JPS60196952A - Νｉ化合物薄膜用の薄膜電極 - Google Patents
Νｉ化合物薄膜用の薄膜電極Info
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- JPS60196952A JPS60196952A JP59054074A JP5407484A JPS60196952A JP S60196952 A JPS60196952 A JP S60196952A JP 59054074 A JP59054074 A JP 59054074A JP 5407484 A JP5407484 A JP 5407484A JP S60196952 A JPS60196952 A JP S60196952A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
Ｌｌ上立皿ユ１１
本発明はＮｉ化合物薄膜の薄膜電極、特にＮ１化合物薄
膜の表面に形成されＳｎを含む半田材料が半田付は接続
される薄膜電極に関する。
膜の表面に形成されＳｎを含む半田材料が半田付は接続
される薄膜電極に関する。
１且亘韮
従来より、Ｎｉ化合物薄膜が各種用途に幅広く用いられ
ており、このＮｉ化合物薄膜を例えば磁気、圧力又は温
度センサ等の各種センサとして用いる場合にはこのＮｉ
化合物薄膜から検出信号出力用のリード線を取出すこと
が必要となる。
ており、このＮｉ化合物薄膜を例えば磁気、圧力又は温
度センサ等の各種センサとして用いる場合にはこのＮｉ
化合物薄膜から検出信号出力用のリード線を取出すこと
が必要となる。
このようなリード線の取出は、Ｎ１化合物薄膜の使用環
境に応じて、各種の方法で行われており、例えば高信頼
性の要求されるＩＣ化磁気センサ等では、金属多層膜構
造の電極をＮｉ化合物薄膜上に形成し該電極からリード
線の取出を行っている。
境に応じて、各種の方法で行われており、例えば高信頼
性の要求されるＩＣ化磁気センサ等では、金属多層膜構
造の電極をＮｉ化合物薄膜上に形成し該電極からリード
線の取出を行っている。
しかし、このような金属多層膜構造の電極では、電極の
形成に特殊な成膜装置と技術とを必要とし、電極の形成
を簡単かつ安価に行うことができないという問題があっ
た。
形成に特殊な成膜装置と技術とを必要とし、電極の形成
を簡単かつ安価に行うことができないという問題があっ
た。
これに対し、何等特殊な電極を設けず、Ｎｉ化合物薄膜
に直接リード線を半田付（プする方法が最も簡単かつ安
価である。しかし、このような方法は半田中に含まれる
３ｎがＮｉ化合物薄膜中に拡散して侵入し、Ｎ１化合物
薄膜のセンサ特性を劣化さＵｏかつＮｉ化合物薄膜と基
板又は半田との接着強度の低下を引起こす等の問題があ
り、側底実用技術として採用することができなかった。
に直接リード線を半田付（プする方法が最も簡単かつ安
価である。しかし、このような方法は半田中に含まれる
３ｎがＮｉ化合物薄膜中に拡散して侵入し、Ｎ１化合物
薄膜のセンサ特性を劣化さＵｏかつＮｉ化合物薄膜と基
板又は半田との接着強度の低下を引起こす等の問題があ
り、側底実用技術として採用することができなかった。
このため、従来Ｎｉ化合物薄膜にリード線を半田付は接
続する場合には、Ｎｉ化合物薄膜のリード線取出し部分
に極端な膜厚を別に形成し、これを前記リード線接続用
の電極として用いたり、あるいはＮｉ化合物薄膜のリー
ド線取出部分にＮｉ化合物薄膜の成膜工程と別工程で金
属箔を機械的に押付けあるいは点溶接しこれを電極とし
て用い、該電極上にリード線を半田付は接続している。
続する場合には、Ｎｉ化合物薄膜のリード線取出し部分
に極端な膜厚を別に形成し、これを前記リード線接続用
の電極として用いたり、あるいはＮｉ化合物薄膜のリー
ド線取出部分にＮｉ化合物薄膜の成膜工程と別工程で金
属箔を機械的に押付けあるいは点溶接しこれを電極とし
て用い、該電極上にリード線を半田付は接続している。
しかし、このような従来の電極は、技術的には簡単に形
