JPS60201244A - 湿度センサ - Google Patents
湿度センサInfo
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- JPS60201244A JPS60201244A JP5804884A JP5804884A JPS60201244A JP S60201244 A JPS60201244 A JP S60201244A JP 5804884 A JP5804884 A JP 5804884A JP 5804884 A JP5804884 A JP 5804884A JP S60201244 A JPS60201244 A JP S60201244A
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- moisture
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- polymer
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は湿度センナに関し、詳しくは、特定の高分子膜
の水分の吸収・放出に伴う電気抵抗変化から雰囲気の相
対湿度が測定できるようにした湿度セ／すに関する。
の水分の吸収・放出に伴う電気抵抗変化から雰囲気の相
対湿度が測定できるようにした湿度セ／すに関する。
従来技術
湿度は日常生活の重要なａ４１ラメ−ターであるばかり
でなく１食料品の貯蔵等と極めて密接な関係にある。ま
た、電子機器や電子部品の普及は拡大の一途であるが、
これとても装置の湿度環境は十分配慮されねばならない
ことである。
でなく１食料品の貯蔵等と極めて密接な関係にある。ま
た、電子機器や電子部品の普及は拡大の一途であるが、
これとても装置の湿度環境は十分配慮されねばならない
ことである。
ところで以前から、乾湿球湿度計、毛湿計、繊維湿度計
などの湿度計が身近に使用されてきた。だが、近時は湿
度制御に対する要求が一段と高まっていることから、今
では各棟の湿度センナが発我されている。
などの湿度計が身近に使用されてきた。だが、近時は湿
度制御に対する要求が一段と高まっていることから、今
では各棟の湿度センナが発我されている。
例えば、（１）塩化リチウム、五酸化リン、メタリン酸
カリなどの電解質を用〜・た電解質湿度センナ、叩高分
子電解質の吸湿性や高分子＊１体の容量変化を利用した
又は高分子膜の電気抵抗変化を利用した有機物湿度セ／
す、ＧｉＤ Ｓ・、Ｇ・。
カリなどの電解質を用〜・た電解質湿度センナ、叩高分
子電解質の吸湿性や高分子＊１体の容量変化を利用した
又は高分子膜の電気抵抗変化を利用した有機物湿度セ／
す、ＧｉＤ Ｓ・、Ｇ・。
８１などの金属半導体やＡＪ＊Ｏｓ ａ ＦｉｌｓＯａ
＃ ＣｒｔＯｓ ＊Ｎｌ＠ＯＨ，ＺｎＯなとの金属酸
化物の膜を利用した金属膜湿度センナ、曝Ｖ）Ｆ・、０
．・に、Ｏ系、Ｃｒ宜０１系又はＭｇＣｒ１０４系セラ
ミツクを用いたセラミック湿度センナ、などである。
＃ ＣｒｔＯｓ ＊Ｎｌ＠ＯＨ，ＺｎＯなとの金属酸
化物の膜を利用した金属膜湿度センナ、曝Ｖ）Ｆ・、０
．・に、Ｏ系、Ｃｒ宜０１系又はＭｇＣｒ１０４系セラ
ミツクを用いたセラミック湿度センナ、などである。
しかしながら、これら湿度センサのうち電気抵抗変化式
のものは、直流電源による作動が可能である有利性があ
るが、低湿時における電気抵抗がＩＭΩ以上（２５℃）
と高抵抗であり、相対湿度３０％以下（２５℃）の低湿
では信頼性か低く、低湿で１０℃以下の低温においての
測定は困難であり、更に、温度変化に対する電気抵抗変
化のｒＩｖｆ性はよいとはいえない。また、電気容量変
化式のものは交流電源を用いねばならず小型化しにくい
欠点がある。
のものは、直流電源による作動が可能である有利性があ
るが、低湿時における電気抵抗がＩＭΩ以上（２５℃）
と高抵抗であり、相対湿度３０％以下（２５℃）の低湿
では信頼性か低く、低湿で１０℃以下の低温においての
測定は困難であり、更に、温度変化に対する電気抵抗変
化のｒＩｖｆ性はよいとはいえない。また、電気容量変
化式のものは交流電源を用いねばならず小型化しにくい
欠点がある。
目 的
本発明は直流電源で作動でき、かつ、低湿・低温時にお
