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JPS60186111A - Variable phase shifting circuit - Google Patents

Variable phase shifting circuit

Info

Publication number
JPS60186111A
JPS60186111A JP4225684A JP4225684A JPS60186111A JP S60186111 A JPS60186111 A JP S60186111A JP 4225684 A JP4225684 A JP 4225684A JP 4225684 A JP4225684 A JP 4225684A JP S60186111 A JPS60186111 A JP S60186111A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gain control
circuit
output
capacitor
phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4225684A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kikuchi
菊池 博行
Mamoru Obara
小原 護
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP4225684A priority Critical patent/JPS60186111A/en
Publication of JPS60186111A publication Critical patent/JPS60186111A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/26Time-delay networks

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the variable phase shifting circuit which makes a phase shift with high precision and is suitable for monolithic integration by adding a gain control amplifier circuit to two outputs of an RC phase shifting circuit respectively. CONSTITUTION:The connection point 71 of a capacitor 3 and a resistance 4 is connected to a gain control amplifier circuit 30 equipped with a control terminal 32. The connection point 81 of a resistance 5 and a capacitor 6 is connected to a gain control amplifier circuit 31 equipped with a control terminal 33. Capacity values of the capacitors 3 and 6 are set to the same value, and resistance values of the resistances 4 and 5 are set equal to each other. Gains of both amplifier circuits 30 and 31 are controlled independently with high precision to obtain a high-precision phase shift output between output terminals 34 and 35 of both amplifier circuits 30 and 31. Thus, the variable phase shifting circuit which makes a shift with high precision and is suitable for monolithic integration is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は移相回路に係り、特に高周波帯(マイクロ波帯
)において適用でき、高精反に位相をシフトできるモノ
リシック集積化に適した口j[移相回路に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a phase shift circuit, which is particularly applicable in a high frequency band (microwave band) and is suitable for monolithic integration that can shift the phase to high precision. It is related to phase circuits.

従来技術と問題点 第1図に従来のRC移相回路を示す。図において1.2
は入力信号端子、6は第1の容量(C5)、4は第1の
抵抗(R1) 、sは第2の抵抗(R2)、6は@2の
容量((4)、7,8はそれぞれ第1及び県2の出力端
子乞示す。この回路は艮く知られているように抵抗鵬、
R1あるいは容1tt C+ + Ctの値ケ町変にす
ることにより、入力信号VIIJに対して等しい振幅の
電圧で、位相が0〜360c′まで可変でさる出力電圧
を得ることができる。ただし第1の抵抗R8と第2の抵
抗R3及び第1の容量C8と@2の容量C2の値がそれ
ぞれ得しい場合である。イなわち第1図の出力端子7,
8間の゛電圧を出力゛電圧にとると、出力電圧V。ut
、入力に対する出力の位相θはそれぞれ IVout l ”’ l ”outl−vOut2 
l = IV工NI ・・・・・・(りで与えられる。
Prior Art and Problems FIG. 1 shows a conventional RC phase shift circuit. In the figure 1.2
is the input signal terminal, 6 is the first capacitor (C5), 4 is the first resistor (R1), s is the second resistor (R2), 6 is the @2 capacitor ((4), 7 and 8 are The first and second output terminals are shown respectively.This circuit is well known as a resistor,
By varying the value of R1 or the capacitor 1ttC++Ct, it is possible to obtain an output voltage with the same amplitude as the input signal VIIJ and whose phase is variable from 0 to 360c'. However, this is a case where the values of the first resistor R8, the second resistor R3, the first capacitor C8, and the capacitor C2 of @2 are respectively favorable. i.e. output terminal 7 in Figure 1,
If the voltage between 8 and 8 is taken as the output voltage, the output voltage is V. ut
, the phase θ of the output with respect to the input is IVout l ”' l ”outl−vOut2, respectively.
l = IV engineering NI ...... (given by ri.

