JPS60134242A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ　
）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７’号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

しかし乍ら、従来のａ−３ｌで構成された光導電層を有
する光導電部制は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電
気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境
特性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な
特性向上を図る必要があるという更に改良される可き点
が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｌは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、また通常使用されているハロケ゛ンラ
ングや螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に
使用し得ていないという点に於いて、夫々改良される余
地が残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の［ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする桿太き（ｈわ、殊に半道伏レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−３１材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハローグン原子、及び電
気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部側を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｌに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はノ・ログン原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス制料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化ア
モルファスンリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒ
　ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成され
、光導電性を示す光受容層を有する光導電部材の層構成
を以後に説明される様に特定化して設計されて作成され
た光導電部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかり
でなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点に
おいて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材
として著しく優れた特性を有していること及び長波長側
に於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出し
た点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であシ
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノ・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、画像のＩｔのない、高
品質画像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、該支
持体上に、ダルマニウム原子を含む非晶質材料で構成さ
れた第１の層領域（Ｇ）、およびシリコン原子を含む非
晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）
とが前記支持体側より順に設けられた層構成の第一の層
と、シリコン原子と酸素原子とを含む非晶質材料で構成
された第二の層とから成る光受容層とを有し、前記第一
の層は、伝導性を制御する物質（Ｃ）を、該第−の層に
於いては、層厚方向の分布濃度の最大値が前記第２の層
領域（Ｓ）中におり且つ前記第２の層領域（Ｓ）に於い
ては、前記支持体側の方に多く分布する状態で含有して
いる事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、可干渉光の使用に於いても干渉を充分防止することが
出来るとともに、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比
を有するものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長
け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像
度の高い、高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に模式的に示した模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材１ｏｏは、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第一の層（Ｉ）１０２と第二の
層（Ｉｔ）’　１０５とがら成る光受容層１０７を有し
、前記第一の層（１）　ｉ　０２は自由表面１０６を一
方の端面に有している。

第−の層（１）　１０２は、支持体１０１側よシグルマ
ニウム原子と、必要に応じてシリコン原子（ｓＢ、水素
原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも１つを含
む非晶質材料（以後ｒ　ａ−Ｇｏ（Ｓｉ。

Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成された第１の層領域（Ｇ
）　１０３と、ａ−８ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成され光導電性
を有する第２の層領域（Ｓ）　１０４とが順に積層され
た層構造を有する。

第一の層（１）　１０２は、伝導特性を制御する物質（
Ｃ）を含有し、該物質（Ｃ）は、第一の層（１）１０２
に於いては、その層厚方向の分布濃度の最大値が第２の
層領域（Ｓ）中にあシ、且つ第２の層領域（Ｓ）に於い
ては支持体１０１側の方に多く分布する状態で含有され
る。

第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子は、支
持体の表面と平行な面内方向に於いては、均一な状態で
含有されるが、層厚方向には、均一であっても不均一で
あっても差支えない。

又、第１の層領域（Ｇ）に於けるゲルマニウム原子の分
布状態が層厚方向に不均一な場合には、その層厚方向に
於ける分布濃度Ｃを、支持体側或いは第２の層領域（Ｓ
）側に向って、次第に、或いはステップ状に、又は、線
型的に変化させることが望ましい。

殊に、第１の層領域（Ｇ）中に於けるダルマニウム原子
の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｇ
）が支持体側よシ第２の層領域（Ｓ）に向って減少する
変化が与えられている場合には、第１の層領域（Ｇ）と
第２の層領域（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、且つ
後述する様に支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レー
ザ等を使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を、第１の層領域（Ｇ）に
於いて実質的に完全に吸収することが出来、支持体面か
らの反射による干渉を防止することが出来ると共に、第
１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との界面での反
射を充分押えることが出来る。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部拐の
第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域（Ｇ）の層厚を
示し、ｔＢは支持体側の第１の層領域ＣＧ）の端面の位
置を、ｔ７は支持体側とは反対側の第１の層領域（Ｇ）
の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１の層題域・（Ｇ）はｔｎ（Ｒ１１より１Ｔ側に
向って層形成がなされる。

第２図には、第１の層領域ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ダルマニウム原子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）が形成される表面と該第１の層領
域（Ｇ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置
までは、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ（Ｇ）がＣ，な
る一定の値を取り乍ら、ゲルマニウム原子が形成される
第１の層領域（Ｇ）に含有され、位置ｔ１よりは濃度Ｃ
２より界面位置ｔＴに至る捷で徐々に連続的に減少され
ている。

界面位置１Ｔにおいてはダルマニウム原子の分布濃度Ｃ
はＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢよ多位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置を丁との間において、除徐に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔｎよ多位置１丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては１．ゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔＢ間においては、濃度Ｃ９
と一定値であシ、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩＯされる
。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている
。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よシ位置ｔ４までは濃度−１の一定値を取り、位置ｔ４
よシ位置ｔ、までは濃度Ｃ１２よシ濃度ＣＩ３まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置時に至る
捷で、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩＡよシ
実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１６より濃度
ＣＩ６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴ
との間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が示
されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置１．において濃度ＣＩ７であシ、位置
ｔ６に至るまではこの濃度−７よシ初めはゆっくシと減
少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて
位置ｔ６では濃度ＣＩ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置ｔ８七の間では、極
めてゆっくシと徐々に減少されて位置ｔ８において、濃
度Ｃ２Ｇに至る。位置ｔ８と位置ｔＴの間においては、
濃度Ｃｚｏｊ、！ｌ）実質的に零になる様に図に示す如
き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領域（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃ
は支持体側に較べて可成り低くされた部分を有するケ゛
ルマニウム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設け
られている。