いても信頼性が高い湿度センサを提供するものである。
いても信頼性が高い湿度センサを提供するものである。
また、本発明は構造が簡単で比較的容易に製造し５る高
感度湿度セ／すを提供するものである。
感度湿度セ／すを提供するものである。
構成
本発明の湿度センサ（湿度電気変換素子）は、線状共役
連鎖を有する系の高分子層が２つの電極で担持されてい
ることを特徴としている。
連鎖を有する系の高分子層が２つの電極で担持されてい
ることを特徴としている。
ちなみに、本発明者らは線状共役連鎖を有する系の高分
子膜の電気抵抗が湿度に対して鋭敏であるを見いだした
のであって、本発明はそうした知見に基づいて完成され
たものである。
子膜の電気抵抗が湿度に対して鋭敏であるを見いだした
のであって、本発明はそうした知見に基づいて完成され
たものである。
以下に本発明を添付の図面によりながら更に詳細に説明
する。第１図は本発明に係る湿度センナの主要部の概略
を示し℃おり、線状共役連鎖を有する系の高分子−以降
単に「共役系高分子」と称することがある一〇層（高分
子層ｌ）は電極２，３間で担持されている。電極２，３
にはリード線４，５が接続されている。
する。第１図は本発明に係る湿度センナの主要部の概略
を示し℃おり、線状共役連鎖を有する系の高分子−以降
単に「共役系高分子」と称することがある一〇層（高分
子層ｌ）は電極２，３間で担持されている。電極２，３
にはリード線４，５が接続されている。
高分子層１を構成する「共役系高分子」には、ポリチオ
フエ／、゛ポリフラン、ポリアセチレン、置換ポリアセ
チレン、ポリチェニレン、ポリピロール、ポリパラフェ
ニレン、ポリスエニン／サルファイド、ポリチアジルの
ようなポリエ／、ポリイ／、ポリチアジルｙあるいはポ
リフェニレンなどが例示できる。また、特開昭５７−３
６１０６号や特開昭５７−１０５４０３号の公報に記載
されているアリールアセチレンポリマーなどは溶解が可
能であるため混合系で用いられてもかまわないし、特開
昭５７−５３５０９号、特開昭５７−６１００８号、特
開昭５７−１７４３４０号などの公報に記載されている
イガ状ポリアセチレンは分散系での混合としても本発明
の高分子層として使用可能である。これら多くのポリマ
ーのうち最も望ましいのはポリフランである。
フエ／、゛ポリフラン、ポリアセチレン、置換ポリアセ
チレン、ポリチェニレン、ポリピロール、ポリパラフェ
ニレン、ポリスエニン／サルファイド、ポリチアジルの
ようなポリエ／、ポリイ／、ポリチアジルｙあるいはポ
リフェニレンなどが例示できる。また、特開昭５７−３
６１０６号や特開昭５７−１０５４０３号の公報に記載
されているアリールアセチレンポリマーなどは溶解が可
能であるため混合系で用いられてもかまわないし、特開
昭５７−５３５０９号、特開昭５７−６１００８号、特
開昭５７−１７４３４０号などの公報に記載されている
イガ状ポリアセチレンは分散系での混合としても本発明
の高分子層として使用可能である。これら多くのポリマ
ーのうち最も望ましいのはポリフランである。
これら共役系高分子は、前述のとおり、その電気抵抗が
湿度に対して鋭敏である。しかし、これら共役系高分子
−にＣｌ０−、 、 ＢＦ’４ ＊ ＰＦａ ＊ Ａａ
Ｆ。
湿度に対して鋭敏である。しかし、これら共役系高分子
−にＣｌ０−、 、 ＢＦ’４ ＊ ＰＦａ ＊ Ａａ
Ｆ。
Ｉ−、Ｂｒ’″、 Ｃ１−などのルイス酸がドーピング
されると湿度に対する感度が一段と高くなるのが認めら
れた。この場合、湿度に対する感度はポリマーとドーパ
ントとの組み合わせによって異なり、また、どのような
重合方法が採られるかによっても異なってくることがあ
る。
されると湿度に対する感度が一段と高くなるのが認めら
れた。この場合、湿度に対する感度はポリマーとドーパ
ントとの組み合わせによって異なり、また、どのような
重合方法が採られるかによっても異なってくることがあ
る。
共役系高分子としてポリフラン、ドーパントとしてＣＯ
Ｏ：を選択しこれらを組み合わせたものは、中でも、湿
度に対して高感度である。
Ｏ：を選択しこれらを組み合わせたものは、中でも、湿
度に対して高感度である。
前記の重合方法（共役系高分子の合成方法）には化学的
方法、電気化学的方法があげられるが、後者の電気化学