ただしV。utl、Vout□は出力端子7゜8の出力
電圧、ωは入力信号の角周波数をそれぞれ示す。いまこ
の回路をマイクロ波帯で適用する場−8′を考えて見る
。例えは入力信号V工、の周波叡ft’2GlZとし、
入力に対して90°位相がシフトした出力を得る場合の
必要な抵抗R1容量Cの値をめる。入力に対して90°
位相をシフトするためには0式より(ωCR)2= 1
・・・・・・■を761足する必要がある。■式を満足
する抵抗Rの値として例えば、500Ωを与えると、必
要な容量Cの値は約0.16 PFであり、抵抗R及び
容量Cの値は、現在の半導体集積回路技術では十分集積
化可能な値であう。
However, V. utl and Vout□ represent the output voltage of the output terminal 7°8, and ω represents the angular frequency of the input signal, respectively. Let us now consider the case where this circuit is applied in the microwave band -8'. For example, if the frequency of the input signal V is ft'2GlZ,
Calculate the values of the resistor R1 and capacitor C required to obtain an output whose phase is shifted by 90 degrees with respect to the input. 90° to input
To shift the phase, from equation 0, (ωCR)2=1
・・・・・・It is necessary to add 761 ■. For example, if 500 Ω is given as the value of the resistor R that satisfies the formula, the value of the required capacitance C is approximately 0.16 PF, and the values of the resistor R and capacitance C are sufficiently large with current semiconductor integrated circuit technology. It must be a value that can be converted into

しかしながら抵抗、容量等の受動素子の値を半導体集積
回路上で高精度に調整することは無かしい。
However, it is not possible to adjust the values of passive elements such as resistance and capacitance with high precision on a semiconductor integrated circuit.

また抵抗あるいは容柘乞=i変にした第1図の構成の移
相回路を半導体集積回路で実現できるような具体的回路
は何ら提供されていない。
Moreover, no specific circuit has been provided that can realize the phase shift circuit of the configuration shown in FIG. 1 with a resistor or an i-changed configuration using a semiconductor integrated circuit.

第2図にマイクロ波帯でモノリシック化ができる従来の
可変移相回路を示す。11は入力信号端子、12は終端
抵抗、16は90°ハイブリツド回路、14゜15は第
1及び第2のデュアルゲートFETアンプ、16 、1
7はそれぞれ第1及び第2のデュアルゲートFETアン
プのゲートv制御する′上圧☆114子、18゜19は
それぞれ第1及び第2のデュアルグー) FETアンプ
の出力電圧、20は位相合成器、21は出力端子を示す
。第6図は第1及び第2のデュアルグ−トFETアンプ
の出力電圧ベクトル^及び百と出力電圧21のベクトル
でとの関係を示したものである。第2図の回路及びその
動作原理についてin)単に説明する。マイクロストリ
ップラインで形成された90’ハイブリツド回路16に
より入力信号■工、に対して位相がそれぞれ0°、90
°シフトした信号ヲ併、第1及び第2のデュアルグー)
 FETアンプ14 、15のゲート端子にそれぞJ’
L入力される。出力゛電圧18 、19の′重圧レベル
は第1及び弔2のデュアルゲートFETアンプのゲート
制御電圧端子16 、17により調整され、位相合成器
で合成される。第3図かられかるように、合成された出
力端子210゛市庄ベクトルdの位相は、出カ′電圧1
8゜19の電圧ベクトルA、Bの絶対値の大きさにより
可変できる。ここで゛重圧ベクトルX、百の絶対値の太
きさを EC〒IB+”=−足囲・・■fa:l岡足す
るように=”l変することにより、出力レベル一定の電
圧が得られる。従って第2図の6J変移相器により得ら
れる出力の位相は0〜901Jまで可変できる。
FIG. 2 shows a conventional variable phase shift circuit that can be made monolithic in the microwave band. 11 is an input signal terminal, 12 is a terminating resistor, 16 is a 90° hybrid circuit, 14° and 15 are first and second dual gate FET amplifiers, 16, 1
7 is the output voltage of the FET amplifier, 20 is the phase synthesizer. , 21 indicate output terminals. FIG. 6 shows the relationship between the output voltage vectors of the first and second dual gate FET amplifiers and the vector of the output voltage 21. The circuit of FIG. 2 and its operating principle will be briefly described in). A 90' hybrid circuit 16 formed of a microstrip line allows the input signal to have a phase of 0° and 90°, respectively.
°shifted signals together, first and second dual signals)
J' to the gate terminals of FET amplifiers 14 and 15, respectively.
L is input. The pressure levels of the output voltages 18 and 19 are adjusted by the gate control voltage terminals 16 and 17 of the first and second dual gate FET amplifiers, and are combined by a phase synthesizer. As can be seen from Fig. 3, the phase of the combined output terminal 210゜Ichisho vector d is
It can be varied by the magnitude of the absolute value of the voltage vectors A and B of 8°19. Here, a voltage with a constant output level can be obtained by changing the thickness of the absolute value of the pressure vector It will be done. Therefore, the phase of the output obtained by the 6J phase shifter shown in FIG. 2 can be varied from 0 to 901J.