成することができるが、その反面製造工程が複雑になり
高価となるという欠点があった。
成することができるが、その反面製造工程が複雑になり
高価となるという欠点があった。
更に、このような従来の電極では、電極形成のためＮｉ
化合物薄膜を一旦大気中に露出させることが必要となり
、このためＮｉ化合物薄膜と電極との界面に種々の汚染
層が形成されやすく、Ｎｉ化合物簿膜を実際に使用する
に際し該汚染層が電極の剥離等の故障を引起こす原因と
なるという問題があった。
化合物薄膜を一旦大気中に露出させることが必要となり
、このためＮｉ化合物薄膜と電極との界面に種々の汚染
層が形成されやすく、Ｎｉ化合物簿膜を実際に使用する
に際し該汚染層が電極の剥離等の故障を引起こす原因と
なるという問題があった。
発明の目的
本発明は、このような従来の課題に鑑み為されたもので
あり、その目的は半田中に含まれる３ｎのＮｉ化合物薄
膜中への拡散侵入を防止しかつ安価に製造可能なＮｉ化
合物薄膜用の薄膜電極を提供することにある。、 Ｒ週１０１虜 前記目的を達成するため、本発明の電極は、Ｎｉ化合物
薄膜表面に被覆されＳｎを含む半田材料をもってリード
線が半田付は接続される電極において、Ｎｉ化合物への
半田内ｓｎの拡散侵入を防止するためにＦｅ含有金属を
含むことを特徴とする。
あり、その目的は半田中に含まれる３ｎのＮｉ化合物薄
膜中への拡散侵入を防止しかつ安価に製造可能なＮｉ化
合物薄膜用の薄膜電極を提供することにある。、 Ｒ週１０１虜 前記目的を達成するため、本発明の電極は、Ｎｉ化合物
薄膜表面に被覆されＳｎを含む半田材料をもってリード
線が半田付は接続される電極において、Ｎｉ化合物への
半田内ｓｎの拡散侵入を防止するためにＦｅ含有金属を
含むことを特徴とする。
実施例
次に本発明の好適な実施例を図面に基づき説明する。
第１図には本発明の好適な実施例が示されており、圧力
レンサとして用いられるＮｉ化合物薄膜１０がガラス基
板１２上に積層被覆して形成されている。実施例におい
て、前記Ｎｉ化合物薄膜１０は圧力レンザとして好適に
動作可能となるよう、Ｎｉ、３ｉ及びＢをそれぞれ７０
原子％、２０原子％及び１０原子％含みかつ膜厚５００
０人の無定型Ｎｉ化化合物科料用いて形成されている。
レンサとして用いられるＮｉ化合物薄膜１０がガラス基
板１２上に積層被覆して形成されている。実施例におい
て、前記Ｎｉ化合物薄膜１０は圧力レンザとして好適に
動作可能となるよう、Ｎｉ、３ｉ及びＢをそれぞれ７０
原子％、２０原子％及び１０原子％含みかつ膜厚５００
０人の無定型Ｎｉ化化合物科料用いて形成されている。
そして、このＮｉ化合物薄膜１０上にはセンサとしての
検出信号を、出力するために一対の電極１８．１８が形
成されており、該電極１８．１８上に銅を用いて形成さ
れた一対のリード線１４．１４がｐｂを４０重但％、Ｓ
ｎを６０重量％含むＰｂ −’Ｓ ｎ半田１６を用いて
半田付は接続されている。
検出信号を、出力するために一対の電極１８．１８が形
成されており、該電極１８．１８上に銅を用いて形成さ
れた一対のリード線１４．１４がｐｂを４０重但％、Ｓ
ｎを６０重量％含むＰｂ −’Ｓ ｎ半田１６を用いて
半田付は接続されている。
このようにして形成された無定型のＮ１化合物薄膜１０
を圧力センサとして用いる場合に、前記電極１８には、
リード線接合強度として少なくても２ Ｋｇ ／ Ｎｎ
２以上が必要であり、かつ半田１６中に含まれるＳｎの
Ｎｉ化合物薄膜１０中への拡散侵入を有効に防止し、更
に１２０°Ｃないし１５０°Ｃの大気中で長期間の連続
動作試験に耐えうろことも必要である。
を圧力センサとして用いる場合に、前記電極１８には、
リード線接合強度として少なくても２ Ｋｇ ／ Ｎｎ
２以上が必要であり、かつ半田１６中に含まれるＳｎの
Ｎｉ化合物薄膜１０中への拡散侵入を有効に防止し、更
に１２０°Ｃないし１５０°Ｃの大気中で長期間の連続
動作試験に耐えうろことも必要である。
本発明の特徴的事項は、前記電極１８を、Ｎｉ化合物簿
