JPS60151071A - thermal head - Google Patents
thermal headInfo
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- JPS60151071A JPS60151071A JP59007868A JP786884A JPS60151071A JP S60151071 A JPS60151071 A JP S60151071A JP 59007868 A JP59007868 A JP 59007868A JP 786884 A JP786884 A JP 786884A JP S60151071 A JPS60151071 A JP S60151071A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、サーマルヘッドの発熱体の形成方法に関して
いる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method of forming a heating element for a thermal head.
現在プリンタ装置として、インパクトプリンタ、ノンイ
ンパクトプリンタが使用されている。インパクトプリン
タはプリンタ市場に占める割合は現在大きなものである
が、印刷時の騒音のため、除々にノンインパクトプリン
タに変わろうとしている。ノンインパクトプリンタの中
には放電破壊インクジェット、感熱方式等のプリンタが
現在使われているが、保守が簡単、小型化、軽量化に向
く、高速であるという理由から、近年感熱プリンタの市
場に占める割合が大きくなってきている。Currently, impact printers and non-impact printers are used as printer devices. Impact printers currently account for a large portion of the printer market, but due to noise during printing, they are gradually being replaced by non-impact printers. Among non-impact printers, discharge rupture inkjet printers, thermal printers, and other printers are currently in use, but in recent years, thermal printers have dominated the market because they are easier to maintain, smaller, lighter, and faster. The proportion is increasing.
ここで感熱方式で用いられる、サーマルヘッドの製造工
程を述べる。Here, we will describe the manufacturing process of the thermal head used in the heat-sensitive method.
通常、サーマルヘッドの下地基板としては、熱伝導性が
良いという理由でアルミナ基板が用いられる。アルミナ
基板の上に直接発熱抵抗体を形成すると、放熱特性が良
いために発熱抵抗体の温度を所定の温度まで上げるのに
必要なエネルギーが大きくなるので、アルミナ基板上に
は放熱特性の悪いグレーズ層が形成される。グレーズ層
が厚くなると抵抗体の温度は上りやすくなるが放熱特性
が悪くなり、印字文字のにじみ、はなはだしい場合には
、オフ状態のヘッドでも印字されてしまう。又、薄すぎ
ると、印字に必要なエネルギー量は増加するため、グレ
ーズ層の最適値が決まる。Usually, an alumina substrate is used as the base substrate for the thermal head because of its good thermal conductivity. If a heating resistor is formed directly on an alumina substrate, the energy required to raise the temperature of the heating resistor to a predetermined temperature will be large due to its good heat dissipation properties. A layer is formed. When the glaze layer becomes thicker, the temperature of the resistor rises more easily, but the heat dissipation characteristics deteriorate, and if the printed characters smear or are too large, they can be printed even when the head is in the off state. Furthermore, if the glaze layer is too thin, the amount of energy required for printing increases, which determines the optimum value for the glaze layer.
通常この基板の上にスパッタ方式により抵抗発熱体が形
成される。発熱体としては、Ta2N。Usually, a resistive heating element is formed on this substrate by sputtering. The heating element is Ta2N.
T a−5i 02 、 T a−8i等が用いられて
いる次に発熱体のリード線となる0r−Auを蒸着によ
り発熱体上に形成し、フォトレジスト法を用いて、所定
のパターンにエツチングを行う。その後発熱体の熱酸化
を防ぐための8102保模膜。T a-5i 02, T a-8i, etc. are used. Next, 0r-Au, which will become the lead wires of the heating element, is formed on the heating element by vapor deposition, and etched into a predetermined pattern using a photoresist method. I do. Then apply 8102 protective film to prevent thermal oxidation of the heating element.
ヘッドの耐摩耗性を向上させるためのTa2011保護
膜がスパッタにより形成され、サーマルヘッドが作られ
る。このようにサーマルヘッド作製工程には真空工程が
多く、コストダウンが困難であった。A Ta2011 protective film for improving the wear resistance of the head is formed by sputtering to produce a thermal head. As described above, many vacuum processes are involved in the thermal head manufacturing process, making it difficult to reduce costs.
本発明者らは、すでに無電解N1−W−P被膜がサーマ
ルヘッドの発熱抵抗体として優れていることを見い出し
ている。The present inventors have already discovered that the electroless N1-W-P coating is excellent as a heating resistor for a thermal head.
これは、発熱抵抗体を湿式メッキ法に置き換えることで
、真空工程を一部廃し、サーマルヘッドの大巾なコスト
ダウンを目指したものであった。This was aimed at significantly reducing the cost of the thermal head by replacing the heating resistor with a wet plating method and eliminating some of the vacuum process.
