JPS60200898A - 人工ダイヤモンドの析出生成装置 - Google Patents
人工ダイヤモンドの析出生成装置Info
- Publication number
- JPS60200898A JPS60200898A JP59058047A JP5804784A JPS60200898A JP S60200898 A JPS60200898 A JP S60200898A JP 59058047 A JP59058047 A JP 59058047A JP 5804784 A JP5804784 A JP 5804784A JP S60200898 A JPS60200898 A JP S60200898A
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- JP
- Japan
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- reduced pressure
- lower chamber
- reaction
- treated
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、人工ダイヤモンドの析出生成装置に関する
ものである。
ものである。
従来、人工ダイヤモンドの析出生成方法としては多数の
方法が提案され、中でも例えば特開昭５８−９１１００
号公報に記載されるような熱電子放射材を用いる方法は
、比較的簡単な装置で安定した操業ができることから注
目されている。
方法が提案され、中でも例えば特開昭５８−９１１００
号公報に記載されるような熱電子放射材を用いる方法は
、比較的簡単な装置で安定した操業ができることから注
目されている。
この熱電子放射材を用いる方法は、例えば第１図に概略
断面図で示される装置を用い、石英製反応容器ａ内の上
部に開口する反応ガス導入管すによって流入された、主
として炭化水素と水素で構成された反応混合ガスを、熱
電子放射材としての、例えば金属タングステン製フィラ
メントＣおよび支持体ｄ上に保持された被処理材ｅｉ通
して下方に流し、反応ガス排出管ｆから排気し、この間
反応容器ａ内の雰囲気圧力を１〜３００ ｔｏｒｒに保
持すると共に、フィラメントｃ’１１５００〜２５００
℃に加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と、所定間隔
下方に配置された被処理材の表面の３００〜１３００℃
の範囲内の温度への加熱をはかり、この状態で所定時間
の反応を行なわしめることにより被処理材５の表面に人
工ダイヤモンドを析出生成せしめるものである。
断面図で示される装置を用い、石英製反応容器ａ内の上
部に開口する反応ガス導入管すによって流入された、主
として炭化水素と水素で構成された反応混合ガスを、熱
電子放射材としての、例えば金属タングステン製フィラ
メントＣおよび支持体ｄ上に保持された被処理材ｅｉ通
して下方に流し、反応ガス排出管ｆから排気し、この間
反応容器ａ内の雰囲気圧力を１〜３００ ｔｏｒｒに保
持すると共に、フィラメントｃ’１１５００〜２５００
℃に加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と、所定間隔
下方に配置された被処理材の表面の３００〜１３００℃
の範囲内の温度への加熱をはかり、この状態で所定時間
の反応を行なわしめることにより被処理材５の表面に人
工ダイヤモンドを析出生成せしめるものである。
しかし、この熱電子放射材を用いる方法は、反応初期に
被処理材の表面に析出するダイヤモンド結晶核の数が少
なく、一方ダイヤモンドはこの結晶核を中心に成長し、
膜状を呈するようになるものであるため、所定の膜厚を
有する人工ダイヤモンド皮膜を析出形成するには、かな
りの反応時間を必要とするものであった。
被処理材の表面に析出するダイヤモンド結晶核の数が少
なく、一方ダイヤモンドはこの結晶核を中心に成長し、
膜状を呈するようになるものであるため、所定の膜厚を
有する人工ダイヤモンド皮膜を析出形成するには、かな
