JPS6017051B2 - アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法 - Google Patents
アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法Info
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- JPS6017051B2 JPS6017051B2 JP53142208A JP14220878A JPS6017051B2 JP S6017051 B2 JPS6017051 B2 JP S6017051B2 JP 53142208 A JP53142208 A JP 53142208A JP 14220878 A JP14220878 A JP 14220878A JP S6017051 B2 JPS6017051 B2 JP S6017051B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/959—Circuit arrangements for devices having potential barriers for devices working in avalanche mode
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光波距離計等に用いられるアバランシェ・ダ
イオードの温度補償方法に関する。
イオードの温度補償方法に関する。
光検知素子としてのアバランシェ・ダイオードは温度に
よりその増倍率が変化する。このためアバランシェ・ダ
イオードを光波距離計等に組込む場合、バイアスを制御
して増倍率を一定に保つことが必要となる。第１図は従
釆のアバランシェ・ダイオードの温度補償方法を示すも
のである。
よりその増倍率が変化する。このためアバランシェ・ダ
イオードを光波距離計等に組込む場合、バイアスを制御
して増倍率を一定に保つことが必要となる。第１図は従
釆のアバランシェ・ダイオードの温度補償方法を示すも
のである。
図において、ＰＤがァバランシェ・ダイオード、Ｒが負
荷抵抗であり、これに電圧制御回路１から所定のバイア
ス電圧を印加して、測定信号光が入ったときの出力を出
力増幅器２、測定信号用フィル夕３を介して取出すよう
になっている。４は参照信号源で、参照用発光ダイオー
ドＬＥＤを測定信号と異なる周波数の参照信号で変調し
、縛られる参照信号光をアバランシェ・ダイオードＰＤ
に照射する。
荷抵抗であり、これに電圧制御回路１から所定のバイア
ス電圧を印加して、測定信号光が入ったときの出力を出
力増幅器２、測定信号用フィル夕３を介して取出すよう
になっている。４は参照信号源で、参照用発光ダイオー
ドＬＥＤを測定信号と異なる周波数の参照信号で変調し
、縛られる参照信号光をアバランシェ・ダイオードＰＤ
に照射する。
そして、この参照信号光による出力成分を参照信号用フ
ィル夕５により取出し、検波器６で直流に変換し、差動
増幅器７により基準電圧源８の出力と比較して、この差
動増幅器７の出力により電圧制御回路１の出力電圧、つ
まりアバランシヱ・ダイオードＰＤへのバイアス電圧を
制御するようにしている。いま、参照信号を受信する系
を負帰還系に構成すれば、検波器６の出力は基準電圧源
８で設定された基準電圧と等しくなるように動作する。
ィル夕５により取出し、検波器６で直流に変換し、差動
増幅器７により基準電圧源８の出力と比較して、この差
動増幅器７の出力により電圧制御回路１の出力電圧、つ
まりアバランシヱ・ダイオードＰＤへのバイアス電圧を
制御するようにしている。いま、参照信号を受信する系
を負帰還系に構成すれば、検波器６の出力は基準電圧源
８で設定された基準電圧と等しくなるように動作する。
これにより、アバランシェ・ダイオードＰＤの増倍率が
周囲温度の変化により変化したとしても、上記員帰還系
の働きにより常に一定の増倍率となるようにアバランシ
ェ・ダイオードＰＤのバイアス電圧が制御されることに
なる。しかしながら、第１図に示した従来の方式には次
のような欠点がある。