しかし、このN1−W−P被膜はグレーズ層及びアルミ
ナ基板と密着が悪く、このままでは実用化ができなかっ
た。However, this N1-W-P coating had poor adhesion to the glaze layer and the alumina substrate, and could not be put to practical use as it was.
本発明は、このN1−W−P被膜の密着強度を出すため
に、基板上に金属酸化物被膜を形成したことを特徴とし
ている。The present invention is characterized in that a metal oxide film is formed on the substrate in order to increase the adhesion strength of this N1-W-P film.
次に本サーマルヘッドの製造工程を述べる。Next, the manufacturing process of this thermal head will be described.
グレーズ付きアルミナ基板にOVDにより5n02被膜
を形成するか、あるいは、有機金属化合物を含んだ溶液
にグレーズ付きアルミナ基板を浸漬し、焼成することに
よって’Ii’02 。'Ii'02 is formed by forming a 5n02 film on a glazed alumina substrate by OVD, or by immersing a glazed alumina substrate in a solution containing an organometallic compound and firing.
5nO1,’ra、o、等の金属酸化物被膜を形成する
。焼成温度は200℃〜ダレーズの軟化点以下であるこ
とが望ましい。200℃以下であると、有機金属化合物
の加水分解後の脱水縮合の反応がおこらず均一強固な金
属酸化物被膜が得られにくい。又、グレーズ層の軟化点
以上で加熱すると、グレーズ層の変形が起る。膜厚は1
0又〜1000裏が適当である。1[IX以下の膜厚で
あると、密着強度が悪くなり、2000X以上の金属酸
化物被膜を形成するろは、OVD法、ディッピング法で
一度につけると、被膜にクラックが入りやすくなり密着
強度を上げることができなくなるからである。A metal oxide film such as 5nO1, 'ra, o, etc. is formed. The firing temperature is desirably 200°C to below the softening point of Daleze. If the temperature is 200° C. or lower, the reaction of dehydration condensation after hydrolysis of the organometallic compound does not occur, making it difficult to obtain a uniform and strong metal oxide film. Further, when heated above the softening point of the glaze layer, the glaze layer is deformed. Film thickness is 1
A value of 0 to 1000 is appropriate. If the film thickness is less than 1 [IX, the adhesion strength will be poor, and if a filter that forms a metal oxide film of 2000X or more is applied all at once using the OVD method or dipping method, the film will easily crack and the adhesion strength will deteriorate. This is because you will not be able to raise it.
このようにして得られた基板を、通常の無電解メッキ前
処理工程を通す。これは、塩化第1スズの塩酸酸性溶液
に浸漬することによって、基板表面に2価のスズイオン
を吸着させるセンシタイジング工程、基板の純水による
リンス後、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液に浸漬するこ
とによって、無電解メッキの触媒核となるパラジウムを
吸着させるアクティベイティング工程である。アクティ
ベティング工程では
S n2+ −1−P (L”+ →P d’ +S
n’+という反応が基板表面で起る訳である。The substrate thus obtained is subjected to a conventional electroless plating pretreatment process. This is a sensitizing process in which divalent tin ions are adsorbed onto the surface of the substrate by immersing it in an acidic solution of stannous chloride in hydrochloric acid, and after rinsing the substrate with pure water, it is immersed in an acidic solution of palladium chloride in hydrochloric acid. This is an activating process in which palladium, which becomes the catalyst nucleus for electroless plating, is adsorbed. In the activating process, S n2+ -1-P (L”+ →P d' +S
This means that a reaction called n'+ occurs on the surface of the substrate.
この後、無電解メッキにより、Niを主成分とP: 3
−10w/。、W: 1〜so”10含1tylf[を
無電解めっきにより形成する。このN1−W−P被膜上
に蒸着によりN 1− Or −A uをリード端子と
して2μ常形成する。After this, by electroless plating, Ni is the main component and P: 3
-10w/. , W: 1~so''10-containing 1tylf[ is formed by electroless plating. On this N1-W-P film, 2μ of N 1- Or -Au is normally formed as a lead terminal by vapor deposition.
この上にネガレジストをロールコータ法、アルいはディ
ッピング法あるいは、スピンナ法等により塗布し第21
1Aのように9の発熱体となる部分だけ所定のパターン
に露光し、不要部のレジストを溶解除去後、Ni−0r
−Auのエツチングを行う。この後、ポジレジストを同
様に塗布し、所定のパターンに露光し不要部のレジスト
を溶解除去後、N i−Or−Au 、 N i −W
−Pをエツチングする。これによって10のリード端子
部が形成される。A negative resist is applied on top of this by a roll coater method, an alkaline dipping method, a spinner method, etc.
