JPS60188358A - プロピンニトリル誘導体 - Google Patents
プロピンニトリル誘導体Info
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- JPS60188358A JPS60188358A JP4457884A JP4457884A JPS60188358A JP S60188358 A JPS60188358 A JP S60188358A JP 4457884 A JP4457884 A JP 4457884A JP 4457884 A JP4457884 A JP 4457884A JP S60188358 A JPS60188358 A JP S60188358A
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- JP
- Japan
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- compound
- liquid crystal
- general formula
- mol
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- Pending
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- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なプロピンニトリル誘導体に関するもの
である。詳しくは、液晶組成物の成分として使用するこ
とが出来る新規なプロピンニトリル誘導体に関するもの
である。
である。詳しくは、液晶組成物の成分として使用するこ
とが出来る新規なプロピンニトリル誘導体に関するもの
である。
液晶化合物が電気光学表示装置に利用されて以来、数多
くの液晶物質が合成され、ネマチック液晶またはネマチ
ック−コレステリック液晶がねじれネマチックモード表
示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利用表
示素子、またはゲスト・ホスト効果利用表示素子などに
広く利用されている。
くの液晶物質が合成され、ネマチック液晶またはネマチ
ック−コレステリック液晶がねじれネマチックモード表
示素子、コレステリック−ネマチック相転移現象利用表
示素子、またはゲスト・ホスト効果利用表示素子などに
広く利用されている。
これら液晶化合物には、水分、空気、光、熱等に対して
安定であることが要求され、また室温で液晶状態である
のは勿論のこと、低温から高温までのできるだけ広い温
度範囲で液晶状態を示すものが望まれる。
安定であることが要求され、また室温で液晶状態である
のは勿論のこと、低温から高温までのできるだけ広い温
度範囲で液晶状態を示すものが望まれる。
従来、かかる液晶状態を示す化合物として、例えば、特
開昭１Ｉ９−９！ｔｔＪ号公報にビフェニル系化合物が
、特開昭！；！−／／ｇ’１ｇ３号公報にジオキサン系
化合物が提案されている。
開昭１Ｉ９−９！ｔｔＪ号公報にビフェニル系化合物が
、特開昭！；！−／／ｇ’１ｇ３号公報にジオキサン系
化合物が提案されている。
本発明は、巾広い温度範囲で良好な液晶組成物を与える
化合物の提供をその目的とするものである。
化合物の提供をその目的とするものである。
すなわち本発明は、一般式ＣＩ）
〔式中、Ｒ−はＯｎ＋Ｈ２ｆｉ＋１＋ 、 ａ、Ｈ２，
＋ｎｏＯ。
＋ｎｏＯ。
ＣｎＨ２ｎ＋１ ＋ ＣｎＨ２ｎ＋１０ ＋ ＣｎＨ２
ｎ＋１ ” −。
ｎ＋１ ” −。
１
ｍは２〜８の整数を、そしてｔは３〜８の整数ｔ＝ｉｔ
わす〕で示されるプロピンニトリル誘導体を要旨とする
ものである。
わす〕で示されるプロピンニトリル誘導体を要旨とする
ものである。
本発明のプロピンニトリル誘導体は、単独であっても、
それらの混合物であっても、更には、適当な公知の液晶
化合物と組合せて使用することができ、従来より巾広い
温度範囲で液晶相を示す液晶組成物として使用すること
ができる。
それらの混合物であっても、更には、適当な公知の液晶
化合物と組合せて使用することができ、従来より巾広い
温度範囲で液晶相を示す液晶組成物として使用すること
ができる。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明のプロピンニトリル誘導体は、前記一般式〔Ｉ〕
で示され、詳しくは、下記一般式ＣＩＩ）〜（ＩＸ）で
示される。
で示され、詳しくは、下記一般式ＣＩＩ）〜（ＩＸ）で
示される。
ｃｎＨｚｙ１＋ｘにじ＋（Ｈミ０−ＣＮ ・・＝ ［：
Ｉｌ］ＣｎＨ２ｎ＋１００００−Ｃ−ＣＮ ・・・・・
・・・ 〔用〕ＣｍＨ２ｍ＋ＩＯＣミ三三〇−ＯＮ −
−・ …−−− … ＣＩＶ：］］ＣｔＨ２ｔ＋１ＯＲ
５０ヨＣ−ＣＮ ・・・・・・・・・・・ （Ｖ）ＩＣ
ｎＨ２ｎ＋１−Ｃ−０−Ｑ−Ｃヨ０−ＯＮ ・・・・・