りの反応時間を必要とするものであった。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、反応初
期に被処理材の表面に析出するダイヤモンド結晶核の増
大をはかるべく研究を行なった結果、被処理材の表面に
、人工ダイヤモンドを析出生成せしめるに先だって、前
記表面にイオンエツチング処理を施して、これを活性化
してやると、反応初期に析出するダイヤモンド結晶核の
形成が著しく促進されるようになり、この結果として速
い析出生成速度での人工ダイヤモンドの析出生成が可能
となるという知見を得たのである。
期に被処理材の表面に析出するダイヤモンド結晶核の増
大をはかるべく研究を行なった結果、被処理材の表面に
、人工ダイヤモンドを析出生成せしめるに先だって、前
記表面にイオンエツチング処理を施して、これを活性化
してやると、反応初期に析出するダイヤモンド結晶核の
形成が著しく促進されるようになり、この結果として速
い析出生成速度での人工ダイヤモンドの析出生成が可能
となるという知見を得たのである。
この発明は、上記の知見にもとづいて開発された人工ダ
イヤモンドの析出生成装置を提供するものであって、 ダイヤモンドの析出生成を行なう上部室とイオンエツチ
ング処理を行なう下部室に仕切られた減圧反応容器と、 前記上部室は反応ガス導入管を備え、かつ養昌前記下部
室は反応ガス排出管を備え、 減圧反応容器を上部室と下部室に仕切るための開閉自在
のシャッタと、 減圧反応容器の上部室および下部氷に亘って被処理材を
上下移動させる昇降装置と、 前記下部室内にある被処理材を加熱するための加熱装置
と、 前記下部室内にある被処理材の表面をイオンエツチング
するのに必要なグロー放電発生装置と、減圧反応容器の
上部室内に移動した被処理材の表面と対向する位置に設
けられた熱電子放射材と。
イヤモンドの析出生成装置を提供するものであって、 ダイヤモンドの析出生成を行なう上部室とイオンエツチ
ング処理を行なう下部室に仕切られた減圧反応容器と、 前記上部室は反応ガス導入管を備え、かつ養昌前記下部
室は反応ガス排出管を備え、 減圧反応容器を上部室と下部室に仕切るための開閉自在
のシャッタと、 減圧反応容器の上部室および下部氷に亘って被処理材を
上下移動させる昇降装置と、 前記下部室内にある被処理材を加熱するための加熱装置
と、 前記下部室内にある被処理材の表面をイオンエツチング
するのに必要なグロー放電発生装置と、減圧反応容器の
上部室内に移動した被処理材の表面と対向する位置に設
けられた熱電子放射材と。
減圧反応容器の下部室外周にそってゲートバルブ全弁し
て連設された減圧装入室および減圧取出室と、 全具備してなる人工ダイヤモンドの析出生成装置に特徴
を有するものである。
て連設された減圧装入室および減圧取出室と、 全具備してなる人工ダイヤモンドの析出生成装置に特徴
を有するものである。
つぎに、この発明の装置を実施例により図面を参照しな
がら具体的に説明する。
がら具体的に説明する。
実施例
第２図にはこの発明の装置が概略断面図で示されている
。図示されるように、石英製減圧反応容器１は、被処理
材Ｓの表面にダイヤモンドを析出生成させるための上部
室ＩＡと、被処理材Ｓの表面をイオンエツチング処理す
るための下部室ＩＢとに開閉自在のシャッタ２によって
仕切られており、前記上部室ＩＡｉ＋？：は、ダイヤモ
ンド析出生成用の主として炭化水素と水素からなる反応
混合ガス、並びにイオンエツチング処理用のＡｒガスを
減圧反応容器１内に導入するための反応ガス導入管３が
設けられ、上記下部室には、これらの反応ガスを排出す
るための反応ガス排出管４が設けられている。
。図示されるように、石英製減圧反応容器１は、被処理
材Ｓの表面にダイヤモンドを析出生成させるための上部
室ＩＡと、被処理材Ｓの表面をイオンエツチング処理す
るための下部室ＩＢとに開閉自在のシャッタ２によって
仕切られており、前記上部室ＩＡｉ＋？：は、ダイヤモ
ンド析出生成用の主として炭化水素と水素からなる反応
混合ガス、並びにイオンエツチング処理用のＡｒガスを
減圧反応容器１内に導入するための反応ガス導入管３が
設けられ、上記下部室には、これらの反応ガスを排出す
るための反応ガス排出管４が設けられている。
