JPS60138704A

JPS60138704A - 磁気再生装置

Info

Publication number: JPS60138704A
Application number: JP24457283A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Yatabe; 谷田部　茂
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1983-12-27
Filing date: 1983-12-27
Publication date: 1985-07-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］この発明は磁気記録された信号を再生する装置に係り、
特に磁気記録媒体が形成する信号磁界の変化による磁性
体の高周波特性の変化を利用して再生を行なう磁気記録
再生装置に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］従来一般の磁気記録再生装置は、リング型の磁気ヘッド
を用い、記録の場合はヘッドのギャップに発生させた信
号磁界で磁気記録媒体を磁化して記録を行ない、再生は
媒体からの磁束変化によるヘッドの誘起起電力を再生出
力として取り出す方式であった。この方式では、面内配
向の磁気記録媒体を使用する場合、記録波長を短かくす
ればするほど減磁界の効果が強まって記録を困難にし、
再生においてもリング型磁気ヘッドが磁束検出型である
ことで再生出力がトラック幅に依存するため、原理的に
高密度記録再生には不利であった。

一方、最近注目されている垂直磁気記録方式は信号磁化
を磁気記録媒体の面に垂直な方向に向けて記録を行なう
方式のため、記録波長を短かくした方が記録が安定する
といった特徴をもつことから高密度記録に適した方式で
ある。しかし、垂直磁気記録方式でも再生にはリング型
ヘッド又は主磁極と副磁極からなるヘッド構成など磁束
検出の方式が従来用いられているため、面内配向の場合
と同様に再生出力がトラック幅による制限を受ける。

ところで、特願昭５５−１１０３４０号等において提案
されている磁気再生装置は、磁気記録媒体からの信号磁
界の変化を透磁率や高周波損失等の特性変化として検出
する磁性体を設け、この磁性体に巻回したコイル（イン
ダクタンス素、子）のインダクタンス変化を利用して再
生を行なうものである。この装置では、上記コイルがキ
ャパシタンス素子とともに同調回路を構成し、この同調
回路に高周波信号が供給される。この場合、磁気記録媒
体からの信号磁界の強さによって生じる上記磁性体の特
性変化によって、同調回路の共振周波数やＱの変化が起
こり高周波信号が振幅変調を受ける。従って振幅変調を
受けた信号を検波回路で検出することで、再生出力が得
られる。

この方式で用いられる高透磁率の磁性体の高周波での透
磁率及び損失は、微弱な外部磁界の変化に対しても著し
い変化を示す上、上記のようにこの磁性体により信号磁
界を検出して再生を行なうと再生出力レベルが信号磁界
の強度に依存し磁束には依存しないことにより、原理的
に極めて狭トラツク幅の高密度磁気再生が可能となる。

ところで、この方式による磁気再生装置として、特に信
号磁界による磁性体の高周波特性の変化により結合度が
変化する高周波結合回路を構成し、この高周波結合回路
からの高周波出力電圧の変化を検出して信号再生出力を
得るようにしたものが既に提案されている。この場合、
信号磁界による磁性体の高周波特性の変化に対し高周波
結合回路の結合度変化をいかに大きくするかが、高感度
、高Ｓ／Ｎの信号再生を行なう上で重要な課題となる。

［発明の目的コこの発明の目的は、磁気記録媒体からの信号磁界による
磁性体の高周波特性変化によって高周波結合回路の結合
度が大きく変化するようにして、狭トラツク幅で高密度
に記録された信号を極めて高感度にかつ良好なＳ／Ｎを
もって再生することを可能とした磁気再生装置を提供す
ることである。

［発明の概要］この発明は、磁気記録媒体からの信号磁界による磁性体
の高周波特性の変化によって結合度が変化する高周波結
合回路を、媒体の記録層に対向して垂直に配置される支
持基体の側面上に薄膜磁性体を形成するとともに、この
薄膜磁性体上に１次側インダクタンス素子、絶縁層お、
よび２次側インダクタンス素子を順次積層形成すること
によって構成し、この高周波結合回路の結合度の変化に
ｒく高周波信号出力を検出して磁気記録媒体に記録され
た信号を再生するようにしたーとを特徴としている。

［発明の効果］この発明によれば、信号磁化による磁性体のテンソル透
磁率等の高周波特性の変化を利用して高周波結合回路の
結合度を変化させて磁気記録媒体からの信号磁界を検出
する際、高周波結合回路を構成する１次側および２次側
のインダクタンス素子が直交しているため、無信号時で
は電磁結合がほとんどなく、高周波結合回路から得られ
る高周波出力はわずかであるが、信号磁界が磁性体に加
わると、テンソル透磁率によって新たな電磁結合が発生
し、これが高周波出力の大きな変化として現れるため、
高感度かつＳ／Ｎの烏好な信号再生出力が得られる。

また、本発明では支持基体の上に直接磁性体を被着形成
できるため、高密度記録信号の再生に有利なようにその
膜厚を極力薄くできるとともに、良好な高周波磁気特性
をもつ磁性体を得ることが容易である。さらに支持基体
の一側面上に磁性体、インダクタンス素子、絶縁層、イ
ンダクタンス素子と順に積層形成することからこれらに
よって構成される高周波結合回路を主体とする再生ヘッ
ドを、半導体素子製造プロセス等で広く用いられている
ｌｉ膜形成技術を用いて製造することができ、生産性に
すぐれているという利点がある。