本発明に於ける光導電部材を構成する第一〇眉（１）を
構成する第１の層領域（Ｇ）は、好ましくは上記しｆｃ
様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で
含有されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位１Ｗ
ｔｎより５μ厚１での全層領域（Ｌｔ）とされる場合も
おるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される層に要求される特性に従って
適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるダルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子との和に対して、好
ましくはｌ　Ｑ　Ｑ　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
よシ好適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最
適には１　Ｘ　１，０’　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域ＣＧ）は、支持体側からの層厚で５μ以
内（１＋＋から５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ
ｍａｘが存在する様に形成されるのが好ましいものであ
る。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜決められるが、好
ましくは１〜１０×１０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、よシ
好ましくは１００〜９．５Ｘ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ　、最適には５００〜８　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層領域ＣＧ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので、形成される光導電部材に
所望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好
捷しくは、３０Ｘ〜５０μ、より好ましくは、４０Ｘ〜
４０μ、最適には、５０Ｘ〜３０μとされるのが望まし
い。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０５〜
９０μ、よυ好ましくは、１〜８０μ、最適には２〜５
０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと、第２の層領域（Ｓ）
の層厚Ｔの和（ＴＢ＋　Ｔ　）としては、両層領域に要
求される特性と光受容層全体に要求される特性との相互
間の有機的関連性に基いて、光導電部材゛・の層設計の
際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ま
しい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、好ましくは、Ｔｎ　／　Ｔ
≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な
数値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、よシ好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９、最適にはＴ
Ｂ／Ｔ≦０，８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量が１　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層門ＴＢ
としては、成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは
３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適には２０
μ以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、第一の層（１）を構成する第１の層領
域（Ｇ）又は／及び第２の層領域（Ｓ）中に、必要に応
じて含有されるハロダン原子（Ｘ）としては、具体的に
はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素
、塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ｅ−Ｇｅ（Ｓｉ、　Ｈ，Ｘ　）で構成
される第１の層領域ＣＧ）を形成するには、例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いは一イオンシレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成
される。例えば、グロー放電法によって、ａ　−Ｇｅ　
（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域ＣＧ）を形
成するには、基本的にはダルマニウム原子（Ｇｅ）を供
給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて、シリ
コン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス水
素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びハロダン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上に層形成すれば良い。ケ゛ルマニウム原子
を不均一に分布させるには、含有されるダルマニウム原
子の分布濃度Ｃを所望の変化率曲線に従って制御し乍ら
ａ　−Ｇｏ　（８１、Ｈ，Ｘ　）からなる層を形成させ
れば良い。又、スパッタリング法で形成する場合には、
例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成された
ターゲット、或いは、該ターゲットとＧｅで構成された
ターゲットの二枚を使用して、又は、ＳＩとＧｅの混合
されたターゲットを使用して、必要に応じて、Ｉ（ｅ　
、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガ
ス又はＳｉ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスを
スパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのグラ
ズマ雰凹気を形成すると共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガ
ス又は／及びＳ１供給用の原料ガスのガス流量を所望の
変化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをス
パッタリングしてやれば良い。

イオンシレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ダルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロン
ビーム法（Ｆ、Ｂ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は
、スノソックリング法の場合と同様にする事で行うこと
が出来る。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、ＳｉＨ４、５１２Ｈ６，５ｉ３ＨＱ
。

５ｔ４）１ｊＱ等のガス状態の又はガ゛ス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率
の良さ等の点で５ＩＨ４、５１２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ４ＨＨ）、　Ｇ
ｅ５Ｈ１２゜Ｇｅ６Ｈ１４＋　Ｇｅ７’１６　＋　Ｇｅ
８Ｈ１８＋　Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガ゛ヌ化
し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、　Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で、Ｇｅ１（４、Ｇｅ　２Ｈ６、
Ｇｅ　５ＨＢ　が好ましいものとして挙けられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロダン化物、ハロゲン間化合
物、ハロダンで置換されだシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロダン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロダン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロダンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ４Ｆ　、　Ｃｌ
Ｆ３　。

ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３　、　ＩＦ３　、　ＩＦ７　、
　ＩＣ１、ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが
出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所請、ハロダン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば５
ｌＦ４　、５１２Ｆ６　、５ｉＣ４４、ＳｉＢｒ４　。

等のハロダン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。

この様なハロダン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用し７なくと
も、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｌＧｅ
から成る第１の層領域ＣＧ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロダン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給
用の原料ガスとなるハロゲン化合物と、Ｇｅ供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムと、Ａｒ　ｌ　Ｈ２、
Ｈｅ叫のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にし
て第１の層領域ＣＧ）を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによって、ｆａｔ望の支持体」二に第１の層領
域（Ｇ）を形成し得るものであるが、水素原子の導入割
合の制御を一層容易になる様に図る為に、これ等のガス
に更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも
所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンデレーテノン４″炊の何れの
場合にも形成される層中にノ・ロダン原子を導入するに
は、前記のノ・ＣＩダン化合物又は前記の・・ロダン原
子をぎむ硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ノ・ロダン原子導入用の原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物、或いはノ・ロダンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、ＨＦ、ＨＣｔ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等のハ０グン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．
５ｉＨ２Ｉ２゜ＳｉＨ２Ｆ２　、５ｉＩ（Ｃ４Ｂ　、　
５ｉＨ２Ｂｒ２５ｉＨＢｒ５等のハロゲン置換水素化硅
素、及びＧｅＨＦ５　、　ＧｅＨＢｒ５　、　Ｇｅ５Ｈ
１２ＧｅＨＢｒ５　、　ＧｅＨ２Ｃｔ２　、　ＧｅＨＢ
ｒ５．　ＧｅＨＢｒ５　、ＧｅＨＢｒ５　。

ＧｅＨＢｒ５ ロダン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つ
とするハｌ：Ｉ　）ｆ　７化物、ＧｅＦ４　、　ＧｅＣ
４４゜ＧｅＢｒ４　、　ＧｅＩ４　、　ＧｅＦ２　、　
ＧｅＣ４２、ＧａＢｒ２　、　ＧｅＩ２等のハロダン化
ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物
質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として
挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むノ・ロダン化物は、第
１の層領域ＣＧ）形成の際に層中にハロダン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＦ２或いは５ｌＨ４Ｓｉ２Ｈ６＋Ｓｔ　
５ＫＢ　、　Ｓ、ｉ　４Ｈ１０等の水素化硅素をＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは％　ＧｅＨ４１Ｇｅ２”６１　Ｇｅ５Ｈ８＋　Ｇ
ｅ４Ｈ１０１Ｇｅ５Ｈ１２１Ｇｅ６”１４　＋　Ｇｅ７
Ｈ１６＋　ＧｅＢＨｌＢ　ｌ　Ｇｅ２Ｈ２０等の水素化
ゲルマニウムとＳｔを供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる
事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくはＱ、　Ｑ　
ｌ　〜４　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％、よｐ好適には０、０
５〜３０ａｔｏｍｌｃ　％、最適には０．１〜２’５　
ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロダン
原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積
装置系内へ導入する量、放電々力婢を制御してやれば良
い。

本発明の光導電部材に於いては、ダルマニウム原子の含
有されない第２の層領域（Ｓ）、ゲルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）には、伝導特性を制御する
物質（Ｃ）を含有させることにょシ、該第２の層領域（
Ｓ）及び該第１の層領域（Ｇ）の伝導特性を所望に従っ
て任意に制御することが出来る。

この際、第２の層領域（Ｓ）に含有される前記物質（Ｃ
）は、第１の層領域ＣＧ）の全領域又は一部の層領域に
含有されて良いが、いずれの場合も支持体側の方に多く
分布する状態として含有される必要がある。