また、減圧反応容器１の下部室ＩＢには、板材や格子材
、あるいは網材で構成された支持材５上に載置された被
処理材８４加熱するための加熱装置６と、被処理材Ｓを
前記支持材と共に前記上部室ＩＡ（図中２点鎖線位置）
および下部室ＩＢ（図中実線位置）に亘って上下移動さ
せるための昇降装置７が設けられておシ、さらに加熱装
置６には、被処理材Ｓの表面をイオンエツチングするの
に必要なグロー放電を発生させる装置としての高周波電
源あるいは直流電源８が連結されている。
、あるいは網材で構成された支持材５上に載置された被
処理材８４加熱するための加熱装置６と、被処理材Ｓを
前記支持材と共に前記上部室ＩＡ（図中２点鎖線位置）
および下部室ＩＢ（図中実線位置）に亘って上下移動さ
せるための昇降装置７が設けられておシ、さらに加熱装
置６には、被処理材Ｓの表面をイオンエツチングするの
に必要なグロー放電を発生させる装置としての高周波電
源あるいは直流電源８が連結されている。
なお、反応の均一化をはかるために必要に応じて昇降装
置７が回転する機構を備えてもよい。
置７が回転する機構を備えてもよい。
さらに、減圧反応容器ｌの上部室ＩＡには、ダイヤモン
ドの析出生成のために前記上部室内に移動した支持材上
の被処理材Ｓの表面と所定圧離隔った位置に対向して、
例えば金属タングステン製フィラメントなどで構成され
た熱電子放射材９が設けられている。
ドの析出生成のために前記上部室内に移動した支持材上
の被処理材Ｓの表面と所定圧離隔った位置に対向して、
例えば金属タングステン製フィラメントなどで構成され
た熱電子放射材９が設けられている。
さらに、また上記減圧反応容器１には、下部室ＩＢの外
周に沿って、支持材５上に載置された被処理材Ｓの減圧
反応容器ｌ内への装入、およびこれよりの取出しの際に
、前記減圧反応容器内を常に減圧状態に保持するための
減圧装入室１ｏおよび減圧取出室１１がゲートバルブ１
２．ｉ３−を介して連設されてお９、かつ前記減圧装入
室１ｏおよび減圧取出室１１はそれぞれガス排気管１４
゜１５、並びに密閉蓋１０Ａ、ＩＩＡを備え、さらに前
記密閉蓋１０Ａ、１１ＡＩＣｌｄ、それぞれ支持材５上
の被処理材Ｓ４−減圧反応容器内に移動させるための装
入棒１Ｇ、減圧反応容器から、これを取出すための取出
枠１７が設けられている。
周に沿って、支持材５上に載置された被処理材Ｓの減圧
反応容器ｌ内への装入、およびこれよりの取出しの際に
、前記減圧反応容器内を常に減圧状態に保持するための
減圧装入室１ｏおよび減圧取出室１１がゲートバルブ１
２．ｉ３−を介して連設されてお９、かつ前記減圧装入
室１ｏおよび減圧取出室１１はそれぞれガス排気管１４
゜１５、並びに密閉蓋１０Ａ、ＩＩＡを備え、さらに前
記密閉蓋１０Ａ、１１ＡＩＣｌｄ、それぞれ支持材５上
の被処理材Ｓ４−減圧反応容器内に移動させるための装
入棒１Ｇ、減圧反応容器から、これを取出すための取出
枠１７が設けられている。
この発明の装置は、上記の構造ｆ：有するので、まず、
減圧装入室１０の密閉蓋１０ Ａｆ開けて、被処理材Ｓ
ｉ載せた支持材５をこれに装入し、前記密閉蓋１０ Ａ
’ｉ閉じ、ガス排気管１４よシ排気して前記の減圧装入
室内’ｚｌ Ｘ ｌ Ｏｔｏｒｒ以下の減圧状態とした
後、ゲートバルブ１２を開け、すでに減圧状態となって
いる減圧反応容器１の下部室内に設けた加熱装置６上に
、被処理材Ｓｉ載せた支持材５を装入棒１６により移動
させ、ゲートバルブ１２およびシャッタ２を閉じた状態
で、反応ガス導入管３よシＡｒガスを減圧反応容器ｌ内
に導入し、一方反応ガス排出管４よシ排気して、その雰
囲気圧力ヲ０．１〜３００ｔｏｒｒの減圧状態とすると
共に、支持材５上の被処理材ｓ２、加熱装置６によって
４００〜５００℃に加熱した状態で、グロー放電発生装
置８に印加して被処理材Ｓの表面に直流グロー放電を発
生させると、この直流グロー放電によって被処理材Ｓの
表面がイオンエツチングされて著しく活性化するように
な９、ついでシャッタ２を開け、昇降装置７にょシ前記
被処理材Ｓを支持材５と共に上部室ＩＡ内に移動させ、
熱電子放射材９と被処理材Ｓの表面との間隔に３０〜５
０咽とした位置に止め、熱電子放射材９の温度１１５０