更に、90°ハイブリツド、 180’ハイブリツドを
組合わせ、入力に対して位相がそれぞれOo、 90’
 。
Furthermore, a 90° hybrid and a 180' hybrid are combined, and the phase with respect to the input is Oo and 90', respectively.
.

180°、270°シフトした信号を得、$2図と同様
に移相器を構成することにより0〜66o0まで位相が
可変な出力が得られる。
By obtaining signals shifted by 180° and 270° and configuring a phase shifter in the same manner as in Figure $2, an output whose phase is variable from 0 to 66o0 can be obtained.

この褐変移相器をモノリシック化したものとしては、G
aAs基板上にデュアルゲートFETアンプを形成し、
゛90°ハイブリッド、位相合成器をマイクロストリッ
プラインで実現した例がある。しかしながら前記可変位
相器ぞモノリシック化する場合、次のような問題が生じ
る。90’ハイブリツド。
As a monolithic version of this browning phase shifter, G
Forming a dual gate FET amplifier on an aAs substrate,
There is an example of a 90° hybrid phase synthesizer implemented using a microstrip line. However, when the variable phase shifter is made monolithic, the following problems occur. 90' hybrid.

位相合成器をマイクロストリップラインで実現している
ため、半導体集積回路に比して大きな面積を要する。ま
たマイクロストリップライン’a’ t%精度に製作す
る技術が娑求される。
Since the phase synthesizer is implemented using a microstrip line, it requires a larger area than a semiconductor integrated circuit. There is also a need for technology for manufacturing microstrip lines with 'a' t% accuracy.

発明の目的 本発明はこのような従来技術の問題点を解決しようとす
るものであって、その目的は商用波帯特にマイクロ波帯
において適用できるとともに、高精度に位相をシフトす
ることができ、かつモノリシック集積化に適した可鍛移
相回路を提供する二とにある。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention aims to solve the problems of the prior art, and its purpose is to be applicable to commercial wave bands, particularly microwave bands, and to be able to shift the phase with high precision. and provides a malleable phase shift circuit suitable for monolithic integration.

発明の構成 本発明の可変移相回路は、第1図に示された従来のRC
移相回路における第1及び第2の出力にそれぞれ利得制
御増幅回路を付加して、両槽幅器の利得をそれぞれ独立
に制御することによって両増幅器の出力間に所望のiJ
変移相出力を碍るよ5にしたものである。
Structure of the Invention The variable phase shift circuit of the present invention is similar to the conventional RC shown in FIG.
By adding gain control amplifier circuits to the first and second outputs of the phase shift circuit and controlling the gains of both amplifiers independently, a desired iJ can be achieved between the outputs of both amplifiers.
The phase shift output is increased to 5.

発明の実施例 第4図は本発明の口」友移相回路の一実施例の構成を示
したものであり、1は入力信号電圧、6は第1の容量(
CI)、4は第1の抵抗(R2)、5は第2の抵抗(R
2)、6は第′2の容量(C2) 、 71 、81は
それぞれ第1のノード端子(N、)及び第2のノード端
子(N2)、ろ0,61はそれぞれ第1及び第2の利得
制御増幅回路、32 、33はそれぞれ第1及び、第2
の利得制御増幅回路の制御端子、34 、35はそれぞ
れ第1及び第2の出力端子火水f。
Embodiment of the Invention FIG. 4 shows the configuration of an embodiment of the phase shift circuit of the present invention, where 1 is the input signal voltage, 6 is the first capacitor (
CI), 4 is the first resistance (R2), 5 is the second resistance (R
2), 6 is the '2nd capacitor (C2), 71 and 81 are the first node terminal (N, ) and second node terminal (N2), respectively, and 0 and 61 are the first and second capacitors, respectively. Gain control amplifier circuits 32 and 33 are first and second gain control amplifier circuits, respectively.
Control terminals 34 and 35 of the gain control amplifier circuit are first and second output terminals, respectively.