1A, only the part that will become the heating element of 9 is exposed in a predetermined pattern, and after dissolving and removing unnecessary parts of the resist, Ni-0r is applied.
- Perform Au etching. After that, a positive resist was applied in the same manner, exposed to light in a predetermined pattern, and unnecessary portions of the resist were dissolved and removed, followed by Ni-Or-Au, Ni-W.
- Etch P. As a result, ten lead terminal portions are formed.
金属酸化物被膜として5nO6(透明導伝膜)が使用さ
れている時はこの下地層をOr”十10r”十のレドッ
クスシステムを使用してエツチングするこれは以下のよ
うな手段により行う。たとえば0rOt3 ・6H20
100fを20%の塩酸溶液1tに溶解後、60℃に加
熱し、表面積20ct/lのカーボン電極を使用し、1
0A/d−の通電を行う。これによって溶液中の○r3
+をOr”十に還元する訳である。30分間の通電後、
この溶液中ヘレシストのついた基板を浸漬する。60秒
〜1分間浸漬すると5n02は完全にエツチングされる
。When 5nO6 (transparent conductive film) is used as the metal oxide film, this underlayer is etched using a redox system. For example, 0rOt3 ・6H20
After dissolving 100f in 1 t of 20% hydrochloric acid solution, heating to 60°C, using a carbon electrode with a surface area of 20 ct/l,
Apply current of 0A/d-. By this, ○r3 in the solution
+ is reduced to Or” 10. After 30 minutes of electricity,
The substrate with herecyst is immersed in this solution. After soaking for 60 seconds to 1 minute, the 5n02 is completely etched.
浸漬時間はSnO,の膜厚に依存する。この時の反応は
次の通りである。The immersion time depends on the film thickness of SnO. The reaction at this time is as follows.
SnO,+20r”++ 2H十−+ 5nO−)2O
r”+H2O5nO−1−2HO4−+ 5nO42+
H20このようにして得られた基板から不要のレジスト
を溶解除去し、洗浄後、乾燥し、スパッタにより発熱体
の酸化保護膜としてSiO21〜3μm、耐摩耗保護膜
としてTa2O,を2〜10μ怖形成することでサーマ
ルヘッドが完成する。SnO, +20r"++ 2H1-+ 5nO-)2O
r”+H2O5nO-1-2HO4-+ 5nO42+
H20 Unnecessary resist was dissolved and removed from the thus obtained substrate, washed, dried, and sputtered to form SiO21 to 3 μm thick as an oxidation protective film for the heating element and Ta2O2 μm thick as a wear-resistant protective film. This completes the thermal head.
この方法で得られたN1−W−Pメッキ被膜の密着強度
は、100 f/ / wn以上となり実用上問題のな
いものとなった。The adhesion strength of the N1-W-P plating film obtained by this method was 100 f//wn or more, which poses no problem in practical use.
次に実施し1」を用いて詳細に説明する。Next, a detailed explanation will be given using "Execution 1".
実施F!1IJ1
酸化アルミニウム板上に50μ情の厚さで高融点ガラス
が、グレーズ層として形成された基板上にOVDを用い
て厚さ400XのSnO2膜を形成した。この基板を洗
浄後、塩化第1スズi y7t、塩酸1cr、/l の
溶液に1分間浸漬する。浸漬後、水洗し、日本カニゼン
社製レッドシューマーの5倍希釈液に1分間浸漬し、水
洗後次の組成のメッキ浴80℃中に4分間浸漬した。Implementation F! 1IJ1 A 400× thick SnO 2 film was formed using OVD on a substrate in which high melting point glass was formed as a glaze layer with a thickness of 50 μm on an aluminum oxide plate. After cleaning this substrate, it is immersed for 1 minute in a solution of stannous chloride i y7t and hydrochloric acid 1 cr/l. After immersion, it was washed with water, immersed for 1 minute in a 5-fold diluted solution of Red Schumer manufactured by Nippon Kanigen Co., Ltd. After washing with water, it was immersed in a plating bath of 80° C. having the following composition for 4 minutes.