・・・ 〔ｖ１〕１ ｃｙＩＨ２ｎ＋ＩＱ−００＋Ｏ三０−ＯＮ ・−−・・
（■［’］０ｎＨｂ なお、上記一般式〔■〕〜〔■〕においてｎ、ｍ及びｔ
は、前記一般式〔Ｉ〕における定義に同じである。
Ｉｌ］ＣｎＨ２ｎ＋１００００−Ｃ−ＣＮ ・・・・・
・・・ 〔用〕ＣｍＨ２ｍ＋ＩＯＣミ三三〇−ＯＮ −
−・ …−−− … ＣＩＶ：］］ＣｔＨ２ｔ＋１ＯＲ
５０ヨＣ−ＣＮ ・・・・・・・・・・・ （Ｖ）ＩＣ
ｎＨ２ｎ＋１−Ｃ−０−Ｑ−Ｃヨ０−ＯＮ ・・・・・
・・・ 〔ｖ１〕１ ｃｙＩＨ２ｎ＋ＩＱ−００＋Ｏ三０−ＯＮ ・−−・・
（■［’］０ｎＨｂ なお、上記一般式〔■〕〜〔■〕においてｎ、ｍ及びｔ
は、前記一般式〔Ｉ〕における定義に同じである。
本発明の一般式〔旧〜〔■〕で示されるプロピ ３−
ンニトリル誘導体は、例えば、次の合成方法Ａ１Ｂ及び
Ｃで得ることが出来る。
Ｃで得ることが出来る。
１）合成方法Ａニ
一般式〔１１〕〜〔ｖ１〕で示される化合物の合成に適
１．た方法であり、該合成方法Ａの反応式を以下に示す
。
１．た方法であり、該合成方法Ａの反応式を以下に示す
。
（ｄ）
すなわち、酸塩化物（ａ）とシアノメチレントリフェニ
ルホスホラン（ｂ）とを、反応に不活性な溶媒、例、ｔ
ば、ベンゼン、トルエン、モノクロルベンゼン等の中で
脱塩化水素縮合させてホスホラン訪導体（Ｃ）とし、こ
れを減圧下、例えば ４− ２００〜３００℃に加熱して、熱分解することにより、
目的化合物〔１０〜〔■〕を合成することができる。
ルホスホラン（ｂ）とを、反応に不活性な溶媒、例、ｔ
ば、ベンゼン、トルエン、モノクロルベンゼン等の中で
脱塩化水素縮合させてホスホラン訪導体（Ｃ）とし、こ
れを減圧下、例えば ４− ２００〜３００℃に加熱して、熱分解することにより、
目的化合物〔１０〜〔■〕を合成することができる。
また、該合成方法Ａにより前記一般式〔■〕及びｌ〕で
示される化合物を合成することもできる。
示される化合物を合成することもできる。
１１）合成方法Ｂ：
前記一般式［Ｖｌｌ’ｌｌ及び（Ｖｌｉ〕で示される化
合物の合成に適した方法であり、該合成方法Ｂの反応式
を以下に示す。
合物の合成に適した方法であり、該合成方法Ｂの反応式
を以下に示す。
（θ）
ただし、上記式（ｆ）中、ＷはＣｎＨ２ｎ＋１−Ｑ−ま
たは、ＣｎＨ２ｎ＋１吾を示し、ｎは、一般式〔Ｉ〕の
定義に同じである。
たは、ＣｎＨ２ｎ＋１吾を示し、ｎは、一般式〔Ｉ〕の
定義に同じである。
すなわち、３−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−コープロ
ピンニトリル（θ）と酸塩化物（ｆ）とをベンゼン、ト
ルエン等の溶媒中で脱塩化水素縮合させることにより、
目的化合物〔■〕または（Ｖｌｌｌ）を合成することが
できる。
ピンニトリル（θ）と酸塩化物（ｆ）とをベンゼン、ト
ルエン等の溶媒中で脱塩化水素縮合させることにより、
目的化合物〔■〕または（Ｖｌｌｌ）を合成することが
できる。
また、出発原料である酸塩化物（ｆ）をＣＩＨ２ｔ＋ｘ
ｏｌ （ｔは一般式（Ｉ）の定義に同じ）に代えること
により、前記一般式〔■〕で示される化合物を、そして
同様に０ｎＨ２ｎ＋１００Ｃ１（ｎは一般式〔１〕の定
義に同じ）に代えることによシ前記一般式〔■〕で示さ
れる化合物を合成することができる。
ｏｌ （ｔは一般式（Ｉ）の定義に同じ）に代えること
により、前記一般式〔■〕で示される化合物を、そして
同様に０ｎＨ２ｎ＋１００Ｃ１（ｎは一般式〔１〕の定
義に同じ）に代えることによシ前記一般式〔■〕で示さ
れる化合物を合成することができる。
１１））合成方法Ｃ：
前記一般式〔■〕で示される化合物の合成に適した方法
であり、該合成方法Ｃの反応式を以下に示す。
であり、該合成方法Ｃの反応式を以下に示す。
（ｈ）
ただし、上記式（ｈ）及び〔■〕中、ｎは、一般式［ｉ
）の定義に同じである。
）の定義に同じである。
すｆｔｂち、３− （ｐ−ホルミルフェニル）−コープ
ロビンニトリル（ｇ）とコーアルキルー／、、？−７’
ロパンジオール（ｂ）とをベンゼン、トルエン等の溶媒
中で酸触媒脱水縮合させることにより目的化合物〔■〕
を合成することができる。
ロビンニトリル（ｇ）とコーアルキルー／、、？−７’
ロパンジオール（ｂ）とをベンゼン、トルエン等の溶媒
中で酸触媒脱水縮合させることにより目的化合物〔■〕
を合成することができる。
本発明の化合物を使用して液晶組成物を形成させる場合
、前記一般式〔旧、 Ｃｕ１ｌ’） 、 ＣＶＩＩＩ
、 ［■〕および〔■〕で表わされる化合物は単独で使
用してもよく、さらに、本発明の他の化合物またはその
他の公知の液晶化合物と組合せて使用することができる
。また、前記一般式ＣＩＶ） 、 ＥＶ）および〔■〕
で表わされる化合物は、それ自身は液晶相を示さないの
で、本発明の他の化合物または適当な公知の液晶化合物
と組合せて使用することができる。
、前記一般式〔旧、 Ｃｕ１ｌ’） 、 ＣＶＩＩＩ