膜１０への半田１６内３ｎの拡散侵入を防止するための
Ｆｅ含有金属を用いて薄膜状に形成したことにある。
膜１０への半田１６内３ｎの拡散侵入を防止するための
Ｆｅ含有金属を用いて薄膜状に形成したことにある。
このような構成と、することにより、本発明によれば、
前述した電極条件を十分に満たず薄膜電極１８をＮｉ化
合物薄膜１０上に形成しＮｉ化合物薄膜１０に半田付（
プという簡単な方法によりリード線１４を接続すること
が可能となる。
前述した電極条件を十分に満たず薄膜電極１８をＮｉ化
合物薄膜１０上に形成しＮｉ化合物薄膜１０に半田付（
プという簡単な方法によりリード線１４を接続すること
が可能となる。
本実施例において、前記薄膜電極１８はＩＴ！鉄を用い
て形成されているが、本発明はこれに限らず、該薄膜電
極１８をＦｅ合金拐料金用いて形成することも可能であ
る。
て形成されているが、本発明はこれに限らず、該薄膜電
極１８をＦｅ合金拐料金用いて形成することも可能であ
る。
本実施例において、この薄膜電極１８は、Ｎｉ化合物薄
膜１０の成膜工程と連続した工程により次のようにして
形成される。
膜１０の成膜工程と連続した工程により次のようにして
形成される。
まず、十分に清浄化された常温ガラス基板１２を真空槽
内に設置し、該ガラス基板１２上にＮｉ−８ｉ−Ｂ合金
無定型薄膜１２を約５０００人の膜厚でスパッタ蒸Ｋｉ
してＮｉ化合物薄膜１０を形成し、さらにこのＮｉ化
合物簿膜１０上に純鉄を同様にして約３０００人の膜厚
でスパッタ蒸着する。 ・ このようにしてガラス基板１２上にＮｉ化合物薄膜１０
、Ｆｅ薄膜層を成膜した後、これを真空層から取出し、
Ｆｅｅ膜層を所定の電極パターンにエツジングすること
により、Ｎｉ化合物薄膜１０上の所望位置に一対の薄膜
電極１８．１８を形成する。そして、′該薄膜電極１８
上にリード線１４を半田１６を用いて半田付は接続する
。 ）このように、本発明によれば、従来の複雑１・な
工程を経て行われてきたＮｉ化合物薄膜１・Ｏからのリ
ード線１４の取出をＮｉ化合物薄膜１０の形成から半田
付けによるリード線の取出まで一貫して系統的に行うこ
とができるため、これに要する工程を簡素化しその費用
を安価なものとすることが可能となる。
内に設置し、該ガラス基板１２上にＮｉ−８ｉ−Ｂ合金
無定型薄膜１２を約５０００人の膜厚でスパッタ蒸Ｋｉ
してＮｉ化合物薄膜１０を形成し、さらにこのＮｉ化
合物簿膜１０上に純鉄を同様にして約３０００人の膜厚
でスパッタ蒸着する。 ・ このようにしてガラス基板１２上にＮｉ化合物薄膜１０
、Ｆｅ薄膜層を成膜した後、これを真空層から取出し、
Ｆｅｅ膜層を所定の電極パターンにエツジングすること
により、Ｎｉ化合物薄膜１０上の所望位置に一対の薄膜
電極１８．１８を形成する。そして、′該薄膜電極１８
上にリード線１４を半田１６を用いて半田付は接続する
。 ）このように、本発明によれば、従来の複雑１・な
工程を経て行われてきたＮｉ化合物薄膜１・Ｏからのリ
ード線１４の取出をＮｉ化合物薄膜１０の形成から半田
付けによるリード線の取出まで一貫して系統的に行うこ
とができるため、これに要する工程を簡素化しその費用
を安価なものとすることが可能となる。
次に、このようにして形成された薄膜電極１８の特性に
ついて検討する。
ついて検討する。
まず、薄膜電極１８にリード線１４を半田付は接続した
後、そのリード線接合強度を引張り試験より評価したと
ころ、その接合強度は電極としての必要条件であるとこ
ろの２８９ ／ ＃２以上であることが確認された。ま
た、このようにして形成された圧力センサを、１２０″
Ｃの大気中で長時間連続動作耐久テス］〜した結果、電
極端子１８，１゜８間の抵抗変化はテストの前後におい
て０．０４％以内と非常に良好であることも確認された
。
後、そのリード線接合強度を引張り試験より評価したと
ころ、その接合強度は電極としての必要条件であるとこ
ろの２８９ ／ ＃２以上であることが確認された。ま
た、このようにして形成された圧力センサを、１２０″
