
ることができない。なお、以上はSIC14が8比c/
minの場合を述べた。
この量を増せば、SF6などの流量も増せる。しかし、
現在のMCVD法では、8比c/minくらいが上限で
、それ以上増しても、未反応で排出される量が急増し、
効率が落ちる。また以上の事情は、SF6以外に、Si
F4,CF4など使用の場合もかわらない。発明の目的 上記の問題を解決し、1.3仏m以上の波長城において
きわめて低損失で、かつ最尺な光フアィバの実現を可能
にする。
現在のMCVD法では、8比c/minくらいが上限で
、それ以上増しても、未反応で排出される量が急増し、
効率が落ちる。また以上の事情は、SF6以外に、Si
F4,CF4など使用の場合もかわらない。発明の目的 上記の問題を解決し、1.3仏m以上の波長城において
きわめて低損失で、かつ最尺な光フアィバの実現を可能
にする。
発明の構成
‘1} 内側から順に、コア、クラッドならびにジャケ
ットからなる光通信用フアィバであること、■ ジャケ
ットがSi02からなり、クラツドの屈折率がジャケッ
トの屈折率に等しいか、あるいはほぼ等しい値であるこ
と、剛 クラツドの組成が、P205−F−Q02−S
i02であること、を特徴とする。
ットからなる光通信用フアィバであること、■ ジャケ
ットがSi02からなり、クラツドの屈折率がジャケッ
トの屈折率に等しいか、あるいはほぼ等しい値であるこ
と、剛 クラツドの組成が、P205−F−Q02−S
i02であること、を特徴とする。
Fの添加のためには、SiF4,CF4,SF6などを
使用する。
使用する。
P205は主にデポジション温度を下げるためのもので
ある。
ある。
Fは屈折率を下げるために添加する。Fで下がり過ぎる
屈折率を、Q02で補償する。これで、1)1400午
0程度のデポジション温度、2)固有の赤外損失を無視
できる軍のP2Q、3)安定に制御できる流量のSF6
など、の条件のもとで、クラツドの屈折率を、Si02
に等しい1.458にすることが容易になる。
屈折率を、Q02で補償する。これで、1)1400午
0程度のデポジション温度、2)固有の赤外損失を無視
できる軍のP2Q、3)安定に制御できる流量のSF6
など、の条件のもとで、クラツドの屈折率を、Si02
に等しい1.458にすることが容易になる。
1.452〜1.490の制御を可能である。
デポジションの温度が低いので、変形が起きない。
太いロッド、すなわち最尺の光フアィバが得られる。ま
た、ドーパントによる固有の吸収損失もない。なお、F
は非常に拡散しやすい。
た、ドーパントによる固有の吸収損失もない。なお、F
は非常に拡散しやすい。
Fを、クラッドにのみ添加し、コアに添加しないと、デ
ポジション中に、Fがクラッドからコアに拡散してゆき
、クラッドとコアの境界の屈折率分布が乱れる。特に単
一モード型フアィバの場合、コアの屈折率分布が丸味を
持つようになると、カットオフ波長の値が、設定値と大
きくずれるようになる。しかし、コアにもFを添加する
と、そのような問題は解消できる。実施例 クラッド、コアの両方とも、P205−F−Q02一S
i02とした例で、製造は、通常のMCVD装置による
。
ポジション中に、Fがクラッドからコアに拡散してゆき
、クラッドとコアの境界の屈折率分布が乱れる。特に単
一モード型フアィバの場合、コアの屈折率分布が丸味を
持つようになると、カットオフ波長の値が、設定値と大
きくずれるようになる。しかし、コアにもFを添加する
と、そのような問題は解消できる。実施例 クラッド、コアの両方とも、P205−F−Q02一S
i02とした例で、製造は、通常のMCVD装置による
。
Fの添加剤にはSF6を使用。出発石英管は、外径2仇
岬、肉厚1.仇舷。クラッドの流量条件は(1分間の値
、以下同じ)、SIC14 8比C POC13 4C SF6 父C CCC14 $C02
100比C デポジション温度は1400こ0十10q0に設定。
岬、肉厚1.仇舷。クラッドの流量条件は(1分間の値
、以下同じ)、SIC14 8比C POC13 4C SF6 父C CCC14 $C02
100比C デポジション温度は1400こ0十10q0に設定。
デポジション回数は100回。コアの流量条件は、
SIC14 8比C
PoC13 父C
CもCI4 1乳C ,S
F6 虻c02 100比C デポジション回数は5回。
F6 虻c02 100比C デポジション回数は5回。
コラツプスして、外径12側のロッドを作り、それに、
外径26肋、肉厚4肌の石英管をジャケツトし最終的に
外径21.5肋、長さ50仇岬のロッドを製作。
外径26肋、肉厚4肌の石英管をジャケツトし最終的に
外径21.5肋、長さ50仇岬のロッドを製作。
それを外径125仏mで紡糸し、長さ約150mhの単
一モード型フアィバを製造した。
一モード型フアィバを製造した。
コアの径は10一m、クラッドの径は45仏m、クラツ
ドの屈折率はSj02と同じく1.458 コアの比屈
折率差は0.2%であった。第4図のAは、その損失波
長特性である。
ドの屈折率はSj02と同じく1.458 コアの比屈
折率差は0.2%であった。第4図のAは、その損失波
長特性である。
同図のBは、従来のSj02クラッドの単一モード型フ
アイバである。AはBに比べて、 1 デポジション温度を約20000低く設定できたの
で、デポジションが完全にでき、構造不完全による損失
増加が小さい。
