JPS60224234A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60224234A JPS60224234A JP59080623A JP8062384A JPS60224234A JP S60224234 A JPS60224234 A JP S60224234A JP 59080623 A JP59080623 A JP 59080623A JP 8062384 A JP8062384 A JP 8062384A JP S60224234 A JPS60224234 A JP S60224234A
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- JP
- Japan
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- resin
- tablet
- sealing
- voids
- semiconductor device
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、エポキシ樹脂封止型半導体装置の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
近年、半導体装置の製造において低コスト化と生産性向
上をはかるため、基板上にダイボンディングされた半導
体素子、リードフレームなどがボンディングされてなる
半導体素子組立構体を封止するのに、エポキシ樹脂を用
いた樹脂封止が行われるようになってきている。この樹
脂封止の方法には注型方式、圧縮成形、射出成形、トラ
ンスファーモールド方式などがあるが、これらの中でも
量産性と作業性にすぐれたトランスファーモールド方式
が多用されている。
上をはかるため、基板上にダイボンディングされた半導
体素子、リードフレームなどがボンディングされてなる
半導体素子組立構体を封止するのに、エポキシ樹脂を用
いた樹脂封止が行われるようになってきている。この樹
脂封止の方法には注型方式、圧縮成形、射出成形、トラ
ンスファーモールド方式などがあるが、これらの中でも
量産性と作業性にすぐれたトランスファーモールド方式
が多用されている。
しかし、このトランスファーモールド方式によりエポキ
シ樹脂封止された半導体装置では、封止樹脂にしばしば
内部気泡（以下、ボイドという）やフクレがみられ、こ
れらボイドやフクレが原因となって半導体装置の耐湿性
が低下したり外観不良が生じる場合があるという問題が
ある。
シ樹脂封止された半導体装置では、封止樹脂にしばしば
内部気泡（以下、ボイドという）やフクレがみられ、こ
れらボイドやフクレが原因となって半導体装置の耐湿性
が低下したり外観不良が生じる場合があるという問題が
ある。
そこで、この発明者らは、トランスファーモールド方式
によりエポキシ樹脂封止された半導体装置における封止
樹脂にボイドやフクレが発生するのを防止することを目
的として検討した結果、この発明をなすに至った。
によりエポキシ樹脂封止された半導体装置における封止
樹脂にボイドやフクレが発生するのを防止することを目
的として検討した結果、この発明をなすに至った。
すなわち、この発明は、半導体素子組立構体をトランス
ファーモールド方式でエポキシ樹脂封止して半導体装置
を製造するにあたり、上記の樹脂封止に用いる樹脂タブ
レットの比重をこのタブレットの成形材料の真比重の８
６％以上きなるように設定したことを特徴とする半導体
装置の製造方法に係るものである。
ファーモールド方式でエポキシ樹脂封止して半導体装置
を製造するにあたり、上記の樹脂封止に用いる樹脂タブ
レットの比重をこのタブレットの成形材料の真比重の８
６％以上きなるように設定したことを特徴とする半導体
装置の製造方法に係るものである。
なお、上記の成形材料の真比重とは、この成形材料の一
定量（重量）を加熱し溶融させたのち、完全硬化させ、
この硬化物の体積を測定し、上記の重量をこの体積で除
してめられるものである。
定量（重量）を加熱し溶融させたのち、完全硬化させ、
この硬化物の体積を測定し、上記の重量をこの体積で除
してめられるものである。
この発明の方法によれば、封止樹脂にボイドやフクレの
ほとんどないエポキシ樹脂封止型半導体装置を得ること
ができ、この半導体装置は封止樹脂におけるボイドやフ
クレに起因した耐水性の低下が起こらないため信頼性の
向上したものとなり、外観も良好である。
ほとんどないエポキシ樹脂封止型半導体装置を得ること
ができ、この半導体装置は封止樹脂におけるボイドやフ
クレに起因した耐水性の低下が起こらないため信頼性の
向上したものとなり、外観も良好である。
この発明の方法により上記の効果が得られるのは、樹脂
封止に用いる樹脂タブレットの比重をこのタブレットの
真比重の８６％以上となるように設定した、つまり樹脂
タブレットの充填度を８６％以上となるように設定した