即ち、第２の層領域（Ｓ）に設けられる物質（Ｃ）の含
有される層領域（ＳＰＮ　）は、第２の層領域（Ｓ＞の
全層領域として設けられるか又に、第２の層領域（Ｓ）
の一部として支持体側端部層領域（ＳＥ　）として設け
られる。前者の全層領域として設けられる場合には、そ
の分布濃度Ｃ（＋りが支持体側の方向に向って、線型的
に又はステップ状に、或いは曲線的に増大する様に設け
られる。

分布濃度Ｃ（Ｓ）が曲線的に増大する場合には、支持体
側に向って、単調的に増大する様に伝導性を制御する物
質（Ｃ）を第２の層領域（Ｓ）中に設けるのが望ましい
。

層領域（ＳＰＮ　）を第２の層領域（Ｓ）中に、その一
部として設ける場合には、層領域（ＳＰＮ　）中に於け
る物質（Ｃ’）の分布状態けす持仏の表面と平行な面内
方向に於いては均一とされるが、層厚方向に於いては均
一でも不均一でも差支えない。この場合、層領域（ＳＰ
Ｎ　）に於いて、物質（Ｃ）が層厚方向に不均一に分布
する様に設けるには、前記の第１の層領域（Ｇ）の全層
領域に設ける場合と同様の分布濃度線となる様に設ける
のが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）に伝導性を制御する物質（Ｃ）を含
有させて該物質（Ｃ）の含有される層領域（ＧＰＮ　）
を設ける場合も、第２の層領域（Ｓ）に層領域（ＳＰＮ
　）を設ける場合と同様に行うことが出来る。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領
域（Ｓ）のいずれにも伝導特性を制御する物質（Ｃ）を
含有させる場合、両層領域に含有される物質（Ｃ）は同
種でも互いに異種であっても良い。

しかし乍ら、両層領域に同種の伝導性を制御する物質（
Ｃ）を含有させる場合には、該物質（Ｃ）の層厚方向に
於ける最大分布濃度が第２の層領域（Ｓ）にある、即ち
、第２の層領域（Ｓ）の内部又は、第１の層領域（Ｇ）
との界面にある様に設けるのが好ましい。

殊に、前記の最大分布濃度が第１の層領域ＣＧ）との接
触界面又は、該界面近傍に設けるのが望ましい。

本発明に於いては、上記の様に光受容層中に伝導特性を
制御する物質（Ｃ）を含有させて、該物質（Ｃ）を含有
する層領域（ＰＮ　）を、第２の層領域（Ｓ）の少なく
とも一部の層領域を占める様に、好ましくは、第２の層
領域（Ｓ）の支持体側端部層領域（ＳＥ　）として設け
る。

層領域（ＰＮ　）が第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領
域（Ｓ）の両者に跨る様に設けられる場合には、伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の層領域（ＧＰＮ　）に於ける
最大分布濃度Ｃ（Ｇ）ｍａｘと、層領域（ＳＰＮ　）に
於ける最大分布濃度Ｃ（Ｓ）ｍａｘとの間にはＣ（Ｇ）
ｍａｘ　＜　Ｃ（Ｓ）　ｍａｘなる関係式が成立する様
に物質（Ｃ）が第一の層（１）中に含有される。

層領域（ＰＮ）に含有される伝導性を制御する物質（Ｃ
）としては、所■胃、半導体分野で云われる不純物を挙
げることが出来、本発明に於いては、Ｓｔ又はＧｅに対
して、ｐ％伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｎｍ伝導
特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｔ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）、ＴＬ（タリウム）等があり、殊
に好適に用いられるのはＢ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｌ１（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等でｓｂ、殊に、好
適に用いられるのは、Ｐ、Ａｇである。

本発明において、第一の層０）中に設けられる層領域（
ＰＮ　）に含有される伝導特性を制御する物質（Ｃ）の
含有量は、該層領域（ＰＮ　）に要求される伝導特性、
或いは該層領域（ＰＮ　）が直に接触して設けられる支
持体或いは他の層領域との接触界面における特性との関
係等、有機的関連性において、適宜選択することが出来
る。又、前記層領域に直に接触して設けられる他の層領
域の特性や、該他の層領域との接触界面における特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の
含有量が適宜選択される。

本発明において、層領域（ＰＮ　）中に含有される伝導
特性を制御する物質（Ｃ’）の含有量としては、好まし
くはＯ，０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　１よシ好適には０．５〜１　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｌ
ｃ　ｐｐｍ、最適には１〜５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｌｃ
　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明において、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ　）を第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域（Ｓ）の接触界面に接して、或いは層領域（ＰＮ
　）の一部が第１の層領域（Ｇ）の少なくとも一部を占
める様にし、且つ層領域（ＰＮ　）における該物質（Ｃ
）の含有量を、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以
上、より好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最
適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上することによ
って、例えば該含有させる物質が前記のｐ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面が■極性に帯電にルｍ　を
　々（け　）と　ヒエ　ηｒ　、古　東駆伏　相１１　
端）　戯　笛　９　ａ）Ｗ　ａ百七分（Ｓ）中へ注入さ
れる電子の移動を効果的に阻止することが出来、又、前
記含有させる物質が前記のｎ型不純物の場合には、光受
容層の自由表面がＯ極性に帯電処理を受けた際に、支持
体側から第２の層領域（Ｓ）中へ注入される正孔の移動
を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には、本発明の前述した基本構成の下に
前記層領域（ＰＮ　）を除いた部分の層領域（Ｚ）には
、層領域（ＰＮ　）に含有される伝導特性を支配する物
質の極性とは別の極性の伝導特性を支配する物質を含有
させても良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する
物質を、層領域（ＰＮ）に含有される実際の量よシも一
段□と少ない量にして含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
　）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望
に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは、０
．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適
にｔｔ４０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
　＃適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＰＮ　）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層
領域（Ｚ）における含有量としては、好ましくは、３０
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい。

上記した場合の他に、本発明においては、第一の層（１
）中に、一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含
有させ九層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配す
る物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設けて
、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。つ−
１、例えば第一の層（１）中に、前記のｐ型不純物を含
有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを
直に接触する様に設けて所ＲＪｐ−ｎ接合を形成して、
空乏層を設けることが出来る。

第１１図乃至第２４図には、第一の層（１）中に含有さ
れる伝導特性を制御する物質（Ｃ）の層厚方向の分布状
態の典型的例が示される。

これ等の図に於いて、横軸は物質（Ｃ）の層厚方向の分
布濃度Ｃ（ＰＮ）を、縦軸は第一の層の支持体側からの
層厚ｔを示しである。ｔＢは第１の層領域（Ｇ）の支持
体側の端面の位置を、ｔ４は第２の層領域（Ｓ）の支持
体側とは反対の端面の位置を、ｔｏは、第１の層領域（
Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）の接触界面の位置を示す。

第１１図には、第一の層（１）中に含有される伝導特性
を制御する物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の第１の典
型例が示される。