Ｃの大気中で長時間連続動作耐久テス］〜した結果、電
極端子１８，１゜８間の抵抗変化はテストの前後におい
て０．０４％以内と非常に良好であることも確認された
。
このように、本発明によれば、Ｎｉ化合物薄膜１０上に
機械的及び電気的特性に勝れ、かつ圧力センサとしての
耐久性に勝れた薄膜電極１８を形成することができ、こ
の結果Ｎ１化合物薄膜１０を幅広い用途に用いることが
可能となる。
機械的及び電気的特性に勝れ、かつ圧力センサとしての
耐久性に勝れた薄膜電極１８を形成することができ、こ
の結果Ｎ１化合物薄膜１０を幅広い用途に用いることが
可能となる。
また、前記圧力センサを１２０’Ｃの大気中において１
０日間の耐久テストを行った後、イオンエツジングを併
用したオージェ電子分析により、半田１６内に含まれる
３ｎのＮｉ化合物薄膜１０内への拡散侵入状態を解析し
た。
０日間の耐久テストを行った後、イオンエツジングを併
用したオージェ電子分析により、半田１６内に含まれる
３ｎのＮｉ化合物薄膜１０内への拡散侵入状態を解析し
た。
第２図には、このような耐久テスト後におりるＮｉ化合
物薄膜１０をガラス基板１２との界面で剥離し、剥離面
からのＮ＋ＳＰｂ、Ｓｎの分布について分析したデータ
が表わされている。
物薄膜１０をガラス基板１２との界面で剥離し、剥離面
からのＮ＋ＳＰｂ、Ｓｎの分布について分析したデータ
が表わされている。
この第２図からも明らかなごとく、本発明によれば、Ｎ
ｉ化合物Ｂ模層とＦｅ電極薄膜層の界面及びＦｅ電極薄
膜層と半田層の界面のいづれも明瞭であり、これら各層
の間に著しく厚い相互拡散層が存在せず、半田１６中に
含まれるＳｎのＮｉ化合物薄膜１０内への拡散侵入が薄
膜電極１８により有効に防止されていることが理解され
る。
ｉ化合物Ｂ模層とＦｅ電極薄膜層の界面及びＦｅ電極薄
膜層と半田層の界面のいづれも明瞭であり、これら各層
の間に著しく厚い相互拡散層が存在せず、半田１６中に
含まれるＳｎのＮｉ化合物薄膜１０内への拡散侵入が薄
膜電極１８により有効に防止されていることが理解され
る。
比較例
次に、本発明の薄膜電極の特性を従来の電極特性と対比
して説明する。
して説明する。
第３図には、Ｎｉ化合物薄膜１０にリード線１４を直接
半田付は接続して形成された従来の圧力センサが示され
ており、この圧力センサは、前記第１図に示す実施例と
同様にしてガラス基板１２上にＮｉ化合物薄膜１０を積
層被覆して形成され、該Ｎｉ化合物薄膜１０にリード線
１４を半田１６により直接半田付は接続して形成されて
いる。
半田付は接続して形成された従来の圧力センサが示され
ており、この圧力センサは、前記第１図に示す実施例と
同様にしてガラス基板１２上にＮｉ化合物薄膜１０を積
層被覆して形成され、該Ｎｉ化合物薄膜１０にリード線
１４を半田１６により直接半田付は接続して形成されて
いる。
ここにおいて、ガラス基板１２．Ｎｉ化合物薄膜１０、
リード線１４、半田１６の材料及び製法は前記第１図に
示す本発明の実施例と同じである。
リード線１４、半田１６の材料及び製法は前記第１図に
示す本発明の実施例と同じである。
第４図には、前記第３図に示すセンサを１２０°Ｃの大
気中において１０日間の耐久テストを行った後Ｎｉ化合
物ｗｌ膜１０をガラス基板１２との界面で剥離し、オー
ジェ電子分析を用いこの剥離面からのＮｉ、ｐｂ、３ｎ
の分布を深さ方向に分析した結果が示されている。同図
からも明らかなごとく、従来のセンサにおいては半田１
６中に含まれるＳｎがＮｉ化合物薄膜１０中に拡散侵入
し、しかもＮ１化合物薄膜１０とガラス基板１２との界
面にＮｉ−３ｎ合金層が形成されていることが理解され
る。
気中において１０日間の耐久テストを行った後Ｎｉ化合
物ｗｌ膜１０をガラス基板１２との界面で剥離し、オー
ジェ電子分析を用いこの剥離面からのＮｉ、ｐｂ、３ｎ
の分布を深さ方向に分析した結果が示されている。同図
からも明らかなごとく、従来のセンサにおいては半田１
６中に含まれるＳｎがＮｉ化合物薄膜１０中に拡散侵入