的方法（電解重合法）によればドーパントがドープされ
た状態で得られるとい５利点がある。
方法、電気化学的方法があげられるが、後者の電気化学
的方法（電解重合法）によればドーパントがドープされ
た状態で得られるとい５利点がある。
Ｉす７ランにおいては、ドープＲｙ ）の有無に間係な
く、電気化学的重合方法で得られたものが湿度に対する
感度が高いが、電解液としてφ−ＣＮ 、 ＭｅＣＮな
どを、電解質トシてＡｇｃＪｏ、 ｔＴＢＡ−ＣＪＯ，
、ＴＢＡ−ＢＦ、 、 ＬｉＢＦ４． Ｌｉ（ＪＯ，な
どを用いてドーパントを含有させるのが望ましい。
く、電気化学的重合方法で得られたものが湿度に対する
感度が高いが、電解液としてφ−ＣＮ 、 ＭｅＣＮな
どを、電解質トシてＡｇｃＪｏ、 ｔＴＢＡ−ＣＪＯ，
、ＴＢＡ−ＢＦ、 、 ＬｉＢＦ４． Ｌｉ（ＪＯ，な
どを用いてドーパントを含有させるのが望ましい。
高分子層（ドーパントが含有されている層を含む）ｌの
厚さは１〜５０μ、好ましくは３〜２０μくらいである
。１μより薄いと十分な導電性を示さないため低湿にお
ける測定が困難となり、逆に、５０μより厚いと湿度に
対する感度かにぶ＜＜ｒが小さくなる）なってしまう。
厚さは１〜５０μ、好ましくは３〜２０μくらいである
。１μより薄いと十分な導電性を示さないため低湿にお
ける測定が困難となり、逆に、５０μより厚いと湿度に
対する感度かにぶ＜＜ｒが小さくなる）なってしまう。
電極２．３を構成する金属としては金、銀。
白金、アルミニウム、ニッケル、銅などの金属、酸化イ
ンジウム、酸化スズなどの半導体電極が用イられるが、
オーミック接触をとるために金、白金、アルミニウムな
どが適している。電極をガラス類、フィルム類等の支持
体上に導Ｘ膜として設けたもので形成してもかまわない
。
ンジウム、酸化スズなどの半導体電極が用イられるが、
オーミック接触をとるために金、白金、アルミニウムな
どが適している。電極をガラス類、フィルム類等の支持
体上に導Ｘ膜として設けたもので形成してもかまわない
。
前記高分子層即ち共役系を有する有機重合体層、とりわ
けドーピングされたフラン重合体の′−電気抵抗湿度に
より大幅に変化するため、電極２，３に一定の直流電圧
を印加すれば、電気抵抗変化は電流値変化として測定さ
れる。
けドーピングされたフラン重合体の′−電気抵抗湿度に
より大幅に変化するため、電極２，３に一定の直流電圧
を印加すれば、電気抵抗変化は電流値変化として測定さ
れる。
もつとも、こうした特定重合体（殊にドーパント含有の
特定重合体）の電気抵抗が湿度によりなぜ大幅に変化す
るかについての理由は明らかでないが、いずれにしても
共役系の延びやドーパントの種類が湿度に対する感度に
大きく影替していることから亀子伝導、イオン伝導の両
者が何等のかたちで関係しているものと思われる。
特定重合体）の電気抵抗が湿度によりなぜ大幅に変化す
るかについての理由は明らかでないが、いずれにしても
共役系の延びやドーパントの種類が湿度に対する感度に
大きく影替していることから亀子伝導、イオン伝導の両
者が何等のかたちで関係しているものと思われる。
ｊ実、共役系を有する有機重合体を用いた本発明湿度セ
／すは、湿度に対して高感度である。
／すは、湿度に対して高感度である。
例えば、ｉＪ記（１１）のアセテートセルロースのよう
な重合体を感湿材料に使用した有機物湿度センサのほと
んどは、３０〜９０１ＲＨ（２５℃）の湿度変化に対し
ｘＯＭＯからＩＯＫΩまでの電気抵抗変化が認められ、
ｌｏｇ Ｉ）−％ＲＨＣ抵抗値（ル楡）−の対数ｌｏｇ
ρ対湿度（チＲＨ））のプロットにおけるｒ（Δｌｏｇ
ρ／ｆｙＲＨ）はα０６７である。ところが、ＣＩＯ：
をドープしたポリフランは、ｒが０．０８０で湿度に対
して高感度で、１０ Ｔｏｒｒ、のの高真空下即ち湿度
０％ＲＩ（でも１００ＭＩｉ”２と測定可能であり、ま
た６０℃、８０％ＲＨの条件下でもＩｓ／ｃ＠と金属に
近い高い電気伝導度を示すのが確められている。
な重合体を感湿材料に使用した有機物湿度センサのほと
んどは、３０〜９０１ＲＨ（２５℃）の湿度変化に対し
ｘＯＭＯからＩＯＫΩまでの電気抵抗変化が認められ、
ｌｏｇ Ｉ）−％ＲＨＣ抵抗値（ル楡）−の対数ｌｏｇ
ρ対湿度（チＲＨ））のプロットにおけるｒ（Δｌｏｇ