、 ［■〕および〔■〕で表わされる化合物は単独で使
用してもよく、さらに、本発明の他の化合物またはその
他の公知の液晶化合物と組合せて使用することができる
。また、前記一般式ＣＩＶ） 、 ＥＶ）および〔■〕
で表わされる化合物は、それ自身は液晶相を示さないの
で、本発明の他の化合物または適当な公知の液晶化合物
と組合せて使用することができる。
かかる公知の液晶化合物としては、エステル系、ジエス
テル系、アゾキシ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系
、ピフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、ククロヘ
キシルシクロヘキ ７− サン系、ビシクロオクタン系、ジオキサン系あるいは、
ベンゼン環、シクロヘキサン環よす成る多環化合物系等
が挙げられる。更に本発明において液晶組成物を形成す
る場合、公知の二色性色素あるいは減粘剤等の添加剤を
併用することが出来る。
テル系、アゾキシ系、アゾ系、シッフ系、ピリミジン系
、ピフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、ククロヘ
キシルシクロヘキ ７− サン系、ビシクロオクタン系、ジオキサン系あるいは、
ベンゼン環、シクロヘキサン環よす成る多環化合物系等
が挙げられる。更に本発明において液晶組成物を形成す
る場合、公知の二色性色素あるいは減粘剤等の添加剤を
併用することが出来る。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明は、以下の実施例に限定されるものではない。
明は、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例／（一般式〔旧におけるｎ−５の化合物〕ニジア
ノメチレントリフェニルホスホラン／、２．ｌＩｇ（０
，Ｏ１ｌ／ｍｏ］）を乾燥したベンゼンｊθ０ｒｒｄ！
に溶かし、これに４１’−ｎ−ペンチルーヶーヒフェニ
ル力ルボニルク四リド！ｒ、ｑｇ（０，０，２ｍｏｌ
）を乾燥したベンゼンｊＯｒｒｔに溶かして加え、室温
でｌざ時間かｔ！５まぜた。析出したシアノメチルトリ
フェニルホスホニウムクロリドを戸別した。Ｐ液のベン
ゼンを蒸留して除き、得られた固体をメチルエチルケト
ンで再結晶すると融点が、２コ０−．２２／℃のグＪ
ｎ−べ Ｂ − ンチルーグービフェニルカルボニルシアノメチレントリ
フェニルホスホランタ、３７１ （０，０Ｉ７ｍｏ１）
を得た。構造は元素分析、ＩＲ及びＮＭＲスペクトルに
よって確認した。
ノメチレントリフェニルホスホラン／、２．ｌＩｇ（０
，Ｏ１ｌ／ｍｏ］）を乾燥したベンゼンｊθ０ｒｒｄ！
に溶かし、これに４１’−ｎ−ペンチルーヶーヒフェニ
ル力ルボニルク四リド！ｒ、ｑｇ（０，０，２ｍｏｌ
）を乾燥したベンゼンｊＯｒｒｔに溶かして加え、室温
でｌざ時間かｔ！５まぜた。析出したシアノメチルトリ
フェニルホスホニウムクロリドを戸別した。Ｐ液のベン
ゼンを蒸留して除き、得られた固体をメチルエチルケト
ンで再結晶すると融点が、２コ０−．２２／℃のグＪ
ｎ−べ Ｂ − ンチルーグービフェニルカルボニルシアノメチレントリ
フェニルホスホランタ、３７１ （０，０Ｉ７ｍｏ１）
を得た。構造は元素分析、ＩＲ及びＮＭＲスペクトルに
よって確認した。
元素分析値（襲） ｃ：ｇコ、’７９ Ｈ：Ａ、、２３
Ｎ：２．に２得られたホスホラン？、７１ （０，０
／４’ｍｏｌ ）を減圧下（−ｍｍＨｇ）に２４’０〜
２！；０℃に加熱すると熱分解して、目的の化合物であ
る。？ −（ｌＩ’−ｎ−ペンチル−グービフェニル）
−２−プロピンニトリルが留出した。これをシリカゲル
を充てんし九カラムクロマトグラフで単離し、さらにｎ
−ヘキサンで再結晶すると純粋な目的物３．４１Ｖ Ｃ
０，０／３ ｍｏｂ）を得た。構造は元素分析、工Ｒ及
びＮＭＲスペクトルによって確認した。
Ｎ：２．に２得られたホスホラン？、７１ （０，０
／４’ｍｏｌ ）を減圧下（−ｍｍＨｇ）に２４’０〜
２！；０℃に加熱すると熱分解して、目的の化合物であ
る。？ −（ｌＩ’−ｎ−ペンチル−グービフェニル）
−２−プロピンニトリルが留出した。これをシリカゲル
を充てんし九カラムクロマトグラフで単離し、さらにｎ
−ヘキサンで再結晶すると純粋な目的物３．４１Ｖ Ｃ
０，０／３ ｍｏｂ）を得た。構造は元素分析、工Ｒ及
びＮＭＲスペクトルによって確認した。
元素分析値（１）Ｏ：１Ｊ４１Ｈ：ｔ、０Ｉ Ｎ：ｉ／
θＩＨＮＭＲ（δ、 ０ＤＯｔ、／ＴＭＳ ）０．４４
〜／、／２ （ｍ、ＪＨ）、ハ／コ〜ハ２０ （ｍ、乙
Ｈ）＋２．’ｌＯ〜 ２．デ０ （ｍ、、２Ｈ）、 り
、、２ｙ （ａ、ｘａ）。
θＩＨＮＭＲ（δ、 ０ＤＯｔ、／ＴＭＳ ）０．４４
〜／、／２ （ｍ、ＪＨ）、ハ／コ〜ハ２０ （ｍ、乙
Ｈ）＋２．’ｌＯ〜 ２．デ０ （ｍ、、２Ｈ）、 り
、、２ｙ （ａ、ｘａ）。