アイバである。AはBに比べて、 1 デポジション温度を約20000低く設定できたの
で、デポジションが完全にでき、構造不完全による損失
増加が小さい。
2 クラッドの層をコアの径の4.5倍ほどにできたの
で、1.39山m帯のOH基による吸収損失増加が少な
い。
で、1.39山m帯のOH基による吸収損失増加が少な
い。
3 カットオフ波長は「両方とも1.15山mで、変化
はない。
はない。
発明の効果
ジャケットがSi02からなり、クラツドの屈折率がジ
ャケットの屈折率に等しいか、あるいはほぼ等しい値で
あり、かつその組成が、P205−F一Ce02Si0
2であるので、○ー コアを伝搬するパワーのクラッド
内に漏れる割合が少ない。
ャケットの屈折率に等しいか、あるいはほぼ等しい値で
あり、かつその組成が、P205−F一Ce02Si0
2であるので、○ー コアを伝搬するパワーのクラッド
内に漏れる割合が少ない。
【2} 製造するとき低温でデポジションできるので、
途中で出発石英管が変形するというようなことがない。
途中で出発石英管が変形するというようなことがない。
‘3} クラッドの厚みが厚くて、ジャケットの不純物
がコアに到達しにくく、かつ長尺のフアィバが得られる
。【4} B203や多量のP205の添加にもとづく
赤外吸収がないので、1.3仏m以上の波長域において
極めて低損失な光フアィバが得られる。
がコアに到達しにくく、かつ長尺のフアィバが得られる
。【4} B203や多量のP205の添加にもとづく
赤外吸収がないので、1.3仏m以上の波長域において
極めて低損失な光フアィバが得られる。
第1図は光フアィバの断面と屈折率分布の説明図、第2
図はP2Q−F−Si02系ガラスにおけるSF6の流
量と屈折率との関係図、第3図は同じくデポジション温
度と屈折率との関係図、第4図は、本発明品によるフア
ィバAと従来フアィバBの損失波長特性図である。 10……コア、20……クラツド、30……ジヤケツト
。 第1図 第2図 第3図 第4図
図はP2Q−F−Si02系ガラスにおけるSF6の流
量と屈折率との関係図、第3図は同じくデポジション温
度と屈折率との関係図、第4図は、本発明品によるフア
ィバAと従来フアィバBの損失波長特性図である。 10……コア、20……クラツド、30……ジヤケツト
。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 1 内側から順に、コア、クラツドならびにジヤケツト
からなる光通信用フアイバにおいて、 前記ジヤケツト
がSiO_2からなり、前記クラツドの屈折率がジヤケ
ツトの屈折率に等しいか、あるいはほぼ等しい値であり
、かつその組成が、P_2O_5−F−GeO_2−S
iO_2であることを特徴とする光通信用フアイバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55085600A JPS6022658B2 (ja) | 1980-06-24 | 1980-06-24 | 光通信用フアイバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55085600A JPS6022658B2 (ja) | 1980-06-24 | 1980-06-24 | 光通信用フアイバ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5711848A JPS5711848A (en) | 1982-01-21 |
JPS6022658B2 true JPS6022658B2 (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=13863311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55085600A Expired JPS6022658B2 (ja) | 1980-06-24 | 1980-06-24 | 光通信用フアイバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6022658B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH049835Y2 (ja) * | 1985-12-17 | 1992-03-11 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60137828A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-22 | Japan Exlan Co Ltd | コロイド状酸化アンチモンの製造法 |
US4822136A (en) * | 1984-06-15 | 1989-04-18 | Polaroid Corporation | Single mode optical fiber |
JPS61146734A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化ゲルマニウム系光フアイバ |
JPS61222940A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光フアイバ |
KR100334820B1 (ko) | 1999-07-22 | 2002-05-02 | 윤종용 | 분산제어 광섬유 및 그 대구경 모재의 제조 방법 |