ρ／ｆｙＲＨ）はα０６７である。ところが、ＣＩＯ：
をドープしたポリフランは、ｒが０．０８０で湿度に対
して高感度で、１０ Ｔｏｒｒ、のの高真空下即ち湿度
０％ＲＩ（でも１００ＭＩｉ”２と測定可能であり、ま
た６０℃、８０％ＲＨの条件下でもＩｓ／ｃ＠と金属に
近い高い電気伝導度を示すのが確められている。
なお、前記叩の従来の有機物温度センサは、電気抵抗変
化式のものもあるが、その多くは高分子膜の水分の吸収
拳放出に伴う誘電率変化をコンデンサの容量値変化とし
て測定し、そこから雰囲気の相対湿度をめようとするも
のである。これに対して本発−の湿度センサは、既述の
ように、水分の吸収・放出を電気抵抗変化として測定し
答囲気の相対湿度をめるために、特定の高分子膜を採用
しているのである。高分子膜が採用されるといっても、
両者は湿度検出の手段を相違させ【いるか、又は、１％
性に格段の差違が認められる。
化式のものもあるが、その多くは高分子膜の水分の吸収
拳放出に伴う誘電率変化をコンデンサの容量値変化とし
て測定し、そこから雰囲気の相対湿度をめようとするも
のである。これに対して本発−の湿度センサは、既述の
ように、水分の吸収・放出を電気抵抗変化として測定し
答囲気の相対湿度をめるために、特定の高分子膜を採用
しているのである。高分子膜が採用されるといっても、
両者は湿度検出の手段を相違させ【いるか、又は、１％
性に格段の差違が認められる。
本発明センサの試作例の一つの概略を第２（ａ）因に示
した。従来の有機物湿度セ／す１、第２（ｂ）図に示し
たように、りＶ型電極を用−する場合が多いが、これは
静電容量を大きくするため又は電気伝導性をよくするた
めである。しかるに、本発明ではりＳ／Ｗ’を極が用い
られてもよいが、第２（ａ）図のごとく、特別の工大か
凝される一必璧はない。第２図で、６は絶縁基板である
。
した。従来の有機物湿度セ／す１、第２（ｂ）図に示し
たように、りＶ型電極を用−する場合が多いが、これは
静電容量を大きくするため又は電気伝導性をよくするた
めである。しかるに、本発明ではりＳ／Ｗ’を極が用い
られてもよいが、第２（ａ）図のごとく、特別の工大か
凝される一必璧はない。第２図で、６は絶縁基板である
。
次に、実施例及び比較例を示す。
実施例１
第３図に示したように、ネサガラス７をプラス極につな
ぎ、Ｎｉ線８をマイナス極につな〜・だ状態で電解重合
法（電気化学的重合法）により、ネサガラス表面＆’２
：Ｃノ０４ ＬドーノＩ！ン））を含有した厚さ約１２
μ、面積１ｄの大きさのポリフラン膜（高分子層）ｌを
形成せしめた。電解重合条件は、電解液＊ ＭｅＣＮ
ｓ電解質： ＬｉＣノＱ４（０，５モル）、モノマー：
フラｙ （０，１モル）、通電′！ｊＬ： １ｍＡ／ａ
ｄ （２０分）とした。
ぎ、Ｎｉ線８をマイナス極につな〜・だ状態で電解重合
法（電気化学的重合法）により、ネサガラス表面＆’２
：Ｃノ０４ ＬドーノＩ！ン））を含有した厚さ約１２
μ、面積１ｄの大きさのポリフラン膜（高分子層）ｌを
形成せしめた。電解重合条件は、電解液＊ ＭｅＣＮ
ｓ電解質： ＬｉＣノＱ４（０，５モル）、モノマー：
フラｙ （０，１モル）、通電′！ｊＬ： １ｍＡ／ａ
ｄ （２０分）とした。
続いて、このポリ７ツ／膜の上に第１図に示したように
電極として厚さ約１μの金を蒸着して湿度センサ（本発
明品ｌ）を作製した。
電極として厚さ約１μの金を蒸着して湿度センサ（本発
明品ｌ）を作製した。
この湿度センサは最大使用電圧ＤＣ１２Ｖ、最大使用電
流０．１ｍＡの高感度なものであった。
流０．１ｍＡの高感度なものであった。
実施例２
電解重合条件のうち、電解質なＴＢＡ−ＢＦ４（１モル
）に代えた以外は実施例１とまったく同様にして湿度セ
／す（本発明品２）を作製した。
）に代えた以外は実施例１とまったく同様にして湿度セ
／す（本発明品２）を作製した。
なお、この湿度センサにおけるドーノ臂／トを含有した
ポリフラン族の厚さは約８μ、面ｋｌｃｄとした。
ポリフラン族の厚さは約８μ、面ｋｌｃｄとした。
この湿度セ／すの感度は本発明品ｌと同様良好であった
。
。
実施例３
七ツマ−としてフランの代りにビロールを用いた以外は
実施例１とまったく同様にして湿度セ／すを作製した。
実施例１とまったく同様にして湿度セ／すを作製した。