周囲温度の変化により変化したとしても、上記員帰還系
の働きにより常に一定の増倍率となるようにアバランシ
ェ・ダイオードＰＤのバイアス電圧が制御されることに
なる。しかしながら、第１図に示した従来の方式には次
のような欠点がある。
第１に、参照用発光ダイオードＬＥＤの出力にも温度特
性があるため、アバランシェ・ダイオードＰＤの温度補
償を正確に行うにはこの発光ダイオードＬＥＤの温度補
償も行わなければならない。第２に、測定を行っている
実時間にァバランシェ・ダイオードＰＤに参照信号光を
照射するため、測定信号のＳ／Ｎが悪くなる。即ち、ア
バランシェ・ダイオードＰＤは入射光が大きければそれ
だけ雑音が大きくなる性質を持つ。一方、通常の光波距
離計等では測定信号は微小なものであるが、第１図の構
成で負帰還系の利得は安定性の点から余り大きくできな
いから、測定信号光に比べて大きな参照信号光を照射し
なければならず、これが測定信号の雑音を大きいものに
してしまう。この発明は上記の点に鑑み、参照信号光を
用いることなく、従って測定信号のＳ／Ｎ劣化をもたら
すことなく、アバランシェ・ダイオードの増倍率を温度
変動に拘りなく一定に保つようにしたアバランシェ・ダ
イオードの温度補償方法を提供するものである。
性があるため、アバランシェ・ダイオードＰＤの温度補
償を正確に行うにはこの発光ダイオードＬＥＤの温度補
償も行わなければならない。第２に、測定を行っている
実時間にァバランシェ・ダイオードＰＤに参照信号光を
照射するため、測定信号のＳ／Ｎが悪くなる。即ち、ア
バランシェ・ダイオードＰＤは入射光が大きければそれ
だけ雑音が大きくなる性質を持つ。一方、通常の光波距
離計等では測定信号は微小なものであるが、第１図の構
成で負帰還系の利得は安定性の点から余り大きくできな
いから、測定信号光に比べて大きな参照信号光を照射し
なければならず、これが測定信号の雑音を大きいものに
してしまう。この発明は上記の点に鑑み、参照信号光を
用いることなく、従って測定信号のＳ／Ｎ劣化をもたら
すことなく、アバランシェ・ダイオードの増倍率を温度
変動に拘りなく一定に保つようにしたアバランシェ・ダ
イオードの温度補償方法を提供するものである。
この発明によるアバランシェ・ダイオードの温度補償方
法は、降伏電圧より少ないバイアス電圧でアバランシェ
・ダイオードを動作させるにあたり、その直前にアバラ
ンシェ・ダイオードを降伏状態にするバイアス電圧で駆
動して降伏電圧に対応した電圧を検出し、この検出電圧
に基づきその降伏電圧より所定の電圧だけ少ないバイア
ス蟹圧でアバランシェ・ダイオードを動作させるように
したことを特徴とし、この発明によれば、周囲温度の変
動によるアバランシェ・ダイオードの降伏電圧の変動を
監視して、常にその時の降伏電圧より所定値だけ低いバ
イアス電圧を与えることで、アバランシェ・ダイオード
の増倍率を一定に保つことができる。
法は、降伏電圧より少ないバイアス電圧でアバランシェ
・ダイオードを動作させるにあたり、その直前にアバラ
ンシェ・ダイオードを降伏状態にするバイアス電圧で駆
動して降伏電圧に対応した電圧を検出し、この検出電圧
に基づきその降伏電圧より所定の電圧だけ少ないバイア
ス蟹圧でアバランシェ・ダイオードを動作させるように
したことを特徴とし、この発明によれば、周囲温度の変
動によるアバランシェ・ダイオードの降伏電圧の変動を
監視して、常にその時の降伏電圧より所定値だけ低いバ
イアス電圧を与えることで、アバランシェ・ダイオード
の増倍率を一定に保つことができる。
なお上述での所定値とは、降伏電圧の変動に関係しない
一定値だけを意味するものでなく、降伏電圧と一定比率
の関係をもつ値をも含むものとする。この発明方法を実
施するのに用いられる装置の一実施例を第２図に示す。
一定値だけを意味するものでなく、降伏電圧と一定比率
の関係をもつ値をも含むものとする。この発明方法を実
施するのに用いられる装置の一実施例を第２図に示す。
１１は電圧発生回路であり、トランジスタＱ，，Ｑ２、
定電流源用抵抗Ｒ，、負荷抵抗Ｒ２からなる差勢増幅器
とその出力により制御されるトランジスタＱ３とから構
成される。