次に第4図の回路の動作について説明する。第1及び第
2の容’!’7N、 CII C2と第1及び第2の抵
抗R1+R2とから構成されるRC移相回路の動作につ
いては、前記第1図のところで述べたので説明は省略す
る。第4図の構成では第1及び第2の茶事と第1及び第
2の抵抗の値をそれぞれ等しい値に与えている。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 4 will be explained. 1st and 2nd body'! Since the operation of the RC phase shift circuit composed of '7N, CII C2 and the first and second resistors R1+R2 has been described with reference to FIG. 1, the explanation thereof will be omitted. In the configuration shown in FIG. 4, the first and second resistors and the first and second resistors are given equal values.

いよ入力信号電圧なV工11、第10ノードN、及び第
2のノードN2の′電圧をV、 、 V2、第1の出力
輻:子64及び第2の出力端子35の出力電圧乞V。u
ti +VOut2、第1の利得制御増幅回路60及び
第2の利得制御増幅回路61の利得fX:A、、A2と
すると、@1の出力端子34と第2の出力端子35間の
゛重圧V。utは、となる。すなわち出力V。utは入
力に対して位相θだけシフトする。したがって第1の利
得側41’tl増幅回路60及び第2の利得制御増幅回
路61の利得A1及びA2を変えることにより位相ジッ
トji、iθターロ」匹にでさる。
Now, the input signal voltage is V, the voltage at the terminal 11, the 10th node N, and the second node N2 is V2, and the output voltage at the first output terminal 64 and the second output terminal 35 is V. u
ti +VOut2, the gain fX of the first gain control amplifier circuit 60 and the second gain control amplifier circuit 61: A, , A2, then the heavy pressure V between the output terminal 34 and the second output terminal 35 of @1. ut becomes. That is, the output V. ut is shifted by phase θ with respect to the input. Therefore, by changing the gains A1 and A2 of the first gain side 41'tl amplification circuit 60 and the second gain control amplification circuit 61, the phase jit ji, iθ taro' can be obtained.

ここで出力の電圧振幅レベルを入力の゛電圧振幅レベル
と等しくするには、(の式より A:=1+(ωCR)2(1’+”ン ・・・・・・ 
(わを満たす必要がある。また A、 、 A、≧0 ・・・・・・■ であるから、利得AHHAHの取り得る値の範囲は、0
≦A2≦ Pて「し77戸 ・山・・ (Oである。し
たがって(V式の栄件?1両足するようにし′C利イ等
AI + 4イ1iJ変にした場合の位相シフトθり口
■斐範囲は(わ、(す、(ゆ式よりIAn−1(−)≦
θ≦yr −jan−’ (a+cR) −−(’jp
ωCR となる。こり場会、口」変位相撹は である。この電圧ベクトルの関係を第5図に示す。
Here, in order to make the output voltage amplitude level equal to the input voltage amplitude level, from the formula (A:=1+(ωCR)2(1'+")...
(It is necessary to satisfy A. Also, since A, , A, ≧0...■, the range of possible values for the gain AHHAH is 0.
≦A2≦P 77 doors ・Mountain・・(O. Therefore, (Equation of V formula? 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 1 and 2 and The mouth range is (wa, (su, (from the Yu-style formula, IAn-1 (-)
θ≦yr −jan−′ (a+cR) −−(′jp
It becomes ωCR. This is a change of phase. FIG. 5 shows this voltage vector relationship.

図かられかるように利得A、及びA、−ど(り弐の条件
乞満足するように皮えることにより、出力電圧ベクトル
偏t =A、V、A2V2の位相は色と2の位相間4r
: 3k 1lljIiを一定状態に保ちながら変化す
る。
As can be seen from the figure, by satisfying the conditions of gain A and A, -d(ri2), the output voltage vector deviation t = A, V, A2 The phase of V2 is 4r between the phases of color and 2.
: Changes while keeping 3k 1lljIi constant.

