JPS60200894A - 液相成長装置 - Google Patents
液相成長装置Info
- Publication number
- JPS60200894A JPS60200894A JP5881684A JP5881684A JPS60200894A JP S60200894 A JPS60200894 A JP S60200894A JP 5881684 A JP5881684 A JP 5881684A JP 5881684 A JP5881684 A JP 5881684A JP S60200894 A JPS60200894 A JP S60200894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bath
- partition plate
- liquid phase
- melted
- opening part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は液相成長装置に関し、特に半導体素子製造に使
用される多層半導体族を連続的に成長させることが可能
な液相成長装置に関する。
用される多層半導体族を連続的に成長させることが可能
な液相成長装置に関する。
（従来技術）
従来、光半導体素子では、テバイスの構造全多層連続液
相成長によって形成していた。元牛尋体素子の品種によ
っては５〜６層を連続で形成することもある。
相成長によって形成していた。元牛尋体素子の品種によ
っては５〜６層を連続で形成することもある。
液相成長装置には、成長させる物質の原料を入れ、溶融
させる浴槽が複数個設けられ、各浴槽には溶媒である低
融点金楓と溶質である種結晶及び不純物が仕込まれる。
させる浴槽が複数個設けられ、各浴槽には溶媒である低
融点金楓と溶質である種結晶及び不純物が仕込まれる。
温度を上けて一定時間保持し、溶媒の内に溶質ケ溶かし
込み均一にする。その後、温度を下げながら基板？各々
の浴槽下部に移動させ順次各々の層を成長させて行く。
込み均一にする。その後、温度を下げながら基板？各々
の浴槽下部に移動させ順次各々の層を成長させて行く。
温＃ケ上げた状態において、溶液が雰囲気ガスに曝され
ていると、揮発性の物質は溶液中から雰囲気ガス中に抜
は出してしまう。液相成長に使用される不純物には揮発
性物質が多い。このためその層の不純物濃度の制御が困
難になる。又一旦雰囲気中に飛び出した不純物の一部は
他の浴槽に入る為周囲の層の不純物濃度の制御にも影響
ヶ与える。そのため浴槽に蓋？する方法も行なわれてい
る。
ていると、揮発性の物質は溶液中から雰囲気ガス中に抜
は出してしまう。液相成長に使用される不純物には揮発
性物質が多い。このためその層の不純物濃度の制御が困
難になる。又一旦雰囲気中に飛び出した不純物の一部は
他の浴槽に入る為周囲の層の不純物濃度の制御にも影響
ヶ与える。そのため浴槽に蓋？する方法も行なわれてい
る。
しかし、浴Ｐｌに蓋ｔしに場合、揮発性物質か飛出して
行くのｔ防ぐことができるが、水素ガスによる還元作用
が損われるため、酸化性の強い低融点金親等の表面が清
浄にならず成長した半導体層の結晶の品質が低下すると
いう欠点ヶ生ずる。
行くのｔ防ぐことができるが、水素ガスによる還元作用
が損われるため、酸化性の強い低融点金親等の表面が清
浄にならず成長した半導体層の結晶の品質が低下すると
いう欠点ヶ生ずる。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を除去し、酸化性の強い物質
に対しては水素ガスによる還元作用を損わず、また揮発
性物質の飛出しｔ防ぐ構造の浴槽金層する液相成長装置
？提供することにある。
に対しては水素ガスによる還元作用を損わず、また揮発
性物質の飛出しｔ防ぐ構造の浴槽金層する液相成長装置
？提供することにある。
（発明の構成）
本発明の液相成長装置は、成長用原料物質を入れ溶融す
る浴槽を複数個有する液相成長装置において、前記浴槽
を上下二段に分離し、前記上下の浴槽を連結させる開口
部と前記浴槽全上下に分離するａｖｆＩ都とを有し前記
分離された二つの浴槽の間にかつ水平方向にＳ動可能に
仕切板【設けたことｔ％徴として構成される。
る浴槽を複数個有する液相成長装置において、前記浴槽
を上下二段に分離し、前記上下の浴槽を連結させる開口
部と前記浴槽全上下に分離するａｖｆＩ都とを有し前記
分離された二つの浴槽の間にかつ水平方向にＳ動可能に
仕切板【設けたことｔ％徴として構成される。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面使用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