０〜２５００℃に加熱した状態で、反応ガス導入管３よ
り主として炭化水素と水素からなる反応混合ガスを導入
し、この間熱電子放射材９によって前記反応混合ガスは
活性化されると共に、被処理材Ｓの表面は３００〜１３
００℃の温度に加熱されるから、被処理材Ｓの表面には
著しく速い析出生成速度で人工ダイヤモンドが析出生成
するようになシ、所定の人工ダイヤモンド？：被処理材
Ｓの表面に析出生成せしめた後、被処理材Ｓｆ下部室Ｉ
Ｂ内の初期搬入位置まで下げ、シャッタ２を閉じ、ゲー
トバルブ１３を開け、被処理利ｓを支持材５と共に、減
圧取出室１１の密閉蓋１１Ａに取付けた取出枠１７にて
減圧反応容器１から予めガス排気管１５により排気され
て減圧状態となっている減圧取出室１１に移動させ、ゲ
ートバルブ１３を閉じた状態で前記密閉蓋１１Ａを開け
て、表面に人工ダイヤモンドを析出生成せしめた被処理
材ｓ’４支持材５と共に取出すことからなる一連の操作
が連続的に行なわれるのである。
減圧装入室１０の密閉蓋１０ Ａｆ開けて、被処理材Ｓ
ｉ載せた支持材５をこれに装入し、前記密閉蓋１０ Ａ
’ｉ閉じ、ガス排気管１４よシ排気して前記の減圧装入
室内’ｚｌ Ｘ ｌ Ｏｔｏｒｒ以下の減圧状態とした
後、ゲートバルブ１２を開け、すでに減圧状態となって
いる減圧反応容器１の下部室内に設けた加熱装置６上に
、被処理材Ｓｉ載せた支持材５を装入棒１６により移動
させ、ゲートバルブ１２およびシャッタ２を閉じた状態
で、反応ガス導入管３よシＡｒガスを減圧反応容器ｌ内
に導入し、一方反応ガス排出管４よシ排気して、その雰
囲気圧力ヲ０．１〜３００ｔｏｒｒの減圧状態とすると
共に、支持材５上の被処理材ｓ２、加熱装置６によって
４００〜５００℃に加熱した状態で、グロー放電発生装
置８に印加して被処理材Ｓの表面に直流グロー放電を発
生させると、この直流グロー放電によって被処理材Ｓの
表面がイオンエツチングされて著しく活性化するように
な９、ついでシャッタ２を開け、昇降装置７にょシ前記
被処理材Ｓを支持材５と共に上部室ＩＡ内に移動させ、
熱電子放射材９と被処理材Ｓの表面との間隔に３０〜５
０咽とした位置に止め、熱電子放射材９の温度１１５０
０〜２５００℃に加熱した状態で、反応ガス導入管３よ
り主として炭化水素と水素からなる反応混合ガスを導入
し、この間熱電子放射材９によって前記反応混合ガスは
活性化されると共に、被処理材Ｓの表面は３００〜１３
００℃の温度に加熱されるから、被処理材Ｓの表面には
著しく速い析出生成速度で人工ダイヤモンドが析出生成
するようになシ、所定の人工ダイヤモンド？：被処理材
Ｓの表面に析出生成せしめた後、被処理材Ｓｆ下部室Ｉ
Ｂ内の初期搬入位置まで下げ、シャッタ２を閉じ、ゲー
トバルブ１３を開け、被処理利ｓを支持材５と共に、減
圧取出室１１の密閉蓋１１Ａに取付けた取出枠１７にて
減圧反応容器１から予めガス排気管１５により排気され
て減圧状態となっている減圧取出室１１に移動させ、ゲ
ートバルブ１３を閉じた状態で前記密閉蓋１１Ａを開け
て、表面に人工ダイヤモンドを析出生成せしめた被処理
材ｓ’４支持材５と共に取出すことからなる一連の操作
が連続的に行なわれるのである。
いま、上記のこの発明の装置を用い、ＡｒＶｃよるイオ
ンエツチング処理を、 被処理材Ｓ：平面１２．７７＋ｌ＋Ｉｌ’Ｘ厚さ４．８
爺の寸法をもった炭化タングステン基超硬合金（ｃｏ：
６重量％、ＷＯ：残シ）製切削用スローアウェイチップ
、 減圧反応容器１内の雰囲気圧力ニ ｌ Ｘ １０ ｔｏ
ｒｒ、被処理材Ｓの加熱装置６による加熱温度：５００
℃、高周波電源８への印加型カニ３００Ｗ（周波数：
１３．５６ ＭＨｚ）、 処理時間：１０分、 の条件で行なった後、 反応混合ガス組成：容量割合で、Ｈ２／ＣＨ４＝１００
／１、 熱電子放射材としての金属Ｗ製フィラメント９と被処理
材Ｓの表面との距離：４０ｍｍ、減圧反応容器１内の雰
囲気圧力ニ １０ ｔｏｒｒ、フィラメント９の加熱温
度：２ｏｏｏ℃、反応時間：６時間、 の条件で人工ダイヤモンドの析出生成を行なったところ
、被処理材Ｓの表面には平均層厚：３μｎｔの人工ダイ
ヤモンド膜が形成された。
ンエツチング処理を、 被処理材Ｓ：平面１２．７７＋ｌ＋Ｉｌ’Ｘ厚さ４．８