この湿度センサは、本発明品ｌと同じように湿度に対し
高感度を示すものであった。
高感度を示すものであった。
これらの湿度センナ（但し、実施例３のものを除く）を
市販のＨＰＲｍ高分子湿度センナ（比較品ｌ）、セラミ
ック湿度センナ（比較品２）とともに比較した。結果は
第４図に表わされたとおりであった。第４図において、
１１は本発明品ｌを１０℃の温度条件下で用いた場合、
１１’は本発明品ｌを６０℃の温度条件下で用いた場合
、１２は本発明品２を１０℃の温度条件で用いた場合を
示している。また、１３は比較品１（ＨＰＲｆｆｉ高分
子湿度センサ）、１４は比較品２（セラミック湿度セン
ナ）で、これらはいずれも２５℃の温度条件下で用いて
いる。
市販のＨＰＲｍ高分子湿度センナ（比較品ｌ）、セラミ
ック湿度センナ（比較品２）とともに比較した。結果は
第４図に表わされたとおりであった。第４図において、
１１は本発明品ｌを１０℃の温度条件下で用いた場合、
１１’は本発明品ｌを６０℃の温度条件下で用いた場合
、１２は本発明品２を１０℃の温度条件で用いた場合を
示している。また、１３は比較品１（ＨＰＲｆｆｉ高分
子湿度センサ）、１４は比較品２（セラミック湿度セン
ナ）で、これらはいずれも２５℃の温度条件下で用いて
いる。
効 果
実施例の記載及び第４図の測定結果から明らかなように
、本発明の湿度センナは湿度に対して高感度で、電気抵
抗一温度のｒ特性にもすぐれている。加えて、直流電源
で作動されるため広範囲での使用が可能である。
、本発明の湿度センナは湿度に対して高感度で、電気抵
抗一温度のｒ特性にもすぐれている。加えて、直流電源
で作動されるため広範囲での使用が可能である。
第１図は本発明に係る湿度セ／すの概略図、第２図はそ
の湿度センサの試作の二側を示す図、第３図は作製過程
を説明するための図、第４図は数種の湿度センサの特性
を示した図である。 特許出願人 株式会社 リ コー 第り図 第２図 特許庁長官 若杉和夫 殿 ■、事件の表示 昭和５９年 特許願第５８０４８号 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社 リ コ −（外１名）５、補正の
対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）図 面
方式 ６、補正の内容 （１）明細書第７頁１２行目の「何等のかたちで」を、
「何等かのかたちで」と訂正する。 （２）図面のうち第４図を添付のものとおきかえる。 ７、添付書類の巨像 図ｉｆ（第４図） １通 刑４関
の湿度センサの試作の二側を示す図、第３図は作製過程
を説明するための図、第４図は数種の湿度センサの特性
を示した図である。 特許出願人 株式会社 リ コー 第り図 第２図 特許庁長官 若杉和夫 殿 ■、事件の表示 昭和５９年 特許願第５８０４８号 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社 リ コ −（外１名）５、補正の
対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）図 面
方式 ６、補正の内容 （１）明細書第７頁１２行目の「何等のかたちで」を、
「何等かのかたちで」と訂正する。 （２）図面のうち第４図を添付のものとおきかえる。 ７、添付書類の巨像 図ｉｆ（第４図） １通 刑４関
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、＃Ｉ状共役連鎖を有する系の高分子層が電極に担持
されてなる湿度センナ。 ２ 前記高分子層にドーパントが含有されている特許請
求の範囲第１項記載の湿度センサ。 ＆ 前記高分子がフラン重合体である特許請求の範囲第
１項又は第２項記載の湿度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5804884A JPS60201244A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5804884A JPS60201244A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 湿度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201244A true JPS60201244A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0532696B2 JPH0532696B2 (ja) | 1993-05-17 |
