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JPS602245B2 - 立方晶窒化ほう素の製造法 - Google Patents

立方晶窒化ほう素の製造法

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Publication number
JPS602245B2
JPS602245B2 JP56171250A JP17125081A JPS602245B2 JP S602245 B2 JPS602245 B2 JP S602245B2 JP 56171250 A JP56171250 A JP 56171250A JP 17125081 A JP17125081 A JP 17125081A JP S602245 B2 JPS602245 B2 JP S602245B2
Authority
JP
Japan
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boron nitride
pressure
cubic boron
rhombohedral
manufacturing
Prior art date
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Expired
Application number
JP56171250A
Other languages
English (en)
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JPS5874512A (ja
Inventor
忠夫 佐藤
敏彦 石井
信雄 瀬高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
Original Assignee
KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO filed Critical KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
Priority to JP56171250A priority Critical patent/JPS602245B2/ja
Priority to US06/359,100 priority patent/US4443420A/en
Publication of JPS5874512A publication Critical patent/JPS5874512A/ja
Publication of JPS602245B2 publication Critical patent/JPS602245B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/08Application of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/583Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
    • C04B35/5831Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride based on cubic boron nitrides or Wurtzitic boron nitrides, including crystal structure transformation of powder
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/065Composition of the material produced
    • B01J2203/066Boronitrides