次に第4図に示された第1及び第2の利得制御増幅回路
としては、現在、利得を高精度に制御できる種々の回路
の集積化が実現さnている。基本構成の1例として本発
明の可変移相回路に適用できるバイポーラデバイスによ
る利得制御増幅回路の例を第6図に示す。第6図の増幅
回路は、谷biC11+抵抗R11+ R+2から構成
される直流レベルシフト回路を経て、入力VIN ’a
’抵抗R1,〜R1y及びトランジスタTrl〜Tr3
から構成される差動増幅器に接続し、トランジスタTr
2のコレクタから出力Vout乞取出すものである。第
6図に示された増幅回路ぞ2組使用し、第4図に30 
、31で示された第1及び第2の利得制御増幅回路にそ
れぞれ置きかえて、ノード端子71 、81のイa号乞
それぞれの入力電圧V’INとし、制御端子32 、3
3の信号をそれぞれの制御゛電圧vcとし、出力端子3
4 、35にそれぞれの出力電圧V。utを取り出′1
−ようにする。そして制御電圧Vct−それぞれ変化さ
せて差動増幅回路に流れる電流を制御することによって
、それぞれの増幅回路の利得を変化させることができる
Next, as the first and second gain control amplifier circuits shown in FIG. 4, integration of various circuits that can control the gain with high precision has been realized at present. As an example of the basic configuration, FIG. 6 shows an example of a gain control amplifier circuit using a bipolar device that can be applied to the variable phase shift circuit of the present invention. The amplifier circuit shown in FIG.
'Resistors R1, ~R1y and transistors Trl~Tr3
connected to a differential amplifier consisting of a transistor Tr
The output Vout is taken out from the second collector. Two sets of amplifier circuits shown in Fig. 6 are used, and 30
, 31 are replaced with the input voltages V'IN of the node terminals 71 and 81, respectively, and the control terminals 32 and 3
3 is the respective control voltage vc, and output terminal 3
4 and 35 have their respective output voltages V. Take out the ut'1
- Do as you like. The gain of each amplifier circuit can be changed by changing the control voltage Vct to control the current flowing through the differential amplifier circuit.

以上述べたように第4図の利得制御増幅回路の利得を精
ヴ良く変えることにより本発明の61変移相回路は高精
度に位相をシフトできる。また第4図に示したlζC移
相回路及び利得制御増幅回路は、マイクロ波帯の適用に
おいて十分集積化でさる。
As described above, by carefully changing the gain of the gain control amplifier circuit shown in FIG. 4, the 61 phase shift circuit of the present invention can shift the phase with high precision. Furthermore, the lζC phase shift circuit and gain control amplifier circuit shown in FIG. 4 can be sufficiently integrated for microwave band applications.