定電流源用抵抗Ｒ，、負荷抵抗Ｒ２からなる差勢増幅器
とその出力により制御されるトランジスタＱ３とから構
成される。
差敷増幅器の一方の入力端、即ちトランジスタＱ，のベ
ースは抵抗Ｒ３を介して直流電源Ｖ＾に接続され、また
ツェナーダイオードＺＤ，を介して利得設定回路１２の
出力端に接続されている。即ち電圧発生回路１１は利得
設定回路１２の出力電圧を基準電圧として、その出力端
、つりトランジスタＱ３のェミッタに所定の出力電圧を
出す。利得設定回路１２は通常は基準電圧Ｖ２を出力し
ており、制御端子１５にタイミングパルス（通常の論理
レベル５Ｖ）が入ると、これを抵抗Ｒ４、ダイオードＤ
の直列回路で０．７Ｖ‘こ落とし、更に可変抵抗Ｒ５で
所定の値に設定して演算増幅器ＯＰに入力し、基準電圧
Ｖ，（＞Ｖ２）を出力するようになつている。基準電圧
ｙ，，Ｖ２の大きさについては後述する。蝿圧発生回路
１１の出力は、抵抗Ｒ８、トランジスタＱ、抵抗Ｒ９か
らなる電流検出回路１３を介してアバランシェ・ダイオ
ードＰＤ、負荷抵抗Ｒの直列回路にバイアスとして与え
られる。
ースは抵抗Ｒ３を介して直流電源Ｖ＾に接続され、また
ツェナーダイオードＺＤ，を介して利得設定回路１２の
出力端に接続されている。即ち電圧発生回路１１は利得
設定回路１２の出力電圧を基準電圧として、その出力端
、つりトランジスタＱ３のェミッタに所定の出力電圧を
出す。利得設定回路１２は通常は基準電圧Ｖ２を出力し
ており、制御端子１５にタイミングパルス（通常の論理
レベル５Ｖ）が入ると、これを抵抗Ｒ４、ダイオードＤ
の直列回路で０．７Ｖ‘こ落とし、更に可変抵抗Ｒ５で
所定の値に設定して演算増幅器ＯＰに入力し、基準電圧
Ｖ，（＞Ｖ２）を出力するようになつている。基準電圧
ｙ，，Ｖ２の大きさについては後述する。蝿圧発生回路
１１の出力は、抵抗Ｒ８、トランジスタＱ、抵抗Ｒ９か
らなる電流検出回路１３を介してアバランシェ・ダイオ
ードＰＤ、負荷抵抗Ｒの直列回路にバイアスとして与え
られる。
なおコンデンサＣは測定信号のバイパスのために設けた
ものであ。１４はサンプルホールド回路であり、制御端
子１５にタイミングパルスが入るとサンプリング状態と
なって電流検出回路１３の出力をサンプリングし、タイ
ミングパルスがなくなるとホールド状態に保たれるもの
である。
ものであ。１４はサンプルホールド回路であり、制御端
子１５にタイミングパルスが入るとサンプリング状態と
なって電流検出回路１３の出力をサンプリングし、タイ
ミングパルスがなくなるとホールド状態に保たれるもの
である。
電流検出回路１３の出力端とサンプルホールド回路１４
の入力端の間にはッェナーダィオードＺＤ２、抵抗Ｒ，
。が接続され、またサンプルホールド回路１４の入力端
は抵抗Ｒ，．を介して負電源−Ｖｃに接続されている。
これらのッェナ‐ダィオ‐ド皿２、抵抗Ｒ，ｏ，Ｒ，．
および負電源−Ｖｃは正から負にまたがる入力に対して
動作するサンプルホールド回路１４に合わせて入力レベ
ルをシフトするために設けている。また直列接続したツ
ェナーダィオードＺＤ３，ＺＤ４は、サンプルホールド
回路１４への最大入力振幅を規制するために設けたもの
である。サンプルホールド回路１４の出力電圧と電圧発
生回路１１の出力電圧とは抵抗Ｒ，２，Ｒ，８を介して
加算されて、電圧発生回路１１の差動増幅器の他方の入
力端、つまりトランジスタＱ２のベースに入力されるよ
うになっている。このように構成された回路の動作を説
明し、アバランシェ・ダイオードＰＤの温度補償が自動
的に行われることを説明する。
の入力端の間にはッェナーダィオードＺＤ２、抵抗Ｒ，
。が接続され、またサンプルホールド回路１４の入力端
は抵抗Ｒ，．を介して負電源−Ｖｃに接続されている。
これらのッェナ‐ダィオ‐ド皿２、抵抗Ｒ，ｏ，Ｒ，．
および負電源−Ｖｃは正から負にまたがる入力に対して
動作するサンプルホールド回路１４に合わせて入力レベ
ルをシフトするために設けている。また直列接続したツ
ェナーダィオードＺＤ３，ＺＤ４は、サンプルホールド
回路１４への最大入力振幅を規制するために設けたもの
である。サンプルホールド回路１４の出力電圧と電圧発
生回路１１の出力電圧とは抵抗Ｒ，２，Ｒ，８を介して