第１１図に示される例では、物質（Ｃ）は、第１の層領
域（Ｇ）には含有されておらず、第２の層領域（Ｓ）に
のみ濃度Ｃ，の一定分布濃度で含有されている。詰シ、
第２の層領域（Ｓ）は１Ｏとｔ１間の端部層領域に物質
（Ｃ）が濃度Ｃ１の一定の分布濃度で含有されている。

第１２図の例では、第２の層領域（Ｓ）には、物質（Ｃ
）は万偏無く含有されてはいるが、第１の層領域ＣＧ）
には物質（Ｃ）は含有されてない。

そして、物質（Ｃ）はｔｏとｔ２の間の層領域には、分
布濃度がＣ２と一定濃度で含有され、ｔ２とｔＴの間の
層領域にはＣ２よシは遥かに低い濃度Ｃ３の一定濃度で
含有されている。

この様な分布濃度Ｃ（ＰＮ）で物質（Ｃ）を第一の層（
１）を構成する第２の層領域（Ｓ）に含有させることで
、第１の層領域（Ｇ）より第２の層領域（Ｓ）に注入さ
れる電荷の表面方向への移動を効果的に阻止することが
出来ると同時に、光感度及び暗抵抗の向上を計ることが
出来る。

第１３図の例では、第２の層領域（Ｓ）に物質（Ｃ）が
万偏無く含有されてはいるが、ｔｏに於ける濃度Ｃ４よ
り上表面方向に単調的に減少してｔ７に於いて濃度０と
なる様に分布濃度Ｃ（ＰＮ）が変化している状態で物質
（Ｃ）が含有されている。第１の層領域（Ｇ）には物質
（Ｃ）は含有されてない。

第１４図及び第１５図の例の場合は、物質（Ｃ）が第２
の層領域（Ｓ）の下部端部層領域に偏在的に含有されて
いる例である。即ち、第１４図及び第１５図の例の場合
は、第２の層領域（Ｓ）は、物質（Ｃ）の含有されてい
る層領域と、物質（Ｃ）の含有されていない層領域とが
、この順で支持体側より積層され九層構造を有する。

第１４図と第１５図の例の場合に於いて異なる点は、第
１４図の場合が分布濃度Ｃ（ＰＮ）がｔｏと２３間に於
いてｔｏの位置での濃度Ｃ５より　ｔａの位置での濃度
０まで単調的に減少しているのに対して、第１５図の場
合は、１ｏとｔ４間に於いて、ｔｏの位置での濃度Ｃ６
よ、り　ｔ４の位置での濃度Ｏまで線形的に連続して減
少していることである。第１４図及び第１５図の例の場
合も、第１の層領域（Ｇ）には物質（Ｃ）は含有されて
いない。

第１６図乃至第２４図の例に於いては、第１の層領域（
Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の両者に伝導性を制御する
物質（りが含有されている場合が示される。

第１６図乃至第２２図の例の場合は、第２の層領域（Ｓ
）は、物質（Ｃ）が含有されている層領域と、物質（Ｃ
）が含有されてない層領域が支持体側よりこの順で積層
された２層構造を有しているのが共通している。その中
で第１７図乃至第２１図の例に於いては、いずれも第１
の層領域（Ｇ）に於ける物質（Ｃ）の分布状態は、第２
の層領域（Ｓ）とのガ。

面位置ｔｏ　よシ支持体側に向って減少している分布濃
度Ｃ（ＰＮ）の変化状態を有していることである。

第２３図及び第２４図の例の場合は、第一の層（１）の
全層領域に亘って層厚方向に物質（Ｃ）カニ号偏無く含
有されている。

加えて第２３図の場合は、第１の層領域ＣＧ）に於いて
は、ｔＢに於ける濃度Ｃ２３よりｔｏに於ける濃度Ｃ２
２才でｔＢよりｔｏに向って線Ｊｌ的に増力口し、第２
の層領域（Ｓ）に於いては、ｔｏに於ける濃度Ｃ２２よ
りｔＴに於ける濃度０までｔｏよりｔＴに向って単調的
に連続して減少している。

第２４図の場合は、ｔＢとｔ＋３の間の層領域に於いて
は、濃度Ｃ２４の一定分布濃度で物質（Ｃ）力；含有さ
れ、ｔ１３とｔＴの間の層領域に於いては、濃度Ｃ２６
より線形的に減少して、ｔＴに於いて０に至っている。

以上第１１図乃至第２４図に於いて、第一の層（１）中
に於ける伝導性を制御する物質（Ｃ）の分布濃度Ｃ（’
ＰＮ）の変化例の代表的な場合を説明した様に、いずれ
の例に於いても、物質（Ｃ）の最大分布濃度が第２の層
領域（Ｓ）に存する様に物質（Ｃ）が光受容層中に含有
される。

本発明に於いて、ａ　−Ｓ　ｌ（Ｈ＋　Ｘ　）で構成さ
れる第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１
の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中より、Ｇｅ
供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第
２の層領域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層領域ＣＧ）を形成する場合と同様の方法と条
件に従って行うことが出来る。

即ち、本発明に於いて、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、基本
的には前記したシリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｔ
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
である所定の支持表面上にａ　−Ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成させれば良い。又、ス／やツタリング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをペース表した混合ガスの雰囲気中でＳ
ｔで構成されたターグットをスパッタリングする際、水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパッタリング用の堆積室に導入しておけは良い。

本発明に於いて、形成される第一の層（１）を構成する
第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ’＋Ｘ）は、好ましくは、１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ　（４、よシ、好適には５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされ
るのが望ましい。

第一の層（１）を構成する層領域中に、伝導特性を制御
する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第■族原子
を構造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域
（ＰＮ　）を形成するには、層形成の際に、第■族原子
導入用の出発物質或いは第■族原子導入用の出発物質を
ガス状態で堆積室中に、第一の層（Ｉ）を形成する為の
他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様な第■
族原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常温
常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易に
ガス化し得るものが採用されるのが望ましい。その様な
第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、８２Ｎ（６，Ｂ４Ｈ１０ｙＢ５Ｈ９＋
　Ｂ５ＨＨ＋　Ｂ６Ｈ１０＋　”６Ｈ１２＋　Ｂ６Ｈ１
４等の水素化硼素、ＢＦ５　、　ＢＣｌ２　、　ＢＢｒ
３等のハロダン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣ
ｌ２　、　ＧａＣｌ２　。

Ｇａ（ＣＨ４）５　、　ＩｎＣｌ２　、　ＴｔＣ／＝３
等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ５、
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ５　。