究明り効果 以上説明したように、本発明の=I変移相回路は、利得
制御増幅回路の利得を(2)式の条件を満足するように
高精度に制御することにより、入力に対して高精度に位
相ケシフ)−することができる。また本発明の回路は1
図小な回路構成であり、マイクロ波帯の適用において、
半桿体集積回路で全モノリシック化が実現できる利点が
ある。このような長所を有[、ているので、マイクロ波
帯で適用される可変移相回路1位相変調器のモノリシッ
ク化に有効である。
Effects of Investigation As explained above, the =I variable phase shift circuit of the present invention has a high accuracy with respect to the input by controlling the gain of the gain control amplifier circuit with high precision so as to satisfy the condition of equation (2). Accurately phase Kesif) - can be. Moreover, the circuit of the present invention has 1
It has a small circuit configuration, and in microwave band applications,
It has the advantage of being fully monolithic with a semi-rod integrated circuit. Since it has such advantages, it is effective for making a monolithic variable phase shift circuit single phase modulator applied in the microwave band.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のRC移相回路を示す図、第2図はマイク
ロU帯で使用される従来の可変移相回路を示て図、第6
図はへろ2図の可変移相回路の各出力電圧ベクトルの関
係ケ示−「図、?A4図は本発明の可変移相回路の一実
施例の構成ケ示す図、第5図は第4図のり変移和回路の
各出力電比ベクトルの関係を示す図、第6図は利得制御
増幅回路の具体例な示す図である。 1.2・・・入力信号端子、6・・・第1の容量(C+
7.4・・・第1の抵抗(R1)、5・・・第2の抵抗
(R2)、6・・・第2の容量(C2)、7,8・・・
第1及び第2の出力繻子、11・・・入力信号端子、1
2・・・終端抵抗、13・・・90゜ハイブリッド回路
、14 、15・・・第1及び第2のデュアルゲートF
ETアンプ、16 、17・・・第1及び第2の制御電
圧端子、18 、19・・・第1及び81′52の出力
電圧、20・・・位相合成器、21・・・出力端子、6
0゜61・・・利得制御増幅回路、52 、53・・・
第1及び第20制御端子、54 、35・・・第1及び
第2の出力&ihi子、71 、81・・・第1及び第
2のノード端子特許出願人 日本゛岨信電話公社 代 理 人 弁理士 玉蟲久五j!Is(外2名) 第1凹 第2図 第、3図 第4図 第5図 θ2=jan−’(ωCR)
Fig. 1 shows a conventional RC phase shift circuit, Fig. 2 shows a conventional variable phase shift circuit used in the micro U band, and Fig. 6 shows a conventional variable phase shift circuit used in the micro U band.
The figure shows the relationship between each output voltage vector of the variable phase shift circuit in Figure 2. 6 is a diagram showing a specific example of a gain control amplifier circuit. 1.2... Input signal terminal, 6... First Capacity (C+
7.4...First resistance (R1), 5...Second resistance (R2), 6...Second capacitance (C2), 7,8...
First and second output satin, 11...input signal terminal, 1
2... Termination resistor, 13... 90° hybrid circuit, 14, 15... First and second dual gate F
ET amplifier, 16, 17...first and second control voltage terminals, 18, 19...first and 81'52 output voltages, 20...phase synthesizer, 21...output terminal, 6
0°61...gain control amplifier circuit, 52, 53...
1st and 20th control terminals, 54, 35... 1st and 2nd output & IHI terminals, 71, 81... 1st and 2nd node terminals Patent Applicant: Japan Amishin Telephone Corporation Agent Patent attorney Kugo Tamamushi! Is (2 others) 1st concave Figure 2, Figure 3, Figure 4, Figure 5 θ2=jan-'(ωCR)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (ll?jJJ1の容itの一端を信号入力端子に接続
し、第1の容量の他端を第1の抵抗及び利得側a端子ケ
有する第1の利得制御増幅器の入力端子に接続し、第1
の抵抗の他端を接地し、第2の抵抗の一端を入力端子に
接続し、第2の抵抗の他端を第2の容1辻の一端及び利
得制御端子ケ有する第2の利得制御増幅器の入力端子に
接続し、第2の容量の他端を接地し、しかも該第1及び
第2の容j技の値を同一にし、かつ第1及び第2の抵抗
の値を同一にし、該第1の利得制御増幅器の出力端子と
該第2の利得制御増幅器の出力端子間の′電圧な出力と
して得ることを特徴とする可変移相回路。 (2)前記第1及び第2の利得制御増幅器の利得をそれ
ぞれA、及びA2とし、第1及び第2のgMk。 値4c、第1及び第2の抵抗の値乞R,信号入力の角周
波裁をωとした場合、”t=1 + (ωCR)”(1
−A、’)を満足するようにそれぞれの制御入力を加え
ることによって前記第1及び第2の利得制御増幅器の利
得A、及びA2を変化させ得ることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の可変移相回路。
[Claims] One end of the capacitance of (ll?jJJ1 is connected to a signal input terminal, and the other end of the first capacitor is connected to the input of a first gain control amplifier having a first resistor and a terminal on the gain side. Connect to the first
A second gain control amplifier having the other end of the resistor grounded, one end of the second resistor connected to the input terminal, and the other end of the second resistor connected to one end of the second capacitor and the gain control terminal. , the other end of the second capacitor is grounded, and the values of the first and second resistors are the same, the values of the first and second resistors are the same, and the other end of the second capacitor is grounded. A variable phase shift circuit characterized in that an output is obtained as a voltage between an output terminal of a first gain control amplifier and an output terminal of the second gain control amplifier. (2) The gains of the first and second gain control amplifiers are A and A2, respectively, and the first and second gMk. If the value is 4c, the value R of the first and second resistors, and the angular frequency waveform of the signal input is ω, then “t=1 + (ωCR)” (1
-A,') The gains A and A2 of the first and second gain control amplifiers can be varied by applying respective control inputs such that the gains A and A2 of the first and second gain control amplifiers are satisfied. Variable phase shift circuit as described.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5990720A (en) * 1994-01-12 1999-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Temperature phase shift circuit and coordinate input apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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