ことにより、タブレット中に含まれる空気の量をボイド
やフクレの原因とならない程度まで減少させることがで
きたためと考えられる。
封止に用いる樹脂タブレットの比重をこのタブレットの
真比重の８６％以上となるように設定した、つまり樹脂
タブレットの充填度を８６％以上となるように設定した
ことにより、タブレット中に含まれる空気の量をボイド
やフクレの原因とならない程度まで減少させることがで
きたためと考えられる。
この発明において使用する樹脂タブレット成形用の材料
は、従来公知のものがいずれも使用可能であり、一般に
エポキシ樹脂とその硬化剤を必須成分としこれに離型剤
、充てん剤などの各種添加剤を配合して通常５Ｂフリ一
パス程度の粉末としたものである。
は、従来公知のものがいずれも使用可能であり、一般に
エポキシ樹脂とその硬化剤を必須成分としこれに離型剤
、充てん剤などの各種添加剤を配合して通常５Ｂフリ一
パス程度の粉末としたものである。
上記エポキシ樹脂としては、クレゾール／ボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂
などが用いられ、硬化剤としてはフェノール樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、芳香族アミン類、酸無水物など
が好ましく用いられる。各種添加剤の合計量は成形材料
全体の３０〜８５重量％の範囲とされているのがよい。
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂
などが用いられ、硬化剤としてはフェノール樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、芳香族アミン類、酸無水物など
が好ましく用いられる。各種添加剤の合計量は成形材料
全体の３０〜８５重量％の範囲とされているのがよい。
上記成形材料を用いて樹脂タブレットを成形する方法は
特に規定されず、一般の加圧成形法をそのまま採用でき
る。しかし、このときの成形条件としては、得られる樹
脂タブレットの充填度が前記の如くなるように、材料の
組成や粉末粒度などに応じて適宜設定しなければならな
い。たとえば成形圧としては従来のそれよりも高目とさ
れ、通常９００〜２，０００Ｋｇ／ｍ程度の範囲を選ぶ
のがよい。
特に規定されず、一般の加圧成形法をそのまま採用でき
る。しかし、このときの成形条件としては、得られる樹
脂タブレットの充填度が前記の如くなるように、材料の
組成や粉末粒度などに応じて適宜設定しなければならな
い。たとえば成形圧としては従来のそれよりも高目とさ
れ、通常９００〜２，０００Ｋｇ／ｍ程度の範囲を選ぶ
のがよい。
このようにして成形される樹脂タブレットの形状は円柱
状、角柱状など各種形状であってよく、またその大きさ
も特に規定されず、トランスファーモールド方式で樹脂
封止する際に用いる成形機の種類に応じて決定すればよ
い。一般的な大きさとしては５〜１００Ｈ程度の範囲と
される。
状、角柱状など各種形状であってよく、またその大きさ
も特に規定されず、トランスファーモールド方式で樹脂
封止する際に用いる成形機の種類に応じて決定すればよ
い。一般的な大きさとしては５〜１００Ｈ程度の範囲と
される。
なお、樹脂タブレットの充填度が８６％未満では、得ら
れる半導体装置の封止樹脂にボイド、フクレが発生して
半導体装置の耐湿性を低下させたり外観不良が発生する
場合があるので不適当である。なお、従来エポキシ樹脂
封止に用いられていた樹脂タブレットの充填度は通常７
５〜８３％であり、このように充填度が低いため封止樹
脂にボイドやフクレが発生していたと考えられる。
れる半導体装置の封止樹脂にボイド、フクレが発生して
半導体装置の耐湿性を低下させたり外観不良が発生する
場合があるので不適当である。なお、従来エポキシ樹脂
封止に用いられていた樹脂タブレットの充填度は通常７
５〜８３％であり、このように充填度が低いため封止樹
脂にボイドやフクレが発生していたと考えられる。
上記の樹脂タブレットを用いて半導体素子組立構体をト
ランスファーモールド方式でエポキシ樹脂封止すること
により、この発明に係る半導体装置が製造される。
ランスファーモールド方式でエポキシ樹脂封止すること
により、この発明に係る半導体装置が製造される。
上記の半導体素子組立構体としてはトランジスター、ダ
イオード、ＩＣ，ＬＳＩなどがあり、樹脂封止に用いる
成形機としては、一般にトランスファーモールド方式に
用いられるものが使用できる。なお、この成形機として
はマルチプランジャ一方式のものも含まれる。樹脂封止
の成形条件としては、成形機に応じて一般に行われてい
る成形条件でよい。
イオード、ＩＣ，ＬＳＩなどがあり、樹脂封止に用いる
成形機としては、一般にトランスファーモールド方式に
用いられるものが使用できる。なお、この成形機として
はマルチプランジャ一方式のものも含まれる。樹脂封止