ＰＦ５　、　ＰＣｌ５　、　ＰＣｌ５　、　ＰＢｒ３　
、　ＰＢｒｓ　、　ＰＩ３等のハロダン化燐が挙げられ
る。この他、ＡｓＨ２、ＡｓＦ５　。

１ＮｓｃＬ５　、ＡｓＢｒ３　、ＡｓＦ５．５ｂＨ５、
ＳｂＦ３　、ＳｂＦ５　。

５ｂＣ２３，５ｂＣｔ５　、ＢｉＩ３　、ＢｉＣｌ２．
ＢＩＢｒ３等も請ｖ族原子導入用の出発物質の有拗なも
のとして挙げることが出来る。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の層
（１）　１０２上に形成される第二の層（１）１０５は
自由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特
性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成する為に設けられるＯ 又、本発明に於いては、第一の層（Ｉ）１Ｏ２と第二の
層（１）　１０５とを構成する非晶質材料の各々が、シ
リコン原子上いう共通の構成要素を有しているので、積
層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されてい
る。

本発明に於ける第二の層（ｎ）は、シリコン原子（Ｓｌ
）と酸素原子（０）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又
は／及び−・ロダン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以
後、「ａ−（ＳＩＸｏ、−Ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘ）、−ｙ」と
記す。

但し、Ｏ＜ｘ　、　ｙ＜１　）で構成される。

ａ−（ＳＩＸｏ、−〇ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙで構成される
第二の層（ωの形成はグロー放電法、ス・千ツタリング
法、エレクトロンビーム法、イオンインプランテーショ
ン法、イオングレーティング法等によって成される０こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造するだめの作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に酸素原子及び
ハ四ダン原子を、作製する第二の層（ｎ）中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或はス／４
ツターリング法が好適に採用される。

更に一本発明に於いては、グロー放電法とス／ぐツタ−
リング法とを同一装置系内で併用して第二の層（Ｉｆ）
を形成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（ｎ）を形成スルニは、
ａ　−（ＳＩＸｏ、−ｘ）ｙ（Ｈ＋ｘ）、−ｙ形成用の
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で
混合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入し、
導入されたガスを、グロー放電を生起させることでガス
ゾ２ズ々化して、前記支持体上に既に形成されである第
一の層（１）上にａ−（ＳＩＸｏ、−Ｘ）ｙ（Ｈ１Ｘパ
ー７を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　−（ＳＩＸｏ、−ｙ）　（ＨｌＸ
）、−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓ
ｌ）、酸素原子（０）、水素原子（Ｈ）　、／−ロダン
原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。

Ｓｌ、Ｏ，Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳＩを構成原子と
する原料ガスと、Ｏを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｌを構成原子とする原料ガスと、０及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及び０及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、ＳＩを構成原子とする原料ガスと、
８１．０及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、
８１．０及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することができる。

又、別には、ＳＩとＨとを構成原子とする原料ガスにＯ
を禍′成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスに０を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の層（ｍ中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）として好適なのはＦ　＋　Ｃ１ｒ　Ｂｒ　ｒ
　ｒであＱ１殊にＦ　、　ｃｔか望ましいものである。

本発明に於いて、第二の層（１１）を形成するのに有効
に使用される原料ガスと成シ得るものとしては、常温常
圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることができる。

ス・！ツタリング法で第二の層（ｎ）を形成する場合に
は、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で、別で
構成゛されたターゲットをス・やツタリングする際、酸
素原子（０）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原
子（Ｈ）導入用の又は／及びハロダン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスと共にスパッタリングを行う真空堆積室内に
導入してやれば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとして５Ｉ０
２で構成されたターゲットか、或いはＳｌで構成された
ターゲットと５Ｉ０２で構成されたターゲットの二枚か
、又はＳｔと８１０２とで構成されたターゲットを使用
することで、形成される第二の層（Ｉｔ）中へ酸素原子
（０）を導入することが出来る。この際、前記の酸素原
子（０）導入用の原料ガスを併せて使用すればその流量
を制御することで第二の層（ｎ）中に導入される酸素原
子（０）の量を任意に制御することが容易である。

第二の層（ＩＩ）中へ導入される酸素原子（０）の含有
量は、酸素原子（０）導入用の原料ガスが堆積室中へ導
入される際の流量を制御するか、又は酸素原子（０）導
入用のターゲット中に含有される酸素原子（０）の割合
を、該ターゲットを作成する際に調整するか、或いは、
この両者を行うことによって、所望に従って任意に制御
することが出来る。

本発明において使用される副供給用の原料ガスとなる出
発物質としては、５ＩＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ８１
Ｓｉ、Ｈ４゜等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙けられ
、殊に、層作成作業の扱い易さ、ｓｉ供給効率の良さ等
の点でＳ　Ｉｎ２．　Ｓ　ｌ　２Ｈ６が好ましいものと
して挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される第二の層（ＩＩ）中にＳ
Ｉと共にＨも導入し得る。

ＳＩ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む硅
素化合物、所叱ハロダン原子で置換されたシラン誘導体
、具体的には例えば５ｉｒ４．ｓ＋２Ｆ６゜５ＩＣ１４
，５ＩＢｒ４等のハロダン化硅素が好ましいものとして
挙げることが出来る。

更ニハ、ＳｉＨ２Ｆ２．５ＩＨ２Ｉ２．５１Ｈ２Ｃ１２
，５１ＨＣ２，。

５１Ｈ２Ｂｒ２　ｒ　５ＩＨＢｒ、等のハロダン置換水
素化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素
原子を構成要素の１つとするハロダン化物も有効な第二
の層（１）の形成の為の８１供給用の出発物質として挙
げる事が出来る。

使用する場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択
によって、形成される第二の層（Ｉｔ）中に８１と共に
Ｘを導入することが出来る。

上記した出発物質の中で水素原子を含むハロダン化硅素
化合物は、第二の層（ＩＩ）の形成の際に、層中にハロ
ゲン原子ＣＸ’）の導入と同時に電気的或いは光電的特
性の制御に極めて有効な水素原子（Ｈ）も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン原子（Ｘ）導入用
の出発物質として使用される。

本発明において第二の層（ｎ）を形成する際に使用され
るハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出
発物質としては、上記したものの他に、向えば、フッ素
、塩素、臭素、ヨウ素のハロダンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ
１Ｆ　、　ＣｌＦ３．　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ３．　ＩＦ
、　、　ＩＦ、　。

ＩＣＬ　、　ＩＢｒ等のハロダン間化合物、ＨＦ　、　
ＨＣｔ、　ＨＢｒ　。

ＨＩ等のハロゲン化水素を挙げることが出来る。

第二の層（ＩＯを形成する際に使用される酸素原子（０
）導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用さ
れる出発物質は、０を構成原子とする、オゾン（０３）
　、−酸化窒素（Ｎｏ）　、二酸化窒素（Ｎｏ２）。