爺の寸法をもった炭化タングステン基超硬合金（ｃｏ：
６重量％、ＷＯ：残シ）製切削用スローアウェイチップ
、 減圧反応容器１内の雰囲気圧力ニ ｌ Ｘ １０ ｔｏ
ｒｒ、被処理材Ｓの加熱装置６による加熱温度：５００
℃、高周波電源８への印加型カニ３００Ｗ（周波数：
１３．５６ ＭＨｚ）、 処理時間：１０分、 の条件で行なった後、 反応混合ガス組成：容量割合で、Ｈ２／ＣＨ４＝１００
／１、 熱電子放射材としての金属Ｗ製フィラメント９と被処理
材Ｓの表面との距離：４０ｍｍ、減圧反応容器１内の雰
囲気圧力ニ １０ ｔｏｒｒ、フィラメント９の加熱温
度：２ｏｏｏ℃、反応時間：６時間、 の条件で人工ダイヤモンドの析出生成を行なったところ
、被処理材Ｓの表面には平均層厚：３μｎｔの人工ダイ
ヤモンド膜が形成された。
これに対して、上記のイオンエツチング処理を行なわず
、直接上記の条件で人工ダイヤモンド膜を析出生成させ
た場合には平均層厚で１．５μｍの人工ダイヤモンド膜
しか形成することができないものであった。
、直接上記の条件で人工ダイヤモンド膜を析出生成させ
た場合には平均層厚で１．５μｍの人工ダイヤモンド膜
しか形成することができないものであった。
上述のように、この発明の装置によれば、被処理材表面
に人工ダイヤモンドを析出生成するに先だって、予め被
処理材表面全イオンエツチング処理するので、反応初期
におけるダイヤモンド結晶核の析出生成速度が著しく促
進され、これによってきわめて速い析出生成速度での人
工ダイヤモンドの析出生成が可能となるなど工業上有用
な効果がもたらされるのである。
に人工ダイヤモンドを析出生成するに先だって、予め被
処理材表面全イオンエツチング処理するので、反応初期
におけるダイヤモンド結晶核の析出生成速度が著しく促
進され、これによってきわめて速い析出生成速度での人
工ダイヤモンドの析出生成が可能となるなど工業上有用
な効果がもたらされるのである。
第１図は従来の人工ダイヤモンド析出生成装置を示す概
略断面図、第２図はこの発明の人工ダイヤモンド析出生
成装置を示す概略断面図である。 図面において、 １・・・減圧反応容器、ＩＡ・・・上部室、１Ｂ・・・
下部室、 Ｓ・・・被処理材、２・・シャッタ、 ３・
・・反応ガス導入管、４・・反応ガス排出管、５・・・
支持材、６ ・加熱装置、 ７・昇降装置、 ８・・・高周波電源、９・・・熱電子放射材、１０・減
圧装入室、 １１・・・減圧取出室、１２．１３・・ゲ
ートパルプ、 １４．１５・・・ガス排気管、 １０Ａ、ＩＩＡ・・・密閉蓋、 １６・・・装入枠、 １７・・・取出枠。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １）和 夫 外１名
略断面図、第２図はこの発明の人工ダイヤモンド析出生
成装置を示す概略断面図である。 図面において、 １・・・減圧反応容器、ＩＡ・・・上部室、１Ｂ・・・
下部室、 Ｓ・・・被処理材、２・・シャッタ、 ３・
・・反応ガス導入管、４・・反応ガス排出管、５・・・
支持材、６ ・加熱装置、 ７・昇降装置、 ８・・・高周波電源、９・・・熱電子放射材、１０・減
圧装入室、 １１・・・減圧取出室、１２．１３・・ゲ
ートパルプ、 １４．１５・・・ガス排気管、 １０Ａ、ＩＩＡ・・・密閉蓋、 １６・・・装入枠、 １７・・・取出枠。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １）和 夫 外１名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ダイヤモンドの析出生成を行なう上部室とイオンエツチ
ング処理を行なう下部室に仕切らＴＬだ減圧反応容器と
、 前記上部室は反応ガス導入管を備え、かつ揃補ｄ前記下
部室は反応ガス排出管を備え、 減圧反応容器を上部室と下部室に仕切るだめの開閉自在
のシャッタと、 減圧反応容器の上部室および下部室に亘って被処理材を
上下移動させる昇降装置と、 前記下部室内にある被処理材を加熱するための加熱装置
と、 前記下部室内にある被処理材の表面をイオンエツチング
するのに必要なグロー放電発生装置と、減圧反応容器の