し、しかもＮ１化合物薄膜１０とガラス基板１２との界
面にＮｉ−３ｎ合金層が形成されていることが理解され
る。
このように従来のセンサにおいては、Ｎ；化合物薄膜１
０中に３ｎが拡散侵入することによりＮｉ化合物薄膜１
０の圧力センサとしての特性が著しく損われ、更にＮｉ
化合物薄膜１０とガラス基板１２との界面に非常に薄い
Ｎｉ−８ｎ合金層が形成されることにより、両者の密着
性が著しく低下しセンサとしての結合強度が２ Ｎ９
／ ｒｔｍ ２を著しく下回ることとなる。
０中に３ｎが拡散侵入することによりＮｉ化合物薄膜１
０の圧力センサとしての特性が著しく損われ、更にＮｉ
化合物薄膜１０とガラス基板１２との界面に非常に薄い
Ｎｉ−８ｎ合金層が形成されることにより、両者の密着
性が著しく低下しセンサとしての結合強度が２ Ｎ９
／ ｒｔｍ ２を著しく下回ることとなる。
これに′対し、本発明によれば、前述したごとく薄膜電
極１８によら半田１６との間の界面反応を有効に防止し
、Ｎｉ化合物［！１０中へのＳｎの拡散侵入を有効に防
止することが可能となる。
極１８によら半田１６との間の界面反応を有効に防止し
、Ｎｉ化合物［！１０中へのＳｎの拡散侵入を有効に防
止することが可能となる。
この結果、本発明によれば３ｎの拡散侵入に伴うＮ１化
合物薄膜の電気的特性の低下が有効に防止され、さらに
その電極を充分な接着強度を有する構造とすることが可
能となる。
合物薄膜の電気的特性の低下が有効に防止され、さらに
その電極を充分な接着強度を有する構造とすることが可
能となる。
このような本発明の薄膜電極１８．すなわちＦｅ含有金
属の作用効果は、Ｆｅ含有金属中におけるＳｎ拡散係数
が小さくかつその界面近傍に非常に薄く形感されるＦｅ
Ｓｎ又はＦｅ２Ｓｎ等の金属間化合物のＳｎの拡散係数
が小さいことに起因する。このような拡散係数の大小は
、脱自身の緻密さとも直接関係するものと思われる。
属の作用効果は、Ｆｅ含有金属中におけるＳｎ拡散係数
が小さくかつその界面近傍に非常に薄く形感されるＦｅ
Ｓｎ又はＦｅ２Ｓｎ等の金属間化合物のＳｎの拡散係数
が小さいことに起因する。このような拡散係数の大小は
、脱自身の緻密さとも直接関係するものと思われる。
−力木発明において、リード線の接続に大きな接合強度
を得ることができるのは、Ｎｉ化合物とＦｅ含有金属と
が共に遷移金属であり、更にＦｃとＳｎとが非常に薄く
反応生成物を形成することに起因する。
を得ることができるのは、Ｎｉ化合物とＦｅ含有金属と
が共に遷移金属であり、更にＦｃとＳｎとが非常に薄く
反応生成物を形成することに起因する。
１曵叉１１
なお、前記実ｍ％においてはｗｊ膜電極１０として純鉄
を用いたものを例に取り説明したが、本発明はこれに限
らず、Ｆｅ合金材料を用いることも可能である。
を用いたものを例に取り説明したが、本発明はこれに限
らず、Ｆｅ合金材料を用いることも可能である。
この場合に、例えば薄Ｉｉ電極１６を、Ｃ＜ ０．２ｗ
ｔ、％ 、 Ｓｉ＜ ０．５Ｘ 、Ｈｎ＜１％、 Ｐ
（０，０３％、Ｓ ＜０．０３Ｘ、 Ｎ ｔ＜３％、
Ｃｒ＜２％、）ｌ □＜Ｑ、５．％ カ’３ 成ルＦｅ
合金材料を用いて形成した場合においても、前記実施例
の場合と同様の作用効果を有することが確認されていた
。
ｔ、％ 、 Ｓｉ＜ ０．５Ｘ 、Ｈｎ＜１％、 Ｐ
（０，０３％、Ｓ ＜０．０３Ｘ、 Ｎ ｔ＜３％、
Ｃｒ＜２％、）ｌ □＜Ｑ、５．％ カ’３ 成ルＦｅ
合金材料を用いて形成した場合においても、前記実施例
の場合と同様の作用効果を有することが確認されていた
。
また、前記実施例においては、薄膜電極１８の膜厚を３
０００人に形成した場合を例に取り説明したが、本発明
はこれに限らず該電極１８を所望の膜厚に形成づること
も可能である。この場合において、この薄膜電極１８の
膜厚は５００〜２００００人の範囲に設定することが好
ましく、この範囲で良好な作用効果を得られることが確
認されている。これは、膜厚が５００Å以下では１５０
″′Ｃ〜２００’ Ｃの高揚にお１ノる長時間耐久テス