Family
ID=13073039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5804884A Granted JPS60201244A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 湿度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201244A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211159A (ja) * | 1984-11-23 | 1987-01-20 | マサチユ−セツツ・インステイテユ−ト・オブ・テクノロジ− | 分子ベ−スのマイクロエレクトロニツクデバイス |
| US4816359A (en) * | 1986-03-06 | 1989-03-28 | Varta Batterie Aktiengesellschaft | Electrochemical secondary element with at least one polymer electrode |
| US5122237A (en) * | 1990-07-27 | 1992-06-16 | Korea Institute Of Science And Technology | High molecular humidity sensor and manufacturing method thereof by electrochemical method |
| US7649076B2 (en) * | 2006-05-18 | 2010-01-19 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Catalyst free polymerization of 3,4-alkylenedioxypyrrole and 3,4-alkylenedioxyfuran |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2506274C2 (ru) | 2007-08-01 | 2014-02-10 | Дзе Дженерал Хоспитал Корпорейшн | Способы скрининга с применением g-белок сопряженных рецепторов и родственных композиций |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143257A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 感湿素子 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5804884A patent/JPS60201244A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143257A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 感湿素子 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6211159A (ja) * | 1984-11-23 | 1987-01-20 | マサチユ−セツツ・インステイテユ−ト・オブ・テクノロジ− | 分子ベ−スのマイクロエレクトロニツクデバイス |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532696B2 (ja) | 1993-05-17 |
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