加算されて、電圧発生回路１１の差動増幅器の他方の入
力端、つまりトランジスタＱ２のベースに入力されるよ
うになっている。このように構成された回路の動作を説
明し、アバランシェ・ダイオードＰＤの温度補償が自動
的に行われることを説明する。
まず、測定時間内の始めにバイアス調整期間を設け、制
御端子１５にタイミングパルスを入力する。
御端子１５にタイミングパルスを入力する。
これにより利得設定回路１２の出力電圧はＶ，となる。
この電圧Ｖ，はサンプルホールド回路１４の出力がＯＶ
のとき、電圧発生回路１ １の出力電圧がアバランシヱ
・ダイオードＰＤの降伏蟹圧より高くなるように設定さ
れている。即ち、サンプルホールド回路１ ４の出力が
ＯＶであれば、電圧発生回路１１の出力は利得設定回路
１２の出力電圧Ｖ，を基準とする定電圧出力であり、こ
れにより、アバランシェ・ダイオードＰＤが降伏をおこ
す。ところが、アバランシェ・ダイオードＰＤが降伏す
ると電流検出回路１３が動作し、その出力はサンプルホ
ールド回路１４を通して電圧発生回路１１の出力電圧を
減じる方向に作用する。この結果、電流検出回路１３は
定鰭流線となり、電圧発生回路１ １の出力電圧が例え
ばＶ３、サンプルホールド回路１４の出力電圧が例えば
Ｖ５となって平衡する。タイミングパルスがなくなると
、サンプルホールド回路１４はホールド状態となって出
力電圧Ｖ５を保持し、利得設定回路１ ２の出力電圧は
Ｖ，からＶ２に低下する。そして、電圧発生回路１ １
の出力電圧は入力する基準電圧が低下した結果、Ｖ３か
らＶ４に低下する。いま、（Ｖ，一Ｖ２）を適当な値に
設定しておけば、出力電圧Ｖ４はアバランシェ‘ダイオ
ードＰＤの降伏電圧より小さい値とすることができ、こ
の出力電圧Ｖ４がアバランシェ・ダイオードＰＤにバイ
アス電圧として与えられることになる。この実施例にお
いては、（Ｖ，一Ｖ２）は降伏電圧の変動に関係しない
一定値であるが、降伏電圧に対して一定比率の値にする
ことも可能である。こうしてアバランシエ・ダイオード
ＰＤにバイアス電圧として与えられる出力電圧Ｖ４はア
バランシェ・ダイオードＰＤの増倍率を一定に保つ値と
なる。
この電圧Ｖ，はサンプルホールド回路１４の出力がＯＶ
のとき、電圧発生回路１ １の出力電圧がアバランシヱ
・ダイオードＰＤの降伏蟹圧より高くなるように設定さ
れている。即ち、サンプルホールド回路１ ４の出力が
ＯＶであれば、電圧発生回路１１の出力は利得設定回路
１２の出力電圧Ｖ，を基準とする定電圧出力であり、こ
れにより、アバランシェ・ダイオードＰＤが降伏をおこ
す。ところが、アバランシェ・ダイオードＰＤが降伏す
ると電流検出回路１３が動作し、その出力はサンプルホ
ールド回路１４を通して電圧発生回路１１の出力電圧を
減じる方向に作用する。この結果、電流検出回路１３は
定鰭流線となり、電圧発生回路１ １の出力電圧が例え
ばＶ３、サンプルホールド回路１４の出力電圧が例えば
Ｖ５となって平衡する。タイミングパルスがなくなると
、サンプルホールド回路１４はホールド状態となって出
力電圧Ｖ５を保持し、利得設定回路１ ２の出力電圧は
Ｖ，からＶ２に低下する。そして、電圧発生回路１ １
の出力電圧は入力する基準電圧が低下した結果、Ｖ３か
らＶ４に低下する。いま、（Ｖ，一Ｖ２）を適当な値に
設定しておけば、出力電圧Ｖ４はアバランシェ‘ダイオ
ードＰＤの降伏電圧より小さい値とすることができ、こ
の出力電圧Ｖ４がアバランシェ・ダイオードＰＤにバイ
アス電圧として与えられることになる。この実施例にお
いては、（Ｖ，一Ｖ２）は降伏電圧の変動に関係しない
一定値であるが、降伏電圧に対して一定比率の値にする
ことも可能である。こうしてアバランシエ・ダイオード
ＰＤにバイアス電圧として与えられる出力電圧Ｖ４はア
バランシェ・ダイオードＰＤの増倍率を一定に保つ値と
なる。
即ち、電圧発生回路１１の出力電圧の変化（Ｖ３一Ｖ４
）は、サンプルホールド回路１４の出力電圧がＶ５に保
持される結果、利得設定回路１２からの基準電圧の変化
（Ｖ，一Ｖ２）に対応する。一方、出力電圧ｙ３はアバ
ランシェ・ダイオードＰＤの降伏電圧が周囲温度により