上部室内に移動した被処理材の表面と対向する位置に設
けられた熱電子放射材と、減圧反応容器の下部室外周に
そってゲートバルブを介して連設された減圧装入室およ
び減圧取出室と、 を具備してなる人工ダイヤモンドの析出生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058047A JPS60200898A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンドの析出生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058047A JPS60200898A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンドの析出生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200898A true JPS60200898A (ja) | 1985-10-11 |
| JPS6327320B2 JPS6327320B2 (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=13073014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058047A Granted JPS60200898A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンドの析出生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200898A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940015A (en) * | 1988-07-30 | 1990-07-10 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Plasma reactor for diamond synthesis |
| US5200231A (en) * | 1989-08-17 | 1993-04-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing polycrystalline diamond layers |
| US5662877A (en) * | 1989-08-23 | 1997-09-02 | Tdk Corporation | Process for forming diamond-like thin film |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59058047A patent/JPS60200898A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940015A (en) * | 1988-07-30 | 1990-07-10 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Plasma reactor for diamond synthesis |
| US5200231A (en) * | 1989-08-17 | 1993-04-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing polycrystalline diamond layers |
| US5662877A (en) * | 1989-08-23 | 1997-09-02 | Tdk Corporation | Process for forming diamond-like thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6327320B2 (ja) | 1988-06-02 |
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