この実施例は、成長用原料物質？入れ溶融する浴槽ｔ２
複数個有する液相成長装置において、浴槽１ｋｌａ、ｌ
ｂの上下二段に分離し、上下の浴槽１ ａ、 ｌ ｂ（
ｒ連結させる開口ｓ２ａと浴槽ｌを上下に分離する遮断
部２ｂと乞有し分離された二つの浴槽１ａと１ｂの間に
かつ水平方向に移動可能に仕切板２を設けることにより
構成される。
複数個有する液相成長装置において、浴槽１ｋｌａ、ｌ
ｂの上下二段に分離し、上下の浴槽１ ａ、 ｌ ｂ（
ｒ連結させる開口ｓ２ａと浴槽ｌを上下に分離する遮断
部２ｂと乞有し分離された二つの浴槽１ａと１ｂの間に
かつ水平方向に移動可能に仕切板２を設けることにより
構成される。
次に、この実施例の使用方法について説明する。
第２図（ａｌ〜（Ｃ）は第１図に示す実施例の使用方法
全説明するための断面図である。
全説明するための断面図である。
まず、第２図ｆａ）に示すように、仕切板２の開口部２
ａｉ浴槽ｌの所に移動させ、下側浴槽１ｂに揮発性物質
１１ｔ−置く。次に、仕切＆２の遮断部２ｂが浴槽ｌの
所に来るように移動させ、浴ＰＩ！Ｉｌ？上下の二ａｌ
ａ、ｌｂに分離する。次に、容土側浴槽に成長用の原料
物質を置く。例えは、１ｎＰ１２、ＩｎＡｓ１３．Ｇａ
Ａｓ１４．ＩｎＰ１５ ｆ図示するように置く。
ａｉ浴槽ｌの所に移動させ、下側浴槽１ｂに揮発性物質
１１ｔ−置く。次に、仕切＆２の遮断部２ｂが浴槽ｌの
所に来るように移動させ、浴ＰＩ！Ｉｌ？上下の二ａｌ
ａ、ｌｂに分離する。次に、容土側浴槽に成長用の原料
物質を置く。例えは、１ｎＰ１２、ＩｎＡｓ１３．Ｇａ
Ａｓ１４．ＩｎＰ１５ ｆ図示するように置く。
上記の原料を仕込んだ液相成長装置ケ水素雰囲気中で加
熱し、下側浴槽の原料を溶融する。原料は水素に曝され
ているので酸化性の強い物質でも酸化は抑制される。酸
素との結合力の弱い物質ならは還元される。−万、揮発
性物質１１も加熱されるが、仕切板２の遮断部２ｂが蓋
をしているので外に飛出さない。
熱し、下側浴槽の原料を溶融する。原料は水素に曝され
ているので酸化性の強い物質でも酸化は抑制される。酸
素との結合力の弱い物質ならは還元される。−万、揮発
性物質１１も加熱されるが、仕切板２の遮断部２ｂが蓋
をしているので外に飛出さない。
次に、第２図（ｂｌに示すように、原料物質１２〜１５
が溶融したら、仕切板２全移動し、開口部２ａが浴槽１
の所へ来るようにする。すると、溶融した原料物質は下
側浴槽ｉｂに落下し、揮発性物質ｌｌｔ包み、次にこれ
を溶かし込む。溶けた原料物質を融成物１６，１７，１
８と表示する。融成物１６．１７．１８は一定時間水素
雰囲気に曝しておく。
が溶融したら、仕切板２全移動し、開口部２ａが浴槽１
の所へ来るようにする。すると、溶融した原料物質は下
側浴槽ｉｂに落下し、揮発性物質ｌｌｔ包み、次にこれ
を溶かし込む。溶けた原料物質を融成物１６，１７，１
８と表示する。融成物１６．１７．１８は一定時間水素
雰囲気に曝しておく。
次に、第２図ｆｃＪに示すように％仕切板２を移動し、
遮断部２ｂが浴槽ｌの所に来るようにして、浴槽１ｂＫ
蓋をする。この状態で一定時間定温に保持し、揮発性物
質１１が融成物１６，１７．１８中に均一に分布するよ
うにする。そして、降温を始める。牛導体基叡２０’に
融成物１６，１７．１８の下に順々に送って、所定の層
を成長式せる。
遮断部２ｂが浴槽ｌの所に来るようにして、浴槽１ｂＫ
蓋をする。この状態で一定時間定温に保持し、揮発性物
質１１が融成物１６，１７．１８中に均一に分布するよ
うにする。そして、降温を始める。牛導体基叡２０’に
融成物１６，１７．１８の下に順々に送って、所定の層
を成長式せる。
上記説明では、原料物質としてＩｎＰ 、 Ｉ ｎＡｓ
。
。
ＧａＡｓ 、 ＩｎＰ を用いたが、他の原料物質も使
用できることはもちろんである。
用できることはもちろんである。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明は、浴槽を二つに分
け、開口部と遮断部とを有する仕切板で上下の浴槽を連
結したり、遮断して下側浴槽を密閉したりすることがで
きるようにしたので、水素ガスによる還元作用を損わず
、また揮発性物質の飛出しを防ぎ、良質の結晶成長を行
うことのできる液相成長装置が得られる。
け、開口部と遮断部とを有する仕切板で上下の浴槽を連
結したり、遮断して下側浴槽を密閉したりすることがで
きるようにしたので、水素ガスによる還元作用を損わず
、また揮発性物質の飛出しを防ぎ、良質の結晶成長を行
うことのできる液相成長装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図（ａ）。