ト時における半田１６中に含まれるＳｎのＮｉ化合物薄
膜１０へ向けた拡散貫通を防止しえず、また膜厚が２０
０００Ａ以上では股の応力による剥離を生じやすくなる
からである。
０００人に形成した場合を例に取り説明したが、本発明
はこれに限らず該電極１８を所望の膜厚に形成づること
も可能である。この場合において、この薄膜電極１８の
膜厚は５００〜２００００人の範囲に設定することが好
ましく、この範囲で良好な作用効果を得られることが確
認されている。これは、膜厚が５００Å以下では１５０
″′Ｃ〜２００’ Ｃの高揚にお１ノる長時間耐久テス
ト時における半田１６中に含まれるＳｎのＮｉ化合物薄
膜１０へ向けた拡散貫通を防止しえず、また膜厚が２０
０００Ａ以上では股の応力による剥離を生じやすくなる
からである。
また、前記実施例においては、Ｎｉ化合物薄膜１０及び
薄膜電極１８をスパッタリング法を用いて形成する場合
を例に取り説明したが、本発明はこれに限らず、他の成
膜法、例えばイオンブレーティング法、真空蒸着法、又
は化学的方法ｑ−の任意の方法によって形成することも
可能である。
薄膜電極１８をスパッタリング法を用いて形成する場合
を例に取り説明したが、本発明はこれに限らず、他の成
膜法、例えばイオンブレーティング法、真空蒸着法、又
は化学的方法ｑ−の任意の方法によって形成することも
可能である。
また、前記実施例においては、幻膜電極１８を圧力セン
サ用のＮｉ化合物薄膜１０上に形成する場合を例に取り
説明したが、本発明はこれにかぎらず、他の用途に用い
られるＮｉ化合物薄膜１０上にも形成することも可能で
ある。
サ用のＮｉ化合物薄膜１０上に形成する場合を例に取り
説明したが、本発明はこれにかぎらず、他の用途に用い
られるＮｉ化合物薄膜１０上にも形成することも可能で
ある。
１更立廟】
以上説明したように、本発明によれば、Ｎｉ化合物薄膜
上にＦｅ含有金属から成る薄膜電極を形成することによ
り、半田中に含まれるＳｎのＮｉ化化合物膜膜中の拡散
侵入を有効に防止しつつ半田とＮｉ化合物ｕｒＩＡを強
い接着力で接合し良好な電気的接続を得ることが可能と
なる。
上にＦｅ含有金属から成る薄膜電極を形成することによ
り、半田中に含まれるＳｎのＮｉ化化合物膜膜中の拡散
侵入を有効に防止しつつ半田とＮｉ化合物ｕｒＩＡを強
い接着力で接合し良好な電気的接続を得ることが可能と
なる。
また、本発明によれば、Ｎｉ化合物薄膜どＲｉ ＢＩＡ
電極どを一連の成膜工程で形成することができるため、
薄膜電極の形成を簡単かつ安価に行うことが可能となる
。
電極どを一連の成膜工程で形成することができるため、
薄膜電極の形成を簡単かつ安価に行うことが可能となる
。
第１図は本発明に係るＮ１化合物薄膜用の薄膜電極の好
適な実施例を承り説明図、 第２図は第１図に示寸実施例の特性図、第３図は従来の
比較例の説明図、 第４図は第３図に承り比較例の特性図である。 １０ ・・・ Ｎｉ化合物薄膜、 １５ ・・・ 半田、 １８ ・・・ 薄膜電１〜。 出願人 株式会社 豊田中央研究所 代理人 弁理士 古田研二 （外１名） 第１図 第２図１ メオ〉エラ千ング吋７’ｌ１１＜奔） 第３図
適な実施例を承り説明図、 第２図は第１図に示寸実施例の特性図、第３図は従来の
比較例の説明図、 第４図は第３図に承り比較例の特性図である。 １０ ・・・ Ｎｉ化合物薄膜、 １５ ・・・ 半田、 １８ ・・・ 薄膜電１〜。 出願人 株式会社 豊田中央研究所 代理人 弁理士 古田研二 （外１名） 第１図 第２図１ メオ〉エラ千ング吋７’ｌ１１＜奔） 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｎｉ化合物薄膜表面に被覆され３ｎを含む半田材
料をもってリード線が半田付は接続される電極において
、Ｎｉ化合物への半田内Ｓｎの拡散侵入を防止するため
にその界面にＦｅ含有金属を含むことを特徴とするＮｉ
化合物薄膜用の薄膜電極。 （２、特許請求の範囲（１）記載の電極において、１”