の成形条件としては、成形機に応じて一般に行われてい
る成形条件でよい。
以下にこの発明の実施例を記載する。なお、以下におい
て部とあるのは重量部を示す。
て部とあるのは重量部を示す。
実施例１〜３
半導体封止用エポキシ成形材料（真比重；１８、粒度；
４ｍｍフリーパス、組成；クレゾールノボラックエポキ
シ樹脂１５部、フェノールノボラック樹脂９部、溶融シ
リカ粉６９部、２−フェニルイミダゾール０．０２部、
カーボンブラック０，２部、ブロム化エポキシ樹脂４部
、シランカップリング剤０．５８部、カルナバワックス
０２部および三酸化アンチモン２部）６５ｆ！を用い、
第１表に示す成お形条件で同表に示す充填度の直径４
Ｃ）ｍｍ、高さ３０ｍｍの円柱形の樹脂タブレットを作
製した。
４ｍｍフリーパス、組成；クレゾールノボラックエポキ
シ樹脂１５部、フェノールノボラック樹脂９部、溶融シ
リカ粉６９部、２−フェニルイミダゾール０．０２部、
カーボンブラック０，２部、ブロム化エポキシ樹脂４部
、シランカップリング剤０．５８部、カルナバワックス
０２部および三酸化アンチモン２部）６５ｆ！を用い、
第１表に示す成お形条件で同表に示す充填度の直径４
Ｃ）ｍｍ、高さ３０ｍｍの円柱形の樹脂タブレットを作
製した。
次にこの樹脂タブレットを高周波プリヒーターで８５°
Ｃに予熱してトランスファー成形機のポットに投入後、
２００個取りのＴＯ−９２型トランジスターをエポキシ
樹脂封止した。成形条件はトランスファー圧力フ０に９
／πｄ１金型温度１７５℃、成形時間２分で行った。こ
の成形後、成形品を１７５°Ｃで５時間ポストキュアー
して半導体装置を得た。
Ｃに予熱してトランスファー成形機のポットに投入後、
２００個取りのＴＯ−９２型トランジスターをエポキシ
樹脂封止した。成形条件はトランスファー圧力フ０に９
／πｄ１金型温度１７５℃、成形時間２分で行った。こ
の成形後、成形品を１７５°Ｃで５時間ポストキュアー
して半導体装置を得た。
実施例４〜６
半導体封止用エポキシ成形材料（真比重；２１、粒度；
３ ｔｎｍフリーハス、組成；フェノールノボラック
エポキシ樹脂１２部、フェノールノボラック樹脂９部、
結晶性シリカ粉７３部、２−メチルイミダゾール０．０
２部、カーボンブラック０２部、ブロム化エポキシ樹脂
３部、シランカップリング剤０．５８部、ステアリン酸
０．２部および三酸化アンチモン２部）６５ｙを用い、
第２表に示す成形条件で同表に示す充填度の直径４０闘
、高さ２６ｍｍの円柱形の樹脂タブレットを作製した。
３ ｔｎｍフリーハス、組成；フェノールノボラック
エポキシ樹脂１２部、フェノールノボラック樹脂９部、
結晶性シリカ粉７３部、２−メチルイミダゾール０．０
２部、カーボンブラック０２部、ブロム化エポキシ樹脂
３部、シランカップリング剤０．５８部、ステアリン酸
０．２部および三酸化アンチモン２部）６５ｙを用い、
第２表に示す成形条件で同表に示す充填度の直径４０闘
、高さ２６ｍｍの円柱形の樹脂タブレットを作製した。
この樹脂タブレットを用いて実施例１〜３と同様にして
半導体装置を得た。
半導体装置を得た。
比較例１，２
樹脂タブレットの成形条件を第１表に示す成形条件で同
表に示す充填度となるようにした以外は実施例１〜３と
同様にして半導体装置を得た。
表に示す充填度となるようにした以外は実施例１〜３と
同様にして半導体装置を得た。
比較例３，４
樹脂タブレットの成形条件を第２表に示す成形条件で同
表に示す充填度となるようにした以外は実施例４〜６と
同様にして半導体装置を得た。
表に示す充填度となるようにした以外は実施例４〜６と
同様にして半導体装置を得た。
上記の実施例および比較例で得られた半導体装置につい
て次のような試験を行った。
て次のような試験を行った。
〈外 観〉目視により封止樹脂表面にボイドやフクレの
認められないものを０１認められたものを×とした。
認められないものを０１認められたものを×とした。
〈ボイド、フクレの量〉軟Ｘ線により封止樹脂全体にし
めるボイド、フクレの体積％をめた。
めるボイド、フクレの体積％をめた。
〈耐湿性〉１４３℃、４気圧、１００％Ｒ１Ｈで所定時
間放置してプレッシャークツカーテストを行い半導体装
置１００個につき発生したオープン不良品の個数で示し
た。
間放置してプレッシャークツカーテストを行い半導体装
置１００個につき発生したオープン不良品の個数で示し
た。
上記の試験結果を第１表および第２表に示した。
なお、充填度（へ）は、各タブレットの比重と成形材料
の真比重とを測定して算出したものであり、上記タブレ
ットの比重は（タブレット重量）／（タブレット体積）
により、また上記成形材料の真比重はＪＩＳＫ６９１１
により測定した。
の真比重とを測定して算出したものであり、上記タブレ
ットの比重は（タブレット重量）／（タブレット体積）
により、また上記成形材料の真比重はＪＩＳＫ６９１１
により測定した。
第 １ 表
第 ２ 表
上記の結果から明らかなように、この発明の半導体装置