？、ｒＯＣｅＬ、、２Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈ２）、７．４．
２ （ｓ、１ＩＨ）この化合物は一般式［ｎ）の０ｎＨ
２ｎ＋１−がｎ−０５Ｈ１１−の化合物であって、結晶
からネマチック液晶への転移温度がｌＩｇ℃で、ネマチ
ック液晶から等方性液体への転移温度は７．２０℃であ
った。
２ （ｓ、１ＩＨ）この化合物は一般式［ｎ）の０ｎＨ
２ｎ＋１−がｎ−０５Ｈ１１−の化合物であって、結晶
からネマチック液晶への転移温度がｌＩｇ℃で、ネマチ
ック液晶から等方性液体への転移温度は７．２０℃であ
った。
実施例、２（一般式〔旧におけるｎ＝ざの化合物〕：ニ
ジアノメチレントリフェニルホスホラン、６１１ （Ｏ
，０，２，２ｍｏｌ ）を乾燥したベンゼンコ３θ−に
溶かし、これに’Ｉ’−ｎ−オクチルーダービフエ；ル
カルポニルクロリド３．３ ｇ （０，０／ ｍｏｌ
）を乾燥したベンゼン３０ｍ１に溶かして加えた後、室
温で７７時間かきまぜ、以下実施例／の方法に従って融
点が１１２〜１１３℃の’Ｉ’−ｎ−オクチルーグービ
フェニルカルボニルシアノメチレントリフェニルホスホ
ランｅ、ｇ ｏ （ｏ、θＯ１ｒｍＯ’ｌ）を得た。構
造は元素分析、工Ｒ及びＮＭＲスペクトルで確認した。
ジアノメチレントリフェニルホスホラン、６１１ （Ｏ
，０，２，２ｍｏｌ ）を乾燥したベンゼンコ３θ−に
溶かし、これに’Ｉ’−ｎ−オクチルーダービフエ；ル
カルポニルクロリド３．３ ｇ （０，０／ ｍｏｌ
）を乾燥したベンゼン３０ｍ１に溶かして加えた後、室
温で７７時間かきまぜ、以下実施例／の方法に従って融
点が１１２〜１１３℃の’Ｉ’−ｎ−オクチルーグービ
フェニルカルボニルシアノメチレントリフェニルホスホ
ランｅ、ｇ ｏ （ｏ、θＯ１ｒｍＯ’ｌ）を得た。構
造は元素分析、工Ｒ及びＮＭＲスペクトルで確認した。
得られたホスポラン３．／ ９ （０，００，！；；ｌ
ｍｏｌ ）を実施例１と同様に熱分解および精製する
ことにより、目的化合物３−（’ｌ’−ｎ−オクチルー
Ｖ−ビフエニｌル）−一−プロピンニトリル／謙１１
（０，００１Ｉ’ｌ ｍｏｌ）を得た。
ｍｏｌ ）を実施例１と同様に熱分解および精製する
ことにより、目的化合物３−（’ｌ’−ｎ−オクチルー
Ｖ−ビフエニｌル）−一−プロピンニトリル／謙１１
（０，００１Ｉ’ｌ ｍｏｌ）を得た。
この化合物は一般式〔１１〕の０ｎＪｎ＋ｔ−がｎ Ｏ
ｓＨ＋ｒ−の化合物であって、結晶からスメクチック液
晶への転移温度が３ｇ℃で、スメクチック液晶からネマ
チック液晶への転移温度が？Ｓ℃であり、ネマチック液
晶から等方性液体への転移温度が１０！℃であった。
ｓＨ＋ｒ−の化合物であって、結晶からスメクチック液
晶への転移温度が３ｇ℃で、スメクチック液晶からネマ
チック液晶への転移温度が？Ｓ℃であり、ネマチック液
晶から等方性液体への転移温度が１０！℃であった。
実施例３（一般式印〕におけるｎ ＝ 、７の化合物）
ニジアノメチレントリフェニルホスホランθ、０．２４
ｍｏｌを乾燥したベンゼン、２ＳＯ−に溶かシ、コレニ
、＋’−ｎ−７’ロボキシーダービフェニルカルボニル
クロリド０．０ ／ 、２ｍｏｌを乾燥したベンゼン３
０ｍ１に溶かしたものを加えた後、室温で７７時間かき
まぜ、以下実施例／の方法に従って融点が−１２〜、２
ｙ３℃のＩＩ’−ｎ−プロホキシーダービフェニルカル
ボニルシアノメチレントリフェニルホスホランＯ，（７
／ｍｏｌ ヲ得り。
ニジアノメチレントリフェニルホスホランθ、０．２４
ｍｏｌを乾燥したベンゼン、２ＳＯ−に溶かシ、コレニ
、＋’−ｎ−７’ロボキシーダービフェニルカルボニル
クロリド０．０ ／ 、２ｍｏｌを乾燥したベンゼン３
０ｍ１に溶かしたものを加えた後、室温で７７時間かき
まぜ、以下実施例／の方法に従って融点が−１２〜、２
ｙ３℃のＩＩ’−ｎ−プロホキシーダービフェニルカル
ボニルシアノメチレントリフェニルホスホランＯ，（７
／ｍｏｌ ヲ得り。
１１−
得られたホスホラン０．００ｇｍｏ１を実施例／と同様
に熱分解および精製して、目的の３− （ｌＩ’−ｎ
−フロホキシーグービフェニル）−コープロビンニトリ
ル０．ＯθＡｒｎｏ１ヲ得ｆｃ。
に熱分解および精製して、目的の３− （ｌＩ’−ｎ
−フロホキシーグービフェニル）−コープロビンニトリ
ル０．ＯθＡｒｎｏ１ヲ得ｆｃ。
この化合物は一般式〔■〕の０ｎＨ２ｎ＋１０−がｎ−
０３）１７０−の化合物であって、結晶からネマチック
液晶への転移温度が９ｆ℃でネマチック液晶から等方性
液体への転移温度が１９０℃であった０ 実施例ダ（一般式α〕におけるｍ ＝ Ｑの化合物）：
ｐ−ｎ−ブチルベンゾイルクロリドＯ０Ｏ／ｍ０１とシ
アノメチレントリフェニルホスホランＯ００，２７ｍ０
１とを用いて実施例／の方法に従ってｐ−ｎ−ブチルベ
ンゾイルシアノメチレントリフェニルホスホラン０．０
０７ｍｏ１を得た。融点は／９−〜７９３℃であった。