［発明の実施例コ図はこの発明の一実施例を示すものである。記録層１と
ベース層２からなる磁気記録媒体３の記録層１側に、ガ
ラスやサファイヤ等の高硬度絶縁材料からなる角柱状の
支持基体４が先端を記録層１に対向させて媒体３に対し
垂直に配置されている。この支持基体４の磁気記録媒体
３上の記録トラック２０の幅方向に平行な一側面に薄膜
磁性体５が一端側を記録層１に対向するように被着形成
されている。

そして、この磁性体５上に２次側インダクタンス素子６
ｂ、絶縁層７および１次側インダクタンス素子６ａがこ
の順で積層形成され、磁性体５と１次側および２次側イ
ンダクタンス素子６ａ。

６ｂで高周波結合回路を構成している。ここで、１次側
および２次側インダクタンス素子５ａ。

６ｂはいずれも細い帯状の薄膜導体からなっており、１
次側インダクタンス素子６ａば磁気記録媒体３面に垂直
に形成され、２次側インダクタンス素子６ｂはこれと直
交する方向、すなわち１−ラック幅２０の方向に形成さ
れている。

１次側および２次側インダクタンス素子６ａ。

６ｂはそれぞれ同調用コンデンサ８ａ、８ｂに接続され
て、１次側および２次側ＬＣ同調回路を構成する。これ
らの１次側と２次側のＬＣ同調回路の同調周波数をほぼ
一致するようにする。

１次側のＬＣ同調回路は、この同調回路の同調周波数と
等しい発振周波数の高周波発振器９に高周波結合用コン
デンサ１０を介して接続され、この発振器９から高周波
信号が供給される。この場合、１次側と２次側のインダ
クタンス素子６ａ。

６ｂは上記のように直交している関係から、これらのイ
ンダクタンス素子６ａ、５ｂのみによる高周波結合回路
の電磁結合はほとんどなく２次側に現れる高周波出力は
わずかである。

しかしインダクタンス素子６ａ　、５ｂは磁性体５と結
合しているため、記録層１上の信号磁化からの信号磁界
を受けて磁性体５が磁気共鳴等の高周波特性の変化を起
こすことでテンソル透磁率を発生すると、新たに強い電
磁結合が発生される。

このため高周波結合回路の１次側に供給された高周波信
号が、信号磁界による磁性体５のテンソル透磁率の変化
で年じた電磁結合によって、２次側に高周波信号出力の
大きな変化として現れる。そこでこの高周波信号出力を
検出回路、例えばピーク検波回路１１で検出することで
、検波出力として信号再生出力１２が得られる。

このように、インダクタンス素子６ａ、６ｂのみによる
高周波結合回路の電気回路としての電磁結合はほとんど
なく、２次側の高周波信号出力の主たる変化が信号磁界
に起因する磁性体５のテンソル透磁率等の高周波特性の
変化によるものであることにより、高感度、高Ｓ／Ｎの
信号再生出力を得ることができる。

また、この発明では支持基体４の上に直接磁性体５を被
着形成できるため、この磁性体５を良好な高周波磁気特
性をもつ極めて薄い薄膜にづることかでき、特に記録波
長の短い高密度記録信号の再生に有効である。さらに支
持基体４の一つの側面上に磁性体５、インダクタンス素
子６ｂ、絶縁層７、インダクタンス素子６ａを順に積層
して形成するため、これらによって構成される高周波結
合回路を主体とする再生ヘッドは、薄膜形成線術等によ
り容易に製造可能である。

なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、例えば磁気記録媒体が面内配向の磁気記録媒体の場合
でも垂直磁気記録媒体の場合でも同様に適用できる。ま
た磁性体６による高周波結合回路の電磁結合の変化をさ
らに大きくするために、磁性体６−ｇ−バーイアス磁界
を与えてもよいことは勿論である。

【図面の簡単な説明】

図はこの発明の一実施例に係る磁気再生装置の構成を示
す図である。１・・・磁気記録層、２・・・ベース層、３・・・磁気
記録媒体、４・・・支持基体、５・・・磁性体、６ａ、
５ｂ・・・インダクタンス素子、７・・・絶縁層、８ａ
、８ｂ・・・同調用コンデンサ、９・・・高周波発振器
、１０・・・高周波結合線コンデンサ、１１・・・ピー
ク検波回路、１２・・・信号再生出力、２０・・・記録
トラック。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims

【特許請求の範囲】

（１）磁気記録媒体からの信号磁界による磁性体の高周
波特性の変化により結合度が変化する高周波結合回路を
有し、この高周波結合回路の結合度の変化に基く高周波
出力電圧の変化を検出して、前記磁気記録媒体に記録さ
れた信号を再生する装置において、前記高周波結合回路
は、前記磁気記録媒体上に垂直に配置される支持基体の
側面上に、前記磁気記録媒体からの信号磁界により高周
波特性が変化する薄膜磁性体を形成し、この薄膜磁性体
上に１次側インダクタンス素子と絶縁層および１次側イ
ンダクタンス素子と直交する２次側インダクタンス素子
を順次積層形成してなるものであることを特徴とする磁
気再生装置。
（２）高周波結合回路は、信号磁界による前記磁性体の
磁気共鳴によって１次側インダクタンス素子と２次側イ
ンダクタンス素子との結合度が変化するものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気再生装置
。
（３）高周波結合回路は、信号磁界がないときは１次側
インダクタンス素子と２次側インダクタンス素子との電
磁結合がほとんどなく、前記磁性体の磁気共鳴によって
大きい電磁結合を生じるものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の磁気再生装置。