−二酸化窒素（Ｎ２０）　、三二酸化窒素（Ｎ２０．）
　、四三酸化窒素（Ｎ２０４）　ｒ三二酸化窒素（Ｎ２
０５）、二酸化窒素（Ｎｏ３）　、シリコン原子（ｓＩ
）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とす
る、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ＩＨ３）’、
　）ジシロキサン（Ｈ５ＳＬＯ８ＩＨ２０ＳＩＨ３）等
の低級シロキサン等を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二の層（Ｉｆ）をグロー放電法又は
スパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガス
としては、所謂、希ガス、列えばＨｌｌ、Ｎ＠。

Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の層（１）は、その要求される特性
が所望通シに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｌ、０、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取シ、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、また光
導電的性質から非光導電的性質を各々示すので、本発明
に於いては目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｌ
ｘＯ７−Ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘ）、。

が形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が
厳密に成される。例えば、第二の層（ｎ）を電気的耐圧
性の向上を主な目的として設けるには、ａ　−（Ｓｌｘ
Ｏ，−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙは使用環境に於いて電気
絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成されるＯ 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ＩＩ）が設けられる場合には、上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され）照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ
　−（ｓｉｘｏ、−ｘ）ｙ（Ｈ＋ｘ）、、が作成される
。

第一の層（Ｉ）の表面に、ａ−（Ｓｉ工ｏ１−、）ｙ（
ＨｌＸ）１−ｙから成る第二の層（Ｉｔ）を形成する際
、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特
性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては、
目的とする特性を有するａ　（ＳｌｘＯ，−ｘ）ｙ（Ｈ
＋ｘ）１−ｙが所望通シに作成され得る様に層作成時の
支持体温度が厳密に制旬１ｊされるのが望ましい。

本発明に於ける所望の目的が効果的に達成されるだめの
第二の層（］］）の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて第二の層（ωの形成が実行されるが、好ましくは
、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、最適
には１００〜３００℃とされるのが望ましいものである
。第二の層（ｎ）の形成には、層を構成する原子の組成
比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較的
容易である事等のために、グロー放電法やスパッターリ
ング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の層（１１）を形成する場合には、前記の支持体温度と
同様に層形成の除の放電パワーが、作成されるａ　−（
ｓｔｘｏ、−Ｘ）ｙ（ｕ＋ｘ）、−ｙの特性を左右する
重要な因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を廟するａ
　−（ＳｌｘＯ，−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙが生産性良
く効果的に作成されるだめの放電パワー条件としては、
好ましくは１０〜３００Ｗ１よシ好適には２０〜２５０
Ｗ、最適には５０〜２００Ｗとされるのが望ましいもの
である。

堆積室内のガス圧は好ましくは０１０１〜ｌ　Ｔｏｒｒ
。

よ）好適には、０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされる
のが望ましい。

本発明に於いては第二の層（Ｉｔ）を作成するための支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ　−（ｓｉｘｏ、−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙから成
る第二の層（Ｉｔ）が形成される様に相互的有機的関連
性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められる
のが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（Ｄ）に含有され
る酸素原子の量は、第二の層（ＩＩ）の作成条件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の
層（Ｉｔ）が形成きれる重要な因子である。

本発明に於ける第二の層（Ｉｆ）に含有される酸素原子
の量は、第二の層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の種類
及びその特性に応じて適宜所望に応じて決められるもの
である◇ 即ち、前記一般式ａ　（ｓ　＋　ｘＯ＋　−Ｘ　）ｙ　
（Ｈｒ　Ｘ）　１−ｙで示される非晶質材料は、大別す
ると、シリコン原子と酸素原子とで構成される非晶質材
料（以後、「ａ−ｓｔ＆ｏ、−ａＪと記す。但し、Ｏ（
ａ　（１）、シリコン原子と酸素原子と水素原子とで構
成される非晶質材料（以後、”　””ｂＯｌ−ｂ）ｃＨ
ｌ　−ｃ　Ｊと記す。但し、ｏ　＜ｂｓ　（！　＜１　
）、シリコ／原子と酸素原子と・・ロダン原子と必要に
応じて水素原子とで構成される非晶質材料（以後、 「１ｌ−（ＳｌｄＯ，−、）、（Ｈ，Ｘ）、−ｅＪと記
す。ｆ旦しＱ（ｄ、ｅく１）、に分類される。

本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）がａ−８ｔａ０．−
ａで構成される場合、第二のＩｄ　（Ｉｔ）に含有され
る酸素原子の量は、ａ−８へ０１−ａのａの表示で行え
ば、ａが好ましくは０．３３〜０．９９９９９より好適
には０．５〜０９９、最適には０．６〜０．９である。

本発明に於いて、第二の層（Ｉｆ）が８−（３１，０，
ｂ）ｃＨｌ−０で構成される場合、第二の層（ＩＩ）に
含有される酸素原子の址は、ａ（”ｂｏｌ−ｂ）ｃＨｌ
−ａの表示で行えばｂが好ましくは０３３３〜０．９９
９９９、よシ好適には０□５〜０，９、最適には０．６
〜０．９、Ｃが好ましくは０，６〜０，９９、より好適
には０．６５〜０９８、最適には０．７〜０．９５であ
るのが望ましい〇第二の層（ｎ）が、ａ　（Ｓｔ、１０
１−ｃｌ）６（ＨｒＸ）Ｉ−ｅで構成される場合には、
第二の層（Ｉ］）中に含有される酸素原子の含有量とし
ては、ａ　（Ｓｌ、１０＋−，１）、（Ｉ（＋Ｘ）１−
ｅのｄ・ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０．３３〜
０．９９９９９、よシ好適には０．５〜０．９９、最適
には０．６〜Ｏ，９、ｅが好ましくは０．８〜０．９９
、よシ好適には０．８２〜０．９９、最適には０．８５
〜０．９８であるのが望ましい◇ 本発明に於ける第二の層（Ｉｌ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重俄な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の層（Ｉｔ）の層ｊ皐は、該層（Ｉｔ）中に含
有される酸素原子の量や第一の層（Ｉ）の層厚との関係
に於いても、各々の層領域に要求される特性に応じた有
機的な関連性の下に所望に従って適宜決定畜れる必要が
ある・ 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚としては、好ま
しくは０．００３〜３０μ、よ）好適には０：００４〜
２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ま
しい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性でおっても良い。導電性支持体としては、向
えば、ＮｌＣｒ　、ステンレス、　Ａｔ。

Ｃｒ　＋　Ｍｏ　＋　Ａｕ　＋　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　
Ｖ　、　Ｔｊ　ｒ　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーはネート、セルローズアセテート、ポリグ
ロビレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面を４電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ　。