ｅ含有金属として純鉄を用いたことを特徴と°ツるＮｉ
化合物薄膜用の薄膜電極。 く３）特許請求の範囲（１）記載の電極において、１”
ｅ含有金属としてＦｅ合金を用いたことを特徴とするＮ
ｉ化合物薄膜用の薄膜電極。 （４）特許請求の範囲（１）、（２）のいずれかに記載
の電極にＪ３いて、Ｆｅ含有金属としてＣ＜ ０．２ｗ
ｔ、％ 、 Ｓｉ＜ ０．５Ｘ 、Ｈｎ＜１％、Ｐ ＜
０．０３％。 Ｓ ＜０．０３Ｘ、 Ｎ （＜３％、 Ｃｒ＜２％、Ｈ
ｏ＜０．５．％から成るＦｅ合合材材料用いたことを特
徴とするＮｉ化合物薄膜用の薄膜電極。 （５）特許請求の範囲（１）ないしく４）のいずれかに
記載の電極においてＦｅ含有金属は、５００ないし２０
０００人の膜厚に形成されたことを特徴とするＮｉ化合
物薄膜用の簿膜電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054074A JPS60196952A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | Νｉ化合物薄膜用の薄膜電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054074A JPS60196952A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | Νｉ化合物薄膜用の薄膜電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60196952A true JPS60196952A (ja) | 1985-10-05 |
| JPH0349661B2 JPH0349661B2 (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=12960469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59054074A Granted JPS60196952A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | Νｉ化合物薄膜用の薄膜電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60196952A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4980560A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-08-03 | ||
| JPS58165211A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-09-30 | カルル・ノイメイヤ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 鉄線材およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP59054074A patent/JPS60196952A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4980560A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-08-03 | ||
| JPS58165211A (ja) * | 1981-12-30 | 1983-09-30 | カルル・ノイメイヤ−・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 鉄線材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349661B2 (ja) | 1991-07-30 |
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