これによって、膜厚3oooX、比抵抗150μΩmの
N1−W−Pメッキ被膜が得られた。この基板を洗浄後
、乾燥しN i −Or −A uを約2μ常蒸着した
。これをネガレジスト、ポジレジストを用い、所定のパ
ターンを形成する。その後、Or”10r3+のレドッ
クス系エツチング液を用いてリード端子間のSnO2を
エツチングする。レドックス系エツチング液としては、
溶液中のカーボン電極の表面積を60caとし、10A
/dJで30分間通電した。この中Qここの基板を60
秒間浸漬した。これによってアルミナ基板上の不要なS
nO□は完全に溶解した。As a result, an N1-W-P plating film having a film thickness of 3 oooX and a specific resistance of 150 μΩm was obtained. After washing and drying this substrate, about 2 μm of Ni-Or-Au was deposited by regular vapor deposition. A predetermined pattern is formed using a negative resist and a positive resist. Thereafter, the SnO2 between the lead terminals is etched using a redox-based etching solution of Or"10r3+.The surface area of the carbon electrode in the solution is 60ca, and the surface area of the carbon electrode in the solution is 10A.
/dJ for 30 minutes. Among these Q this board is 60
Immersed for seconds. This eliminates unnecessary S on the alumina substrate.
nO□ was completely dissolved.
次にポジレジスト、ネガレジストをその剥離液で溶解後
、洗浄、乾燥した。その後、スパッタにより発熱抵抗体
の耐熱酸化保護膜として5102を2μ情、耐摩耗保護
膜としてTa2O,を5μ常形成しサーマルヘッドを作
成した。このサーマルヘッドのリード端子部の密着強度
は1Q5?/叫あり実用上回の問題もないものであった
。Next, the positive resist and negative resist were dissolved with the stripping solution, washed, and dried. Thereafter, a thermal head was fabricated by sputtering to form a heat-resistant oxidation protective film of 5102 of 2 μm and a wear-resistant protective film of Ta2O of 5 μm. Is the adhesion strength of the lead terminal part of this thermal head 1Q5? There were no problems beyond practical use.
このサーマルヘッドのダイナミック特性試験の結果を図
3に示す。The results of the dynamic characteristic test of this thermal head are shown in FIG.
ダイナミック特性とは、発熱体に順次電圧を加えていっ
てその発熱体が破壊される、ワット数をもってその寿命
を推定する試験である。Dynamic characteristics is a test in which voltage is sequentially applied to a heating element until the heating element is destroyed, and its lifespan is estimated based on the wattage.
第3図の12が本発明のサーマルヘッド用発熱体のダイ
ナミック特性であり、11は、従来のTa2N の発熱
体のダイナミック特性であり、本発明の発熱体はより高
い発熱状態にも耐えられることがわかる。12 in FIG. 3 is the dynamic characteristic of the heating element for a thermal head of the present invention, and 11 is the dynamic characteristic of the conventional Ta2N heating element, indicating that the heating element of the present invention can withstand higher heat generation conditions. I understand.
実施列2
酸化アルミニウム板上に50μ毎の厚さで高融点ガラス
がグレーズ層として形成された基板を、を混合した溶液
に浸漬し、五〇−/−の速度で等速引き上げを行い、そ
の後500℃で1時間焼成した。Implementation row 2 A substrate on which high-melting point glass was formed as a glaze layer every 50μ thick on an aluminum oxide plate was immersed in a mixed solution, pulled up at a constant speed of 50-/-, and then It was baked at 500°C for 1 hour.
この後、実施しυ1と同様にN1−W−Pめっきを行い
サーマルヘッドを作製した。このサーマルヘッドのリー
ド端子部の密着強度は909/rranあり実用上問題
のないものであった。After that, N1-W-P plating was performed in the same manner as in υ1 to produce a thermal head. The adhesion strength of the lead terminal portion of this thermal head was 909/rran, which was not a problem in practical use.
ダイナミック特性試験の結果も同様であった。The results of the dynamic characteristic test were also similar.
実施例3
酸化アルミニウム板上に30μmの厚さで高融点ガラス
がグレーズ層として形成された基板を、を混合した溶液
に浸漬し、15 cm/1titrrの速度で等速引き
上げを行い、その後500℃で1時間焼成した。これに
より膜厚500又のTa205 被膜が得られた。この
後実施列1と同様にN1−W−Pめっきを行い、サーマ
ルヘッドを作製した。このサーマルヘッドのリード端子
部の密着強度は100f/mmあり実用上問題のないも
のであった。ダイナミック特性試験の結果も同様であっ
た。Example 3 A substrate in which a high melting point glass was formed as a glaze layer with a thickness of 30 μm on an aluminum oxide plate was immersed in a mixed solution, pulled up at a constant speed of 15 cm/1 titrr, and then heated at 500°C. Baked for 1 hour. As a result, a Ta205 film having a thickness of 500 mm was obtained. After that, N1-W-P plating was performed in the same manner as in Example 1 to produce a thermal head. The adhesion strength of the lead terminal portion of this thermal head was 100 f/mm, which was not a problem in practical use. The results of the dynamic characteristic test were also similar.