の製造方法によると封止樹脂にボイドやフクレがほとん
ど発生しないため、耐湿性が良好で信頼性にすぐれると
ともに外観の良好な半導体装置を得ることができる。
の製造方法によると封止樹脂にボイドやフクレがほとん
ど発生しないため、耐湿性が良好で信頼性にすぐれると
ともに外観の良好な半導体装置を得ることができる。
特許出願人 日東電気工業株式会社
Claims (1)
- （１）半導体素子組立構体をトランスファーモールド方
式でエポキシ樹脂封止して半導体装置を製造するにあた
り、上記の樹脂封止に用いる樹脂タブレットの比重をこ
のタブレットの成形材料の真比重の８６％以上となるよ
うに設定したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080623A JPS60224234A (ja) | 1984-04-21 | 1984-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080623A JPS60224234A (ja) | 1984-04-21 | 1984-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224234A true JPS60224234A (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=13723476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59080623A Pending JPS60224234A (ja) | 1984-04-21 | 1984-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224234A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6317924A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 磁気ヘツド用エポキシ樹脂組成物 |
| US4741787A (en) * | 1985-08-28 | 1988-05-03 | Seiei Kohsan Co., Ltd. | Method and apparatus for packaging semiconductor device and the like |
| JP2020100824A (ja) * | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて密封された半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597009A (ja) * | 1982-07-03 | 1984-01-14 | Toshiba Corp | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
| JPS597008A (ja) * | 1982-07-03 | 1984-01-14 | Toshiba Corp | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
-
1984
- 1984-04-21 JP JP59080623A patent/JPS60224234A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS597009A (ja) * | 1982-07-03 | 1984-01-14 | Toshiba Corp | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
| JPS597008A (ja) * | 1982-07-03 | 1984-01-14 | Toshiba Corp | 高密度タブレツトおよびそれを使用した半導体樹脂封止方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4741787A (en) * | 1985-08-28 | 1988-05-03 | Seiei Kohsan Co., Ltd. | Method and apparatus for packaging semiconductor device and the like |
| JPS6317924A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 磁気ヘツド用エポキシ樹脂組成物 |
| JP2020100824A (ja) * | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて密封された半導体装置 |
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