変動すると、それに応じて変化するものである。従って
（Ｖ，一Ｖ２）を設定しておくことによって、アバラソ
シェ・ダイオードＰＤの降伏電圧が変動していてもバイ
アスとして与えられる出力電圧Ｖ４はその降伏電圧より
所定値だけ低いところに自動的に設定され、アバランシ
ェ・ダイオードＰＤの増倍率は一定に保たれることにな
る。以上のようにこの発明では、参照信号光を用いるこ
となく、測定開始前に降伏電圧を検知し、その降伏電圧
より所定の値だけ低いバイアス電圧を与えることによっ
てアバランシェ・ダイオードの温度補償を行う。
）は、サンプルホールド回路１４の出力電圧がＶ５に保
持される結果、利得設定回路１２からの基準電圧の変化
（Ｖ，一Ｖ２）に対応する。一方、出力電圧ｙ３はアバ
ランシェ・ダイオードＰＤの降伏電圧が周囲温度により
変動すると、それに応じて変化するものである。従って
（Ｖ，一Ｖ２）を設定しておくことによって、アバラソ
シェ・ダイオードＰＤの降伏電圧が変動していてもバイ
アスとして与えられる出力電圧Ｖ４はその降伏電圧より
所定値だけ低いところに自動的に設定され、アバランシ
ェ・ダイオードＰＤの増倍率は一定に保たれることにな
る。以上のようにこの発明では、参照信号光を用いるこ
となく、測定開始前に降伏電圧を検知し、その降伏電圧
より所定の値だけ低いバイアス電圧を与えることによっ
てアバランシェ・ダイオードの温度補償を行う。
従ってこの発明によれば、参照信号光を用いた従釆の方
式に比べてＳ／Ｎのよい測定信号を得ることができ、ま
た参照信号光源の温度変動に対する考慮も必要がなくな
る。
式に比べてＳ／Ｎのよい測定信号を得ることができ、ま
た参照信号光源の温度変動に対する考慮も必要がなくな
る。
第１図は従来のアバランシェ・ダイオードの温度補償方
法を示す図、第２図はこの発明方法を実施するのに用い
られる装置の一実施例の回路を示す図である。 １１・・・・・・電圧発生回路、１２……利得設定回路
、１３・・・・・・電流検出回路、１４・・・・・・サ
ンプルホールド回路、ＰＤ・・・・・・アバランシェ・
ダイオード、Ｒ・・・・・・負荷抵抗。 第１図 第２図
法を示す図、第２図はこの発明方法を実施するのに用い
られる装置の一実施例の回路を示す図である。 １１・・・・・・電圧発生回路、１２……利得設定回路
、１３・・・・・・電流検出回路、１４・・・・・・サ
ンプルホールド回路、ＰＤ・・・・・・アバランシェ・
ダイオード、Ｒ・・・・・・負荷抵抗。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 降伏電圧より少ないバイアス電圧でアバランシエ・
ダイオードを動作させるにあたり、その直前にアバラン
シエ・ダイオードを降伏状態にするバイアス電圧で駆動
して降伏電圧に対応した電圧を検出し、この検出電圧に
基づきその降伏電圧より所定の電圧だけ少ないバイアス
電圧でアバランシエ・ダイオードを動作させるようにし
たことを特徴とするアバランシエ・ダイオードの温度補
償方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53142208A JPS6017051B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法 |
| US06/094,555 US4292514A (en) | 1978-11-20 | 1979-11-15 | Apparatus for, and method for, achieving a temperature compensation of an avalanche photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53142208A JPS6017051B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24916084A Division JPS60149929A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | アバランシエ．ダイオードの温度補償装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5568683A JPS5568683A (en) | 1980-05-23 |