（ｂ） 、 （Ｃ）は第１図に示す実施例の使用方法を
説明するための断面図でるる。 ｌ・・・・・・浴槽、ｌａ・・・・・・上側浴槽、ｌｂ
・・・・・・下側浴槽、２・°°・・・仕切板、２ａ・
旧・・開口部、２ｂ・旧・・遮断部、ｌｌ・・・・・・
揮発性物質、１２・・・・・・１ｎＰ１１３・・・・・
・１ｎＡ６％１４・・・・・・ＧａＡｓ、１５・・・・
・・ＩｎＰ％１６゜１７．１８・・・・・・融成物、２
０・・・・・・半導体基板。 Ｖ−１図 （Ｘ） ２θ （ｂン 予Ｚ可
説明するための断面図でるる。 ｌ・・・・・・浴槽、ｌａ・・・・・・上側浴槽、ｌｂ
・・・・・・下側浴槽、２・°°・・・仕切板、２ａ・
旧・・開口部、２ｂ・旧・・遮断部、ｌｌ・・・・・・
揮発性物質、１２・・・・・・１ｎＰ１１３・・・・・
・１ｎＡ６％１４・・・・・・ＧａＡｓ、１５・・・・
・・ＩｎＰ％１６゜１７．１８・・・・・・融成物、２
０・・・・・・半導体基板。 Ｖ−１図 （Ｘ） ２θ （ｂン 予Ｚ可
Claims (1)
- 成長用原料物質を入れ溶融する浴槽全複数個有する液相
成長装置において、前記浴槽を上下二段に分離し、前記
上下の浴槽を連結させる開口部と前記浴Ｎを上下に分離
する遮断部とを有し前記分離された二つの浴槽の間にか
つ水平方向に移動可能に仕切板？設けたことを特徴とす
る液相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5881684A JPS60200894A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 液相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5881684A JPS60200894A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 液相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200894A true JPS60200894A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13095135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5881684A Pending JPS60200894A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 液相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200894A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394826A2 (en) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal epitaxial growing method and apparatus therefor |
| US5936066A (en) * | 1985-04-25 | 1999-08-10 | Hoffman La-Roche, Inc. | Recombinant human interleukin-1α |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP5881684A patent/JPS60200894A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936066A (en) * | 1985-04-25 | 1999-08-10 | Hoffman La-Roche, Inc. | Recombinant human interleukin-1α |
| US6268180B1 (en) | 1985-04-25 | 2001-07-31 | Hoffmann-La Roche Inc. | Recombinant human recombinant human interleukin-1α |
| EP0394826A2 (en) * | 1989-04-28 | 1990-10-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal epitaxial growing method and apparatus therefor |
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