０３）１７０−の化合物であって、結晶からネマチック
液晶への転移温度が９ｆ℃でネマチック液晶から等方性
液体への転移温度が１９０℃であった０ 実施例ダ（一般式α〕におけるｍ ＝ Ｑの化合物）：
ｐ−ｎ−ブチルベンゾイルクロリドＯ０Ｏ／ｍ０１とシ
アノメチレントリフェニルホスホランＯ００，２７ｍ０
１とを用いて実施例／の方法に従ってｐ−ｎ−ブチルベ
ンゾイルシアノメチレントリフェニルホスホラン０．０
０７ｍｏ１を得た。融点は／９−〜７９３℃であった。
元素分析値帳） ａ：ｇθ、７４ Ｈ：ｌｌ Ｎ：３．
００得られたホスホランのｏ、ｏ ｏ ｓモルを実施例
／１２− （ｐ−ｎ−７’チルフエニル） −ｓ −フロビンニト
リル０．００グｍｏａｔを得た。
００得られたホスホランのｏ、ｏ ｏ ｓモルを実施例
／１２− （ｐ−ｎ−７’チルフエニル） −ｓ −フロビンニト
リル０．００グｍｏａｔを得た。
元素分析値（％） ｃｏｇｓ、コざ Ｈ：ｔ、１０ Ｎ
ニア、Ａ？この化合物は一般式［ＩＶ］の０ｎＨ２ｎ＋
１−がｎ−０４Ｈ，−の化合物であって、融点が２／℃
でろ相への転移温度は、２ ｊ −；３℃でネマチック
液晶相から等方性液体への転移温度はＡ／℃であった。
ニア、Ａ？この化合物は一般式［ＩＶ］の０ｎＨ２ｎ＋
１−がｎ−０４Ｈ，−の化合物であって、融点が２／℃
でろ相への転移温度は、２ ｊ −；３℃でネマチック
液晶相から等方性液体への転移温度はＡ／℃であった。
実施例Ｓ（一般式（Ｖ）におけるｔ−４１の化合物）：
ｐ−ブトキシベンゾイルクロリドとシアノメチレントリ
フェニルホスホランとを用い、実施例ダと同様な操作方
法で３−（ｐ−ｎ−ブトキシフェニル）−コープロビン
ニトリルヲ得り。
ｐ−ブトキシベンゾイルクロリドとシアノメチレントリ
フェニルホスホランとを用い、実施例ダと同様な操作方
法で３−（ｐ−ｎ−ブトキシフェニル）−コープロビン
ニトリルヲ得り。
構造は元素分析、工Ｒ及びＮＭＲスペクトルで確認した
。この化合物は沸点が６？〜７／℃／／／ｗＨｇで、融
点が３３．０〜３３．３℃であった。
。この化合物は沸点が６？〜７／℃／／／ｗＨｇで、融
点が３３．０〜３３．３℃であった。
この化合物も実施例亭の化合物と同様に他の液晶化合物
と組合せて液晶組成物を形成させることができた。
と組合せて液晶組成物を形成させることができた。
実施例Ａ（一般式〔■〕におけるｎ−５の化合物）：ｐ
−ｎ−ヘキサノイルオキシベンゾイルクロリドとシアノ
メチレントリフェニルホスホランとを用い、実施例亭と
同様な操作方法で３−（ｐ−ｎ−ヘキサノイルオキシフ
ェニル）−λ−プロピンニトリルを得た。構造は元素分
析、ＩＲ及びＮＭＲスペクトルで確認した。
−ｎ−ヘキサノイルオキシベンゾイルクロリドとシアノ
メチレントリフェニルホスホランとを用い、実施例亭と
同様な操作方法で３−（ｐ−ｎ−ヘキサノイルオキシフ
ェニル）−λ−プロピンニトリルを得た。構造は元素分
析、ＩＲ及びＮＭＲスペクトルで確認した。
元素分析値（９））Ｃ：７グ、５／ Ｈ：ｉλりＮ：！
ｒ、ｇ／この化合物は一般式ＣＶＩ’ｌの０ｎＨ２ｎ＋
１−がｎ−０５Ｈ，、−の化合物であって、融点がフタ
℃であった。この化合物も実施例グの化合物と同様に、
他の液晶化合物と組合せて液晶組成物を形成させること
ができた。
ｒ、ｇ／この化合物は一般式ＣＶＩ’ｌの０ｎＨ２ｎ＋
１−がｎ−０５Ｈ，、−の化合物であって、融点がフタ
℃であった。この化合物も実施例グの化合物と同様に、
他の液晶化合物と組合せて液晶組成物を形成させること
ができた。
実施例７（一般式閑〕におけるｎ ＝ ＩＩの化合物）
；実施例６で得られた。７−（ｐ−ｎ−ヘキサノイルオ
キシフェニル）−一一プロピンニトリルＯ，０，２ｍ０
１をｉｏｏｍｐのテトラヒドロンランに溶かし、これに
水酸化カリウム０．０５ｍｏｌ（５水１０−に溶かして
加え、室温で７０時間か＠まぜてエステルを加水分解し
た。これに酢ｅ ｏ、ｏ３ＩｎＯ１をテトラヒドロフラ
ンｊ ｎｒｌに溶かして加えた後、テトラヒドロフラン
を減圧下に除き、残った固体をベンゼンで抽出し、３
（ｐ−ヒドロキシフェニル）−２−プロピンニトリルθ
、０／ｍｏ］、を得た。次いでベンゼンで阿結晶し、融
点が１３０℃の白色結晶を得た。構造は元素分析、工Ｒ
及びＮＭＲスペクトルで確認した。
；実施例６で得られた。７−（ｐ−ｎ−ヘキサノイルオ
キシフェニル）−一一プロピンニトリルＯ，０，２ｍ０
１をｉｏｏｍｐのテトラヒドロンランに溶かし、これに
水酸化カリウム０．０５ｍｏｌ（５水１０−に溶かして
加え、室温で７０時間か＠まぜてエステルを加水分解し
た。これに酢ｅ ｏ、ｏ３ＩｎＯ１をテトラヒドロフラ
ンｊ ｎｒｌに溶かして加えた後、テトラヒドロフラン
を減圧下に除き、残った固体をベンゼンで抽出し、３
（ｐ−ヒドロキシフェニル）−２−プロピンニトリルθ
、０／ｍｏ］、を得た。次いでベンゼンで阿結晶し、融
点が１３０℃の白色結晶を得た。構造は元素分析、工Ｒ
及びＮＭＲスペクトルで確認した。