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
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  • Ceramic Products (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は菱面体晶窒化ほう素から立方晶窒化ほう素の製
造に関する。
立方晶窒化ほう素はダイヤモンド‘こ匹敵する硬度を持
ち、特に、鉄鋼に対する研削材としての性能は、ダイヤ
モンドをしのぐものである。
従来、高圧型窒化ほう素の製造法においては、出発原料
として六方晶窒化ほう素の粉末、その蟻結体を用いて来
た。
すなわち、六方晶窒化ほう素を静的高圧力あるいは衝撃
波による高圧力に曝し高圧型窒化ほう素に転換する方法
においては、生成物は大部分ウルッ鉱型窒化ほう素であ
り、少量の立方晶室化ほう素が混在するものとなる。ワ
ルツ鉱型窒化ほう素は立方晶窒化ほう素に比べて、暁縞
性が悪く、硬度が低く、努関による鋭い角が出に〈し、
などの欠点があり研削材としての性能が劣る。立方晶窒
化ほう素の収率を上げる方法として、静的高圧力と同時
に200ぴK以上の高温に曝し、または数回繰り返し衝
撃加圧する方法が行われている。
しかし、この方法では高価な装置を用い、煩雑な操作を
必要とするにもかかわらず、立方晶窒化ほう素の収率は
低い欠点がある。
また、触媒の存在下で六方晶窒化ほう素を高温高圧に曝
す方法も行われている。しかし、この方法では、大粒の
立方晶窒化ほう素が得られるが、高温高圧下で長時間反
応条件を維持する必要があるため、高価な設備と技術が
必要である。本発明は前記の欠点のない立方晶窒化ほう
素を高収率で且つ安価に製造し得られる製造法を提供す
るにある。
本発明者は菱面体晶窒化ほう素と立方晶窒化ほう素とは
、結晶構造上の単純な対応関係にあることに着目し、菱
面体晶窒化ほう素を高圧に曝すと容易に立方晶窒化ほう
素に転換し得られることを知見し、この知見に基いて本
発明を完成した。
菱面体晶窒化ほう素は、第1図に示すような三層周期の
積層構造を持つ窒化ほう素で、六方晶窒化ほう素は第2
図に示すような二層周期の積層構造を持つ窒化ほう素で
、立方晶窒化ほう素は<111>方向から見れば菱面体
晶窒化ほう素と同様な三層周期の構造を持つ窒化ほう素
である。(ただし、0はほう素原子、●は窒素原子、−
は単位格子を示す。)菱面体晶窒化ほう素は六角網平面
の層間を圧縮し、さらに第1図に示す‐‐÷方向に構成
原子を移動することによって立方晶窒化ほう素に変わる
。この転換はBN構成原子相互の位置の入換えないこ、
結合距離および結合角のみが変化することによっておこ
るいわゆる無拡散型転換である。このような無拡散型転
換では、二層周期の積層構造を持つ六方晶窒化ほう素は
、同じく二層周期の積層構造を持つゥルッ鉱型窒化ほう
素に転換する。
六方晶窒化ほう素を立方晶窒化ほう素に転換しようとす
れば、二層周期の積層構造をくずし、三層周期の積層構
造に変える過程が必要である。このための方法およびそ
の方法に伴う欠点は前記した通りである。本発明は無拡
散型転換を利用して、菱面体晶窒化ほう素を立方晶窒化
ほう素に転換する方法であり、従来の六方晶窒化ほう素
を原料に用いる場合に比べて単純な操作で、高収率で立
方晶窒化ほう素を製造することができる、製造原価も低
減し得られる特長を有する。
本発明の方法は菱面体晶窒化ほう素に、熱力学的安定圧
力を加えることにより立方晶窒化ほう素を製造する方法
である。
熱力学的安定圧力は、例えば爆薬の爆発によって生ずる
藤轟波で飛行板を飛ばし、試料容器に衝突させ、強い衝
撃波を発生させる。cBNの熱力学安定城は、1解=0
.025の−0.888(ただし、P、Tはそれぞれ、
GPa(ギガパスカル)、(lOPa=10k協r)絶
対温Kで表わされる。cBN−船N間の平衡圧力及び温
度である。従って、各温度において、以下に示す圧力を
通過する曲線によって示される圧力以上で、園相領域(
約3000qo以下)がcBNの熱力学安定城である。
100『C→0.87GPa l00ぴ○→3.17GPa 2000q0→5.730Pa これを図示すると第10図の通りである。
この衝撃波圧を原料に加えると、菱面体晶窒化ほう素は
立方晶窒化ほう素に転移する。この衝撃波圧を加えた後
、試料中に1500qo以上の温度が残留すると、生成
した立方晶窒化ほう素が低圧型窒化ほう素に逆転移する
現象が生じ、立方晶室化ほう素の収率が悪くなる。
従って、衝撃波加圧によって発生した熱を急速に外界に
拡散させ、残留温度を低下させることが好ましい。その
方法としては、菱面体晶筆化ほう素の粉末に金属粉末例
えば鋼粉末を混合分散させて、これを成形したものを原
料とすることによって、この逆転現象を防止し得られる
。衝撃波圧による発熱は、衝撃波の圧力、被衝撃体の組
成、成形体の空孔率に依存する。
衝撃波圧は100〜1500kbarであることが好ま
しい。
100k舷rより低いと立方晶窒化ほう素を生成する圧
力に不足し、1500kbarを超えると過度の昇温が
生じ、収率が低下する。
衝撃加圧法は爆薬の爆発によって生ずる濠藤波で飛行板
を飛ばし試料容器に衝突させるようにする方法が好まし
いが、他の衝撃加圧法でもよい。原料の菱面体晶窒化ほ
う素は常法で製造されたものでよいが、できるだけ純粋
で結晶性のよいものがよく、また粒度は100ミクロン
以下、好ましくは20ミクロン以下、特に好ましくは1
0ミクロン以下のものであることがよい。
粒度が大きいと圧力の伝達および放熱が悪く収率が低下
する。菱面体晶窒化ほう素粉末に放熱を良好にするため
に混合する金属としては放熱が良好なもの、例えば銅粉
、鉄粉等が挙げられるが特に銅が好ましい。その粒度は
200ミクロン以下、好ましくは50ミクロン以下のも
のがよい。その混合割合は金属粉が8の重量%以上であ
ることが好ましい。金属粉の混合割合が少ないと冷却効
果が減じ、生成した立方晶窒化ほう素が逆転移する煩向
が大きくなる。特に好ましい範囲は95重量%以上であ
る。前記混合物の成形物の空孔率は30%以下が好まし
い。これは圧粉体中の空孔を少なくし、温度の上昇を防
ぎ、同時に圧力の伝達を良くするためである。空孔率が
高いと発熱量が大きくなり、生成物が逆転移を起す。衝
撃加圧によって得られた生成物は、硝酸水溶液などによ
り金属を溶解した後、童液分離法などによって立方晶窒