Ａｔ１Ｃｒ　ｒｈｏ　＋Ａｕ　、　Ｉｒ　＋Ｎｂ　、Ｔ
ａ　、Ｖ、Ｔｌ　＋Ｐｔ　ｒＰｄ　ｒＩｎ２０３１　Ｓ
ｌ１０□、　ＩＴＯ（Ｉｎ２０．＋５ｎＯ７）等から成
る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いは
ポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、
Ｎ１Ｃｒ　、Ａ１Ａｇ、Ｐｂ　、Ｚｎ　、Ｎｌ　、Ａｕ
　、Ｃｒ　、Ｍｏ　。

Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ等の金属の薄膜を
、真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・やツタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処
理して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状
としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得
、所望によってその形状は決定されるか、例えば、第１
図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材として使
用するのであれば、連続高速複写の場合には無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所
望通シの光導電部材が形成される様に適宜決定されるが
、光導電部材として可撓性が要求される場合には、支持
体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な
限シ薄＜される。しかし乍ら、この様な場合支持体の製
造上及び堆扱い上、機械的強度等の点から、通常は１０
μ以上とされる。

次に本発明の光導電部４珂の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２５図に光導電部伺の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスボンベにハ、本発明の光導
電部材を形成するだめの原料ガスが密封されておシ、そ
の１ρ目してたとえば２０２はＨｅで稀釈された５ＩＨ
４ガス（純度り９．９９９チ、以下ＳｉＨ４／Ｈｅと略
す。）ボンベ、２０３はＨｅで稀釈されたＧｅ　Ｈ４ガ
ス（純度９９．９９９％、以下Ｇｅ　Ｈ４／Ｈｅと略す
。）ボンベ、２０４はＨｅで稀釈されたＳ　＋　Ｆ４ガ
ス（純１ｉ９９．９９％、以下５１　Ｆ４／Ｈｅと略す
。）ボンベ、２ｏ５はＨｅで稀釈され九Ｂ２Ｈ６ガス（
純度９９．９９９％、以下、Ｂ２Ｈ６／Ｈ６と略す。）
ボンベ）２０６はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボン
ベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスがン
ペ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパル
プ２３５が閉じられていることを確認し、又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出パ＃　７’　２１７〜２２１、
補助パルプ２３２，２３３が開かれていることを確認し
て、先ずメインパルプ２３４を開いて、反応室２０１及
び各ガス配管内を排気する。

次に真空計２３６の読みが約５　Ｘ　ｌ　０−６ｔｏｒ
ｒになった時点で補助バルブ２３２，２３３、流出パル
プ２１７〜２２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２３７上に光受容層を形成する場
合の１例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＨ４’
／Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よｐ　ＧｅＨ４／Ｈａガ
スを、パルプ２２２，２２３を夫々間いて出口圧ゲージ
２２７．２２８の圧を１　ｋｇ／ｃｍ２に調整し、流入
パルプ２１２．２１３を徐々に開けて、マスフロコント
ローラ２０７　、２０８　内に夫々を流入させる。引き
続いて流出パルプ２１７．２１８、補助バルブ２３２を
徐々に開いて夫々のガスを反応室２０１に流入させる。

このときのＳ　ｌ　Ｈ４／Ｈｅがス流量とＧｅＨ４／Ｈ
ａガス流量との比が所望の値になるように流出パルプ２
１７．２１８を調整し、又、反応室２０１内の圧力が所
望の値になるように真空計２３６の読みを見ながらメイ
ンパルプ２３４の開口を調整する。そして基体２３７の
温度が加熱ヒーター２３８によシ５０〜４００℃の範囲
の温度に設定されていることを確認された後、電源２４
０を所望の電力に設定して反応室２０１内にグロー放電
を生起させて基体２３７上に第１の層領域（Ｇ）を形成
する。所望の層厚に第１の層領域（６）が形成された時
点に於いて、流出パルプ２１８を完全に閉じること、及
びガスボンベ２０５よシＢ２Ｈ６／Ｈｅガスを前記Ｓｉ
Ｈ４／Ｈｅガスと同様なパルプ操作によシ反応室２０１
内に導き、所望のドーピング曲線にしたがってマスフロ
コントローラ２１０を制御する、父、必要に応じて放電
条件を変えること以外は、同様な条件と手順に従って、
所望時間グロー放電を維持することで、前記の第１のＩ
ｎ　ｒＡ域（Ｇ）上にダルマニウム原子が実質的に含有
されてない第２の層領域Ｃ８）を形成することが出来る
０ ？小ｍＷＩ　イ、幇１の一肩百仙ｈム笛９小１−栢帰（
Ｓ）とで構成された第一の層（１）が基体２３７上に形
成される・ 上記の様にして所定層厚に形成された第一の層（１）上
に第二〇屓（ｎ）を形成するには、第一の層（Ｉ）の形
成の際と同様なパルプ操作によって、例えばＳｉＨ４ガ
ス、Ｎｏの夫々を必要に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈
して、所望の条件に従って、グロー放電を生起させるこ
とによって成される。第二の層（Ｉｔ）中に−・ロダン
原子を含有させるには、例えば５ＩＦ４ガスとＮｏ　、
ガス、或いは、これにＳ　ＩＨ４ガスを加えて上記と同
様にして第二の層（ｎ）を形成することによって成され
る。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２０１内、流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１
内に至るガス配管内に残留することを避けるために、流
出パルプ２１７〜２２１を閉じ、補助パルｆ２３２．２
３３を開いてメインパルプ２３４を全開して系内を一旦
高真空に排気する操作を必要に応じて行なう。

第二の層（ｎ）中に含有される酸素原子の量は、飼えば
、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスと、ＮＯガスの
反応室２０１内に導入される流量比を所望に従って変え
るか、或いは、ス・クツターリングで層形成する場合に
は、ターゲットを形成する際シリコンウェハと５ｉ０２
板のス・母ツタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉末
と８１０２粉末の混合比率を変えてターゲットを成型す
ることによって所望に応じて制御することが出来る。第
二の層（Ｕ）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）の皿は
、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えばＳ　ＩＦ４ガ
スが反応室２０１内に導入される際の流址を調整するこ
とによって成される。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体＼２３７はモータ＼２３９によシ一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第２５図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての各試料を形成した（第２表参照）。

第２の層領域（Ｓ）の形成の際、Ｂ２Ｈ６ガス及びＰＨ
３ガスの流量比を予め設計された変化率線に従って変化
させることによって、第２６図に示す分布濃度を夫々各
試料に就て形成した。

第　２　表 こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置に設置し
■５．０ｋＶでＱ、３ｓｅａ間コロナ帯電を行い、直ち
に光像を照射した。光像はタングステンランプ光源を用
い、２１ｕｘ、ａｅｃの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を各試料の光受容層表面をカスケードすること
によって、光受容層表面上に良好なトナー画像を得た。

光受容層上のトナー画像を、■５．ＯｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、各試料ともに解像力に優れ、
階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