| JPS6017051B2 true JPS6017051B2 (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=15309903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53142208A Expired JPS6017051B2 (ja) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4292514A (ja) |
| JP (1) | JPS6017051B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112011101050T5 (de) | 2010-03-25 | 2013-01-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fotodetektor |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2533073A1 (fr) * | 1982-09-14 | 1984-03-16 | Telecommunications Sa | Procede et dispositif de stabilisation d'une photodiode a avalanche |
| US5258619A (en) * | 1984-09-04 | 1993-11-02 | Hughes Aircraft Company | Pulsed bias radiation detector |
| JPH02113640A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Toshiba Corp | 自動利得制御装置 |
| JPH02209029A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-20 | Toshiba Corp | 自動利得制御装置 |
| US5270533A (en) * | 1992-06-23 | 1993-12-14 | Smiths Industries | Stabilization biasing circuit for avalanche photodiodes |
| US5286967A (en) * | 1992-12-04 | 1994-02-15 | Stanley Home Automation | Method and apparatus for self-biasing a light beam obstacle detector with a bias light |
| JP2686036B2 (ja) * | 1993-07-09 | 1997-12-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオードのバイアス回路 |
| JP3421103B2 (ja) * | 1993-12-20 | 2003-06-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | アバランシェフォトダイオードを用いた光検出回路 |
| EP1382979B1 (en) * | 2001-04-25 | 2008-03-05 | Nikon Corporation | Range finder, range finding method, and photoelectric transducing circuit |
| JP2002324909A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 光電変換回路及びレーザ測距装置 |
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