化ほう素を禾転移の峯化ほう素と分離する。
このようにして得たものはX線回折、電子線回折、電子
線マイクロアナライザー等の方法により立方晶窒化ほう
素であることが確認された。本発明の方法によると、従
来法の六方晶窒化ほう素を原料として用いた衝撃加圧法
に比べて、単純な操作で、かつ高収率で立方晶窒化ほう
素を製造し得られ、さらに従釆法の加圧手段をそのまま
活用し得られ、生産コストの面からも好適である効果を
有する。
以下、図面に基づいて本発明の実施例を示す。
第3図、第4図、および第5図は本発明の方法を実施す
るために使用する装置の態様を示すもので、第3図はカ
プセルの縦断面図、第4図はカプセル収納容器の平面図
、第5図は爆薬の爆発により飛行板を飛ばす構成の概略
図である。実施例 1 太さ約1ミクロンのひげ状結晶の集合体であり、第6図
のX線回折図を示す菱面体晶窒化ほう素粉末1重量%に
、粒度約50ミクロンの鋼粉末99重量%の割合で混合
する。
この混合粉体2をステンレスカプセルーに充填し、プレ
ス加圧により圧縮して空孔率20%のものとし、その後
ネジ部3においてねじ締めする。次にカプセルーを鉄製
の収納容器4のカプセル挿入孔5に挿入する。
金属榛6と爆薬7とをはり合せた起爆剤の爆発によって
、金属綾6を飛ばし、爆薬8に衝突させて起爆、飛行板
9を飛ばす。飛行板9は同時に主爆薬10に衝突すると
共に、全面同時に起爆して、平面衝撃波を金属板11に
与え、金属板11を飛ばし、混合粉体2に平面衝突させ
る。これによりステンレスカプセル1中の混合粉体2に
衝撃波を与える。この圧力の計算値は約60皿舷rであ
った。加圧処理後、試料を取り出し、硝酸10%水溶液
中に浸して銅を溶解し沈殿物を採取する。
得られた窒化ほう素の回収率は約8の重量%であった。
沈殿物の主成分は第7図のX線回折図に示すように、X
線回折線の強度からcBNの含有率は90%以上で、少
量の未転換室化ほう素が含まれていたが、ウルツ鉱型B
Nは含まれていなかった。共存物質を童液分離法により
除去し、灰色の高純度の立方晶峯化ほう素が得られた。
実施例 2 酸化ほう素とシアン化カリウムの混合融液を用いて合成
した第8図に示すような菱面体晶窒化ほう素のほかに2
0%の六方晶室化ほう素を含む窒化ほう素の粉末4重量
%に、銅粉9亀重量%の割合で混合して空孔率20%の
成形物とし、以下実施例1と同様にして衝撃加圧して生
成物を得た。
その生成物のcBNの含有率は約8の重量%であった。
生成物は第9図に示すような主成分が立方晶窒化ほう素
で約10%のウルッ鉱型窒化ほう素と未転換の窒化ほう
素を含んでいた。ウルツ鉱型窒化ほう素は原料中に混在
していた六方晶窒化ほう素が加圧により転換したもので
ある。生成物を実施例1と同様にして灰色の高純度の立
方晶窒化ほう素が得られた。
【図面の簡単な説明】
第1図は菱面体晶窒化ほう素の結晶構造、第2図は六方
晶窒化ほう素の結晶構造、第3図、第4図および第5図
は本発明の方法を実施するために使用する装置の態様を
示すもので、第3図はカプセルの縦断面図、第4図はカ
プセル収納容器の平面図、第5図は爆薬の爆発により飛
行板を飛ばす構成の概要図、第6図、第7図、第8図お
よび第9図は実施例に用いた原料および加圧生成物の銅
KQ線によるX線回折図、第10図はcBNの熱力学安
定城図である。 第1図および第2図中における、0:ほう素原子、●:
窒素原子、−−:単位格子、1:カプセル、2:試料、
3:ネジ部、4:カプセル収納容器、5:カプセル挿入
孔、6:金属棒、7:起爆剤、8:爆薬、9:飛行板、
10:主爆薬。 なお、第8図の42.6oと45.がは菱面体晶窒化ほ
う素による、又、41.60と43.90 は六方晶窒
化ほう素によるそれぞれのX線回折線である。一方第9
図の43.3oと50.40は立方晶窒化ほう素による
、又、40.80と42.?はウルツ型鉱窒化ほう素に
よるX線回折線である。紫イ図 粥3図 第4図 第2図 第6図 ※5図 第7図 第9図 第6図 第10図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 菱面体晶窒化ほう素に熱力学的安定圧力を加えて菱
    面体晶窒化ほう素を立方晶窒化ほう素に転換することを
    特徴とする立方晶窒化ほう素の製造法。 2 熱力学的圧力が衝撃波加圧で、その圧力が100k
    bar〜1500kbarである特許請求の範囲第1項
    記載の製造法。 3 衝撃波加圧が爆発により試料容器に飛行板を衝突さ
    せることによる圧である特許請求の範囲第1項または第
    2項記載の製造法。 4 菱面体晶窒化ほう素粉末に金属粉末を混合し、成形
    したものを原料とする特許請求の範囲第1項記載の製造
    法。
JP56171250A 1981-10-26 1981-10-26 立方晶窒化ほう素の製造法 Expired JPS602245B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56171250A JPS602245B2 (ja) 1981-10-26 1981-10-26 立方晶窒化ほう素の製造法
US06/359,100 US4443420A (en) 1981-10-26 1982-03-17 Process for producing cubic system boron nitride

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JP56171250A JPS602245B2 (ja) 1981-10-26 1981-10-26 立方晶窒化ほう素の製造法

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Publication Number Publication Date
JPS5874512A JPS5874512A (ja) 1983-05-06
JPS602245B2 true JPS602245B2 (ja) 1985-01-21

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US4443420A (en) 1984-04-17
JPS5874512A (ja) 1983-05-06

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