上記に於いて、光源をタングステンランプの代シに８１
０　ｎｍのＧａＡａ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、上記と同様にして
、各試料に就いてトナー転写画像の画質評価を行ったと
ころ、各試料とも解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明
な高品位の画像が得られた。

実施例２ 第２５図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての各試料を形成した（第４表参照）。

第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の形成の際
にＢ２Ｈ６Ｗス及びＰＨ，ガスの流量比を予め設計され
た変化率線に従って変化させることによって＼第２７図
に示す分布濃度を夫々、各試料に就で形成した。

これ等の試料の夫々に就て、実施列１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就て３８℃、８０％ｉ
ｎの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行った
ところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなかっ
た。

第　４　表 実施例３ ８２５図に示した製造装置によシ、シリンダー状のｋＡ
基体上に第５表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料Ａ　３１−１〜３７−１２）を夫々作成
した（第６表）。

各試料に於けるダルマニウム原子の含有分布濃度は第２
８図に、又、不純物原子の含有分布濃度は第２６及び第
２７図に示される。

これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就で３８℃、８０％Ｒ
Ｈの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行った
ところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなかっ
た。

実施Ｆンリ４ 第二の層（ｎ）の作成条件を第７表に示す各条件にした
以外は、実ｂｌｈ　しｕｌ　ｏ試料Ａｌ−１，１−２，
１−３同様の条件と手順に従って電子写真用像形成部材
の夫々（試料扁１−１−１〜１−１−８−，１−２−１
〜１−２−８．１−３−１〜１−３−８の２４個の試料
）を作成した。

こりして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、０５ｋＶで０．２１Ｉｅｅ間コロ
ナ帯電を行い、光像を照射した。光源はり／ゲステンラ
ンプを用い、光量は１．０１ｕス、ＢθＣとした。潜像
は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によっ
て現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、極め
て良好なものであった。

転写されないで電子写真用像形成部材上に残ったトナー
は、ゴムグレードによってクリーニングされた。このよ
うな工程を繰シ返し１０万回以上行っても１いずれの場
合も画像の劣化は見られなかった◇ 各、試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第８表に示す。

実施例５ 第二の層（ｎ）の形成時、ＡｒとＮｏの混合ガスとシリ
コンウェハとＳ　ｒ　０２のターｒ２卜面積比を変えて
、第二の層（Ｉｔ）に於けるシリコン原子と酸素原子の
含有量比を変化させる以外は、実施例１の試料ＡＩ　”
”　１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作
成した。こうして得られた像形成部材の夫々につき、実
施ｆｊｌＪ１に述べた如き、作像、現像゛、クリーニン
グの工程を約５万回繰シ返した後画像評価を行ったとこ
ろ第９表の如き結果を得だ。

実施しｌ１６ 第二の層（Ｉｆ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＮｏガ
スの流址比を変えて、第二の層（のに於けるシリコン原
子と酸素原子の含有値比を変化させる以外は実施例１の
試料嵐１−２と全く同様な方法によって像形成部材の夫
々を作成した。こうして得られた各像形成部材につき、
実施列１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回
繰シ返した後、画像評価を行ったところ、第１０表の如
き結果を得た。

実施列７ 第二の層（Ｉｔ）の層の形成時、５１Ｈ４ガス、８１Ｆ
４ガス、Ｎｏガスの流址比を変えて、第二の層（Ｉｔ）
に於けるシリコン原子と酸素原子の含有量比を変化させ
る以外は、実施列１と全く同様な方法によって像形成部
材の夫々を作成した。こうして得られた各像形成部材に
つき実施例１の試料Ａ１−３に述べた如き作像、現像、
クリーニングの工程を約５万回繰シ返した後、画像評価
を行りたところ第１１表の如き結果を得た。

実施例８ 第二の層（Ｉｆ）の層厚を変える以外は、実施例１の試
料Ａ１−４と全く同様な方法によって像形成部材の夫々
を作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、クリ
ーニングの工程を繰シ返し第１２表の結果を得た。

第　７　表 第　８　表 第　１２　表 以上の本発明の実施例における共通の層作成条件を以下
に示す〇 基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇ、）含有層・・・約２
００℃グツしマニウム原子（Ｇ＠）非含肩層・・・約２
５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々第１の層領
域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図乃至第２４図は、夫々、第一の層（
１）中の不純物原子の分布状態を説明する為の説明図、
第２５図は本発明で使用された装置の模式的説明図で、
第２６図乃至第２８図は夫々本発明の実施例に於ける各
原子の分布状態を示す説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層　１０３・・・第１の層領域（Ｇ）１０４
・・・第２の層領域（Ｓ）　１０５・・・第二の層（Ｉ
Ｉ）１０６・・・自由表面　１０７・・・光受容層−一
一一→−Ｃ −Ｃ −−−−→−Ｃ −□−−→−Ｃ Ｃ（ＰＮ） −Ｃ（ＰＮ） 一−Ｃ（ＰＮ） −一一一一◆Ｃ（ＰＮ） Ｃ（ＰＮ） Ｃ（ＰＮ） □Ｃ（ＰＮ） −Ｃ（ＰＮ） Ｃ（ＰＮ） Ｃ（ＰＮ） −Ｃ（ＰＮ） 、　Ｃ（ｐＮ） 一一一一一一一−Ｃ（ＰＮ） −Ｃ’（ＰＮ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　光導電部材用の支持体と、該支持体上に、ゲル
   マニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領
   域（Ｇ）、およびシリコン原子を含む非晶質材料で構成
   され光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体
   側より順に設けられた層構成の第一の層と、シリコン原
   子と酸素原子とを含む非晶質制料で構成された第二の層
   とから成る光受容層とを有し、前記第一の層は、伝導性
   を制御する物質（Ｃ）を、該第−の層に於いては、層厚
   方向の分布濃度の最大値が前記第２の層領域（Ｓ）中に
   あり且つ前記第２の層領域（Ｓ）に於いては、前記支持
   体側の方に多く分布する状態で含有している事を特徴と
   する光導電部制。 （２）第１の層領域（Ｇ）中にシリコン原子が含有され
   ている特許請求の範囲第１項に記載の光導電（３）　第
   １の層領域（Ｇ）中に於けるケ゛ルマニウム原子の分布
   状態が層厚方向に不均一である特許請求の範囲第１項に
   記載の光導電部材。 （４）１１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム・原
   子の分布状態が層厚方向に均一である特許請求の範囲第
   １項に記載の光導電部材。 （５）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材・（６）第１の層
   領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少なくともいずれ
   か一方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲
   第１項又は同第５項に記載の光導電部材。 （７）第１の層領域（Ｇ）中に於けるダルマニウム原子
   の分布状態が前記支持体側の方に多く分布する分布状態
   である特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。 （８）伝導性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第■族に
   属する原子そある特許請求の範囲第１項に記（９）伝導
   性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第■族に属する原子
   である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部拐。