元素分析値（％） ａ：ｑｓ、、２ａ Ｈ：ｔ、ｓｑ
Ｎ：ｑ、ｂｂ以上のようにして得られたＪ−（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）−２−プロビンニトリルθ、００３ｍ
ｏｌを乾燥したベンゼン３０ｍ１に加え、これに乾燥し
たピリジン０．０ａｇ ｍｏｌを加え、かきまぜ１５− なからｐ−ｎ−ブチルベンゾイルクロリド０．００３ｍ
ｏ１を加え、Ｓ時間、１０℃でかきまぜた。反応終了後
、析出したピリジン塩酸塩を戸別して除き、水、希塩酸
、水を用いて順次洗浄し、ベンゼンを蒸留して除去し、
目的のエステル化合物（固体）を得た。この固体をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーと再結晶によって精製
し、目的の３−Ｃｐ＝（ｐ’ −ｎ−ブチルベンツイル
オキシ）フェニル〕−コープロピンニトリルｏ、ｏｏ、
２５ｍｏｌ を得た。構造は元素分析１、ＴＲ及びＮＭ
Ｒスペクトルで確認した。
Ｎ：ｑ、ｂｂ以上のようにして得られたＪ−（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）−２−プロビンニトリルθ、００３ｍ
ｏｌを乾燥したベンゼン３０ｍ１に加え、これに乾燥し
たピリジン０．０ａｇ ｍｏｌを加え、かきまぜ１５− なからｐ−ｎ−ブチルベンゾイルクロリド０．００３ｍ
ｏ１を加え、Ｓ時間、１０℃でかきまぜた。反応終了後
、析出したピリジン塩酸塩を戸別して除き、水、希塩酸
、水を用いて順次洗浄し、ベンゼンを蒸留して除去し、
目的のエステル化合物（固体）を得た。この固体をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーと再結晶によって精製
し、目的の３−Ｃｐ＝（ｐ’ −ｎ−ブチルベンツイル
オキシ）フェニル〕−コープロピンニトリルｏ、ｏｏ、
２５ｍｏｌ を得た。構造は元素分析１、ＴＲ及びＮＭ
Ｒスペクトルで確認した。
この化合物は一般式〔■〕の０ｒｌＨ２ｎ＋１−がｎ−
０４Ｈ，−の化合物であって、結晶からネマチック液晶
への転移温度がｇ９℃でネマチック液晶から等方性液体
への転移温度がｉｂｇ℃であっだ０ 実施例ざ（一般式〔■１〕におけるｎ ＝ ’Ｉの化合
物）３−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−コープロピンニ
トリルトトランスーｙ−ｎ−ブチルシクロヘキサンカル
ボニルクロリドとを用い、実施＝１６− 例７と同様な操作方法で目的の３−ｃｐ−ｃトランス−
ＩＩ −ｎ −７’チルシクロヘキサンカルボニルオキ
シ）フェニル〕−コーブロビンニトリルを得た。
０４Ｈ，−の化合物であって、結晶からネマチック液晶
への転移温度がｇ９℃でネマチック液晶から等方性液体
への転移温度がｉｂｇ℃であっだ０ 実施例ざ（一般式〔■１〕におけるｎ ＝ ’Ｉの化合
物）３−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−コープロピンニ
トリルトトランスーｙ−ｎ−ブチルシクロヘキサンカル
ボニルクロリドとを用い、実施＝１６− 例７と同様な操作方法で目的の３−ｃｐ−ｃトランス−
ＩＩ −ｎ −７’チルシクロヘキサンカルボニルオキ
シ）フェニル〕−コーブロビンニトリルを得た。
この化合物は一般式〔■１〕のａｎｌｉ２ｎ＋、−がト
ランス−ｎ−０４Ｈ，−の化合物であって、結晶からネ
マチック液晶への転移温度が＋／℃でネマチック液晶か
ら等方性液体への転移温度が／４’−℃であった。
ランス−ｎ−０４Ｈ，−の化合物であって、結晶からネ
マチック液晶への転移温度が＋／℃でネマチック液晶か
ら等方性液体への転移温度が／４’−℃であった。
実施例９（一般式〔■〕におけるｎ−３の化合物）ニ一
般式（ＩＸ）の化合物は前記の合成方法（０）によって
合成することができる。合成方法（０）で必要な新規化
合物の３−（ｐ−ホルミルフェニル）） 一λ−プロピンニトリル〔〆〕は、合成方法（Ａ）によ
って合成することができる。すなわち、ｐ−ホルミルベ
ンゾイルクロリドとシアノメチレントリフェニルホスホ
ランとを用いて、実施例／の方法に従ってホスホラン誘
導体を合成し、とれを熱分解することによって４ −
喜＝１Ｊ（ｐ−ホルミル フェニル）−コープロピンニトリルの結晶ヲ４たｏ Ｚ
ｒ＜、Ｎ、ｔ＞９タル９ｇ’（−７，・Ａ つｒ＝。
般式（ＩＸ）の化合物は前記の合成方法（０）によって
合成することができる。合成方法（０）で必要な新規化
合物の３−（ｐ−ホルミルフェニル）） 一λ−プロピンニトリル〔〆〕は、合成方法（Ａ）によ
って合成することができる。すなわち、ｐ−ホルミルベ
ンゾイルクロリドとシアノメチレントリフェニルホスホ
ランとを用いて、実施例／の方法に従ってホスホラン誘
導体を合成し、とれを熱分解することによって４ −
喜＝１Ｊ（ｐ−ホルミル フェニル）−コープロピンニトリルの結晶ヲ４たｏ Ｚ