実施列4
酸化アルミニウム板上に50μ情の厚さで高融点ガラス
がグレーズ層として形成された基板上にavDを用いて
厚さ300又のSnO2膜を形成した。この基板を洗浄
後、所定の無電解メッキ前処理工程を行い、次の組成の
メッキ浴、80℃中に5分間浸漬した。Example 4 A SnO2 film with a thickness of 300 μm was formed using avD on a substrate in which high-melting point glass was formed as a glaze layer with a thickness of 50 μm on an aluminum oxide plate. After cleaning this substrate, a predetermined electroless plating pretreatment step was performed, and the substrate was immersed in a plating bath having the following composition at 80° C. for 5 minutes.
これによって、膜厚3oooX、比抵抗160μΩmの
N1−W−Pメッキ被膜が得られた。As a result, an N1-W-P plating film having a film thickness of 3 oooX and a specific resistance of 160 μΩm was obtained.
このダイナミック特性も、実施りJlと同様の結果が得
られた。Regarding this dynamic characteristic, results similar to those obtained in the experiment Jl were obtained.
実施レリ1から4までの方法で得られた抵抗発熱体を用
いて、サーマルヘッドを作製し、実際に印字したところ
、子方ライン以上の印字が可能であることがわかった。When a thermal head was manufactured using the resistance heating elements obtained by the methods of Examples 1 to 4 and actual printing was performed, it was found that printing on the lower line or higher was possible.
以上より、本発明のサーマルヘッドは充分に実用化で芭
る寿命を有することがわかった。From the above, it was found that the thermal head of the present invention has a lifespan that is long enough to be put into practical use.
第1図、本発明のサーマルヘッドの断面図。
1・・・・・・・・・セラミック基板
2・・・・・・・・・グレーズ層
6・・・・・・・・・金属酸化物層
4・・・・・・・・・無電解ニッケルメッキ被膜5・・
・・・・・・・リード線
6・・・・・・・・・耐酸化保護膜
7・・・・・・・・・耐摩耗性保護膜
第2図、本発明のサーマルヘッドの作り方8・・・・・
・・・・レジスト部
9・・・・・・・・・発熱体部
10・・・・・・リード線
第3図、ダイナミック特性試験結果
11・・・・・・Ta、Nのダイナミック特性12・・
・・・・本発明サーマルヘッドのダイナミック特性
以 上
出願人 株式会社諏訪精工舎
代理人 弁理士 最上 与FIG. 1 is a sectional view of the thermal head of the present invention. 1... Ceramic substrate 2... Glaze layer 6... Metal oxide layer 4... Electroless Nickel plating film 5...
...... Lead wire 6 ... Oxidation-resistant protective film 7 ... Wear-resistant protective film Figure 2, How to make the thermal head of the present invention 8・・・・・・
...Resist part 9 ...Heating element part 10 ... Lead wire Figure 3, dynamic characteristic test results 11 ... Dynamic characteristics of Ta and N 12・・・
...Dynamic characteristics of the thermal head of the present invention Applicant Suwa Seikosha Co., Ltd. Agent Patent attorney Yo Mogami
Claims (1)
うけ、この上に金属酸化物被膜を形成後、通常の無電解
メッキ前処理を施し、無電解メッキ浴中にこの基板を浸
漬することにより、表面に無電解メッキ被膜4を形成し
、所定の方法によりリード線5.耐酸化保護膜6.耐摩
耗保険膜7を゛形成することを特徴とするサーマルヘッ
ド。A glaze layer 2 is formed on a smooth substrate 1 with good thermal conductivity, and after forming a metal oxide film on this, a normal electroless plating pretreatment is performed, and the substrate is immersed in an electroless plating bath. By doing so, an electroless plating film 4 is formed on the surface, and a lead wire 5. is formed by a predetermined method. Oxidation-resistant protective film6. A thermal head characterized in that a wear-resistant insurance film 7 is formed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59007868A JPS60151071A (en) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | thermal head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59007868A JPS60151071A (en) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | thermal head |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60151071A true JPS60151071A (en) | 1985-08-08 |
Family
ID=11677613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59007868A Pending JPS60151071A (en) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | thermal head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60151071A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4855757A (en) * | 1987-06-17 | 1989-08-08 | Intermec Corporation | Thermal printhead with static electricity discharge capability |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP59007868A patent/JPS60151071A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4855757A (en) * | 1987-06-17 | 1989-08-08 | Intermec Corporation | Thermal printhead with static electricity discharge capability |
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