AU2003252476A1 (en) * | 2002-07-09 | 2004-01-23 | Fujikura Ltd. | Optical fiber, optical fiber coupler including the same, erbium loaded optical fiber amplifier and light guide |
US7346258B2 (en) | 2002-07-09 | 2008-03-18 | Fujikura Ltd. | Optical fiber and optical fiber coupler, erbium-doped optical fiber amplifier, and optical waveguide using the same |
DE602004010323T2 (de) | 2003-03-27 | 2008-03-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Diantimonpentoxidsol und Verfahren zur Herstellung |
WO2006033283A1 (ja) | 2004-09-21 | 2006-03-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 五酸化アンチモンの製造方法 |
JP6312760B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2018-04-18 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ |
-
1980
- 1980-06-24 JP JP55085600A patent/JPS6022658B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH049835Y2 (ja) * | 1985-12-17 | 1992-03-11 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5711848A (en) | 1982-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4846867A (en) | Method for producing glass preform for optical fiber | |
EP0159046B1 (en) | Method for producing glass preform for single mode optical fiber | |
US5055121A (en) | Method for producing glass preform for optical fiber | |
EP0125828A1 (en) | Optical fiber and process for producing the same | |
CN103513327B (zh) | 一种弯曲不敏感多模光纤的制作方法 | |
KR890001125B1 (ko) | 불소와p2o5를함유하는석영계유리광전송용파이버 | |
JPS6022658B2 (ja) | 光通信用フアイバ | |
JPS59174541A (ja) | 偏波面保存光フアイバ | |
CN202912848U (zh) | 一种制造大尺寸弯曲不敏感光纤预制棒的装置 | |
EP0164103A2 (en) | Method for producing glass preform for optical fiber containing fluorine in cladding | |
JPH07230015A (ja) | 分散シフト型シングルモード光ファイバと分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材と分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法 | |
JP3731243B2 (ja) | シングルモード光ファイバおよびその製造方法 | |
JPS6131324A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
JPH085685B2 (ja) | 分散シフト光ファイバ用母材の製造方法 | |
JPH0820574B2 (ja) | 分散シフトフアイバ及びその製造方法 | |
JPS6150887B2 (ja) | ||
US4804393A (en) | Methods for producing optical fiber preform and optical fiber | |
JPH01160840A (ja) | 分散シフト光フアイバ用母材及びその製造方法 | |
JPS6127721B2 (ja) | ||
JPS6360123A (ja) | シングルモ−ド型光フアイバ用多孔質母材の製造方法 | |
JPH0717395B2 (ja) | 分散シフトフアイバ用母材の製造方法 | |
JPS593944B2 (ja) | 光フアイバの製造方法 | |
JPH0324420B2 (ja) | ||
JPS6144821B2 (ja) | ||
JPH0239457B2 (ja) |