ｒ＜、Ｎ、ｔ＞９タル９ｇ’（−７，・Ａ つｒ＝。
得られた結晶０．０ ／ ｍｏｌと 、２−ｎ−ペンチ
ル−／、３−フロパンジオール０．θ／ ｍｏｌ （！
： ヲヘ７ セン！；Ｏｍｅに溶かし、これに触媒とし
てｐ−）ルエンスルホン酸を加え、共沸脱水した。反応
終了後、５％水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、水洗し
、乾燥後ベンゼンを蒸留して除去し、３Ｃｐ（！；’−
ｎ−ペンチルー／’、 ３’−ジオキサ＝Ω′−シクロ
ヘキシル）フェニル］ −，２−フロ混合物をｎ−ヘキ
サンから再結晶して、３−（ｐ−（ｊ’−）ランス−ｎ
−ペンチル−／１．３１−ジオキサーー′−シクロヘキ
シル）フェニル〕−コープロビンニトリル０．００４ｍ
ｏ１を得た。構造は元素分析、ＩＲ及びＮＭＲスペクト
ルで確認した。
ル−／、３−フロパンジオール０．θ／ ｍｏｌ （！
： ヲヘ７ セン！；Ｏｍｅに溶かし、これに触媒とし
てｐ−）ルエンスルホン酸を加え、共沸脱水した。反応
終了後、５％水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、水洗し
、乾燥後ベンゼンを蒸留して除去し、３Ｃｐ（！；’−
ｎ−ペンチルー／’、 ３’−ジオキサ＝Ω′−シクロ
ヘキシル）フェニル］ −，２−フロ混合物をｎ−ヘキ
サンから再結晶して、３−（ｐ−（ｊ’−）ランス−ｎ
−ペンチル−／１．３１−ジオキサーー′−シクロヘキ
シル）フェニル〕−コープロビンニトリル０．００４ｍ
ｏ１を得た。構造は元素分析、ＩＲ及びＮＭＲスペクト
ルで確認した。
元素分析値（％） ＯニアＡＪθＨニア、’１ｇ Ｎ：
’１．りｊこの化合物は一般式〔■〕の０ｎＨ２ｎ＋１
−がトランス−ｎ−０，Ｈ，、−の化合物であって、結
晶からネマチック液晶への転移温度が６０℃でネマチッ
ク液晶から等方性液体への転移温度が／／／℃実施例７
０〜／／ 化合物の融点（ｍｐ）、結晶からネマチック液晶への転
移点（ＯＮ）及びネマチック液晶から等方性液体への転
移点（Ｎ工）を第１表に示した。
’１．りｊこの化合物は一般式〔■〕の０ｎＨ２ｎ＋１
−がトランス−ｎ−０，Ｈ，、−の化合物であって、結
晶からネマチック液晶への転移温度が６０℃でネマチッ
ク液晶から等方性液体への転移温度が／／／℃実施例７
０〜／／ 化合物の融点（ｍｐ）、結晶からネマチック液晶への転
移点（ＯＮ）及びネマチック液晶から等方性液体への転
移点（Ｎ工）を第１表に示した。
１９−
南−←＃＃浮
２０−
出 願 人 三 菱イｂへ工末朝（式４３社代 理 人
弁理士長谷用 − 〇力＼／名
弁理士長谷用 − 〇力＼／名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式ＣＩ） 〔式中、Ｒ−は ａｎＨ２ｎ＋１０’−、０ＩＨ２Ｈ＋
ｌＯＤ 。 ＣｍＨ２ｍ＋１ ＋ ＣｔＨ２ｔ＋１Ｏ−１ＣｎＨ２ｎ
＋Ｉ ＣＯｔ１ ｍは２〜８の整数を、そしてｔは３〜８の整数を表わす
〕で示されるプロピンニトリル誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4457884A JPS60188358A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | プロピンニトリル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4457884A JPS60188358A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | プロピンニトリル誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60188358A true JPS60188358A (ja) | 1985-09-25 |
Family
ID=12695379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4457884A Pending JPS60188358A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | プロピンニトリル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60188358A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0816332A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-07 | Chisso Corporation | Propiolonitrile derivatives and liquid crystal compositions comprising the same |
| WO1999005097A1 (de) * | 1997-07-24 | 1999-02-04 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristalline propen- oder propynylnitrilderivate |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110527A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-07-01 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | アセチレン誘導体 |
| JPS59139353A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-10 | Chisso Corp | 大きい正の誘電異方性値を持つ液晶物質 |
| JPS59157065A (ja) * | 1983-02-26 | 1984-09-06 | Chisso Corp | フエニルプロピオ−ルニトリル |
| JPS59190958A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-29 | Chisso Corp | ビフエニルプロピオ−ルニトリル類 |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP4457884A patent/JPS60188358A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110527A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-07-01 | エフ・ホフマン―ラ ロシユ アーゲー | アセチレン誘導体 |
| JPS59139353A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-10 | Chisso Corp | 大きい正の誘電異方性値を持つ液晶物質 |
| JPS59157065A (ja) * | 1983-02-26 | 1984-09-06 | Chisso Corp | フエニルプロピオ−ルニトリル |
| JPS59190958A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-29 | Chisso Corp | ビフエニルプロピオ−ルニトリル類 |
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|---|---|---|---|---|
| EP0816332A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-07 | Chisso Corporation | Propiolonitrile derivatives and liquid crystal compositions comprising the same |
| US6017467A (en) * | 1996-06-28 | 2000-01-25 | Chisso Corporation | Propiolonitrile derivatives and liquid crystal compositions comprising the same |
| EP1132377A1 (en) * | 1996-06-28 | 2001-09-12 | Chisso Corporation | Propiolonitrile derivatives and liquid crystal compositions comprising the same |
| WO1999005097A1 (de) * | 1997-07-24 | 1999-02-04 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristalline propen- oder propynylnitrilderivate |
| JP2001510822A (ja) * | 1997-07-24 | 2001-08-07 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 液晶プロペンまたはプロペニルニトリル誘導体 |
| US6444279B1 (en) | 1997-07-24 | 2002-09-03 | Merck Patent Gmbh | Liquid crystal propene or propenyl nitrile derivatives |
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